專利名稱：半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，特別是指一種外延層包含有源區(qū)溝槽以及終止區(qū)溝槽，且終止區(qū)溝槽深度大于有源區(qū)溝槽深度，且趨近于逆向擊穿時耗盡區(qū)的深度的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一直以來，蕭特基二極管是相當(dāng)重要的功率元件，其利用金屬-半導(dǎo)體接面作為蕭特基勢壘而產(chǎn)生整流的效果，其可高速切換以及整流的特性，使其普遍應(yīng)用于高速功率交換的元件、數(shù)字計算機以及輸出整流器等。然而，當(dāng)前半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)所形成 的蕭特基二極管中，最大的缺點是其反向擊穿偏壓較低，且反向漏電流較大，不僅如此，其反向電流會隨著溫度升高而增加，致使有失控的問題，因而蕭特基二極管于實際使用時的反向偏壓必需限制比其額定值小很多，使得蕭特基二極管實際上的應(yīng)用受到許多限制。在上述問題之下，許多改進的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)因而被設(shè)計出來，藉以增加反向擊穿電壓及降低漏電流，較為常見的即為注入硼離子形成終止區(qū)(Boron ImplantTermination;BIT)的改進結(jié)構(gòu),在此僅舉出該改進結(jié)構(gòu),請參閱圖1,圖1顯示先前技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖1所示，半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)I包含一半導(dǎo)體基板11、一外延層12、一離子注入層13、一有源區(qū)介電層14、一多晶娃層15、一終止區(qū)介電薄膜層16、一蕭特基勢壘層17及一金屬電極層18。外延層12形成于半導(dǎo)體基板11上，并且包含多個有源區(qū)溝槽121 (圖中僅標(biāo)示一個)及一終止區(qū)溝槽122，所述多個有源區(qū)溝槽121注入有硼離子而形成離子注入層13，且終止區(qū)溝槽122亦通過注入硼離子而形成硼離子注入層1221。有源區(qū)介電層14形成于所述多個有源區(qū)溝槽121的內(nèi)壁及底部，且多晶硅層15形成于有源區(qū)介電層14之上。終止區(qū)介電薄膜層16包含一四乙氧基硅烷層161及一硼磷硅玻璃層162，且蕭特基勢壘層17形成于外延層12及終止區(qū)介電薄膜層16上，而金屬電極層18形成于蕭特基勢壘層17上。其中，半導(dǎo)體基板11的摻雜濃度大于外延層12的摻雜濃度，因此半導(dǎo)體基板11的摻雜濃度定義為N+，外延層12的摻雜濃度定義為N-。請一并參閱圖1及圖2，圖2顯示先前技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的模擬示意圖。由圖2所示的模擬圖中，愈內(nèi)側(cè)的電位曲線其電位值愈低(即愈靠近有源區(qū)溝槽121及終止區(qū)溝槽122的電位曲線，其電位值愈小)，此外，由圖中可得知電位曲線的輪廓呈現(xiàn)縱向趨緩而收斂于半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)I的右側(cè)，據(jù)此可得知此種結(jié)構(gòu)在高反向偏壓時，會導(dǎo)致較多的反向漏電流，進而降低反向擊穿電壓的耐壓程度。另外，可由圖2具體了解注入硼離子所形成的終止區(qū)122電位曲線形成較大的面積以降低有源區(qū)(圖未示)的有源區(qū)溝槽121邊端所聚集的電場，據(jù)以達到緩和的目的，因此，公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)仍具有大幅降低反向漏電流以及提升反向擊穿電壓的改善空間。[0009]其中，圖2的模擬條件設(shè)定為所述多個有源區(qū)溝槽121的深度為2.4 μ m，有源區(qū)溝槽121的離子注入層13所注入硼離子的劑量為4e12，且終止區(qū)溝槽122的離子注入層1221所注入的劑量為5e14，終止區(qū)介電薄膜層16的厚度為7500A。綜合以上所述，相信舉凡在所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員應(yīng)不難理解公知技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)中，由于終止區(qū)注入P型離子，使得半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)在高反向偏壓下仍具有較大的反向漏電流，進而降低反向擊穿電壓的耐壓程度，因而當(dāng)前半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)仍存在高反向漏電流以及低反向擊穿電壓的問題。