專利名稱：用于半導體集成制造生產線中的微型pvd模塊的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體生產設備的設計領域，尤其涉及用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊。
背景技術：
由于半導體集成制造的過程中需要由多個工藝分步完成，如清洗處理、干燥處理、隔離處理、PVD鍍膜等等，且每一工藝步驟均需要在密閉的環(huán)境下進行，對此現(xiàn)有技術中通常采用集成密封制造系統(tǒng)，使每一步工藝在同一密閉的環(huán)境下進行。在整個半導體集成制造過程中，PVD鍍膜是半導體成型的核心步驟。PVD指利用物理過程實現(xiàn)物質轉移，將原子或分子由源轉移到基板表面上的過程。在目前的半導體制造過程中，PVD鍍膜技術的基本方法有真空蒸發(fā)、真空濺射和真空離子鍍膜的方法。真空蒸發(fā)是指將膜材置于真空室內的蒸發(fā)源中，在高真窒條件下，通過蒸發(fā)加熱使其蒸發(fā)，當蒸汽分子的平均自由程大于真空室的線性尺寸后，蒸汽狀態(tài)下的原子和分子從蒸發(fā)源表面逸出后，很少受到其他分子或原子的沖擊與阻礙，可直接到達被鍍的基板表面上，由于基板溫度較低，便凝結于其上而形成鍍膜?，F(xiàn)有技術中，半導體集成制造系統(tǒng)的每一工藝流程均需在密閉的環(huán)境下進行，當完成一工藝流程后，需將半導體半成本取出，以進行下一步的工藝處理，但其對取出后的空間真空度要求較高，因此造成半導體集成制造設備制造困難，廠房的規(guī)模巨大。廠家投資建廠一方面需承擔前期大量的資金投入，另一方面通常建設一半導體集成制造系統(tǒng)需要數(shù)年的時間，可見目前建設一半導體集成制造系統(tǒng)資金投入量大且時間久，且容易造成廠家資金周轉的困難。

實用新型內容本實用新型的目 的在于克服現(xiàn)有技術之缺陷，旨在提供用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊以實現(xiàn)半導體生產設備中的PVD機構實現(xiàn)模塊化設計。本實用新型是這樣實現(xiàn)的，用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，包括一殼體，所述殼體橫向兩側分別設有供傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體之入口和出口處分別設有動態(tài)夾持所述傳輸帶的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機，所述下腔的側壁開設有連接抽氣裝置的排氣孔，所述排氣孔設有與之適配的排氣控制閥，所述下腔內設有移動靶材裝置，所述下腔于所述傳輸帶與所述靶材裝置之間設有加速電磁場，該微型PVD模塊還包括PVD控制系統(tǒng)，所述PVD控制系統(tǒng)包括設于所述上腔內并實時監(jiān)測所述上腔內氣壓的氣壓計，還包括測定所述殼體內表面溫度、測定所述靶材裝置溫度及測定放置于所述傳輸帶上的半導體基板的溫度的溫度檢測裝置，還包括控制所述第一伺服電機、所述排氣控制閥、靶材裝置及加速電磁場工作狀態(tài)的控制器，所述控制器分別與所述第一伺服電機、排氣控制閥、靶材裝置、加速電磁場、氣壓計及溫度檢測裝置電連接。[0005]具體地，所述靶材裝置包括用于盛裝靶材的加熱鍋、固接于所述加熱鍋上的加熱裝置及一轉動的絲桿，所述加熱鍋或加熱裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔。具體地，所述靶材裝置還包括設于所述殼體側壁并驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機，所述第二伺服電機與所述控制器電連接。