專利名稱：熱處理裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對基板例如半導體晶片和玻璃基板等實施規(guī)定的熱處理的熱處理裝置。
背景技術：
當制造半導體集成電路時，對基板表面實施硅膜或硅氧化膜等的各種的成膜處理、氧化處理等的各種熱處理。進行這些熱處理時，經常使用能夠配置多個半導體晶片(以下，簡稱為‘晶片’)并一次進行熱處理的所謂分批式的熱處理裝置。作為分批式的熱處理裝置，主要使用利用電爐對收納有多個晶片的反應管進行加熱的電爐方式(熱壁(hot wall)方式)。但是，在電爐方式中，由于爐整體的熱容量大，存在 使晶片的溫度上升和下降時需要較多的時間并且生產性大幅下降的問題。此外，也有利用高頻感應加熱方式對晶片加熱的熱處理裝置(例如參照專利文獻1、2)。這種類型的熱處理裝置一般具有卷繞在反應管的外側的感應線圈，將高頻電流供給于該感應線圈，將配置于反應管內的導電性的加熱座(基座susceptor)誘導感應加熱，通過熱傳導間接地對載置于加熱座的晶片加熱。據(jù)此，不需要對反應管直接加熱，由于減少加熱座的熱容量，相比電爐方式能夠實現(xiàn)更高速的晶片溫度的升溫降溫。另外，能夠獨立于晶片溫度來控制反應管的壁的溫度，因此也能夠構成所謂的冷壁(cold wall)方式的熱處理
>J-U ρ α裝直。但是，若以上述的基于冷壁方式的熱處理裝置等配置多個熱容量小的加熱座進行高頻感應加熱，由于加熱座和其周圍(反應管的內壁等)的溫度差，加熱座面內和各加熱座之間的溫度均勻性被破壞，不僅載置于各加熱座的晶片之間的溫度的均勻性變差、而且晶片的面內溫度的均勻性也變差，這個冷壁方式的本質問題也變得顯著。在這一點，根據(jù)專利文獻3所示的技術，將多個加熱座縱向配置，在平行于加熱座的基板載置面的方向，產生交流磁場并對其進行控制，能夠控制加熱座的面內溫度。具體而言，將兩個電磁鐵，以其磁極面夾持加熱座的周緣部且相對的方式隔開配置，根據(jù)供給于各電磁鐵的感應線圈的交流電流的相位，在加熱座的中心部使磁通量互相減弱或互相增強來改變磁通量的方向，由此能夠控制相對于加熱座的中心部的周緣部的發(fā)熱量的大小，能夠改善載置于加熱座的晶片的面內溫度的均勻性。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開昭56-6428號公報專利文獻2 :日本特開昭61-91920號公報專利文獻3 :日本特開2010-59490號公報

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的課題
但是，當在平行于加熱座的基板載置面的方向上產生交流磁場時，磁通量從加熱座的周緣部側面進入，因此，根據(jù)加熱座的形狀或材質，由于在其側面附近產生的感應電流，妨礙磁通量的透射，有可能會降低內部的加熱效率。但是，此時，若只是簡單地阻止周緣部的感應電流的產生來使磁通量透射，將降低該周緣部的加熱效率。本發(fā)明鑒于這種問題提出，其目的在于，提供一種熱處理裝置，該熱處理裝置在平行于加熱座的基板載置面的方向上產生交流磁場時，不僅能夠提高加熱座的周緣部的加熱效率，而且能夠提高其內部的加熱效率，能夠準確地控制加熱座的面內溫度。用于解決課題的技術方案為了解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明的觀點，提供一種熱處理裝置，其特征在于，包括處理室，其對配置于能夠減壓的處理室內的多個基板實施熱處理； 加熱座，其為具有載置上述基板的載置面的導電部件，被分為周緣部和由該周緣部包圍的內側部，上述內側部包括厚板狀發(fā)熱體，上述周緣部將比內側部薄的薄板狀發(fā)熱體以互相電絕緣的狀態(tài)層疊形成；旋轉自如的加熱座支承部，其在上述處理室內將上述加熱座在垂直于該載置面的方向上隔開間隔排列多個并進行支承；磁場形成部，其包括卷繞有感應線圈且以磁極面與上述加熱座的側面相對的方式配置的電磁鐵，在平行于上述加熱座的載置面的方向上形成交流磁場來對上述加熱座進行感應加熱；高頻電流電路，其能夠對上述感應線圈施加不同的兩個頻率的高頻電流；和控制部，其利用由從上述高頻電流電路施加于上述感應線圈的上述兩個頻率的高頻電流，對產生于各個上述薄板狀發(fā)熱體的感應電流進行控制，從而控制至上述內側部的磁通量的透射，由此來改變上述加熱座的上述周緣部的發(fā)熱量與上述內側部的發(fā)熱量的比例，進行溫度控制。此時，上述控制部也可以將從上述高頻電流電路輸出的低的頻率的高頻電流和高的頻率的高頻電流進行重疊或按時序進行切換來進行上述溫度控制。另外，構成各個上述加熱座的周緣部的上述薄板狀發(fā)熱體的厚度優(yōu)選設置為比從上述低的頻率計算出的感應電流的進入深度小，比從上述高的頻率計算出的感應電流的進入深度的兩倍大。另外，構成各個上述加熱座的內側部的上述厚板狀發(fā)熱體的厚度優(yōu)選設置為至少比從上述低的頻率計算出的感應電流的進入深度的兩倍大。另外，也可以上述磁場形成部沿著上述加熱座和上述基板的排列方向配置排列多層。此時，也可以使上述控制部獨立地控制各上述磁場形成部的交流電源。另外，上述加熱座例如由石墨形成，上述處理室的側壁例如由鋁合金形成。另外，包括將處理氣體供給至處理室內的氣體供給部；和對上述處理室內進行真空排氣的排氣機構。上述處理室進行對上述基板的熱處理或進行在上述基板上形成薄膜的成膜處理。根據(jù)這種本發(fā)明，由磁場形成部在平行于加熱座的載置面的方向，即相對于基板表面平行的方向上產生磁場，因此，相對于加熱座的厚度極其薄的金屬膜上幾乎沒有磁通量透過。因此，例如進行對形成有金屬膜的基板的熱處理或進行在基板上形成金屬膜的成膜處理時，該金屬膜也不會被直接加熱，因此，只通過來自加熱座的熱傳導，就能控制基板的面內溫度。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，加熱座的周緣部采用相比于內側部更薄的薄板狀發(fā)熱體疊層的結構，從而能夠根據(jù)頻率控制妨礙磁通量透射的感應電流的大小。據(jù)此，能夠對從加熱座的周緣部進入的磁通量的透射進行控制，因此，不僅能夠提高加熱座的周緣部的加熱效率，而且能夠提高其內部的加熱效率。由此，當在平行于加熱座的基板載置面的方向上產生交流磁場時，也能夠準確地控制加熱座的面內溫度。


