專利名稱：有機(jī)el顯示面板及有機(jī)el顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用作為電發(fā)光元件的有機(jī)電場(chǎng)發(fā)光元件(以下稱為“有機(jī)EL元件”)的有機(jī)EL顯示面板及有機(jī)EL顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來，使用有機(jī)半導(dǎo)體的各種功能元件的研究開發(fā)得到開展，作為代表性的功能元件可列舉有機(jī)EL元件。有機(jī)EL元件是電流驅(qū)動(dòng)型的發(fā)光元件，具有在由陽極以及陰極構(gòu)成的一對(duì)電極對(duì)之間設(shè)置有功能層的結(jié)構(gòu)，所述功能層包含由有機(jī)材料構(gòu)成的發(fā)光層。而且，向電極對(duì)之間施加電壓，使從陽極注入于功能層的空穴與從陰極注入于功能層的電子再結(jié)合，通過由此產(chǎn)生的電場(chǎng)發(fā)光現(xiàn)象而發(fā)光。有機(jī)EL元件由于自身進(jìn)行發(fā)光，所以可視性高，并且由于是完全固體元件，所以耐沖擊性優(yōu)異，所以作為各種有機(jī)EL顯示面板以及有機(jī)EL顯示裝置中的發(fā)光元件和/或光源的利用受到關(guān)注?！榱颂岣哂袡C(jī)EL元件的發(fā)光率，重要的是從電極向功能層高效地注入載流子(空穴以及電子)。一般，為了高效地注入載流子，有效的是設(shè)置用于降低向各電極與功能層之間注入時(shí)的能量勢(shì)壘的注入層。其中在配設(shè)于功能層與陽極之間的空穴注入層中，使用銅酞菁和/或PEDOT (導(dǎo)電性高分子)等有機(jī)物、氧化鑰和/或氧化鎢等金屬氧化物。另外，在配設(shè)于功能層與陰極之間的電子注入層中，使用金屬配合物和/或噁二唑等有機(jī)物、鋇等金屬。其中，關(guān)于將氧化鑰和/或氧化鎢等金屬氧化物作為空穴注入層而使用的有機(jī)EL元件，有報(bào)告說改善了空穴注入效率和/或壽命(專利文獻(xiàn)1、2，非專利文獻(xiàn)I )，并有報(bào)告說通過與空穴注入層表面的金屬氧化物的氧缺陷相類似的構(gòu)造形成的電子能級(jí)影響該改善(非專利文獻(xiàn)2)。另一方面，伴隨著有機(jī)EL顯示面板的大尺寸化，需要構(gòu)成面板的各有機(jī)EL像素的從電極連接于電源的布線部的低電阻化。特別是，在頂部發(fā)光型的有源矩陣有機(jī)EL顯示面板中，需要將ITO、IZO等透明電極材料用于共用電極，但這些材料的電阻比較高，所以作為布線部優(yōu)選盡可能不多使用。關(guān)于此，例如，在專利文獻(xiàn)3中，作為頂部發(fā)光型的有機(jī)EL元件，公開了一種有機(jī)EL元件，其具有將第2電極(共用電極)連接于輔助布線的構(gòu)造的布線部，實(shí)現(xiàn)了盡可能抑制電阻比較高的共用電極的使用的布線部。在這里，所謂輔助布線，是具有從電源向共用電極供給電子的構(gòu)造的低電阻布線。輔助布線優(yōu)選以不遮擋發(fā)光部的方式設(shè)置于非發(fā)光部。另外，在將輔助布線設(shè)置于非發(fā)光部的情況下，可以設(shè)置于共用電極的上部與下部的任何部分，但設(shè)置于下部的構(gòu)造由于能夠利用薄膜晶體管和/或像素電極等的形成工序也同時(shí)形成輔助布線，所以認(rèn)為是更優(yōu)選的構(gòu)造?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)I :特開2005-203339號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :特開2007-288074號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :特開2002-318556號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)I Jingze Li 等，Synthetic Metals 151, 141 (2005)。非專利文獻(xiàn)2 :Kaname Kanai 等，Organic Electronics 11,188 (2010)。非專利文獻(xiàn)3 :M. Stolze 等，Thin Solid Films 409,254 (2002)。非專利文獻(xiàn)4 :渡邊寬己等，有機(jī)EL討論會(huì)第7次例會(huì)預(yù)稿集17 (2008)。非專利文獻(xiàn)5 :1. N. Yakovkin 等，Surface Science 601, 1481 (2007)。非專利文獻(xiàn)6 :Hyunbok Lee 等，Applied Physics Letters 93, 043308 (2008)。非專利文獻(xiàn)7 :中山泰生等，有機(jī)EL討論會(huì)第7次例會(huì)預(yù)稿集5 (2008)。

發(fā)明內(nèi)容
作為形成上述的金屬氧化物膜的方法，一般使用蒸鍍法或者濺射法。在該情況下，考慮在對(duì)金屬氧化物膜進(jìn)行成膜的時(shí)刻已經(jīng)先在基板上成膜的層等的耐熱性，通常在2000C以下的低溫的基板溫度下進(jìn)行成膜。在這里，一般在濺射法中若在低的基板溫度下進(jìn)行成膜，則會(huì)抑制被濺射并到達(dá)基板的金屬氧化物微粒在基板表面的擴(kuò)散，所以容易形成秩序性較低的非晶體構(gòu)造的金屬氧化物膜。進(jìn)而，在低的基板溫度下進(jìn)行成膜的情況下，也有報(bào)告說難以保持膜組成和/或 膜厚的均勻性(非專利文獻(xiàn)3)。在金屬氧化物膜為非晶體構(gòu)造的情況下，接受所注入的空穴的膜中的部位例如與氧缺陷相類似的部位分散存在，所以空穴在膜中的傳導(dǎo)通過空穴在該分散存在的部位之間躍遷而進(jìn)行。但是，為了將其利用于有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)，需要向有機(jī)EL元件施加較高的驅(qū)動(dòng)電壓。即，在躍遷傳導(dǎo)中空穴傳導(dǎo)效率低，所以有元件的驅(qū)動(dòng)電壓增大的問題。另一方面，在共用電極的下部具有輔助布線的有機(jī)EL元件中，一般在通過同一膜形成像素電極(陽極)與輔助布線之后，進(jìn)行圖案形成。然后，層疊空穴注入層。在這里，銅酞菁和/或PEDOT等空穴注入層優(yōu)選不形成在輔助布線上。原因是這些空穴注入層不僅一般電阻較高，而且如果形成于輔助布線之上，則阻礙從輔助布線向共用電極供給電子。具體地，這些空穴注入層，其最高被占軌道的結(jié)合能被設(shè)計(jì)成接近一般陽極所使用的ITO等的費(fèi)米能級(jí)，相反最低空軌道的結(jié)合能距離該費(fèi)米能級(jí)相當(dāng)遠(yuǎn)。因此，從陽極向這些空穴注入層，空穴注入比較容易，但電子注入困難。這在發(fā)光部中會(huì)有利地起作用，但在輔助布線與共用電極的連接部，不能從使用與陽極相同的材料的輔助布線經(jīng)由這些空穴注入層向共用電極供給電子，成為布線部的高電阻化的原因。另外，在空穴注入層所使用的材料中，相對(duì)于電子會(huì)化學(xué)不穩(wěn)定，且如果長時(shí)間持續(xù)使電子流入，則其自身分解、劣化的情況也較多，結(jié)果有可能導(dǎo)致面板特性的下降。因此，這些空穴注入層需要通過圖案成膜而不形成于輔助布線之上。作為這樣的圖案成膜的方法，有1)使用掩模蒸鍍和/或絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷等在像素電極上進(jìn)行選擇成膜的方法；以及2)在整面成膜形成后，使用光刻法和/或干蝕刻法等僅選擇除去輔助布線上的膜的方法。然而，通過任何方法，工序數(shù)增加都會(huì)使制造成本增大，另外會(huì)引起微粒的增加等，導(dǎo)致成品率的下降。進(jìn)而，圖案形成時(shí)的抗蝕劑殘?jiān)葧?huì)作為電阻成分而殘留于輔助布線上，有可能牽連到布線部的進(jìn)一步高電阻化。本發(fā)明是鑒于以上的課題而實(shí)現(xiàn)的，其目的在于提供能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光效率的有機(jī)EL顯示面板以及有機(jī)EL顯示裝置。