具體地，所述加速磁場包括兩分別設置于所述下腔內側壁的電磁鐵。具體地，所述殼體由外至內依次包括鋁殼外層、硅橡膠絕熱層及不銹鋼內層。具體地，所述殼體包括相互扣合的上蓋與下蓋，所述上蓋與所述傳輸帶及上滾筒圍合成所述上腔，所述下蓋與所述傳輸帶及下滾筒圍合成所述下腔，所述上蓋與下蓋的橫向側之間具有形成所述入口和出口的間隙，所述上蓋與下蓋的縱向側之間設有公母槽連接結構，所述公母槽內設有密封膠條。具體地，各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層，各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互接觸且過盈配合，各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙，且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間過盈配合。具體地，所述殼體內設有分別支撐各所述上滾筒和下滾筒的上支撐塊和下支撐塊，各所述上支撐塊設有部分收容所述上滾筒的弧形收容槽，所述下支撐塊設有部分收容所述下滾筒的弧形收容槽，各所述弧形收容槽分別與各所述上滾筒和下滾筒過盈配合，且各所述上支撐塊和下支撐塊與所述殼體 密封連接。具體地，各所述上支撐塊與下支撐塊內設循環(huán)冷卻槽，所述循環(huán)冷卻槽與外部的水冷系統(tǒng)連接。具體地，各所述上支撐塊兩端設有軸承，各所述上滾筒的兩端安裝于所述軸承內，且各所述上支撐塊與所述殼體于豎直方向上滑動連接，各所述上支撐塊上側及所述殼體頂部之間設有彈簧，所述彈簧壓設于所述上支撐塊與所述殼體頂部之間。本實用新型的有益效果:本實用新型的微型PVD模塊通過采用在所述殼體與所述傳輸帶之間設置所述滾筒組，利用所述滾筒組與殼體和所述傳輸帶的密封連接關系，達到所述殼體與所述傳輸帶之間的動態(tài)密封設計；通過設置移動的靶材裝置，實現(xiàn)了靶材裝置的小型化設計，大幅度的降低了整個模塊的制造成本；通過所述溫度檢測裝置實時的測定所述殼體內表面溫度、測定所述靶材裝置溫度及測定放置于所述傳輸帶上的半導體基板的溫度，可據(jù)此控制所述靶材裝置的放熱量，從而保證鍍膜過程中可在合理的溫度下進行 ’另夕卜，本實用新型采用所述PVD控制系統(tǒng)，可實現(xiàn)整個鍍膜過程的自動化控制。因此，本實用新型實現(xiàn)了將半導體集成制造生產線中PVD鍍膜工藝的微型化和模塊化。

圖1是本實用新型一優(yōu)選實施例的外部結構示意圖；圖2是圖1截面A-A的剖視圖；圖3是圖1去除殼體后的結構示意圖；圖4是圖3截面B-B的剖視圖；圖5是圖2局部視圖C的放大圖。
具體實施方式
[0020]為了使本實用新型的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。請參照圖f 4，用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，包括一殼體1，所述殼體I橫向兩側分別設有供傳輸帶2通過的入口 11和出口 12，其中所述傳輸帶2上放置有待加工的半導體基板，所述傳輸帶2將所述殼體I分隔成上腔13與下腔14，所述殼體I之入口 11和出口 12處分別設有動態(tài)夾持所述傳輸帶2的滾筒組3，各所述滾筒組3包括貼設于傳輸帶2上側的上滾筒31和貼設于傳輸帶2下側的下滾筒32，所述殼體I上還設有驅動所述滾筒組3運轉的第一伺服電機4，所述下腔14的側壁開設有連接抽氣裝置(圖中未畫出)的排氣孔15，所述排氣孔15設有與之適配的排氣控制閥(圖中未畫出)，所述下腔14內設有移動靶材裝置5，所述下腔14于所述傳輸帶2與所述靶材裝置5之間設有加速電磁場6，該微型PVD模塊還包括PVD控制系統(tǒng)，所述PVD控制系統(tǒng)包括設于所述上腔13內并實時監(jiān)測所述上腔13內氣壓的氣壓計，還包括測定所述殼體I內表面溫度、測定所述靶材裝置5溫度及測定放置于所述傳輸帶2上的半導體基板的溫度的溫度檢測裝置(圖中沒有畫出)，還包括控制所述第一伺服電機4、所述排氣控制閥、靶材裝置5及加速電磁場6工作狀態(tài)的控制器，所述控制器分別與所述第一伺服電機、排氣控制閥、靶材裝置、加速電磁場、氣壓計及溫度檢測裝置電連接。