圖I是表示構成本發(fā)明的實施方式的熱處理裝置的概略構成的截面圖。 圖2是概略地表示圖I所示的熱處理裝置的外觀結構的立體圖。圖3是表示圖I所示的控制部的構成例的框圖。圖4是將圖2所示的設置有電磁鐵的部分取出并進行放大后的局部截面立體圖。圖5A是概念地表示在導電性加熱座的情況下磁通量不透射的情況的作用說明圖。圖5B是概念地表示在高電阻材料的加熱座的情況下磁通量透射的情況的作用說明圖。圖6A是表示厚板狀發(fā)熱體的結構的圖。圖6B是概念地表示在水平磁場中配置有圖6A所示的厚板狀發(fā)熱體時感應的感應電流的作用說明圖。圖7是表示在水平磁場中配置板狀發(fā)熱體的情況下改變頻率時的磁通量的進入的變化的模擬的實驗結果。圖8A是表示將薄板狀發(fā)熱體層疊的結構的圖。圖8B是概念地表示在低頻率的水平磁場中配置有圖8A所示的薄板狀發(fā)熱體時磁通量透射的情況的作用說明圖。圖8C是概念地表示在高頻率的水平磁場中配置有圖8A所示的薄板狀發(fā)熱體時感應的感應電流的作用說明圖。圖9A是表示將厚板狀發(fā)熱體和薄板狀發(fā)熱體組合的結構的圖。圖9B是概念地表示在低頻率的水平磁場中配置有圖9A所示的結構時由于磁通量透射，內側部被加熱的情況的作用說明圖。圖9C是概念地表示在高頻率的水平磁場中配置有圖9A所示的結構時由于妨礙磁通量的透射，周緣部被加熱的情況的作用說明圖。圖10是表示本實施方式中的加熱座的具體構成例的外觀立體圖。圖11是從上方觀察圖10所示的加熱座的圖。圖12是將圖10所示的加熱座在縱向截斷后的局部截面圖。圖13A是將在厚板狀發(fā)熱體產生的感應電流的表面效應以曲線表示的圖。圖13B是將在薄板狀發(fā)熱體產生的感應電流的表面效應以曲線表示的圖。圖14是用于說明本實施方式中的加熱座的變形例的局部截面圖。
圖15是表示本實施方式中的高頻電流電路的構成例的框圖。圖16是表示將低頻率和高頻率的高頻電流按時序交替切換時的電流波形的具體例的圖。圖17A是概念地表示施加有高頻率的高頻電流的期間的作用的圖。圖17B是概念地表示施加有低頻率的高頻電流的期間的作用的圖。圖18是表不使低頻率和聞頻率的聞頻電流重置時的電流波形的具體例的圖。圖19A是概念地表示使低頻率和高頻率的高頻電流重疊時的作用的圖，其為將相對于高頻率的低頻率的高頻電流的比例減小的情況。圖19B是概念地表示使低頻率和高頻率的高頻電流重疊時的作用的圖，其為將相對于高頻率的低頻率的高頻電流的比例增大的情況。圖20是用于說明本實施方式中的磁場形成部的變形例的局部截面立體圖。
具體實施例方式下面，參照附圖，詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式。另外，在本說明書和附圖中，對于本質上具有相同的功能結構的結構單元，附上相同的符號，省略重復說明。(熱處理裝置的構成例)首先，說明有關本發(fā)明的實施方式的熱處理裝置。在此，參照附圖，將能夠對作為被處理基板的例如半導體晶片(以下簡稱為‘晶片’)多片一次地進行熱處理的分批式的立式熱處理裝置(以下，簡稱為‘熱處理裝置’)舉為例子進行說明。圖I是表示熱處理裝置的構成例的截面圖，圖2是概略地表示熱處理裝置的外觀結構的立體圖，并且是將反應管的頂部和下部在水平面截斷的圖。熱處理裝置100，如圖I所示具有用于對晶片W進行加工處理的處理室102。處理室102包括下端開口的筒狀(例如為方矩形管狀)的反應管104和連續(xù)設置于該反應管104的下端的方矩形管狀的歧管(manifold) 106。反應管104和歧管106例如由招合金等金屬形成。反應管104形成為有頂部，下端與歧管106的上端氣密地接合。蓋體114以能夠自由開啟關閉的方式設置在歧管106的下端的開口端。并且，處理室102的形狀，不限于圖I所示的形狀，例如也可以是六邊形等的多邊形的形狀，也可以是圓筒狀。蓋體114上設置有作為支承多個具有晶片W的載置面的加熱座200的加熱座支承部的石英板(wafer board :華夫刨花板)110。蓋體114搭載于用于將石英板110搬入到反應管104內或將其搬出的板升降器(board elevator)118之上，當位于上限位置時,起到堵塞由反應管104的開口部與歧管106構成的處理室102的下端開口部的作用。多個加熱座200以水平的狀態(tài)在垂直于該載置面的方向上(在此為上下方向)隔著規(guī)定的間隔棚架狀地配置于石英板110。晶片W—片一片地載置于各加熱座200的載置面(上表面)。加熱座200例如由包括石墨、玻璃碳(glass like carbon)、SiC等的導電材料的發(fā)熱體構成。本實施方式中的加熱座200，通過朝著周緣部側面產生的水平的交流磁場被感應加熱，并且該加熱座200構成為，能夠調整周緣部的磁通量的透射，即磁通量從周緣部側面進入的難易度。由此構成為 ，不僅對加熱座200的周緣部，而且對其內側也可以有效地進行感應加熱。在后面詳細說明這種加熱座200。石英板110經由筒狀的絕熱體116以能夠繞垂直軸自由旋轉的方式保持于蓋體114。具體而言，例如在絕熱體116的下方連接有未圖示的電機。由此，驅動電機使石英板110旋轉，從而能夠使各加熱座200與晶片W —起繞垂直軸一起旋轉。另外，在這種加熱座200中，收納于未圖示的盒式(cassette )容器的晶片W被未圖示的移載裝置移載。