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板具備基板；第I電極，其形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)；輔助布線，其與所述第I電極分離地形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)；功能層，其形成于所述第I電極的上方，至少包含發(fā)光層；空穴注入層，其介于所述功能層與所述第I電極之間，進(jìn)行向所述功能層的空穴注入；以及第2電極，其形成于所述功能層的上方；所述空穴注入層以及所述第2電極的各個(gè)也連續(xù)地形成于所述第I電極的上方以及所述輔助布線的上方；所述第2電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴注入層電連接；所述空穴注入層包含金屬氧化物膜而構(gòu)成；構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜，并且所述金屬氧化物膜包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金·屬氧化物的晶體。 本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板以及有機(jī)EL顯示裝置，通過包含金屬氧化物的金屬氧化物膜構(gòu)成空穴注入層，并且將構(gòu)成該金屬氧化物的金屬原子設(shè)為最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)，由此能夠使金屬氧化物膜中具有空穴以及電子的傳導(dǎo)部位。此外，通過在該空穴注入層的膜中包含粒徑為納米級(jí)的大小的金屬氧化物晶體，使具有很多空穴以及電子的傳導(dǎo)部位的晶體的表面和/或晶界大量形成于空穴注入層內(nèi)。由于空穴注入層具有這樣的結(jié)構(gòu)，所以能夠?qū)⑾袼夭康目昭ㄗ⑷雽优c功能層之間的空穴注入勢(shì)壘抑制得較小，并且在像素部的像素電極與空穴注入層以及布線部的輔助布線與空穴注入層、空穴注入層與共用電極之間，能夠幾乎沒有勢(shì)壘地進(jìn)行載流子的交換。進(jìn)而，在像素部中，空穴的傳導(dǎo)路徑遍布于空穴注入層的膜厚方向，所以能夠?qū)崿F(xiàn)有效的空穴傳導(dǎo)，在布線部中，電子能夠容易地在空穴注入層中的所述傳導(dǎo)路徑移動(dòng)，所以能夠維持布線部的良好的低電阻。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)較低的驅(qū)動(dòng)電壓并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光效率。


圖I是用于對(duì)本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板進(jìn)行說明的圖。圖2是表示本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。圖3是對(duì)本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法進(jìn)行說明的剖面圖。圖4是對(duì)本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法進(jìn)行說明的剖面圖。圖5是表示僅空穴元件IB的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。圖6是表示僅空穴元件的驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)空穴注入層的成膜條件的依賴性的曲線圖。圖7是表示僅空穴元件的施加電壓與電流密度的關(guān)系曲線的設(shè)備特性圖。圖8是表示作為評(píng)價(jià)設(shè)備的有機(jī)EL元件I的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。
圖9是表示有機(jī)EL元件的施加電壓與電流密度的關(guān)系曲線的設(shè)備特性圖。圖10是表示有機(jī)EL元件的電流密度與發(fā)光強(qiáng)度的關(guān)系曲線的設(shè)備特性圖。圖11是表示光電子分光測(cè)定用的樣本的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。圖12是表示氧化鎢層的UPS譜的圖。圖13是表示氧化鎢層的UPS譜的圖。圖14是表示圖13的UPS譜的微分曲線的圖。圖15是表示暴露于大氣的氧化鎢層的UPS譜的圖。圖16是一并表示本發(fā)明的氧化鎢層的UPS譜以及XPS譜的圖。
圖17是本發(fā)明的氧化鎢層與a -NPD層的界面能量曲線圖。圖18是用于對(duì)空穴注入層與功能層的注入位置的效果進(jìn)行說明的圖。圖19是成膜條件c的氧化鎢層與a -NPD層的界面能量曲線圖。圖20是純水清洗后的IZO陽極與功能層的界面能量曲線圖。圖21是純水清洗后進(jìn)行了干式蝕刻處理的IZO陽極與功能層的界面能量曲線圖。圖22是IPA清洗后的ITO陽極與功能層的界面能量曲線圖。圖23是IPA清洗后進(jìn)行了氧氣等離子處理的ITO陽極與功能層的界面能量曲線圖。圖24是純水清洗后的IZO陽極與本發(fā)明的空穴注入層的界面能量曲線圖。圖25是純水清洗后進(jìn)行了干式蝕刻處理的IZO陽極與本發(fā)明的空穴注入層的界面能量曲線圖。圖26是IPA清洗后的ITO陽極與本發(fā)明的空穴注入層的界面能量曲線圖。圖27是IPA清洗后進(jìn)行了氧氣等離子處理的ITO陽極與本發(fā)明的空穴注入層的界面能量曲線圖。圖28是鋁陽極與本發(fā)明的空穴注入層的界面能量曲線圖。圖29是表示僅空穴元件的施加電壓與電流密度的關(guān)系曲線的設(shè)備特性圖。圖30是表示有機(jī)EL元件的施加電壓與電流密度的關(guān)系曲線的設(shè)備特性圖。圖31是表示由氧化鎢層的HXPS測(cè)定得到的歸屬于W5p3/2、W4f5/2、W4f7/2的譜的圖。圖32是表示圖9所示的樣本A的波峰擬合分析結(jié)果的圖(a)和表示樣本E的波峰擬合分析結(jié)果的圖(b)。圖33是表示氧化鎢層的UPS譜的圖。圖34是用于對(duì)三氧化鎢晶體的構(gòu)造進(jìn)行說明的圖。圖35是氧化鎢層的截面TEM照片。圖36是表示圖35所示的TEM照片的2維傅里葉變換像的圖。圖37是對(duì)根據(jù)圖36所示的2維傅里葉變換像制作輝度變化曲線圖的過程進(jìn)行說明的圖。圖38是表示樣本A、B、C的2維傅里葉變換像和輝度變化曲線圖的圖。圖39是表示樣本D、E的2維傅里葉變換像和輝度變化曲線圖的圖。圖40是樣本A、E的輝度變化曲線圖((a)、(b))、各輝度變化曲線圖中的距離中心點(diǎn)最近而出現(xiàn)的波峰附近的放大圖((al)、(bl))和表示(al)以及(bl)的各輝度變化曲線圖的I次微分的圖((a2)、(b2))。
圖41是示意性表示氧化鎢層主要由納米晶構(gòu)造形成的情況下的空穴傳導(dǎo)的圖(a)和主要由非晶體構(gòu)造形成的情況下的空穴傳導(dǎo)的圖(b)。圖42是表示實(shí)施方式2所涉及的有機(jī)EL面板的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖(a)和空穴注入層附近的局部放大圖(b)。圖43是對(duì)實(shí)施方式2所涉及的有機(jī)EL面板的制造方法進(jìn)行說明的工序圖。圖44是對(duì)實(shí)施方式2所涉及的有機(jī)EL面板的制造方法進(jìn)行說明的工序圖。圖45是對(duì)實(shí)施方式2所涉及的有機(jī)EL面板的制造方法進(jìn)行說明的工序圖。圖46是對(duì)實(shí)施方式2的變形例所涉及的有機(jī)EL面板的制造方法進(jìn)行說明的工序 圖。圖47是對(duì)實(shí)施方式2的變形例所涉及的有機(jī)EL面板的制造方法進(jìn)行說明的工序圖。符號(hào)說明I :有機(jī)EL元件(評(píng)價(jià)設(shè)備)，IB :僅空穴元件，IC :光電子分光用樣本，2、20、20C :陽極(第I電極)，4、12、40、40C、40D :空穴注入層(氧化鎢層)，6A、60、60C :緩沖層，6B、70、70C 發(fā)光層(有機(jī)層)，8A:鋇層，SB :鋁層，8C:陰極(Au)，9、10、10C:基板，11 :導(dǎo)電性硅基板，13 納米晶，14 :空穴，15 :非晶體構(gòu)造，17C:平坦化膜，20X A1合金薄膜，25C :ΙΤ0層，25D =IZO層，25Χ =IZO薄膜，30、30C :輔助布線(布線)，35 :連接開口部，40X :薄膜(氧化鎢膜)，40a、40b :凹部，45 :像素開口部，50、50C :堤欄(分隔壁)，50A :光致抗蝕劑，50X :堤欄材料層，51 掩膜，80、85C :金屬層(電子注入層)，90、90C :陰極(第2電極)，95 :發(fā)光部，95A :發(fā)光像素，95C :封止層，100 :有機(jī)EL顯示裝置，110、110C :有機(jī)EL顯示面板，IlOA :中間產(chǎn)品，120 :驅(qū)動(dòng)控制部，121 124 :驅(qū)動(dòng)電路，125 :控制電路，DC :直流電源。