其中，所述抽氣裝置可以設置于所述殼體I的內部，在本實用新型中，考慮到為便于整個設備的維護，所述抽氣裝置設置于所述殼體I的外部。下面結合上述實施例的工作原理以介紹本實用新型的特點。上述微型PVD模塊在使用過程中，與其他的半導體集成制造生產線中模塊一同使用，其與其他模塊之間通過所述傳輸帶2進行連接，所述傳輸帶2上放置有待加工的半導體基板。由于半導體集成制造過程中，必需保持良好的密封性，本實用新型為實現(xiàn)所述傳輸帶2與所述殼體I的密封關系，在所述殼體I橫向兩側開設供所述傳輸帶2通過的入口 11和出口 12，且在所述殼體I內于所述入口 11和出口 12處分別設置滾筒組3，由所述滾筒組3夾持所述傳輸 帶2，從而達到所述殼體I與傳輸帶2之間的相互動態(tài)的密封關系。上述微型PVD模塊在工作過程中，首先由所述控制器使所述排氣控制閥處于開啟的狀態(tài)，并使所述抽氣裝置進入工作狀態(tài)，抽出所述殼體I內部的氣體，使所述殼體I進入真空狀態(tài)，在此過程中，通過所述氣壓計實時的監(jiān)測所述殼體I內部的氣壓，并將測得的氣壓值傳輸至所述控制器，當所述控制檢測到所述殼體I內部處于真空狀態(tài)時，所述控制器控制所述靶材裝置5進入工作狀態(tài)，使放置所述靶材裝置5上的靶材處于蒸發(fā)或者升華，成為氣態(tài)粒子狀態(tài)。在本實用新型中，為降低整個模塊的制造成本，將所述靶材裝置5設置成小型化的移動靶材，通過將所述靶材裝置5于所述傳輸帶2的下側往返移動，使得所述靶材裝置5產生的靶材能夠均勻的分布于所述傳輸帶2與所述靶材裝置5之間，達到保證鍍膜的均勻性與制造成本的低廉的雙重效果。此外，在所述靶材裝置5與所述傳輸帶2之間設置加速電磁場6，可使帶電的靶材粒子快速的附著到放置于所述傳輸帶2上的半導體基板上，對于提高鍍膜的速度有著重要的意義。此外，對于不同規(guī)格的半導體基板制造，其PVD鍍膜時間是不同的，所述第一伺服電機4的運行狀態(tài)決定放置于所述傳輸帶2上的每一半導體基板在所述殼體I內的時間及其接受PVD鍍膜的時間，在本實用新型中，通過將所述控制器控制所述第一伺服電機4的運轉狀態(tài)，從而達到控制所述傳輸帶2運轉的快慢。如此，工作人員使用本實用新型提供的微型PVD模塊時，可事先針對待加工半導體基板的規(guī)格和鍍膜要求，設定所述控制器相應的控制數(shù)據(jù)，達到合理的控制放置于所述傳輸帶2上的每一半導體基板在所述殼體I內的時間。在本實用新型中，還通過所述溫度檢測裝置分別實時的測定所述殼體I內表面溫度、測定所述靶材裝置5溫度及測定放置于所述傳輸帶2上的半導體基板的溫度，可通過對三者溫差的對比，進行確定所述靶材裝置5的放熱量，以實現(xiàn)所述殼體I內部溫度的恒定控制。請參照圖2 3，在本實施例中，所述靶材裝置5包括用于盛裝靶材的加熱鍋51、固接于所述加熱鍋51上的加熱裝置52及一轉動的絲桿53，所述加熱鍋51設有與所述絲桿53適配的螺紋孔。如此，所述加熱裝置52可隨同所述加熱鍋51 —同在所述絲桿53的軸向上往復的移動。其中，考慮到為便于本實用新型提供的微型PVD模塊與其他處理模塊的連接關系，所述絲桿53與所述傳輸帶2前進的方向垂直，其兩端分別通過軸承轉動連接于所述殼體I縱向的兩側，如此可使所述殼體I橫向兩側保持置空，便于其與其他處理模塊的連接。所述靶材裝置5還包括一電源連接線54，所述電源連接線54 —端連接于所述加熱裝置52上，另一端由所述殼體I的縱向側壁穿出，并與外部電源連接。另外，為便于所述靶材裝置5在所述殼體I內移動，所述電源連接線54的長度尺寸略大于所述殼體I縱向的長度尺寸。請參照圖2，在本實施例中，所述靶材裝置5還包括設于所述殼體I側壁并驅動所述絲桿53轉動的第二伺服電機55，所述第二伺服電機55與所述控制器電連接。如此，可通過為所述控制器設定控制參數(shù)，從而控制所述第二伺服機55運轉的快慢，從而達到控制所述絲桿53轉動的快慢，進而控制所述靶材裝置5在所述傳輸帶2下側的移動速度。