并且，利用板升降器118將石英板110搬入到反應管104內進行晶片W的處理。之后，晶片W的處理結束以后，利用板升降器118從反應管104搬出石英板110，并由上述移載裝置將加熱座200上的晶片W返回至上述盒式容器。在反應管104的側壁的外側，設置有由形成用于對反應管104內的各加熱座200進行感應加熱的水平的交流磁場的電磁鐵120構成的多個磁場形成部。電磁鐵120配置為向著各加熱座200的周緣部側面在平行于各加熱座200的載置面的方向上形成水平的交流磁場(以下，簡稱為‘水平磁場’)。在圖I、圖2中，電磁鐵120沿著反應管104的長度方向(縱向)多層排列。具體而·言，將反應管104的加熱區(qū)域沿著長度方向分為多個區(qū)域，在各區(qū)域配置一個磁場形成部。圖I、圖2是分為三個區(qū)域并且將三個磁場形成部分別配置于各區(qū)域的具體例。一個區(qū)域中配置多個(例如2個飛個)加熱座200，并以與這些周緣部側面相對的方式配置電磁鐵120。在與各電磁鐵120相對的反應管104的側壁，設置有例如包括石英玻璃、陶瓷等的電介質窗105。由此,從電磁鐵120產生的磁通量能夠透過電介質窗105進入反應管104內。另外，磁場形成部的層數(shù)不限于圖I、圖2所示的層數(shù)，可以根據(jù)反應管104的縱向的尺寸和在縱向配置的晶片的片數(shù)來決定。構成各磁場形成部的電磁鐵120分別通過將感應線圈124卷附于具有兩個磁極的U字狀的磁心122構成。各感應線圈124分別與高頻電流電路130的輸出端132連接。來自各高頻電流電路130的規(guī)定的交流電流分別供給至各感應線圈124。本實施方式中的高頻電流電路130構成為能夠將兩種頻率(高的頻率和低的頻率)的高頻電流重疊或分別施加于感應線圈124。該高頻電流電路130，如后所述，加熱座200的周緣部構成為將薄板狀的發(fā)熱體以互相絕緣的狀態(tài)層疊，利用根據(jù)頻率改變來自周緣部側面的磁通量的進入的容易度，來調整加熱座200的面內溫度分布。在后面詳細說明這種高頻電流電路130的構成例和基于頻率的加熱座200的面內溫度分布控制。各高頻電流電路130與控制部300連接?？刂撇?00通過控制各高頻電流電路130能夠獨立控制供給于各感應線圈124的交流電流。由此，可以按各個區(qū)域各自地對反應管104內產生的水平磁場的大小和方向進行控制。在上述歧管106設置有作為例如將四氯化鈦(TiCl4)、氨(NH3)、氬(Ar)氣等供給于處理室102內的氣體供給部的多個氣體供給管140a、140b。在各氣體供給管140a、140b具有用于調整氣體流量的質量流量控制器(MFC)等的流量調整部142a、142b。另外，圖I中，舉例的是從氣體供給管140a、140b分別獨立地供給兩種氣體的情況，但是，氣體供給部的結構不限于圖I所示的結構。例如也可以設置三個以上的氣體供給管，能夠獨立供給三種以上的氣體。歧管106經由將反應管104內排氣的排氣管150與真空泵154等的排氣機構連接。例如，在排氣管150，設置有調整反應管104內的壓力的壓力調整部152。壓力調整部152例如由組合閥(combination valve)、蝶形閥(butterfly valve)以及閥驅動部等構成。另外，在排氣管150，設置有壓力傳感器151，該壓力傳感器151用于檢測處理室102內的壓力從而對壓力調整部152進行反饋控制。作為壓力傳感器151，優(yōu)選使用難以受到外部氣壓的變化的影響的靜電電容式真空計(capacitance manometer) 熱處理裝置100的各部分由控制部300進行控制。控制部300例如按照應該要進行成膜的薄膜的種類、膜厚等，基于包括設定壓力、加熱座設定溫度、氣體流量等的處理條件的處理方案數(shù)據(jù)，對各部分進行控制。另外，控制部300，例如，從壓力傳感器151導入壓力檢測信號，并基于這些檢測信號控制壓力調整部152、流量調整部142a、142b等。(控制部的構成例)參照

這種控制部300的構成例。圖3是表示控制部300的構成例的框圖?？刂撇?00，如圖3所示，例如具有CPU (中央處理裝置)310、用于CPU310進行的各種處理的存儲器320、由對操作畫面、選擇畫面等進行顯示的液晶顯示器等構成的顯示部330、包括用于由操作員進行各種的數(shù)據(jù)的輸入和向規(guī)定的存儲介質輸出各種數(shù)據(jù)等各種操作的 操作面板、鍵盤等的輸入輸出部340、用于進行經由網絡等的數(shù)據(jù)的交換的通信部350。除此之外，控制部300具有用于控制熱處理裝置100的各部分的各種控制器360、由存儲CPU310執(zhí)行的各種程序或程序的執(zhí)行所需的數(shù)據(jù)的硬盤(HDD)等構成的存儲部370等。CPU310按照需要將這些程序或數(shù)據(jù)從存儲部370讀出并使用。作為各種控制器360可以舉出，例如按照來自熱處理裝置100的指令，控制高頻電流電路130等從而控制各加熱座200的溫度的溫度控制器、進行反應管104內的壓力控制的壓力控制器等。在存儲部370中，例如按照應該要進行成膜的薄膜的種類、膜厚等，存儲具有包括設定壓力、加熱座200的設定溫度、氣體流量等的處理條件的多個處理方案的處理方案數(shù)據(jù)(處理條件數(shù)據(jù))372。熱處理裝置100中，例如按照應該要進行成膜的薄膜的種類、膜厚等，從處理方案數(shù)據(jù)372讀出對應的處理方案，基于該處理方案進行晶片W的成膜處理。例如當對反應管104內的各晶片W執(zhí)行成膜處理時，將加熱座200調整到規(guī)定的設定溫度，對晶片W加熱。當這樣對晶片W加熱時，通過將規(guī)定的交流電流分別供給于電磁鐵120的感應線圈124，在反應管104內向著各加熱座200的周緣部側面產生水平的交流磁場，從而對各加熱座200加熱。