具體實(shí)施例方式《本發(fā)明的一方式的概要》本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板具備基板；第I電極，其形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)；輔助布線，其與所述第I電極分離地形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)；功能層，其形成于所述第I電極的上方，至少包含發(fā)光層；空穴注入層，其介于所述功能層與所述第I電極之間，進(jìn)行向所述功能層的空穴注入；以及第2電極，其形成于所述功能層的上方；所述空穴注入層以及所述第2電極的各個(gè)也連續(xù)地形成于所述第I電極的上方以及所述輔助布線的上方；所述第2電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴注入層電連接；所述空穴注入層包含金屬氧化物膜而構(gòu)成；構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜，并且所述金屬氧化物膜包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體。根據(jù)本方式，通過包含金屬氧化物的金屬氧化物膜構(gòu)成空穴注入層，并且將構(gòu)成該金屬氧化物的金屬原子設(shè)為最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)，由此能夠使金屬氧化物膜中具有空穴以及電子的傳導(dǎo)部位。此外，通過在該空穴注入層的膜中包含粒徑為納米級(jí)的大小的金屬氧化物晶體，使具有很多空穴以及電子的傳導(dǎo)部位的晶體的表面和/或晶界大量形成于空穴注入層內(nèi)。由此，在像素部中，空穴的傳導(dǎo)路徑遍布于空穴注入層的膜厚方向，所以能夠?qū)崿F(xiàn)有效的空穴傳導(dǎo)，在布線部中，電子能夠容易地在空穴注入層中的所述傳導(dǎo)路徑移動(dòng)，所以能夠維持布線部的良好的低電阻，所以能夠?qū)崿F(xiàn)較低的驅(qū)動(dòng)電壓并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光效率。在這里，所謂“納米級(jí)的大小”，指5 IOnm左右的大小，設(shè)為比空穴注入層的膜厚小。另外，根據(jù)本方式，布線部的輔助布線與空穴注入層、空穴注入層與共用電極之間能夠幾乎沒有勢(shì)壘地進(jìn)行載流子的交換，另外電子能夠容易地在布線部的空穴注入層中傳導(dǎo)，所以即使在輔助布線上形成空穴注入層也沒有任何問題，不需要空穴注入層的圖案形成工序，所以不但能夠削減工序，而且能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的批量生產(chǎn)工藝。進(jìn)而，根據(jù)本方式，通過化學(xué)穩(wěn)定的氧化鎢構(gòu)成空穴注入層，所以在堤欄形成工序中，通過適當(dāng)選擇使用的堿溶液和/或水、有機(jī)溶劑等，能夠抑制空穴注入層的變質(zhì)、分解。因此，在元件完成后也能夠良好地保持空穴注入層的形態(tài)以及像素部中的從空穴注入層向功能層的空穴注入效率以及布線部中的空穴注入層與共用電極之間的載流子的交換。由此，可以進(jìn)行能夠耐有機(jī)EL顯示面板的批量生產(chǎn)工藝的有機(jī)EL元件的制造。
有機(jī)EL兀件的發(fā)光層在空穴注入層形成后層疊。一般發(fā)光層按每種發(fā)光色(例如R、G、B)分開涂敷，但為了防止像素間的混色而實(shí)現(xiàn)高清晰化，在像素間，例如配置分隔壁(以下，稱為堤欄)。在堤欄形成工序中，一般使用光刻法，例如在空穴注入層表面，涂敷包含感光性的抗蝕劑材料的堤欄材料，在預(yù)烘焙后，使用圖案形成掩膜使其感光，通過包含堿溶液等的顯影液將未硬化的多余的堤欄材料洗掉，最后通過純水進(jìn)行清洗。這樣，在堤欄形成工序中，使用堿溶液、水、有機(jī)溶劑等，但在例如空穴注入層由有機(jī)系的材料形成的情況下，材料會(huì)因此而變質(zhì)、分解等從而空穴注入層損壞，所以產(chǎn)生不能得到所希望的空穴注入效率的問題。與此相對(duì)，在本發(fā)明的一方式所涉及的空穴注入層的情況下，由于通過氧化鎢形成，所以空穴注入層難以因所述溶液而變質(zhì)、分解，所以不會(huì)產(chǎn)生上述問題。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述第2電極為透明電極。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述透明電極為ITO 或者 ΙΖ0。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述第2電極以Al (鋁)或者Ag (銀)為主成分。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，具有連續(xù)形成于所述第I電極的上方以及所述輔助布線的上方的金屬層；所述金屬層在所述第I電極的上方，介于所述第2電極與所述發(fā)光層之間；在所述輔助布線的上方，介于所述第2電極與所述空穴注入層之間。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述金屬層是在所述第I電極的上方從所述第2電極向所述發(fā)光層注入電子的電子注入層。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，作為所述金屬層，設(shè)置包含Ba (鋇)的金屬層。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述輔助布線為ITO 或者 ΙΖ0。如上所述，包含ITO、IZO的輔助布線與空穴注入層之間能夠幾乎沒有勢(shì)壘地進(jìn)行載流子的交換。因此，本方式的有機(jī)EL顯示面板能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)并且能夠期待優(yōu)異的發(fā)光效率的發(fā)揮。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述輔助布線的上方形成有與形成于所述第I電極的上方的空穴注入層相同層的空穴注入層。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，至少形成于所述輔助布線上的空穴注入層的膜厚為4nm以上。根據(jù)本方式，在布線部的輔助布線與空穴注入層之間以及空穴注入層與金屬層之間，穩(wěn)定地形成肖特基歐姆連接，能夠期待穩(wěn)定的載流子的交換，所以更優(yōu)選。即，由于為了輔助布線與空穴注入層之間的穩(wěn)定的肖特基歐姆連接而優(yōu)選確保2nm以上，和為了空穴注入層與金屬層之間的穩(wěn)定的肖特基歐姆連接而優(yōu)選確保2nm以上，所以可以說如果合計(jì)為4nm以上則更優(yōu)選。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述空穴注入 層上形成有在所述第I電極的上方具有開口部的分隔壁；所述功能層形成于所述分隔壁的開口部內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述第I電極以像素為單位配置有多個(gè)；所述分隔壁的開口部與所述多個(gè)第I電極的各個(gè)對(duì)應(yīng)地形成。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述第I電極以像素為單位配置有多個(gè)；所述分隔壁的開口部與所述配置有多個(gè)的第I電極的各行對(duì)應(yīng)地形成。