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型所欲解決的技術(shù)問題與目的:有鑒于在公知技術(shù)中，由于終止區(qū)注入P型離子，使得半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)在高反向偏壓下仍具有較大的反向漏電流，進而降低反向擊穿電壓的耐壓程度，因而當(dāng)前半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)仍存在高反向漏電流以及低反向擊穿電壓的問題。緣此，本實用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其于外延層內(nèi)形成有源區(qū)溝槽以及終止區(qū)溝槽，且終止區(qū)溝槽的深度大于有源區(qū)溝槽深度，且趨近于逆向擊穿時耗盡區(qū)的深度。本實用新型解決問題的技術(shù)手段:本實用新型為解決公知技術(shù)的問題，所采用的必要技術(shù)手段為提供一種半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，包含一半導(dǎo)體基板、一外延層、一離子注入層、一終止區(qū)介電薄膜層、一有源區(qū)介電層以及一第一多晶硅層。半導(dǎo)體基板以一第一摻雜濃度摻雜有一第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)，外延層形成于半導(dǎo)體基板上，以一第二摻雜濃度摻雜有第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)，并且開設(shè)多個有源區(qū)溝槽以及至少一終止區(qū)溝槽，所述多個有源區(qū)溝槽開設(shè)于外延層內(nèi)，終止區(qū)溝槽形成于外延層內(nèi)，并與所述多個有源區(qū)溝槽相間隔。離子注入 層通過在所述多個有源區(qū)溝槽的底部摻雜一第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)而形成于所述多個有源區(qū)溝槽內(nèi)，終止區(qū)介電薄膜層包覆終止區(qū)溝槽。該有源區(qū)介電層在所述多個有源區(qū)溝槽中覆設(shè)于該離子注入層。第一多晶硅層覆設(shè)于該有源區(qū)介電層，并且填滿所述多個有源區(qū)溝槽。其中，第一摻雜濃度大于第二摻雜濃度，且終止區(qū)溝槽的深度大于所述多個有源區(qū)溝槽的深度，且趨近于逆向擊穿時耗盡區(qū)的深度。較佳者，上述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)中，終止區(qū)介電薄膜層包含一四乙氧基娃燒(Tetraethoxysilane;TE0S)層以及一硼憐娃玻璃(Boro Phospho SilicateGlass; BPSG)層，其中，四乙氧基硅烷層形成于終止區(qū)溝槽的內(nèi)壁及底部，硼磷硅玻璃層形成于四乙氧基硅烷層上。另外，四乙氧基硅烷層的厚度為1000至3000人，硼磷硅玻璃層的厚度為4000至7000A,此外，上述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)中，其中還包含一蕭特基勢壘層，且該蕭特基勢壘層形成于外延層上，此外，該半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)還包含一第二多晶硅層，其于該終止區(qū)溝槽內(nèi)，形成于該硼磷硅玻璃層以及該蕭特基勢壘層之間。另外，該蕭特基勢壘層材質(zhì)的使用是依照不同電壓及漏電規(guī)格而使用不同勢魚高度(barrier height)的金屬,本實施例以娃化鑰(barrier height=0.59ev)作為IOOV元件的蕭特基勢魚層。較佳者，上述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)中，還包含一金屬電極層，且金屬電極層形成于蕭特基勢壘層上，且金屬電極層的材質(zhì)為氮化鈦(TiN)及硅化鈦(TiSi)的其中一種與鋁及銅鋁合金中的其中一種組合而成。此外，上述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)中，有源區(qū)介電層的厚度為1000至3000A，而有源區(qū)介電層為一熱氧化層，且熱氧化層的材質(zhì)為二氧化硅(SiO2)及氮氧化硅(siliconoxynitride; SiON)中的其中一種。較佳者，上述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)中，終止區(qū)溝槽與最鄰近所述多個有源區(qū)溝槽中的其中一個的間距為0.5至4μ m，且所述多個有源區(qū)溝槽的寬度為0.6至1.5 μ m，且深度為1.5至3 μ m,而終止區(qū)溝槽的寬度5至25 μ m,且深度為5至12 μ m。此外，上述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)中，第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)的離子注入能量為30至IOOKeV,而第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)的離子注入角度為7至25度，且第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)的離子注入劑量為Ie12至le13。