此時，通過在反應管104內通過石英板110使各晶片W與各加熱座200 —起旋轉，能夠對各晶片W以在其面內的圓周方向無偏差的方式均勻地進行加熱。(磁場形成部的具體結構)以下，參照附圖更加詳細地說明這種磁場形成部。圖4是將設置有構成圖2所示的一個磁場形成部的電磁鐵的部分取出并進行放大的立體圖。另外，圖4省略了加熱座200和晶片W。如圖4所示，電磁鐵120具有包括將兩個磁極127、128和連接這些磁極的中間部129—體構成的強磁體的磁心122，并且在中間部129卷繞有感應線圈124。如圖4所示，磁心122例如分別形成為U字狀(或3字狀)。電磁鐵120經由電介質窗105設置于反應管104的側壁的外側，并以電磁鐵120的兩個磁極面(磁極127、128的端面)127A、128A與各加熱座200的周緣部相對的方式進行配置。根據(jù)這樣配置的電磁鐵120，若從高頻電流電路130將交流電流供給感應線圈124，則在某個瞬間，如圖4所示，例如產生從一方的磁極面128A向著另一方的磁極面127A的磁通量,形成透過電介質窗105進入到各加熱座200的周緣部側面的水平磁場。這樣，由電磁鐵120產生的磁通量從各加熱座200的周緣部側面進入，并通過電磁感應，在該磁通量的垂直的面上，感應渦狀的感應電流，構成各加熱座200的發(fā)熱體發(fā)熱。由此，能夠對各加熱座200進行加熱。但是，如本實施方式，當形成向著加熱座200的周緣部側面的水平的磁通量時，根據(jù)加熱座200的形狀(特別是厚度)，存在周緣部側面附近僅局部被加熱而內部不被加熱的可能。例如假設由厚板狀的發(fā)熱體構成加熱座200，如圖5A所示，產生僅在與電磁鐵120的磁極面127AU28A相對的加熱座200的周緣部側面附近的局部被加熱，而且內部不被加熱的現(xiàn)象。如果加熱座200的材質例如為陶瓷之類的高電阻材料，則如圖5B所示，電磁鐵120 的磁極面127A、128A之間產生的磁通量從加熱座200的周緣部側面進入到其內側。但是，在如圖6A所示的導電的厚板狀發(fā)熱體中，如圖6B所示，若由感應線圈C使磁通量從厚板狀發(fā)熱體的側面進入，則在加熱座200的周緣部，在該磁通量的垂直面激發(fā)感應電流，由此阻礙磁通量的透射。因此，可以推測，磁通量變得難以透射到內部，阻礙加熱座200的內側的加熱。這樣加熱效率變差，存在無法實現(xiàn)所期望的加熱控制的可能。這樣，根據(jù)加熱座200的材質在該周緣部激發(fā)的感應電流的大小改變，由此進入到加熱座200的內部的磁通量也改變，但是，加熱座200的材質即使相同，也存在根據(jù)在加熱座200的周緣部形成的水平磁場的頻率，進入到加熱座200的內部的磁通量改變。在此，說明改變供給于感應線圈的高頻電流的頻率時的、確認磁通量進入到板狀發(fā)熱體的內部的模擬實驗的結果，其中，上述感應線圈形成向著構成加熱座的板狀發(fā)熱體的側面的水平的磁場。圖7是表示該實驗結果的圖。該模擬中設定將三個圓板狀的發(fā)熱體(厚度IOmm)隔開IOmm間隔的間隙縱向(垂直于紙面)配置，使這些發(fā)熱體的側面與電磁鐵120的磁極面127AU28A相對的情況。當對電磁鐵120的感應線圈124供給高的頻率(40kHz )的高頻電流時和供給低的頻率(IOkHz )的高頻電流時，將進入到發(fā)熱體的內側的磁通量的情況進行可視化。圖7以箭頭表示格子狀的觀測點的磁通量的方向，該箭頭的長度表示磁通密度的大小。根據(jù)圖7所示的實驗結果，可以知道，在高的頻率(40kHz)的情況下，可以發(fā)現(xiàn)通過板狀發(fā)熱體的周緣部附近的磁通量，但是，與此相比更發(fā)現(xiàn)內側沒有磁通量進入。與此相反還發(fā)現(xiàn)，在低的頻率(IOkHz)的情況下，磁通量不僅進入到板狀發(fā)熱體的周緣部還進入到內側。這樣，根據(jù)供給于感應線圈的高頻電流的頻率，能夠改變進入到板狀發(fā)熱體的內側的磁通量。這表示，根據(jù)由感應線圈形成的水平磁場的頻率，在板狀發(fā)熱體的周邊部附近感應的感應電流改變，由此，進入到板狀發(fā)熱體的內側的磁通量改變?？梢愿鶕?jù)感應電流的表面效應說明上述實驗結果，如果利用該表面效應，通過在絕緣的狀態(tài)下使薄板狀發(fā)熱體層疊的方式構成加熱座200的周緣部，能夠使磁通量進入到加熱座200的內部。這里的感應電流的表面效應是指，由水平磁場在加熱座200感應的感應電流，在表面附近(在這里是加熱座200的上表面和下表面)最大，越向著厚度的中心方向越急劇地降低。而且，該降低的程度(電流的深度)根據(jù)水平磁場的頻率而不同。已知頻率越高，感應電流的進入深度越淺；頻率越低，感應電流的進入深度越深。據(jù)此，頻率越高，僅在加熱座200的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)犬a生感應電流，頻率越低，從加熱座200的上表面?zhèn)群拖卤砻鎮(zhèn)鹊礁髯院穸鹊闹行姆较蛏隙籍a生感應電流。從而，如圖8A所示，例如當使厚度為t2的薄板狀發(fā)熱體層疊時，水平磁場的頻率越低，產生在上表面附近的感應電流的進入深度和產生在下表面附近的進入深度向著厚度的中心方向變深。而且，這些感應電流為反向，因此，變得相互容易抵消。因此，如圖SB所示，降低頻率，從而能夠幾乎不產生感應電流，因此能夠使磁通量更加容易透射到內部。此時，不會有感應電流引起的薄板狀發(fā)熱體的發(fā)熱。與此相反，若提高水平磁場的頻率，則產生在上表面附近的感應電流的進入深度和產生在下表面附近的感應電流的進入深度向厚度的中心方向變淺，因此，變得難以抵消。因此，如圖SC所示，提高頻率，從而產生感應電流，因此，磁通量變得難以透射內部。此時，由于感應電流薄板狀發(fā)熱體發(fā)熱。
