專利名稱：一種amoled像素驅(qū)動(dòng)電路及其電容器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及AMOLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路和所述像素驅(qū)動(dòng)電路的電容器結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
基于P型TFT構(gòu)成的傳統(tǒng)2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示:圖中，Ml為開關(guān)晶體管，用于控制數(shù)據(jù)線Vdata輸入；M2為驅(qū)動(dòng)晶體管，用于控制OLED的發(fā)光電流；Cs為存儲(chǔ)電容器，用于為驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極提供偏置及維持電壓。上述的2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路在單幀時(shí)間內(nèi)包括兩個(gè)工作時(shí)段，如圖2所示:第一時(shí)段為數(shù)據(jù)線Vdata寫入時(shí)段tl，在該時(shí)段內(nèi)，行掃描線Vscan為低電平，此時(shí)開關(guān)晶體管Ml導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Vdata經(jīng)過開關(guān)晶體管Ml漏源極之間的通道寫入到存儲(chǔ)電容器Cs上，并同時(shí)作用于驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極，M2導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)發(fā)光像素單元OLED發(fā)光；第二時(shí)段為顯示維持時(shí)段t2，在該時(shí)段內(nèi)，行掃描線Vscan為高電平，開關(guān)晶體管Ml處于截止?fàn)顟B(tài)，其漏源極之間的通道被關(guān)斷，數(shù)據(jù)線Vdata與存儲(chǔ)電容器Cs (驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極)之間的通道被關(guān)斷。此時(shí)，在要求不嚴(yán)格的情況下可以認(rèn)為存儲(chǔ)電容器Cs因開關(guān)晶體管Ml關(guān)斷而沒有電荷的泄放通路，只能保持開關(guān)晶體管Ml截止前的狀態(tài)，Cs兩端電壓維持不變，M2導(dǎo)通并維持發(fā)光像素單元OLED發(fā)光，直到下一幀周期的行掃描線Vscan到來，開關(guān)晶體管Ml再次被選通。但在實(shí)際工程應(yīng)用中，因開關(guān)晶體管Ml本身存在電荷注入效應(yīng)和漏電流,考慮這種實(shí)際情況后Cs兩端的電壓即驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極電位將在開關(guān)晶體管Ml關(guān)斷后因?yàn)镸l電荷注入效應(yīng)和漏電流的影響而隨著時(shí)間的推移而變化，加上驅(qū)動(dòng)晶體管M2的IV曲線(電流-電壓關(guān)系曲線)以及發(fā)光像素單元OLED的IVL曲線(電流-電壓-亮度關(guān)系曲線)的非線性特性的影響，相應(yīng)像素單元的OLED亮度會(huì)在上述幀周期內(nèi)有所變化，進(jìn)而容易導(dǎo)致顯示圖像畸變。具體表現(xiàn)為，開關(guān)晶體管Ml關(guān)斷后，開關(guān)晶體管Ml電荷注入效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致已寫入的數(shù)據(jù)信號(hào)(存儲(chǔ)電容器Cs兩端的電壓)躍變，如圖3所示，電壓(voltage)在時(shí)間(time) Om (S)與 20m(S)之間由 B 點(diǎn)的 Y2=2.5431 (V)跌落至 C 點(diǎn)的 Υ3=2.4079 (V)，跌落電壓dY2=-135.8mv。這種變化將作用于驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極并進(jìn)一步影響發(fā)光像素單元OLED的發(fā)光電流變化,導(dǎo)致圖像畸變；如圖4所示，電壓(voltage)在時(shí)間(time) 30u (S)與35u (S)之間由A點(diǎn)的Yl=2.5 (V)躍變至B點(diǎn)的Υ2=2.5437 (V)，躍變電壓dYl=43.7mv ;開關(guān)晶體管Ml的漏電流會(huì)導(dǎo)致已寫入的數(shù)據(jù)信號(hào)(存儲(chǔ)電容器Cs兩端的電壓)跌落。所以在像素驅(qū)動(dòng)電路中要求盡可能減小或消除開關(guān)晶體管Ml的電荷注入效應(yīng)及漏電流導(dǎo)致的存儲(chǔ)電容器Cs兩端的電壓變化。