本實用新型對照現(xiàn)有技術(shù)的功效:本實用新型的有益效果在于，相較于公知技術(shù)中，由于終止區(qū)溝槽系注入P型離子，使得半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)在高反向偏壓下仍具有較大的反向漏電流，進而降低反向擊穿電壓的耐壓程度，因而當(dāng)前半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)仍存在高反向漏電流以及低反向擊穿電壓的問題。緣此，本實用新型的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其于外延層內(nèi)形成有源區(qū)溝槽以及終止區(qū)溝槽，且終止區(qū)溝槽的深度大于有源區(qū)溝槽的深度，且趨近于逆向擊穿時耗盡區(qū)的深度，進而達到降低反向漏電流并且增加反向擊穿電壓的功效。本實用新型所采用的具體實施例，將通過以下的實施例及附圖作進一步的說明。

圖1顯示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖2顯示現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的模擬示意圖；圖3顯示本實用新型較佳實施例的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖4顯示本實用新型較佳實施例的模擬示意圖；以及圖5顯示現(xiàn)有技術(shù)及本實用新型較佳實施例的反向擊穿電壓及漏電流示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下:I半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)11半導(dǎo)體基板12外延層121有源區(qū)溝槽122終止區(qū)溝槽1221硼離子注入層13離子注入層14有源區(qū)介電層15多晶硅層16終止區(qū)介電薄膜層161四乙氧基硅烷層[0044]162硼磷硅玻璃層17蕭特基勢壘層18金屬電極層2半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)21半導(dǎo)體基板22外延層221有源區(qū)溝槽222終止區(qū)溝槽23離子注入層24有源區(qū)介電層25第一多晶娃層26終止區(qū)介電薄膜層261 四乙氧基硅烷層262硼磷硅玻璃層27蕭特基勢壘層28第二多晶硅層29金屬電極層100耗盡區(qū)曲線200第一特性曲線300第二特性曲線dl、d2深度wl、w2寬度
具體實施方式
由于本實用新型所提供的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)中，其相關(guān)組合實施方式不勝枚舉，故在此不再一一贅述，僅列舉其中一個較佳實施例加以具體說明。請參閱圖3，圖3顯示本實用新型較佳實施例的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖3所不，半導(dǎo)體兀件結(jié)構(gòu)2包含一半導(dǎo)體基板21、一外延層22、多個離子注入層23、一有源區(qū)介電層24、一第一多晶娃層25、一終止區(qū)介電薄膜層26、一蕭特基勢魚層27、一第二多晶娃層28及一金屬電極層29。半導(dǎo)體基板21以第一摻雜濃度摻雜有一第一型半導(dǎo)體雜質(zhì),且第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)為濃度較濃的N型離子，在此定義為N+。外延層22形成于半導(dǎo)體基板21上，以一第二摻雜濃度摻雜有第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)，且其第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)為濃度較淡的N型離子，在此定義為N-，具體來說，第一摻雜濃度大于第二摻雜濃度。外延層22還開設(shè)多個有源區(qū)溝槽221 (圖中僅標(biāo)示一個)及一終止區(qū)溝槽222，所述多個有源區(qū)溝槽221開設(shè)于外延層22內(nèi)，終止區(qū)溝槽222形成于外延層22內(nèi)，并與所述多個有源區(qū)溝槽221相間隔。其中，終止區(qū)溝槽222與最鄰近所述多個有源區(qū)溝槽221中的其中一個(即圖中最右側(cè)的有源區(qū)溝槽221)的間距為0.5至4μ m，另外，有源區(qū)溝槽221的寬度wl為0.6至1.5 μ m,且深度dl為1.5至3 μ m，而終止區(qū)溝槽222的寬度w2為5至25 μ m,且深度d2為5至12 μ m，即終止區(qū)溝槽222的深度d2大于所述多個有源區(qū)溝槽221的深度dl，且該深度d2的設(shè)定趨近于逆向擊穿時耗盡區(qū)的深度，即接近圖中的耗盡區(qū)曲線100。離子注入層23通過在所述多個有源區(qū)溝槽221的底部摻雜一第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)而形成于所述多個有源區(qū)溝槽221內(nèi)，且第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)為P型離子。