這樣，使薄板狀發(fā)熱體層疊，從而，降低水平磁場的頻率，則抑制感應電流的產生從而能夠使磁通量容易透射，提高水平磁場的頻率，產生感應電流從而能夠使磁通量難以透射。但是，即使利用薄板狀發(fā)熱體降低頻率來抑制感應電流的產生，使磁通量容易透射，僅僅這樣也無法對加熱座200的內側進行加熱。另外，若只利用厚板狀發(fā)熱體，則即使改變頻率也無法使磁通量容易透射。于是，通過將薄板狀發(fā)熱體與厚板狀發(fā)熱體組合，在高的頻率下使薄板發(fā)熱體發(fā)熱而在低的頻率下使厚板發(fā)熱體發(fā)熱，就能夠改變加熱座200的發(fā)熱分布。如圖9A所示，例如在外側將薄板狀發(fā)熱體層疊，在其內側，在與薄板狀發(fā)熱體絕熱的狀態(tài)下配置厚板狀發(fā)熱體。據(jù)此，按照供給于感應線圈124的高頻電流的頻率，能夠改變周緣部的發(fā)熱量與其內側部的發(fā)熱量的比例，能夠控制加熱座200的發(fā)熱分布。具體而言，通過降低水平磁場的頻率，如圖9B所示，能夠抑制各薄板狀發(fā)熱體中的感應電流的發(fā)生，能夠使磁通量容易透射。由此，磁通量透過各薄板狀發(fā)熱體到達其內側的厚板狀發(fā)熱體，能夠在厚板狀發(fā)熱體側產生感應電流。與此相反，通過提高水平磁場的頻率，如圖9C所示，在各薄板狀發(fā)熱體產生感應電流，能夠使磁通量難以透射。由此，磁通量不透過各薄板狀發(fā)熱體，也不到達厚板狀發(fā)熱體。因此，降低水平磁場的頻率，如圖9B所示，能夠不加熱各薄板狀發(fā)熱體而只加熱其內部的厚板狀發(fā)熱體。與此相反，提高水平磁場的頻率，如圖9C所示，能夠不加熱內部的厚板狀發(fā)熱體而只加熱各薄板狀發(fā)熱體。這樣，在外側將薄板狀發(fā)熱體層疊，在其內側配置厚板狀發(fā)熱體，就可以根據(jù)供給于感應線圈124的高頻電流的頻率控制加熱座200的發(fā)熱分布，其結果，能夠控制面內溫度分布。于是，在本實施方式中，通過利用這種性質來設計加熱座200的形狀，能夠準確地控制面內溫度分布。具體而言，將加熱座200分為周緣部和包圍于該周緣部的內側部，內側部由厚板狀發(fā)熱體構成，并且使周緣部構成為將比內側部更薄的薄板狀發(fā)熱體以電絕緣的狀態(tài)層疊。將不同的兩個頻率(高的頻率和低的頻率)的高頻電流重疊或按時序切換施加于感應線圈124。由此，通過控制加熱座200的周緣部的感應電流來控制磁通量的透射，能夠調整磁通量進入到更內部的進入難易度，將周緣部的發(fā)熱量和內側部的發(fā)熱量以能夠改變比例的方式進行控制來感應加熱。(加熱座的具體構成例)在此，參照

這種本實施方式中的加熱座200的構成例。圖10是表示加熱座200的結構的外觀立體圖，圖11是從上方觀察加熱座200的圖。圖12是將加熱座200的一部分縱向截斷的截面圖。如圖10、圖11所示，本實施方式的加熱座200設置成分隔為周緣部210和包圍于該周緣部的內側部220。內側部220由厚板狀發(fā)熱體222構成，周緣部210將比內側部220薄的薄板狀發(fā)熱體212層疊而構成。圖10、圖11中，舉出的例子是將三個薄板狀發(fā)熱體212層疊的情況，但是，薄板狀發(fā)熱體212的個數(shù)不限于此，根據(jù)其厚度，可以是兩個，也可以是四個以上。各薄板狀發(fā)熱體212之間分別互相電絕緣。這是為了不使電流在各薄板狀發(fā)熱體 212之間流通。例如圖10表示通過將各薄板狀發(fā)熱體212隔開設置進行絕緣的具體例。另夕卜，不限于此，可以在各薄板狀發(fā)熱體212之間插入絕緣部件。另外，也可以在各薄板狀發(fā)熱體212的表面實施絕緣加工。據(jù)此,不空出間隙能夠使各薄板狀發(fā)熱體212接觸并層疊。周緣部210與內側部220之間絕熱。這是為了防止周緣部210與內側部220之間的熱傳導。由此,能夠對周緣部210和內側部220分別進行加熱。例如圖11、圖12表示通過將周緣部210的各薄板狀發(fā)熱體212與內側部220之間利用絕熱材230連接而進行絕熱的具體例。另外，不限于此，也可以通過使各薄板狀發(fā)熱體212和內側部220之間隔開而進行絕熱。(各發(fā)熱體的厚度的最優(yōu)化)但是，上述的各薄板狀發(fā)熱體212的厚度tl和厚板狀發(fā)熱體222的厚度t2是基于作為供給于感應線圈124的高頻電流而使用的頻率(低的頻率和高的頻率)決定的。在此，根據(jù)感應電流的表面效應，根據(jù)頻率決定感應電流的進入深度，因此，按照頻率調整各發(fā)熱體212、222的厚度tl、t2，能夠進行最優(yōu)化的加熱控制。在此，作為供給于感應線圈124的高頻電流而使用的頻率，說明低的頻率設為fl(例如10kHz)、高的頻率設為f2 (例如IOOkHz)時的各發(fā)熱體的最優(yōu)化的厚度tl、t2。首先，參照附圖，說明各發(fā)熱體的厚度tl、t2和感應電流的表面效應。圖13A、圖13B是將感應電流的表面效應表示在曲線上的圖。圖13A是厚板狀誘熱體的情況，圖13B是薄板狀發(fā)熱體的情況。圖13A、圖13B的粗曲線是低的頻率fl的情況，細曲線是高的頻率f2的情況。當磁通量從發(fā)熱體的周緣部側面進入時，該磁通量的垂直面(例如上述的圖6B所示的厚板狀發(fā)熱體中是其上表面和下表面以及左右側面)產生感應電流。該感應電流越靠近各表面越大，并且存在隨著向著內部(在此為厚度的中心方向)指數(shù)函數(shù)變小的特性，這是感應電流的表面效應。此時，如加熱座200的形狀，如果是板狀，則在上表面附近和下表面附近產生的感應電流為主導，左右側面附近的感應電流幾乎可以忽略。進入深度P由頻率H、f2決定，具體而言，定義為從發(fā)熱體的表面(上表面或下表面)沿其深度方向(厚度的中心方向)衰減的感應電流密度減少到發(fā)熱體的表面(上表面或下表面)的感應電流密度的l/e( ^0.368)倍的點為止的距離，并以下述(I)式表示。