請參照圖2和圖3，在本實施例中，所述加速磁場6包括兩分別設置于所述下腔14內側壁的電磁鐵。如此，在所述下腔14內位于所述傳輸帶2與所述靶材裝置5之間可形成一電磁場，當呈粒子狀態(tài)的帶電靶材粒子進入該電磁場，將產生電磁力，使帶電靶材粒子快速的附著到放置于所述傳輸帶2上的半導體基板上。當然，亦可在所述傳輸帶2與所述靶材裝置5之間構建豎向的電場，亦可達到同樣的技術效果。請參照圖5，在本實施例中，所述殼體I由外至內依次包括鋁殼外層16、硅橡膠絕熱層17及不銹鋼內層18。其中，所述硅橡膠絕熱層17可采用硅系高分子材料制作而成。上述技術方案中，提供一種與絕熱效果較佳的殼體I結構，以此減少整個微型PVD模塊在工作過程中向外界散發(fā)熱量，用以改善工作環(huán)境，避免工作環(huán)境溫度過高。請參照圖1和圖2，在本實施例中，所述殼體I包括相互扣合的上蓋102與下蓋103，所述上蓋102與所述傳輸帶2及上滾筒31圍合成所述上腔13，所述下蓋103與所述傳輸帶2及下滾筒32圍合成所述下腔14，所述上蓋102與下蓋103的橫向側之間具有形成所述入口 11和出口 12的間隙，所述上蓋102與下蓋103的縱向側之間設有公母槽連接結構，所述公母槽內設有密封膠條。上述技術方案中，提供一種便于實施的殼體I結構，該殼體I由分開的上蓋102和下蓋103構成，所述上蓋102和下蓋103的縱向側采用公母槽連接結構并配合密封膠條的密封，如此能夠使所述殼體I便于實施，同時又具備良好的密封效果。請參照圖3和圖4，在本實施例中，各所述上滾筒31和下滾筒32的表面設有彈性層，各所述上滾筒31和下滾筒32的兩端部表面相互接觸且過盈配合，各所述上滾筒31和下滾筒32之間有供所述基板2通過的間隙，且各所述上滾筒31和下滾筒32與基板2之間過盈配合。其中，所述彈性層采用硅橡膠制作而成。上述技術方案給了所述滾筒組3的具體密封方式，通過將所述上滾筒31、下滾筒32及基板2相互接觸部分設置成彈性接觸，如此，當所述基板2隨同所述滾筒組3運轉過程中，可時刻保持良好的密封效果，實現(xiàn)動態(tài)密封。請參照圖1、圖3及圖4，在本實施例中，所述殼體I內設有分別支撐各所述上滾筒31和下滾筒32的上支撐塊81和下支撐塊82，各所述上支撐塊81設有部分收容所述上滾筒31的弧形收容槽7，所述下支撐塊82設有部分收容所述下滾筒32的弧形收容槽7，各所述弧形收容槽7分別與各所述上滾筒31和下滾筒32過盈配合，且各所述上支撐塊81和下支撐塊82與所述殼體I密封連接。上述技術方案中給出了所述滾筒組3具體的密封安裝方式，其通過采用與所述殼體I密封連接的上支撐塊81與下支撐塊82，并于所述上支撐塊81與所述下支撐塊82內開設有與所述上滾筒31和下滾筒32過盈配合的弧形收容槽7進行部分的收容，以實現(xiàn)所述上支撐塊81與所述上滾筒31之間的密封連接，所述下支撐塊82與所述下滾筒31之間的密封連接，從而實現(xiàn)所述滾筒組3與所述殼體I的密封連接關系。
其中，所述弧形收容槽7的弧度優(yōu)選的設定在(1±4>之間，在本實施例中，所述弧形收容槽
O