傳統(tǒng)的一種做法是增大現(xiàn)有的2T1C像素電路的存儲(chǔ)電容器Cs的電容值。通過增大電容值可以有效降低開關(guān)晶體管Ml電荷注入效應(yīng)及漏電流的影響，但是增大電容值需要在OLED像素單元區(qū)域增大電容Cs極板面積，從的OLED像素單元結(jié)構(gòu)可以看出存儲(chǔ)電容器Cs與OLED發(fā)光區(qū)域并列分布于像素區(qū)域，增大存儲(chǔ)電容器Cs勢(shì)必影響到面板開口率。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了減小AMOLED面板因開關(guān)晶體管Ml的電荷注入效應(yīng)及漏電流導(dǎo)致的存儲(chǔ)電容器Cs兩端電壓變化所引起的顯示圖像畸變的影響，同時(shí)不降低像素開口率，提出了 一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及其電容結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括:開關(guān)晶體管M1，包括兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，所述兩個(gè)輸入端分別與數(shù)據(jù)線Vdata和行掃描線Vscan相連接；驅(qū)動(dòng)晶體管M2，包括兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，所述兩個(gè)輸入端分別與電源線正極Vdd和開關(guān)晶體管Ml的輸出端相連接，所述輸出端與有機(jī)發(fā)光二極管Dl的陽極相連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管Dl的陰極與電源線負(fù)極Vss相連接；存儲(chǔ)電容器Cs，包括兩個(gè)電極，其中一電極與電源線正極Vdd相連接，另一電極與開關(guān)晶體管Ml和驅(qū)動(dòng)晶體管M2的公共端相連接；其特征在于，還包括，存儲(chǔ)電容器Csl，包括兩個(gè)電極，其中一電極與電源線負(fù)極Vss相連接，另一電極與開關(guān)晶體管Ml、驅(qū)動(dòng)晶體管M2和存儲(chǔ)電容器Cs的公共端相連接。一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括層疊分布的三個(gè)電極板，其中分別位于上層和下層的兩個(gè)電極板分別與中間層的電極板形成第一存儲(chǔ)電容器Cs和第二存儲(chǔ)電容器Csl。進(jìn)一步的，所述上層和下層的一個(gè)電極板位于AMOLED像素結(jié)構(gòu)的電源線負(fù)極Vss所在的層，另一個(gè)電極板位于AMOLED像素結(jié)構(gòu)的電源線正極Vdd所在的層，中間層的電極板位于開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的公共端所在的層。本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的技術(shù)方案通過在傳統(tǒng)的2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)晶體管Ml和驅(qū)動(dòng)晶體管M2的公共端與電源線負(fù)極Vss之間設(shè)置一存儲(chǔ)電容器Csl，并通過以電源線正極Vdd層、開關(guān)晶體管Ml與驅(qū)動(dòng)晶體管M2的公共端層和電源線負(fù)極Vss層設(shè)置存儲(chǔ)電容器Cs和Csl的三個(gè)電極板，使因開關(guān)晶體管Ml電荷注入效應(yīng)和漏電流的影響引起存儲(chǔ)電容器Cs兩端電壓變化并產(chǎn)生電流時(shí)，所產(chǎn)生的電流可以通過增設(shè)的電容器Csl釋放以減小該影響，有效降低了因Ml電荷注入效應(yīng)和漏電流導(dǎo)致的顯示圖像的畸變程度。

圖1為現(xiàn)有的2T1C型AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路原理圖；圖2為AMOLED面板的行掃描信號(hào)示意圖；圖3為現(xiàn)有的2T1C型AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路在Ml漏電流影響下的NETl點(diǎn)電位變化圖；圖4為現(xiàn)有的2T1C型AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路在Ml電荷注入效應(yīng)影響下的NETl點(diǎn)電位變化圖；圖5為本實(shí)用新型的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路原理圖；圖6為本實(shí)用新型的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的電容器結(jié)構(gòu)示意圖；[0023]圖7為實(shí)用新型的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路與現(xiàn)有的2T1C型驅(qū)動(dòng)電路在Ml漏電流影響下的NETl點(diǎn)電位變化對(duì)比圖；圖71為圖7中A處的局部放大圖示；圖8為本實(shí)用新型的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路與現(xiàn)有的2T1C型驅(qū)動(dòng)電路在Ml電荷注入效應(yīng)影響下的NETl點(diǎn)電位變化對(duì)比圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳述。