P(Cm)=S-OS(PZyf)1AH(I)上述(I)式中，P是發(fā)熱體的電阻率(μ Ωαιι)，μ為發(fā)熱體的相對磁導率(relative permeability)(非磁體μ =1), f為頻率(Hz)。另外，碳系材料的μ=1。碳系材料有石墨、玻璃碳等。根據(jù)上述(I)式可知，頻率f越高進入深度P越小，頻率f越低進入深度P越高。另外，若將Itl設為發(fā)熱體的上表面和下表面的各自的電流密度，利用該進入深度P，從發(fā)熱體的外周面到內部的距離X的電流密度Ix可以表示為下述(2)式。Ix=I0exp (_x/P)…(2)若將從上表面和下表面到厚度的中心的距離X與電流密度比L (=IxAtl)的關系以曲線表示低的頻率fl (例如IOkHz)的情況和高的頻率f2 (例如IOOkHz)的情況，則如圖13A、圖13B所示。圖13A、圖13B中，縱軸取為電流密度比仁(=IX/IQ)，橫軸取為從上表面和下表面到厚度的中心的距離X。 圖13A和圖13B當中的任一種的情況中，電流密度比Ir (=IX/IQ)呈現(xiàn)越靠近發(fā)熱體的上表面或下表面越大，越向著厚度的中心方向越加急劇地下降的衰減曲線。另外，根據(jù)上述(2)式，如圖13A、圖13B的曲線所示，越是低的頻率fI進入深度Pfl越大，越是高的頻率f2進入深度Pf2越小。根據(jù)(I)式，該進入深度Pfl、Pf2 —律由頻率決定。于是，在此舉例說明如圖13A所示，將厚板狀發(fā)熱體的厚度tl設為大的，即設為低的頻率Π時的進入深度Pfl的兩倍，并且如圖13B所示，將薄板狀發(fā)熱體的厚度t2設為小的，即設為高的頻率f2時的進入深度Pf2的兩倍的例子。此時，從發(fā)熱體的上表面距離X的部位產生的感應電流和從發(fā)熱體的下表面距離X的部位產生的感應電流，大小相等，方向相反。從而，如果這些電流密度比L的曲線有重合的部分，感應電流就相互抵消。從這樣的觀點來觀察圖13A，在厚板狀發(fā)熱體中，在其厚度tl的范圍內，無論是低的頻率fl還是高的頻率f2，感應電流都不被抵消。與此相反，若觀察圖13B，在薄板狀發(fā)熱體中，在其厚度t2的范圍，在高的頻率f2沒有感應電流相互抵消，與此相反，在低的頻率f I存在感應電流相互抵消的區(qū)域。通過決定發(fā)熱體的厚度tl、t2以使這種感應電流抵消的區(qū)域存在，如上所述，在薄板狀發(fā)熱體的情況下，能夠在高的頻率f2，感應電流不被抵消，磁通量難以進入，在低的頻率Π，使感應電流相互抵消來使磁通量容易進入。根據(jù)圖13A、圖13B，優(yōu)選至少薄板狀發(fā)熱體的厚度t2比高的頻率f2的進入深度Pf2的兩倍更厚，比低的頻率fl的進入深度Pfl更薄。由此，薄板狀發(fā)熱體中，能夠增大基于低的頻率fl的感應電流的抵消區(qū)域。與此相比，厚板狀發(fā)熱體的厚度t2，優(yōu)選至少比低的頻率fl的進入深度Pfl的兩倍更厚。由此，能夠使厚板狀發(fā)熱體在任一種的頻率中也不存在感應電流的抵消區(qū)域。基于此，求出圖12所示的加熱座200的各發(fā)熱體222、212的厚度tl、t2的條件如下。此時，若以石墨構成各發(fā)熱體222、212，則電阻率P為大致1000 μ Qcm，透射率μ為I。例如，若將低的頻率fl設為10kHz，高的頻率f2設為100kHz，則進入深度Pfl、Pf2各自為大致I. 6cm、大致O. 5cm。因此優(yōu)選此時的厚板狀發(fā)熱體222的厚度tl的條件設為3. 2cm(=2XPfl)〈tl，薄板狀發(fā)熱體 212 的厚度 t2 的條件設為 I. Ocm (=2XPf2)〈2t〈l. 6cm (=Pfl)。
通過這樣決定構成加熱座200的各發(fā)熱體222、212的厚度tl、t2，能夠根據(jù)頻率控制磁通量從加熱座200的周緣部210的側面進入的進入易度，并能夠改變周緣部210的發(fā)熱量與內側部220的發(fā)熱量的比例。由此，能夠控制加熱座200的面內溫度。另外，薄板狀發(fā)熱體212的徑向的寬度，優(yōu)選設為，提高水平磁場的頻率時，磁通量的一大半能通過周緣部210的大小。不限于此，也可以基于周緣部210的發(fā)熱量與內側部220的發(fā)熱量的基準比例，決定薄板狀發(fā)熱體212的徑向的寬度。如果過于增大這種薄板狀發(fā)熱體212的徑向的寬度，當降低水平磁場的頻率時，進入內側部220的磁通量減少，因此，內側部220的加熱效率降低。反過來，若將該寬度設置較小，當提高水平磁場的 頻率時，磁通量的一部分進入到內側部220，因此，周緣部210的加熱效率降低。因此，能夠根據(jù)是加強加熱座200的周緣部210的加熱，還是加強內側部220的加熱來決定薄板狀發(fā)熱體212的徑向的寬度。例如，也可以，當相對于加熱座200的內側部220加強周緣部210的加熱時，增大薄板狀發(fā)熱體212的徑向的寬度，當相對于加熱座200的周緣部加強210內側部220的加熱時，減小薄板狀發(fā)熱體212的徑向的寬度。另外，在加熱座200的周緣部210激發(fā)感應電流的水平磁場具有加熱座200的徑向成分，并且也具有加熱座200的圓周方向成分，因此薄板狀發(fā)熱體212的徑向的寬度優(yōu)選設為相對于高的頻率f2的進入深度Pf2的兩倍以上。加熱座200的形狀并不限于圖12所示的形狀。如圖14所示，例如內側部220的厚板發(fā)熱體222也可以使其中心部比外周部薄。如圖I所示，當縱向上排列有多個加熱座200時，從各加熱座向上下方向放出的熱量減少，熱量容易在中央部聚集，因此，各加熱座200的中央部即使不加熱，溫度也幾乎不變。因此，如圖14所示，即使使中心部變薄，厚板狀發(fā)熱體222其中心部比外周部薄，也能夠通過來自被加熱的外周部的熱傳導，被充分加熱。