7的弧度為π。請參照圖1、圖2及圖3，在本實施例中，由于所述滾筒組3與各所述上支撐塊81和下支撐塊82之間采用過盈配合的連接方式，勢必導致連接面因摩擦而發(fā)熱，為將因上述原因產生的熱量較快的向外界散發(fā)，各所述上支撐塊81與下支撐塊82內設循環(huán)冷卻槽，所述循環(huán)冷卻槽與外部的水冷系統(tǒng)連接。具體地，所述循環(huán)冷卻槽通過冷卻管道9與外部的水冷系統(tǒng)連接，所述冷卻管道9由所述殼體I的縱向側貫穿所述殼體I。請參照圖1、圖2和圖 3，在本實施例中，各所述上支撐塊81兩端設有軸承811，各所述上滾筒31的兩端安裝于所述軸承811內，且各所述上支撐塊81與所述殼體I于豎直方向上滑動連接，各所述上支撐塊81上側及所述殼體I頂部之間設有彈簧10，所述彈簧10壓設于所述上支撐塊81與所述殼體I頂部之間。如此，通過在各所述上支撐塊81兩端設置軸承811，并將所述上滾筒31安裝于所述軸承811內，如此在位置關系上，可使所述上支撐塊81與所述上滾筒31相對固定，即可將所述上支撐塊81與所述上滾筒31視為一整體。因此，將所述上支撐塊81與所述殼體I之間的連接關系設置成于豎直方向上滑動連接，可使所述上滾筒31于豎直方向具有位移的自由度。當不同厚度規(guī)格的半導體基板經(jīng)過時，所述上滾筒31可隨同所述上支撐塊81于豎直方向上滑動，以適應半導基板厚度的變化。同時，為使所述上滾筒31能夠保持對所述傳輸帶2上的半導板基板具備良好的壓緊作用，各所述上支撐塊81上側及所述殼體I頂部之間設有受壓的彈簧10，利用所述彈簧10受壓時呈現(xiàn)的對外張力，所述上滾筒31時刻具備向下的作用下，以保證所述上滾筒31與所述傳輸帶2之間的密封效果。此外，各所述下滾筒32則安裝于所述殼體I的側壁，亦采用軸承安裝的方式，在此不作贅述。在本實施例中，所述殼體I縱向側面設有與所述控制器相互通信的人機接口和顯示屏。如此，可通過所述控制器將所述氣壓計監(jiān)測所得的氣壓參數(shù)和所述溫度檢測裝置監(jiān)測所得的溫度參數(shù)傳送至所述人機接口并由所述顯示屏顯示出來，以便工作人員掌控整個微型PVD模塊的工作狀態(tài)。綜上所述，本實用新型的微型PVD模塊通過采用在所述殼體I與所述傳輸帶2之間設置所述滾筒組3，利用所述滾筒組3與殼體I和所述傳輸帶2的密封連接關系，達到所述殼體I與所述傳輸帶2之間的動態(tài)密封設計；通過設置移動的靶材裝置5，實現(xiàn)了靶材裝置5的小型化設計，大幅度的降低了整個模塊的制造成本；通過所述溫度檢測裝置實時的測定所述殼體內表面溫度、測定所述靶材裝置溫度及測定放置于所述傳輸帶上的半導體基板的溫度，可據(jù)此控制所述靶材裝置5的放熱量，從而保證鍍膜過程中可在合理的溫度下進行；另外，本實用新型采用所述PVD控制系統(tǒng)，可實現(xiàn)整個鍍膜過程的自動化控制。因此，本實用新型實現(xiàn)了將半導體集成制造生產線中PVD鍍膜工藝的微型化和模塊化，以上所述僅為本實用新型較佳的實施例而已，其結構并不限于上述列舉的形狀，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。·
權利要求1.用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，包括一殼體，其特征在于:所述殼體橫向兩側分別設有供傳輸帶通過的入口和出口，且所述傳輸帶將所述殼體分隔成上腔與下腔，所述殼體之入口和出口處分別設有動態(tài)夾持所述傳輸帶的滾筒組，各所述滾筒組包括貼設于傳輸帶上側的上滾筒和貼設于傳輸帶下側的下滾筒，所述殼體上還設有驅動所述滾筒組運轉的第一伺服電機，所述下腔的側壁開設有連接抽氣裝置的排氣孔，所述排氣孔設有與之適配的排氣控制閥，所述下腔內設有移動靶材裝置，所述下腔于所述傳輸帶與所述靶材裝置之間設有加速電磁場，該微型PVD模塊還包括PVD控制系統(tǒng)，所述PVD控制系統(tǒng)包括設于所述上腔內并實時監(jiān)測所述上腔內氣壓的氣壓計，還包括測定所述殼體內表面溫度、測定所述靶材裝置溫度及測定放置于所述傳輸帶上的半導體基板的溫度的溫度檢測裝置，還包括控制所述第一伺服電機、所述排氣控制閥、靶材裝置及加速電磁場工作狀態(tài)的控制器，所述控制器分別與所述第一伺服電機、排氣控制閥、靶材裝置、加速電磁場、氣壓計及溫度檢測裝置電連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:所述靶材裝置包括用于盛裝靶材的加熱鍋、固接于所述加熱鍋上的加熱裝置及一轉動的絲桿，所述加熱鍋或加熱裝置設有與所述絲桿適配的螺紋孔。