如圖5所示:本實(shí)施例的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路,包括:開關(guān)晶體管M1，為P型晶體管，包括兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，所述兩個(gè)輸入端分別與數(shù)據(jù)線Vdata和行掃描線Vscan相連接；所述兩個(gè)輸入端分別為Ml的柵極G和源極S，所述輸出端具體為Ml的漏極；驅(qū)動(dòng)晶體管M2，為P型晶體管，包括兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，所述兩個(gè)輸入端分別為M2的源極S和柵極G，所述M2的源極S和柵極G與電源線正極Vdd和開關(guān)晶體管Ml的輸出端漏極D相連接，所述輸出端漏極D與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) Dl的陽極相連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管Dl的陰極與電源線負(fù)極Vss相連接；存儲(chǔ)電容器Cs，包括兩個(gè)電極，其中一電極與電源線正極Vdd相連接，另一電極與開關(guān)晶體管Ml和驅(qū)動(dòng)晶體管M2的公共端相連接；還包括，存儲(chǔ)電容器Csl，包括兩個(gè)電極，其中一電極與電源線負(fù)極Vss相連接，另一電極與開關(guān)晶體管Ml、驅(qū)動(dòng)晶體管M2和存儲(chǔ)電容器Cs的公共端相連接。所述開關(guān)晶體管Ml用于根據(jù)行掃描線Vscan的控制將數(shù)據(jù)線Vdata寫入存儲(chǔ)電容器Cs ;驅(qū)動(dòng)晶體管M2用于根據(jù)數(shù)據(jù)線Vdata或存儲(chǔ)電容器Cs兩端的電壓控制流向發(fā)光像素單元OLED的電流；存儲(chǔ)電容器Cs用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電壓和向驅(qū)動(dòng)晶體管M2提供偏置電壓。所述的電容器Cs I，其容值與存儲(chǔ)電容器Cs相等。如圖6所示:本實(shí)施例的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)，包括層疊分布的三個(gè)電極板，其中分別位于上層和下層的兩個(gè)極板分別與中間層的極板形成存儲(chǔ)電容器Cs和存儲(chǔ)電容器Csl。所述上層和下層的兩個(gè)電極板，其中一個(gè)電極板位于AMOLED像素結(jié)構(gòu)的電源線負(fù)極Vss所在的層4，另一個(gè)電極板位于AMOLED像素結(jié)構(gòu)的電源線正極Vdd所在的層，中間層的電極板位于開關(guān)晶體管I和驅(qū)動(dòng)晶體管2公共端所在的層3。上述具體實(shí)施例所述的電路的具體工作流程如下:tl時(shí)段，開關(guān)晶體管Ml根據(jù)行掃描線Vscan的掃描信號(hào)導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Vdata通過開關(guān)晶體管Ml寫入存儲(chǔ)電容器Cs及電容器Csl，并作用于驅(qū)動(dòng)晶體管M2的柵極，驅(qū)動(dòng)晶體管M2導(dǎo)通，發(fā)光像素單元OLED相應(yīng)點(diǎn)亮，上述狀態(tài)維持至t2時(shí)段開始；t2時(shí)段，開關(guān)晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管在存儲(chǔ)電容所存儲(chǔ)的電壓信號(hào)的作用下維持導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)光像素單元OLED繼續(xù)發(fā)光。在tl與t2時(shí)段的切換過程中，由于開關(guān)晶體管Ml的電荷注入效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生流經(jīng)NETl點(diǎn)的電流；同時(shí)，在t2時(shí)段中由于開關(guān)晶體管Ml的漏電流也會(huì)產(chǎn)生流經(jīng)NETl點(diǎn)的電流。