其中，第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)的離子注入能量為30至IOOKeV,而第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)的離子注入角度為7至25度，且第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)的離子注入劑量為Ie12至le13。 有源區(qū)介電層24在所述多個有源區(qū)溝槽221中覆設(shè)于離子注入層23，且有源區(qū)介電層的厚度為1000至3000人，而有源區(qū)介電層24為熱氧化層，且熱氧化層的材質(zhì)為二氧化娃(SiO2)及氮氧化娃(silicon oxynitride; SiON)中的其中一種。第一多晶娃層25覆設(shè)于有源區(qū)介電層24并填滿所述多個有源區(qū)溝槽221，且第一多晶硅層25為N型。終止區(qū)介電薄膜層26包覆終止區(qū)溝槽222，并且部分形成于外延層22上，其包含一四乙氧基娃燒(Tetraethoxysilane;TE0S)層261以及一硼磷娃玻璃(Boro PhosphoSilicate Glass;BPSG)層262。四乙氧基硅烷層261形成于終止區(qū)溝槽222的內(nèi)壁及底部，硼磷硅玻璃層262形成于四乙氧基硅烷層261上。其中，四乙氧基硅烷層261的厚度為1000至3000人，硼磷硅玻璃層262的厚度為4000至7000A。蕭特基勢壘層27形成 于外延層22及硼磷硅玻璃層262上，本實施例所用的蕭特基勢魚層27材質(zhì)為娃化鑰(barrier height=0.59ev)。第二多晶娃層28于終止區(qū)溝槽內(nèi)222，形成于硼磷硅玻璃層262以及蕭特基勢壘層27之間。金屬電極層29形成于蕭特基勢壘層27上，且金屬電極層29的材質(zhì)為氮化鈦(TiN)及硅化鈦(TiSi)的其中一種與鋁及銅鋁合金中的其中一種組合而成。請一并參閱圖2至圖4，圖4顯示本實用新型較佳實施例的模擬示意圖。由圖4所示的模擬中，愈內(nèi)側(cè)的電位曲線的電位值愈低(即愈靠近有源區(qū)溝槽221及終止區(qū)溝槽222的電位曲線，其電位值愈小)，此外，由圖中可得知電位曲線的輪廓呈現(xiàn)橫向趨緩而收斂于半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)2的終止區(qū)溝槽222，與圖2相比較后，可具體地了解到本實用新型所形成的電位曲線可有效降低反向漏電流，并且有效地增加反向擊穿電壓。請參閱圖5，圖5顯示現(xiàn)有技術(shù)及本實用新型較佳實施例的反向擊穿電壓及漏電流示意圖。如圖5所示，第一特性曲線200為現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的模擬曲線，第二特性曲線300為本實用新型的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)的模擬曲線，由圖中可具體了解到本實用新型的反向漏電流較低且反向擊穿電壓較高。若以固定漏電流的值為例來看，本實用新型反向擊穿電壓確實大于現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)；若以固定反向擊穿電壓來看，本實用新型的反向漏電流確實小于現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)。值得一提的是，圖5依據(jù)圖4所設(shè)定的模擬條件進行模擬，且模擬條件設(shè)定為所述多個有源區(qū)溝槽121的深度為2.4 μ m，有源區(qū)溝槽121的離子注入層13所注入硼離子的劑量為4e12，且以離子注入所形成的終止區(qū)122所注入的劑量為5e14，而終止區(qū)溝槽222的深度為7.4 μ m，終止區(qū)介電薄膜層16、26的厚度為TSOOAtl綜上所述，通過本實用新型所提供的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)可達到降低反向漏電流并且增加反向擊穿電壓的功效，此外，本實用新型的終止區(qū)溝槽設(shè)計可大幅降低電位曲線所形成的區(qū)域面積而精簡晶片尺寸，并且不影響半導(dǎo)體元件的任何特性，進而使本實用新型可大量應(yīng)用于高壓元件中。另外，本實用新型的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)中，由于可通過蝕刻工藝調(diào)整晶圓上終止區(qū)溝槽深度的均勻性，并且具有較低的反向漏電流的特性，藉以提升整體工藝上的合格率進而降低制造成本。通過上述的本實用新型實施例可知，本實用新型確實具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。惟以上的實施例說明，僅為本實用新型的較佳實施例說明，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可依據(jù)本實用新型的上述實施例說明而作其它種種的改進及變化。然而這些依據(jù)本實用新型實施例所作的種種改進及變化，當(dāng)仍屬于本實用新型的實用新型精神及界定的專利范圍內(nèi) 。