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述空穴注入層與所述第I電極的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述第I電極的最高被占軌道的結(jié)合能的差為±0. 3eV以內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述空穴注入層的膜厚為2nm以上。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述空穴注入層在UPS譜中,在比價(jià)電子帶(valence band)中最低的結(jié)合能低I. 8 3. 6eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)，具有隆起的形狀。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述空穴注入層在XPS譜中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低I. 8 3. 6eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)，具有隆起的形狀。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述空穴注入層在UPS譜的微分譜中，遍及比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低2. O 3. 2eV的結(jié)合能區(qū)域，具有表達(dá)為與指數(shù)函數(shù)不同的函數(shù)的形狀。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述空穴注入層中的所述占有能級(jí)存在于比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低2. O 3. 2eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，通過所述占有能級(jí)的存在，在所述空穴注入層與所述功能層的層疊界面，所述功能層的最高被占軌道的結(jié)合能位于所述占有能級(jí)的結(jié)合能的附近。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述空穴注入層與所述功能層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述功能層的最高被占軌道的結(jié)合能的差為±0. 3eV以內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，通過所述占有能級(jí)的存在，在所述第I電極與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述第I電極的費(fèi)米能級(jí)的附近。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述第I電極與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述第I電極的費(fèi)米能級(jí)的差為±0. 3eV 以內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，通過所述占有能級(jí)的存在，在所述輔助布線與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述輔助布線的費(fèi)米能級(jí)的附近。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述輔助布線與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述輔助布線的費(fèi)米能級(jí)的差為·±0. 3eV 以內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，通過所述占有能級(jí)的存在，在所述空穴注入層與所述第2電極的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述第2電極的費(fèi)米能級(jí)的附近。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述空穴注入層與所述第2電極的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述第2電極的費(fèi)米能級(jí)的差為±0. 3eV 以內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，通過所述占有能級(jí)的存在，在所述空穴注入層與所述電子注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述電子注入層的費(fèi)米能級(jí)的附近。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述空穴注入層與所述電子注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述電子注入層的費(fèi)米能級(jí)的差為±0. 3eV以內(nèi)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述金屬氧化物為氧化鎢；所述最大化合價(jià)的狀態(tài)的所述金屬原子為6價(jià)的鎢原子。另外，比所述最大化合價(jià)低的化合價(jià)的所述金屬原子為5價(jià)的鎢原子。另外，將所述5價(jià)的鎢原子的數(shù)量除以所述6價(jià)的鎢原子的數(shù)量所得的值即W5+/W6+為3. 2%以上。由此，能夠得到更良好的空穴傳導(dǎo)效率。如上所述，在頂部發(fā)光型的有機(jī)EL元件中，對(duì)共用電極(第2電極)需要使用ΙΤ0、IZO等透明電極材料，但這些材料的電阻率比金屬材料高。因此，如果在布線部較多使用共用電極，則顯示面板越大面積化，在發(fā)光像素之間在共用電極的布線長度上越產(chǎn)生差異，在電源供給部的端部與顯示面板的中央之間產(chǎn)生較大的電壓下降，與此相應(yīng)在輝度上產(chǎn)生差異，所以中央變暗。即，存在下述的課題電壓依顯示面板面的有機(jī)EL元件的配置位置而不均一，產(chǎn)生顯示品質(zhì)的下降。因此，如前所述一并使用低電阻的輔助布線，形成極力抑制了共用電極的使用的布線部。在這里，本發(fā)明中的具有預(yù)定的物理性質(zhì)的氧化鎢與這些透明電極材料都進(jìn)行肖特基歐姆連接，所以即使形成于輔助布線與透明電極材料之間也不會(huì)引起布線部的高電阻化。即，輔助布線與空穴注入層、空穴注入層與包含ITO、IZO等的共用電極之間，能夠幾乎沒有勢(shì)壘地進(jìn)行載流子的交換。結(jié)果，本發(fā)明的一方式的有機(jī)EL顯示面板能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且能夠期待優(yōu)異的發(fā)光效率的發(fā)揮。 另外，有時(shí)在有機(jī)EL元件的發(fā)光層與共用電極之間，作為電子注入層設(shè)置Ba等的金屬層。另外，在底部發(fā)光型的有機(jī)EL元件中，作為共用電極使用Ag和/或Al等高反射率的金屬材料。在這里，本發(fā)明中的具有預(yù)定的物理性質(zhì)的氧化鎢與這些金屬都進(jìn)行肖特基歐姆連接，所以即使形成于輔助布線上也不會(huì)引起布線部的高電阻化。即，輔助布線與空穴注入層、空穴注入層與包含Ba、Al、Ag等的金屬層和/或共用電極之間，能夠幾乎沒有勢(shì)壘地進(jìn)行載流子的交換。結(jié)果，本發(fā)明的一方式的有機(jī)EL顯示面板能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且能夠期待優(yōu)異的發(fā)光效率的發(fā)揮。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，即使所述W5+/W6+為3. 2%以上7. 4%以下，也能夠得到更良好的空穴傳導(dǎo)效率。 