當(dāng)上述電流出現(xiàn)時(shí)，會(huì)同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)電容器Cs及存儲(chǔ)電容器Csl充電或者放電，與不設(shè)置電容器Csl相比，NETl點(diǎn)的電壓變化量將會(huì)減小，本實(shí)施例中存儲(chǔ)電容器Csl的容值大小與存儲(chǔ)電容器Cs相等，所以NETl點(diǎn)的電壓變化量相對(duì)于不設(shè)置電容器Csl的電路理論上會(huì)減半。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到所述的存儲(chǔ)器Cs和存儲(chǔ)電容器Csl的容值是否相等并不影響本實(shí)用新型方案的實(shí)施，本實(shí)施例中存儲(chǔ)電容器Cs和存儲(chǔ)電容器Csl容值相等為一優(yōu)選技術(shù)參數(shù)，為本實(shí)用新型的非必要技術(shù)特征。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，這里所述的實(shí)施例是為了幫助讀者理解本實(shí)用新型的原理，應(yīng)被理解為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于這樣的特別陳述和實(shí)施例。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以根據(jù)本實(shí)用新型公開的這些技術(shù)啟示做出各種不脫離本實(shí)用新型實(shí)質(zhì)的其它各種具體變形和組合，這些變形和組合仍然在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，包括: 開關(guān)晶體管M1，包括兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，所述兩個(gè)輸入端分別與數(shù)據(jù)線Vdata和行掃描線Vscan相連接； 驅(qū)動(dòng)晶體管M2，包括兩個(gè)輸入端和一個(gè)輸出端，所述兩個(gè)輸入端分別與電源線正極Vdd和開關(guān)晶體管Ml的輸出端相連接，所述輸出端與有機(jī)發(fā)光二極管Dl的陽極相連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管Dl的陰極與電源線負(fù)極Vss相連接； 存儲(chǔ)電容器Cs，包括兩個(gè)電極，其中一電極與電源線正極Vdd相連接，另一電極與開關(guān)晶體管Ml和驅(qū)動(dòng)晶體管M2的公共端相連接； 其特征在于，還包括， 存儲(chǔ)電容器Csl，包括兩個(gè)電極，其中一電極與電源線負(fù)極Vss相連接，另一電極與開關(guān)晶體管Ml、驅(qū)動(dòng)晶體管M2和存儲(chǔ)電容器Cs的公共端相連接。
2.—種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)，其特征在于: 包括層疊分布的三個(gè)電極板，其中分別位于上層和下層的兩個(gè)極板分別與中間層的極板形成存儲(chǔ)電容器Cs和存儲(chǔ)電容器Csl。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)，所述上層和下層的兩個(gè)電極板，其中一個(gè)電極板位于AMOLED像素結(jié)構(gòu)的電源線負(fù)極Vss所在的層，另一個(gè)電極板位于AMOLED像素結(jié)構(gòu)的電源線正極Vdd所在的層，中間層的電極板位于開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管的公共端所在的層。
專利摘要本實(shí)用新型為了減小AMOLED面板因開關(guān)晶體管M1的電荷注入效應(yīng)及漏電流導(dǎo)致的存儲(chǔ)電容器Cs兩端電壓變化所引起的顯示圖像畸變的影響，同時(shí)不降低像素開口率，提出了一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路及其電容結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)電容器Cs1一電極與電源線負(fù)極Vss相連接，另一電極與開關(guān)晶體管M1、驅(qū)動(dòng)晶體管M2和存儲(chǔ)電容器Cs的公共端相連接。本實(shí)用新型因開關(guān)晶體管M1電荷注入效應(yīng)和漏電流的影響引起存儲(chǔ)電容器Cs兩端電壓變化并產(chǎn)生電流時(shí)，上述電流可以通過增設(shè)的電容器Cs1釋放以減小該影響，有效降低了因M1電荷注入效應(yīng)和漏電樓導(dǎo)致的顯示圖像的畸變程度。
文檔編號(hào)H01L23/522GK202996248SQ20122070646
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月19日
發(fā)明者周剛, 田朝勇, 劉宏 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司