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，包含: 一半導(dǎo)體基板，以一第一摻雜濃度摻雜有一第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)； 一外延層，形成于該半導(dǎo)體基板上，以一第二摻雜濃度摻雜有該第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)，并且開設(shè): 多個有源區(qū)溝槽，開設(shè)于該外延層內(nèi)；以及 至少一終止區(qū)溝槽，形成于該外延層內(nèi)，并與所述多個有源區(qū)溝槽相間隔； 一離子注入層，通過在所述多個有源區(qū)溝槽的底部摻雜一第二型半導(dǎo)體雜質(zhì)而形成于所述多個有源區(qū)溝槽內(nèi)； 一終止區(qū)介電薄膜層，包覆該終止區(qū)溝槽； 一有源區(qū)介電層，在所述多個有源區(qū)溝槽中覆設(shè)于該離子注入層；以及 一第一多晶硅層，覆設(shè)于該有源區(qū)介電層，并且填滿所述多個有源區(qū)溝槽； 其中，該第一摻雜濃度系大于該第二摻雜濃度，且該終止區(qū)溝槽的深度大于所述多個有源區(qū)溝槽的深度，且趨近于逆向擊穿時耗盡區(qū)的深度。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該終止區(qū)介電薄膜層包含一四乙氧基硅烷層以及一硼磷硅玻璃層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該四乙氧基硅烷層形成于該終止區(qū)溝槽的內(nèi)壁及底部。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該硼磷硅玻璃層形成于該四乙氧基娃燒層上。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該四乙氧基硅烷層的厚度為1000至3000A,該硼磷硅玻璃層的厚度為4000至7000A。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中還包含一蕭特基勢壘層，且該蕭特基勢壘層形成于該外延層及該硼磷硅玻璃層上。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中還包含一第二多晶硅層，且該第二多晶硅層于該終止區(qū)溝槽內(nèi)，形成于該硼磷硅玻璃層以及該蕭特基勢壘層之間。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該蕭特基勢壘層材質(zhì)為硅化鑰。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中還包含一金屬電極層，且該金屬電極層形成于該蕭特基勢壘層上。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該有源區(qū)介電層的厚度為1000至 3000A
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該有源區(qū)介電層為一熱氧化層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該熱氧化層的材質(zhì)為二氧化硅及氮氧化娃中的其中一種。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中，該終止區(qū)溝槽與最鄰近所述多個有源區(qū)溝槽中的其中一個的間距為0.5至4μπι。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中所述多個有源區(qū)溝槽的寬度為0.6至1.5 μ m,且深度為1.5至3 μ m。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其中該終止區(qū)溝槽的寬度為5至· 25 μ m,且深度為5··至12 μ m。
專利摘要本實用新型公開了一種半導(dǎo)體元件溝槽式結(jié)構(gòu)，其包含一半導(dǎo)體基板、一外延層、一離子注入層、一終止區(qū)介電薄膜層、一有源區(qū)介電層及一第一多晶硅層。外延層形成于半導(dǎo)體基板上，以第二摻雜濃度摻雜第一型半導(dǎo)體雜質(zhì)，并開設(shè)多個有源區(qū)溝槽及至少一終止區(qū)溝槽。離子注入層形成于所述多個有源區(qū)溝槽內(nèi)，有源區(qū)介電層覆設(shè)于離子注入層，第一多晶硅層覆設(shè)于有源區(qū)介電層并填滿所述多個有源區(qū)溝槽，終止區(qū)介電薄膜層則包覆終止區(qū)溝槽。其中第一摻雜濃度大于第二摻雜濃度，且終止區(qū)溝槽的深度大于所述多個有源區(qū)溝槽的深度，且趨近于逆向擊穿時耗盡區(qū)的深度。本實用新型可達到降低反向漏電流并且增加反向擊穿電壓的功效。
文檔編號H01L29/06GK203150559SQ20122069092
公開日2013年8月21日 申請日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月13日
發(fā)明者莊智強, 黃朝新 申請人:臺灣半導(dǎo)體股份有限公司