另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在包含所述氧化鎢的空穴注入層的硬X射線光電子分光譜中，在比與6價(jià)的鎢原子的4f7/2能級(jí)對(duì)應(yīng)的第I成分低的結(jié)合能區(qū)域存在第2成分。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述第2成分存在于比所述第I成分的峰頂?shù)慕Y(jié)合能低O. 3 I. SeV的結(jié)合能區(qū)域。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，所述第2成分的面積強(qiáng)度相對(duì)于所述第I成分的面積強(qiáng)度為3. 2 7. 4%。另外，本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板，通過比所述最大化合價(jià)低的化合價(jià)的鎢原子的存在，在包含所述氧化鎢的空穴注入層的電子狀態(tài)中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低I. 8 3. 6eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)具有占有能級(jí)。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，包含所述氧化鎢的空穴注入層包含多個(gè)粒徑為5 10納米的大小的所述氧化鎢的晶體。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在包含所述氧化鎢的空穴注入層的通過透射型電子顯微鏡觀察得到的晶格像中，以1,85 ~ 5,55人的間隔出現(xiàn)規(guī)則地排列的線狀構(gòu)造。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在所述晶格像的2維傅里葉變換像中，出現(xiàn)以該2維傅里葉變換像的中心點(diǎn)為中心的同心圓狀的亮部。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，在表示距所述中心點(diǎn)的距離與將所述距離處的所述2維傅里葉變換像的輝度標(biāo)準(zhǔn)化而得到的數(shù)值即標(biāo)準(zhǔn)化輝度的關(guān)系的曲線圖中，所述標(biāo)準(zhǔn)化輝度的波峰在中心點(diǎn)以外出現(xiàn)I個(gè)以上。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，將所述曲線圖中的距所述中心點(diǎn)最近地出現(xiàn)的所述標(biāo)準(zhǔn)化輝度的峰頂?shù)奈恢盟鶎?duì)應(yīng)的所述距離與所述標(biāo)準(zhǔn)化輝度的波峰的上升位置所對(duì)應(yīng)的所述距離的差設(shè)為波峰寬度，將與所述峰頂?shù)奈恢脤?duì)應(yīng)的所述距離設(shè)為100時(shí)的所述波峰寬度小于22。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的特定方面，具備基板；第I電極，其形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)；布線，其與所述第I電極分離地形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)；有機(jī)層，其形成于所述第I電極的上方，包含有機(jī)材料；金屬氧化物膜，其介于所述有機(jī)層與所述第I電極之間，包含金屬氧化物；以及第2電極，其形成于所述有機(jī)層的上方；所述金屬氧化物膜以及所述第2電極的各個(gè)也連續(xù)地形成于所述第I電極的上方以及所述布線的上方；所述第2電極與所述布線經(jīng)由所述金屬氧化物膜電連接；構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜，并且所述金屬氧化物膜包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體。本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法包括第I工序，在基板上或者基板內(nèi)形成第I電極；第2工序，在所述基板上或者所述基板內(nèi)與所述第I電極分離地形成輔助布線；第3工序，在所述第I電極的上方以及所述輔助布線的上方形成連續(xù)的空穴注入層;第4工序，在所述第I電極的上方形成至少包含發(fā)光層的功能層；以及第5工序，在所述功能層的上方以及所述輔助布線上的所述空穴注入層的上方形成連續(xù)的第2電極；所述第2電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴注入層電連接；在所述第3工序中，所述空穴注入層包含金屬氧化物而構(gòu)成；以構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜的方 式，并且以包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體的方式，形成所述金屬氧化物膜。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法的特定方面，在所述第3工序與所述第4工序之間，還包括在所述空穴注入層上形成分隔壁的工序，所述分隔壁具有使所述第I電極上方的所述空穴注入層露出的開口部以及使所述輔助布線露出的區(qū)域；在所述第4工序中，所述功能層形成于所述分隔壁的所述開口部內(nèi)。另外，本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法，在所述第3工序中，在所述輔助布線的上方形成與形成于所述第I電極的上方的空穴注入層相同層的空穴注入層。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法的特定方面，在所述第3工序中，所述金屬氧化物膜為氧化鎢膜；使用包含氬氣和氧氣的濺射氣體以及包含鎢的靶，在所述濺射氣體的全壓為2. 3Pa以上7. OPa以下并且所述氧氣分壓相對(duì)于所述濺射氣體的全壓的比例為50%以上70%以下，并且所述靶的每單位面積的接入功率即接入功率密度為I. 5ff/cm2以上6. Off/cm2以下，并且將所述濺射氣體的全壓除以接入功率密度而得到的值即全壓/接入功率密度大于O. 7Pa ^mVW的成膜條件下，對(duì)所述氧化鎢膜進(jìn)行成膜。另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法的特定方面，在所述第3工序中，所述全壓/接入功率密度小于3. 2Pa · cm2/W。I.另外，在本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法的特定方面，包括第I工序，在基板上或者基板內(nèi)形成第I電極；第2工序，在所述基板上或者所述基板內(nèi)與所述第I電極分離地形成布線；第3工序，在所述第I電極的上方以及所述布線的上方形成連續(xù)的包含金屬氧化物的金屬氧化物膜；第4工序，在所述第I電極的上方形成包含有機(jī)材料的有機(jī)層；以及第5工序，在所述有機(jī)層的上方以及所述布線上的所述金屬氧化物膜的上方形成連續(xù)的第2電極；所述第2電極與所述布線經(jīng)由所述金屬氧化物膜電連接；在所述第3工序中，以構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜的方式，并且以包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體的方式，形成所述金屬氧化物膜。本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示裝置，具備上述任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板。另外，在本申請(qǐng)中使用“ ”記載數(shù)值范圍的情況下，其下限值以及上限值都包含于該數(shù)值范圍。例如，在記載為O. 3 I. SeV的情況下，O. 3eV以及I. SeV包含于該數(shù)值范圍?！催_(dá)到本發(fā)明的原委〉第1，本發(fā)明的發(fā)明人們通過后述的實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了 如果在包含氧化鑰和/或氧化鎢等金屬氧化物的空穴注入層的表面存在與氧缺陷類似的構(gòu)造形成的費(fèi)米面附近的占有能 級(jí)，則在該空穴注入層與功能層的界面，在該費(fèi)米面附近的占有能級(jí)最低的結(jié)合能與功能層的最高被占軌道的結(jié)合能的差變小，對(duì)元件的驅(qū)動(dòng)電壓降低有效。