據(jù)此，能夠減少加熱座200整體的熱容量，能夠提高加熱速度。(高頻電流的施加控制)在此，更加詳細地說明上述的兩個頻率的高頻電流的施加控制。作為本實施方式中的施加控制,可以使兩個頻率的高頻電流重疊進行施加,也可以將各自按時序分別施加。圖15表示可以實現(xiàn)這種施加控制的高頻電流電路130的具體構成例。圖15是表示構成本實施方式的高頻電流電路130的概略結構的框圖。圖15所示的高頻電流電路130具有輸出作為低的頻率的第一頻率的高頻電流(例如IOkHz)的第一高頻電源134和輸出作為高的頻率的第二頻率f2的高頻電流(例如IOOkHz)的第二高頻電源136。第一高頻電源134的輸出經由第一匹配電路135連接于高頻電流電路130的輸出端132。第一匹配電路135例如包括設置于高頻電流電路130的輸出和第一匹配電路135的輸出之間的變量器等。第二高頻電源136的輸出經由第二匹配電路137連接于第一匹配電路135和一方的輸出端132之間。第二匹配電路137包括設置于第二高頻電源136的輸出和第一匹配電路135的一方的輸出之間的變量器等，并起到將來自第二高頻電源136的輸出重疊在來自第一高頻電源134的輸出的功能。第一高頻電源134和第二高頻電源136連接于控制部300，能夠根據(jù)來自控制部300的控制信號對各高頻電源134、136的輸出進行開啟和關閉。由此，根據(jù)來自控制部300的控制信號，通過將低的第一頻率4的電流和高的第二頻率4的電流重疊或按時序切換施加于感應線圈124，能夠對加熱座200的周緣部210和內側部220中的僅僅一方獨立地進行加熱，或者對雙方進行加熱。例如根據(jù)來自控制部300的控制信號，通過將來自第一高頻電源134的第一頻率f!的電流輸出開啟而將第二高頻電源136的第二頻率f2的電流輸出關閉，能夠在高頻電流電路130的輸出端子132僅輸出第一頻率的高頻電流。反之，通過將來自第一高頻電源134的第一頻率的電流輸出關閉而將來自第二高頻電源136的第二頻率f2的電流輸出開啟，能夠在高頻電流電路130的輸出端子132僅輸出第二頻率f2的高頻電流。因此，例如通過將第一頻率(IOkHz)的電流和第二頻率f2 (IOOkHz)的電流按時序切換，從而對感應線圈124施加這些高頻電流，能夠施加如圖16所示的電流波形。例如圖16所示的T1區(qū)間的電流波形是基于第一頻率(IOkHz)的電流的電流波形，圖16的T2區(qū)間的電流波形是基于第二頻率f2 (IOOkHz)的電流的電流波形。此時，控制第一頻率fi (IOkHz)的電流和第二頻率f2 (IOOkHz)的電流的各施加時間！\、T2，就能夠控制加熱座200的周緣部210和內側部220的發(fā)熱量?！だ缭谥皇┘拥谝活l率4 (IOkHz)的電流的期間(T1)，如圖17A所示，在周緣部210，在各薄板狀發(fā)熱體212，感應電流的產生受到抑制。因此，磁通量透過周緣部210，進入到內側部220。由此，各薄板狀發(fā)熱體212不發(fā)熱而只有厚板狀發(fā)熱體222發(fā)熱，因此，與周緣部210相比可以對內側部220進一步加熱。另外，為了便于理解，圖17A以陰影線表示周緣部210和內側部220當中的發(fā)熱的一方或發(fā)熱量大的一方(以下所不的圖17B、圖19A、圖19B也一樣)。與此相比，在只施加第二頻率f2 (IOOkHz)的電流的期間(T2)，如圖17B所示，在周緣部210中，在各薄板狀發(fā)熱體212中產生感應電流，阻礙磁通量的透射。因此，磁通量即使進入各薄板狀發(fā)熱體212也不到達內側部220。厚板狀發(fā)熱體222不發(fā)熱而只有各薄板狀發(fā)熱體212發(fā)熱，因此，相比于內側部220，能夠對周緣部210進一步加熱。另外，根據(jù)來自控制部300的控制信號，通過將來自第一高頻電源134的第一頻率f!的電流輸出和來自第二高頻電源136的第二頻率f2的電流輸出的雙方開啟，能夠在高頻電流電路130的輸出端132，輸出在第一頻率的電流上重疊第二高頻f2的電流的高頻電流，例如如圖18所示的電流波形。此時，控制各頻率的高頻電流的比例，就能夠控制周緣部210和內側部220的發(fā)熱量。此時，相對于高的第二頻率f2的電流越增大低的第一頻率的電流，就越能夠抑制在周緣部210的各薄板狀發(fā)熱體212產生的感應電流。因此,如圖19A所示,磁通量透過各薄板狀發(fā)熱體212容易到達厚板狀發(fā)熱體222，因此，相比于周緣部210能夠對內側部220進一步加熱。與此相反，相對于高的第二頻率f2的電流越減小低的第一頻率的電流，就越能增大在周緣部210的各薄板狀發(fā)熱體212產生的感應電流。因此，如圖19B所示，磁通量變得難以通過各薄板狀發(fā)熱體212，難以到達厚板狀發(fā)熱體222，因此，相比于內側部220能夠對周緣部210進一步加熱。另外，如果在相對于高的第二頻率&的電流的低的第一頻率4的電流保持不變的狀態(tài)下，增大高的頻率f2和低的頻率的雙方的電流，能夠保持加熱座200整體的發(fā)熱量的平衡，因此，能夠將加熱座200的溫度分布保持一定，并且提高加熱座200整體的溫度。另外，聞頻電流電路130并不限于圖15所不的結構。例如，當使兩個頻率的聞頻電流重疊而進行施加時，也可以將第一高頻電源134和第二高頻電源136串聯(lián)而構成，另外，當將兩個頻率的高頻電流按時序交替施加時，也可以采用能夠將第一高頻電源134和第二高頻電源136進行切換的結構。 這樣，根據(jù)高頻電流電路130，通過將低的第一頻率f i的電流和高的第二頻率f2的電流重疊或按時序切換來施加于感應線圈124，能夠控制加熱座200的周緣部210的發(fā)熱量與內側部220的發(fā)熱量的比例。據(jù)此，能夠對周緣部210和內側部220中的僅一方獨立地進行加熱或對雙方進行加熱。