專利名稱：埋置電阻的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及微波領域，特別涉及一種埋置電阻。
背景技術：
常見的電阻集成在器件表面。這樣的電阻雖然易于調(diào)試，但是卻不方便與其它電器元件進行線路連接。而且，表面電阻容易損壞。因而，在微波領域，埋置電阻應用越來越廣泛。但是，由于埋置電阻埋置在介質(zhì)基板內(nèi)，在燒結前不能調(diào)阻，其容差較大。

實用新型內(nèi)容本實用新型提出一種埋置電阻，解決了現(xiàn)有技術中無法對埋置電阻進行調(diào)試導致電阻阻值不準確的問題。本實用新型的技術方案是這樣實現(xiàn)的:一種埋置電阻，包括頂層金屬地和底層金屬地；第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；電阻片，所述電阻片位于所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層之間；兩個金屬焊盤，所述兩個金屬焊盤分別焊接在所述電阻片的兩端；以及至少一個調(diào)試孔，所述至少一個調(diào)試孔位于所述電阻片的表面上，并穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地?？蛇x地，所述至少一個調(diào)試孔包括一個調(diào)試孔，所述一個調(diào)試孔位于所述電阻片的上表面上，并穿過所述頂層金屬地。可選地，所述至少一個調(diào)試孔包括一個調(diào)試孔，所述一個調(diào)試孔位于所述電阻片的下表面上，并穿過所述底層金屬地。
可選地，所述至少一個調(diào)試孔包括多個調(diào)試孔，所述多個調(diào)試孔位于所述電阻片的上表面上或下表面上，并相應地穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。本實用新型的有益效果是可通過調(diào)試孔對埋置電阻進行調(diào)試，達到所需阻值，減小電阻容差。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本實用新型一種埋置電阻一個實施例的立體結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖1為本實用新型一種埋置電阻一個實施例的立體結構示意圖。如圖1所示，埋置電阻I包括頂層金屬地21、底層金屬地22、第一介質(zhì)層31以及第二介質(zhì)層32。埋置電阻I還包括電阻片4以及兩個金屬焊盤5。其中，電阻片4位于第一介質(zhì)層31和第二介質(zhì)層32之間。兩個金屬焊盤5分別焊接在電阻片4的兩端。另外，埋置電阻I還包括調(diào)試孔6，調(diào)試孔6位于電阻片4的上表面上，并穿過頂層金屬地21，露出部分埋置電阻。在圖1所示實施例中，調(diào)試孔6向上穿過頂層金屬地21。然而，本技術領域的技術人員應當理解，由于埋置電阻I在垂直方向上為對稱結構，調(diào)試孔6亦可位于電阻片4的下表面上，并向下穿過底層金屬地22，露出部分埋置電阻。另外，在圖1所示實施例中，埋置電阻I只包括一個調(diào)試孔。然而，本技術領域的技術人員應當理解，在其它實施例中，埋置電阻可包括多個調(diào)試孔。這些調(diào)試孔可位于電阻片的上表面上并穿過頂層金屬地，亦可位于電阻片的下表面上并穿過底層金屬地，露出部分埋置電阻。表面上并穿過底層金屬地，露出部分埋置電阻。利用本實用新型提出的埋置電阻，由于具有調(diào)試孔，在基板燒結完成之后，可通過調(diào)試孔對埋置電阻進行調(diào)試，達到所需阻值，減小電阻容差。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權利要求1.一種埋置電阻，其特征在于，包括: 頂層金屬地和底層金屬地； 第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層； 電阻片，所述電阻片位于所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層之間； 兩個金屬焊盤，所述兩個金屬焊盤分別焊接在所述電阻片的兩端；以及至少一個調(diào)試孔，所述至少一個調(diào)試孔位于所述電阻片的表面上，并穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。
2.如權利要求1所述的埋置電阻，其特征在于，所述至少一個調(diào)試孔包括一個調(diào)試孔，所述一個調(diào)試孔位于所述電阻片的上表面上，并穿過所述頂層金屬地。
3.如權利要求1所述的埋置電阻，其特征在于，所述至少一個調(diào)試孔包括一個調(diào)試孔，所述一個調(diào)試孔位于所述電阻片的下表面上，并穿過所述底層金屬地。
4.如權利要求1所述的埋置電阻，其特征在于，所述至少一個調(diào)試孔包括多個調(diào)試孔，所述多個調(diào)試孔位于所述電阻片的上表面上或下表面上，并相應地穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。
專利摘要本實用新型提出了一種埋置電阻，包括頂層金屬地和底層金屬地；第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層；電阻片，所述電阻片位于所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層之間；兩個金屬焊盤，所述兩個金屬焊盤分別焊接在所述電阻片的兩端；以及至少一個調(diào)試孔，所述至少一個調(diào)試孔位于所述電阻片的表面上，并穿過所述頂層金屬地或所述底層金屬地。本實用新型的有益效果是可通過調(diào)試孔對埋置電阻進行調(diào)試，達到所需阻值，減小電阻容差。
文檔編號H01C1/16GK202977031SQ20122067805
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權日2012年11月29日
發(fā)明者臧玉華, 單光祥, 滿起祥, 楊傳超, 馬振剛, 黃運河, 馬欣, 祁海霞 申請人:青島瑞豐氣體有限公司