進(jìn)而，著眼于這一點(diǎn)，產(chǎn)生下述設(shè)想如果在該空穴注入層存在費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，則在與陽極、陰極、輔助布線等電極的界面，在該費(fèi)米面附近的占有能級(jí)最低的結(jié)合能與電極的費(fèi)米能級(jí)的差也變小，能夠進(jìn)行良好的載流子的交換。而且，得到下述認(rèn)知具有費(fèi)米面附近的占有能級(jí)的包含金屬氧化物的空穴注入層電阻比較低，并且在與包含Al等金屬材料的電極和/或包含ΙΤ0、ΙΖ0等電阻比較高的透明電極材料的電極之間，能夠?qū)崿F(xiàn)肖特基歐姆連接，根據(jù)該原因，即使形成于輔助布線上也不會(huì)引起布線部的高電阻化。第2，已知在金屬氧化物等晶體的周期性被中斷的表面和/或晶界，容易形成與氧缺陷類似的構(gòu)造。因此，本發(fā)明人們?cè)O(shè)想，將形成空穴注入層的金屬氧化物的晶體微細(xì)化，在空穴注入層中的晶體晶界以及表面連續(xù)形成上述的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，由此使空穴注入層具有空穴的傳導(dǎo)部位。而且，通過后述的實(shí)驗(yàn)確定了，通過提高空穴注入層中的空穴傳導(dǎo)性，有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電壓能夠降低。進(jìn)而，本發(fā)明人們也對(duì)用于形成空穴傳導(dǎo)性優(yōu)異的空穴注入層的成膜條件進(jìn)行了研究。進(jìn)而，得到下述認(rèn)知該空穴傳導(dǎo)部位本質(zhì)上并不限于空穴，也能夠進(jìn)行電子的傳導(dǎo)，著眼于此，即使將該空穴注入層配設(shè)于布線部，電子也容易在空穴注入層中傳導(dǎo)，在該方面也能夠維持布線部的良好的低電阻。第3，本發(fā)明人們也對(duì)在堤欄形成工序中難以變質(zhì)、分解的用于形成空穴注入層的材料進(jìn)行了研究。如上所述，作為實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電壓和/或壽命的改善的空穴注入層用的材料，優(yōu)選為作為無機(jī)材料的金屬氧化物，但如果實(shí)際上試著將氧化鑰用于空穴注入層而制造有機(jī)EL元件，則有可能空穴注入層因在堤欄形成工序中使用的堿溶液、水、有機(jī)溶劑等而變質(zhì)、分解。如果產(chǎn)生空穴注入層的變質(zhì)、分解等問題，則會(huì)在發(fā)光部的像素電極上對(duì)空穴注入層本來具有的空穴注入能力帶來勢(shì)壘，在布線部的輔助布線上引起布線部的高電阻化等，不但成為不能進(jìn)行正常的有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)的原因，而且變得難以耐受有機(jī)EL元件以及使用該元件的有機(jī)EL顯示面板的批量生產(chǎn)加工。因此，可以說使用有可能產(chǎn)生變質(zhì)、分解的氧化鑰形成空穴注入層并不一定優(yōu)選。因此，本發(fā)明人們探知出著眼于產(chǎn)生變質(zhì)、分解的可能性更低的氧化鎢，而且，如果是氧化鎢中還具有預(yù)定的物理性質(zhì)的氧化鎢，則相對(duì)于所述溶液等的溶解性或者分解性較低并且空穴注入、傳導(dǎo)能力較高?！秾?shí)施方式I》以下，對(duì)本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板以及有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行說明，接著對(duì)各性能確認(rèn)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果與考察進(jìn)行描述。另外，各附圖中的部件比例尺與實(shí)際的部件不同。[有機(jī)EL顯示面板的結(jié)構(gòu)]圖I是用于對(duì)本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板進(jìn)行說明的圖，圖I (a)是對(duì)有機(jī)EL顯示面板的主要部分進(jìn)行說明的局部俯視圖，圖I (b)是沿著圖I (a)中的A-A’線剖切的主要部分剖面圖。如圖I (a)所示，在本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板110中，矩陣狀配置有 多個(gè)具有發(fā)光部95的發(fā)光像素95A，以像素為單位配置有多個(gè)陽極(像素電極，第I電極)20，輔助布線(也相當(dāng)于布線)30設(shè)置成沿著各發(fā)光部95按每個(gè)發(fā)光像素列而配置。如圖I (b)所示，有機(jī)EL顯示面板110包括基板10 ;形成于基板10上的陽極20以及輔助布線30 ;形成于陽極20以及輔助布線30上的空穴注入層(也相當(dāng)于氧化鎢層)40 ;形成于空穴注入層40上且在陽極20的上方具有像素開口部45、在輔助布線30的上方具有連接開口部35的堤欄50 ;形成于堤欄50的像素開口部45內(nèi)的緩沖層60 ;形成于堤欄50的像素開口部45內(nèi)的緩沖層60之上的發(fā)光層(也相當(dāng)于有機(jī)層)70 ;形成于這些部件的上表面的電子注入層(也相當(dāng)于金屬層)80;和形成于電子注入層80之上的陰極90 (共用電極，第2電極)等。關(guān)于空穴注入層40，在輔助布線30的上方形成有與形成于陽極20的上方的空穴注入層相同的空穴注入層。即，空穴注入層40遍及圖I (a)所記載的局部俯視圖的整個(gè)表面而形成。另外，電子注入層80以及陰極90也遍及圖I (a)所記載的局部俯視圖的整個(gè)表面而形成。輔助布線30與陰極90在沿著輔助布線30設(shè)置的連接開口部35，經(jīng)由空穴注入層40和電子注入層80電連接，構(gòu)成從陰極90向電源連接的布線部。另外，連接開口部35處的陰極90與輔助布線30之間的層構(gòu)造并不限定于上述構(gòu)造。例如，也可以包含空穴注入層40以及電子注入層80以外的層，或者也可以沒有電子注入層80。也可以是不阻止電子從輔助布線30向陰極90的流動(dòng)的層構(gòu)造，具有這樣的多層構(gòu)造的有機(jī)EL顯示面板也包含于本發(fā)明，具有與本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板110同樣的效果。發(fā)光部95由設(shè)置于像素開口部45的空穴注入層40、緩沖層60、發(fā)光層70以及電子注入層80構(gòu)成，將通過注入于發(fā)光層70的電子與空穴的再結(jié)合而產(chǎn)生的光從陰極90側(cè)放出。另外，陽極20與發(fā)光部95相對(duì)應(yīng)按每個(gè)像素分離地設(shè)置。即，在發(fā)光部包括R、G、B等子像素的情況下，與各子像素相對(duì)應(yīng)的發(fā)光部95以及陽極20按每個(gè)子像素分離地設(shè)置?！椿濉祷?0是作為有機(jī)EL元件的基材的部分，能夠由例如無堿玻璃、堿玻璃、無熒光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石英、丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環(huán)氧樹脂系樹脂、聚乙烯、聚酯、硅系樹脂或者氧化鋁等絕緣性材料中的某一種形成。雖然未圖示，但在基板10的表面形成有用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件的TFT (薄膜晶體管)。