3.根據(jù)權利要求2所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:所述靶材裝置還包括設于所述殼體側壁并驅動所述絲桿轉動的第二伺服電機，所述第二伺服電機與所述控制器電連接。
4.根據(jù)權利要求1所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:所述加速磁場包括兩分別設置于所述下腔內側壁的電磁鐵。
5.根據(jù)權利要求1所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:所述殼體由外至內依次包括鋁殼外層、硅橡膠絕熱層及不銹鋼內層。
6.根據(jù)權利要求1所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:所述殼體包括相互扣合的上蓋與下蓋，所述上蓋與所述傳輸帶及上滾筒圍合成所述上腔，所述下蓋與所述傳輸帶及·下滾筒圍合成所述下腔，所述上蓋與下蓋的橫向側之間具有形成所述入口和出口的間隙，所述上蓋與下蓋的縱向側之間設有公母槽連接結構，所述公母槽內設有密封膠條。
7.根據(jù)權利要求1所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:各所述上滾筒和下滾筒的表面設有彈性層，各所述上滾筒和下滾筒的兩端部表面相互接觸且過盈配合，各所述上滾筒和下滾筒之間具有供所述傳輸帶通過的間隙，且各所述上滾筒和下滾筒與所述傳輸帶之間過盈配合。
8.根據(jù)權利要求7所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:所述殼體內設有分別支撐各所述上滾筒和下滾筒的上支撐塊和下支撐塊，各所述上支撐塊設有部分收容所述上滾筒的弧形收容槽，所述下支撐塊設有部分收容所述下滾筒的弧形收容槽，各所述弧形收容槽分別與各所述上滾筒和下滾筒過盈配合，且各所述上支撐塊和下支撐塊與所述殼體密封連接。
9.根據(jù)權利要求8所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:各所述上支撐塊與下支撐塊內設循環(huán)冷卻槽，所述循環(huán)冷卻槽與外部的水冷系統(tǒng)連接。
10.根據(jù)權利要求7所述的用于半導體集成制造生產線中的微型PVD模塊，其特征在于:各所述上支撐塊兩端設有軸承，各所述上滾筒的兩端安裝于所述軸承內，且各所述上支撐塊與所述殼體于豎直方向上滑動連接，各所述上支撐塊上側及所述殼體頂部之間設有彈簧，所述彈簧壓 設于所述上支撐塊與所述殼體頂部之間。
專利摘要本實用新型的微型PVD模塊通過采用在所述殼體與所述傳輸帶之間設置所述滾筒組，利用所述滾筒組與殼體和所述傳輸帶的密封連接關系，達到所述殼體與所述傳輸帶之間的動態(tài)密封設計；通過設置移動的靶材裝置，實現(xiàn)了靶材裝置的小型化設計，大幅度的降低了整個模塊的制造成本；通過所述溫度檢測裝置實時的測定所述殼體內表面溫度、測定所述靶材裝置溫度及測定放置于所述傳輸帶上的半導體基板的溫度，可據(jù)此控制所述靶材裝置的放熱量，從而保證鍍膜過程中可在合理的溫度下進行；另外，本實用新型采用所述PVD控制系統(tǒng)，可實現(xiàn)整個鍍膜過程的自動化控制。因此，本實用新型實現(xiàn)了將半導體集成制造生產線中PVD鍍膜工藝的微型化和模塊化。
文檔編號H01L21/67GK203128651SQ201220724489
公開日2013年8月14日 申請日期2012年12月25日 優(yōu)先權日2012年12月25日
發(fā)明者王奉瑾 申請人:王奉瑾