由此，能夠控制加熱座200的面內溫度分布，因此，也能夠準確控制載置于加熱座200的晶片W的面內溫度分布。尤其當如構成本實施方式的熱處理裝置100那樣，在比加熱座200的溫度極低的溫度對反應管104的側壁(處理室102的側壁)進行控制時，加熱座 200的周緣部210的熱量容易被奪去，因此，不對反應管104整體加熱，而在該周緣部210集中地補充熱量，并且進一步能夠對內側部220加熱，在這一點上，其效果極大。另外，舉例的是，如圖4所示，由U字狀(或3字狀)的磁心122的中間部129上卷繞有感應線圈124的電磁鐵120構成本實施方式的磁場形成部的情況，但是，不限于此。如圖20所示，例如也可以由U字狀(或-字狀)的磁心122的各磁極127、128卷繞有感應線圈124的電磁鐵121構成。由圖20所示的電磁鐵121，也能夠形成與圖4所示的電磁鐵120同樣的水平磁場。以上，參照

了本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式，但是，不言而明，本發(fā)明并不限于上述的例子。如果是本領域技術人員，在權利要求所記載的范圍內，顯然能夠想到各種變更例或修正例，可以理解，這些當然也屬于本發(fā)明的技術范圍。產業(yè)上的可利用性本發(fā)明可以應用于對基板例如半導體晶片或玻璃等基板進行規(guī)定的熱處理的熱處理裝置。附圖符號100熱處理裝置102處理室104反應管105電介質窗106 歧管110石英板(晶片板)114 蓋體116絕熱體118板升降器120、121 電磁鐵122 磁心124感應線圈127、128 磁極
127AU27B 磁極面129中間部130高頻電流電路132輸出端134第一高頻電源135第一匹配電路136第二高頻電源137第二匹配電路 140a、140b氣體供給管142a、142b流量調整部150排氣管151壓力傳感器152壓力調整部154真空泵200加熱座210周緣部212薄板狀發(fā)熱體220內側部222厚板狀發(fā)熱體230絕熱材料300控制部310CPU320存儲器330顯示部340輸入輸出部350通信部360各種控制器370存儲部372處理方案數(shù)據(jù)W 晶片C感應線圈
權利要求
1.一種熱處理裝置，其特征在于，包括 處理室，其對配置于能夠減壓的處理室內的多個基板實施熱處理； 加熱座，其為具有載置所述基板的載置面的導電部件，被分為周緣部和由該周緣部包圍的內側部，所述內側部包括厚板狀發(fā)熱體，所述周緣部將比內側部薄的薄板狀發(fā)熱體以互相電絕緣的狀態(tài)層疊形成； 旋轉自由的加熱座支承部，其在所述處理室內將所述加熱座在垂直于該載置面的方向上隔開間隔排列多個并進行支承； 磁場形成部，其包括卷繞有感應線圈且以磁極面與所述加熱座的側面相對的方式配置的電磁鐵，在平行于所述加熱座的載置面的方向上形成交流磁場來對所述加熱座進行感應加熱； 高頻電流電路，其能夠對所述感應線圈施加不同的兩個頻率的高頻電流；和控制部，其利用由從所述高頻電流電路施加于所述感應線圈的所述兩個頻率的高頻電流，對產生于各個所述薄板狀發(fā)熱體的感應電流進行控制，從而控制至所述內側部的磁通量的透射，由此來改變所述加熱座的所述周緣部的發(fā)熱量與所述內側部的發(fā)熱量的比例，進行溫度控制。
2.如權利要求I所述的熱處理裝置，其特征在于 所述控制部，將從所述高頻電流電路輸出的低的頻率的高頻電流和高的頻率的高頻電流進行重疊或按時序進行切換來進行所述溫度控制。
3.如權利要求2所述的熱處理裝置，其特征在于 構成各個所述加熱座的周緣部的所述薄板狀發(fā)熱體的厚度設置為比從所述低的頻率計算出的感應電流的進入深度小，比從所述高的頻率計算出的感應電流的進入深度的兩倍大。
4.如權利要求3所述的熱處理裝置，其特征在于 構成各個所述加熱座的內側部的所述厚板狀發(fā)熱體的厚度設置為至少比從所述低的頻率計算出的感應電流的進入深度的兩倍大。
5.如權利要求廣4中的任一項所述的熱處理裝置，其特征在于 所述磁場形成部沿著所述加熱座和所述基板的排列方向配置排列多層。
6.如權利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于 所述控制部獨立地控制各所述磁場形成部的交流電源。
7.如權利要求1飛中的任一項所述的熱處理裝置，其特征在于 所述加熱座由石墨形成，所述處理室的側壁由鋁合金形成。
8.如權利要求廣7中的任一項所述的熱處理裝置，其特征在于，包括 將處理氣體供給至所述處理室內的氣體供給部；和 對所述處理室內進行真空排氣的排氣機構， 所述處理室，進行對所述基板的熱處理或進行在所述基板上形成薄膜的成膜處理。
全文摘要
通過控制從加熱座的周緣部進入的磁通量的透射，準確控制加熱座的面內溫度。為具有載置基板的載置面的導電部件，包括加熱座(200)，其分為周緣部(210)和包圍于該周緣部的內側部(220)，內側部包括厚板狀發(fā)熱體，周緣部將比內側部薄的薄板狀發(fā)熱體在互相電絕緣的狀態(tài)下層疊而構成；和電磁鐵(120)，其從加熱座的側面在平行于該載置面的方向上形成交流磁場，通過由施加于卷繞于該電磁鐵的感應線圈(124)的兩個頻率的高頻電流來控制在各薄板狀發(fā)熱體產生的感應電流而控制磁通量透過內側部，由此改變各加熱座的周緣部的發(fā)熱量和內側部的發(fā)熱量的比例來進行溫度控制。
文檔編號H01L21/22GK102859657SQ201280001147
公開日2013年1月2日 申請日期2012年2月1日 優(yōu)先權日2011年3月30日
發(fā)明者米永富廣, 河野有美子, 內田直喜, 尾崎一博 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社, 三井造船株式會社