〈陽極〉陽極20通過在例如包含Al的厚度400nm的金屬膜上層疊包含ITO的厚度20nm的透明導(dǎo)電膜而構(gòu)成。另外，陽極20的結(jié)構(gòu)并不限定于此，也可以包括例如ITO、IZO等透明導(dǎo)電膜、Al、Ag等金屬膜、APC (銀、鈀、銅的合金)、ARA (銀、銣、金的合金)、MoCr (鑰與鉻的合金)、NiCr (鎳與鉻的合金)等合金膜的單層。另外，也能夠使從這些透明導(dǎo)電膜、金屬膜以及合金膜中選擇的多個(gè)膜層疊而構(gòu)成?！摧o助布線〉輔助布線30通過在例如包含Al的厚度400nm的金屬膜上層疊包含ITO的厚度20nm的透明導(dǎo)電膜而構(gòu)成。另外，輔助布線30的結(jié)構(gòu)并不限定于此，也可以包括例如ΙΤ0、IZO等透明導(dǎo)電膜、Al、Ag等金屬膜、APC (銀、鈀、銅的合金)、ARA (銀、銣、金的合金)、MoCr (鑰與鉻的合金)、NiCr (鎳與鉻的合金)等合金膜的單層。另外，也能夠使從這些透明導(dǎo)電膜、金屬膜以及合金膜中選擇的多個(gè)膜層疊而構(gòu)成。
〈空穴注入層〉空穴注入層40構(gòu)成為使用例如氧化鎢(在組成式WOx中，X大致為2 < X < 3的范圍內(nèi)的實(shí)數(shù))的至少膜厚為2nm以上(在這里作為一例設(shè)為30nm)的層。如果膜厚小于2nm,則難以進(jìn)行均勻的成膜，另外，難以形成像素部的陽極20與空穴注入層40之間的肖特基歐姆連接，所以不優(yōu)選。所述肖特基歐姆連接在氧化鎢的膜厚為2nm以上時(shí)穩(wěn)定形成，所以如果以該膜厚以上的膜厚形成空穴注入層40，則能夠期待從像素部的陽極20向空穴注入層40的穩(wěn)定的空穴注入效率。進(jìn)而，如果氧化鎢的膜厚為4nm以上，則布線部的輔助布線30與空穴注入層40之間以及空穴注入層40與電子注入層80之間也穩(wěn)定形成肖特基歐姆連接，能夠期待穩(wěn)定的載流子的交換，所以更優(yōu)選。空穴注入層40優(yōu)選盡可能僅包含氧化鎢，但只要是能夠以通常水平混入的程度，也可以包含極微量的雜質(zhì)。在這里，空穴注入層40通過以預(yù)定的成膜條件成膜，來具有與金屬氧化物的氧缺陷相類似的構(gòu)造形成的電子能級(jí)。通過該電子能級(jí)的存在，可以實(shí)現(xiàn)從像素部的陽極20向空穴注入層40、從空穴注入層40向緩沖層60的良好的空穴注入以及布線部的輔助布線30與空穴注入層40、空穴注入層40與電子注入層80之間的良好的載流子交換。關(guān)于該預(yù)定的成膜條件的詳情后述。圖I (c)、(d)分別是陽極20的上方的空穴注入層40附近的局部放大圖和輔助布線30的上方的空穴注入層40附近的局部放大圖。在這里，構(gòu)成空穴注入層40的氧化鎢層以上述預(yù)定的成膜條件成膜，由此如圖I (c)、(d)所示，含有很多氧化鎢的晶體13。各晶體13的粒徑為納米級(jí)。如果例示，則空穴注入層40的厚度為30nm左右，與此相對(duì)晶體13的粒徑為5 IOnm左右。以下，將粒徑為納米級(jí)的大小的晶體13稱為“納米晶13”，將包含納米晶13的層的構(gòu)造稱為“納米晶構(gòu)造”。另外，在空穴注入層40，除了納米晶構(gòu)造以外，也可以含有非晶體構(gòu)造。在具有上述那樣的納米晶構(gòu)造的空穴注入層40中，構(gòu)成氧化鎢的鎢原子以具有自身能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)的方式分布。一般，有時(shí)在氧化鎢層中會(huì)存在與氧缺陷相類似的構(gòu)造。不含于與氧缺陷相類似的構(gòu)造中的鎢原子的化合價(jià)為6價(jià)，另一方面，包含于與氧缺陷相類似的構(gòu)造中的鎢原子的化合價(jià)為比6價(jià)低的狀態(tài)。另外，一般，與氧缺陷相類似的構(gòu)造多存在于晶體的表面。因此，在有機(jī)EL顯示面板110中，在像素部除了陽極20與空穴注入層40之間的空穴注入勢(shì)壘的緩和，還使空穴注入層40中分布有5價(jià)的鎢原子，形成與氧缺陷相類似的構(gòu)造，由此可期待進(jìn)一步的空穴傳導(dǎo)效率的提高。即，通過使包含氧化鎢的空穴注入層40具有納米晶構(gòu)造，從陽極20注入于空穴注入層40的空穴在納米晶13的晶體晶界所存在的與氧缺陷相類似的構(gòu)造中傳導(dǎo)，所以能夠增加空穴傳導(dǎo)的路徑，導(dǎo)致空穴傳導(dǎo)效率的提高。由此，有機(jī)EL顯示面板110能夠高效地實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電壓的降低。進(jìn)而，在布線部電子也能夠在納米晶13的晶體晶界所存在的與氧缺陷相類似的構(gòu)造中傳導(dǎo)，所以輔助布線30上的空穴注入層40不會(huì)妨礙布線部的電子的傳導(dǎo)。另外，空穴注入層40包含化學(xué)耐性較高、即難以產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)的氧化鎢。因此，即使在空穴注入層40與在該層的形成后進(jìn)行的工序等中所使用的溶液等接觸的情況下，也能夠抑制由變質(zhì)、分解等引起的空穴注入層40的損傷。這樣，通過空穴注入層40包含化學(xué)耐性較高的材料，能夠防止空穴注入層40的空穴以及電子的傳導(dǎo)效率的下降。本實(shí)施方式中的包含氧化鎢的空穴注入層40設(shè)為包含僅由納米晶構(gòu)造構(gòu)成的情況和由納米晶構(gòu)造與非晶體構(gòu)造雙方構(gòu)成的情況雙方。另外，納米晶構(gòu)造優(yōu)選存在于空穴注入層40的整體，但在像素部，只要從陽極20與空穴注入層40相接的界面到空穴注入層40與緩沖層60相接的界面之間，晶界在一個(gè)位置相連，便能夠使空穴從空穴注入層40的下端向上端高效地傳導(dǎo)，在布線部，只要從輔助布線30與空穴注入層40相接的界面到空穴注入層40與電子注入層80相接的界面之間，晶界在一個(gè)位置相連，便能夠使電子從空穴注入 層40的下端向上端高效地傳導(dǎo)。另外，將包含氧化鎢晶體的層用作為空穴注入層的例子自身在過去也曾有報(bào)告。例如，從非專利文獻(xiàn)1，暗示了通過450°C的退火將氧化鎢層結(jié)晶化，由此提高空穴傳導(dǎo)效率。然而，在非專利文獻(xiàn)I中，沒有關(guān)于大面積的氧化鎢層的成膜條件和/或作為空穴注入層而成膜于基板上的氧化鎢對(duì)基板上的其他層的影響等的記載，沒有示出大型有機(jī)EL顯示面板的實(shí)用的批量生產(chǎn)性。進(jìn)而，也沒有示出在空穴注入層中積極地形成具有與氧缺陷相類似的構(gòu)造的氧化鎢的納米晶。本發(fā)明的一方式所涉及的空穴注入層包含難以產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)、比較穩(wěn)定、也耐大型有機(jī)EL顯示面板的批量生產(chǎn)工藝的氧化鎢層。進(jìn)而，通過在氧化鎢層中積極地形成與氧缺陷相類似的構(gòu)造，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的空穴傳導(dǎo)效率，這一點(diǎn)與現(xiàn)有技術(shù)大不相同。如果更具體地描述上述的“具有與氧缺陷相類似的構(gòu)造形成的電子能級(jí)”，則空穴注入層40，在該電子狀態(tài)下，占有能級(jí)存在于價(jià)電子帶的上端、即與價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能相比低I. 8 3. 6eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)。該占有能級(jí)為空穴注入層40的最高占有能級(jí)，其結(jié)合能范圍最接近空穴注入層40的費(fèi)米能級(jí)(費(fèi)米面)。因此，以下，將該占有能級(jí)稱為“費(fèi)米面附近的占有能級(jí)”。通過存在該費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，在空穴注入層40與功能層(在這里為緩沖層60)的層疊界面，進(jìn)行所謂的界面能級(jí)連接，緩沖層60的最高被占軌道的結(jié)合能變得與空穴注入層40的所述費(fèi)米面附近的占有能級(jí)的結(jié)合能大致相等。另外，這里所說的“變得大致相等”以及“進(jìn)行界面能級(jí)連接”，意味著，在空穴注入層40與緩沖層60的界面，在所述費(fèi)米面附近的占有能級(jí)最低的結(jié)合能與在所述最高被占軌道最低的結(jié)合能的差處于±0. 3eV以內(nèi)的范圍。進(jìn)而，這里所說的“界面”，指的是包含空穴注入層40的表面和距該表面O. 3nm以內(nèi)的距離處的緩沖層60的區(qū)域。此外，空穴注入層40其特征在于，在與陽極20和/或輔助布線30、電子注入層80的界面，形成有所謂的肖特基歐姆連接。另外，這里所說的“肖特基歐姆連接”，指的是下述連接陽極20和/或輔助布線30、電子注入層80的費(fèi)米能級(jí)與上述在空穴注入層40的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)最低的結(jié)合能的差，在從陽極20和/或輔助布線30、電子注入層80的表面向空穴注入層40側(cè)的距離為2nm的位置，控制為±0.3eV以內(nèi)。另外，這里所說的“界面”，指的是包含陽極20和/或輔助布線30、電子注入層80的表面和從該表面向空穴注入層40側(cè)形成的肖特基勢(shì)壘的區(qū)域。 而且，該費(fèi)米面附近的占有能級(jí)，不僅在上述的界面，在空穴注入層40的層中也存在于納米晶的晶界，在像素部成為空穴的傳導(dǎo)路徑，能夠得到良好的空穴傳導(dǎo)效率，在布線部成為電子的傳導(dǎo)路徑，能夠維持良好的低電阻。其結(jié)果，本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件可以實(shí)現(xiàn)更低電壓的驅(qū)動(dòng)。另外，這樣的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)不是所有的氧化鎢所具有的能級(jí)，而是特別在空穴注入層的內(nèi)部和/或與緩沖層60的界面能夠通過后述的預(yù)定成膜條件初始形成的特有能級(jí)。〈堤欄50>堤欄50例如包含絕緣性的有機(jī)材料(例如丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆型酚樹脂等)，形成為呈像素開口部45與多個(gè)陽極20的各個(gè)相對(duì)應(yīng)地形成的井字形構(gòu)造或者像素開口部45與多個(gè)陽極20配置而成的陽極20的每行相對(duì)應(yīng)地形成的條紋構(gòu)造。另外，堤欄50不是本發(fā)明中所必須的構(gòu)成，在以單體狀態(tài)使用有機(jī)EL元件的情況下等不需要?！淳彌_層〉緩沖層60例如包含厚度20nm的作為胺系有機(jī)高分子的TFB (聚(9，9_ 二正辛基荷-alt- (1,4-苯撐-(4-叔丁基苯基)亞氨基)-1，4-苯撐))。〈發(fā)光層〉發(fā)光層70例如包含厚度70nm的作為有機(jī)高分子的F8BT (聚(9，9-二正辛基芴-alt-苯并噻二唑))。但是，發(fā)光層70并不限定于包含該材料，而能夠構(gòu)成為包含公知的有機(jī)材料。例如能夠列舉特開平5-163488號(hào)公報(bào)所記載的類喔星(oxinoid)化合物、花化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫環(huán)酮(per inone )化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物>卜9 * >化合物)、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及批唑啉酮衍生物、若丹明化合物、茼(chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戍二烯化合物、芪化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、蒽化合物(ry m>化合物)、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2，2’ -聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)?！垂δ軐印当景l(fā)明中的功能層指的是輸送空穴的空穴輸送層、通過所注入的空穴與電子的再結(jié)合而發(fā)光的發(fā)光層、用于光學(xué)特性的調(diào)整或者電子塊的用途的緩沖層等的某一個(gè)或者它們的2層以上的組合或者所有的層。本發(fā)明將空穴注入層設(shè)為對(duì)象，但有機(jī)EL元件除了空穴注入層以外還存在上述的空穴輸送層、發(fā)光層等分別實(shí)現(xiàn)所需功能的層。所謂功能層，意味著作為本發(fā)明的對(duì)象的空穴注入層以外的有機(jī)EL元件所需要的層?！措娮幼⑷雽印惦娮幼⑷雽?0例如包含厚度5nm的鋇層，具有從陰極90向發(fā)光層70注入電子的功能。電子注入層80連續(xù)形成于陽極20的上方以及輔助布線30的上方，在陽極20的上方介于陰極90與發(fā)光層70之間，在輔助布線30的上方介于陰極90與空穴注入層40之間。如本實(shí)施方式所示，在從上方獲取光的方式(頂部發(fā)光方式)中，電子注入層80需要具有光透射性，在如上所述通過厚度5nm的鋇層構(gòu)成電子注入層的情況下，具有光透射性。另夕卜，在從下方獲取光的方式(底部發(fā)光方式)中，雖然也依賴于元件構(gòu)造，但電子注入層不要求必須具有光透射性?！搓帢O〉
陰極90通過使例如包含ITO的厚度35nm的透明導(dǎo)電膜層疊而構(gòu)成。另外，陰極90的結(jié)構(gòu)并不限定于此，也可以通過包含IZO等其他的透明導(dǎo)電膜和/或Al、Ag等金屬和/或APC (銀、鈀、銅的合金)、ARA (銀、銣、金的合金)、MoCr (鑰與鉻的合金)、NiCr (鎳與鉻的合金)等合金的薄膜構(gòu)成。另外，也能夠通過使從這些透明導(dǎo)電膜、金屬膜以及合金膜中選擇的多種膜層疊而構(gòu)成。在陽極20以及輔助布線30上連接直流電源，從外部向有機(jī)EL顯示面板110供電。[有機(jī)EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)]基于圖2，對(duì)本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示裝置進(jìn)行說明。圖2是表示本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。如圖2所示,有機(jī)EL顯示裝置100具備本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板110和與其連接的驅(qū)動(dòng)控制部120，用于顯示器、電視機(jī)、便攜電話等。驅(qū)動(dòng)控制部120包括4個(gè)驅(qū)動(dòng)電路121 124和控制電路125。另外，在實(shí)際的有機(jī)EL顯示裝置100中，關(guān)于驅(qū)動(dòng)控制部120相對(duì)于有機(jī)EL顯示面板110的配置和/或連接關(guān)系，并不限定于此。[有機(jī)EL顯示面板的制造方法]以下，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。圖3以及圖4是說明本發(fā)明的一方式所涉及的有機(jī)EL顯示面板的制造方法的剖面圖。首先，如圖3 (a)所示，準(zhǔn)備具備驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)的基板10，所述驅(qū)動(dòng)電路例如包括TFT (Thin Film Transistor :薄膜晶體管)和電容器等。然后，使用例如真空蒸鍍法和/或?yàn)R射法，依次在基板10上的整個(gè)表面形成包含Al的金屬膜以及包含ITO的透明導(dǎo)電膜。然后，使用光刻法，對(duì)金屬膜以及透明導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，在預(yù)定的位置形成陽極20，另外在與陽極20電絕緣的預(yù)定的位置形成輔助布線30。此時(shí)，陽極20與發(fā)光部相對(duì)應(yīng)地分別形成，輔助布線30沿著排列成二維矩陣狀的發(fā)光像素的例如行或者列一維地配置而形成。另外，在基板10，為了消除例如由驅(qū)動(dòng)電路等引起的凹凸，根據(jù)需要，也可以設(shè)置平坦化層，并在其上形成陽極20和輔助布線30。接下來，如圖3 (b)所示，通過反應(yīng)性濺射法，將空穴注入層40成膜于陽極20以及輔助布線30上。具體地，將靶設(shè)為金屬鎢，實(shí)施反應(yīng)性濺射法。作為濺射氣體向反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入氬氣，作為反應(yīng)性氣體向反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入氧氣。在該狀態(tài)下通過高電壓將氬氣離子化并使其與靶碰撞。此時(shí)，通過濺射現(xiàn)象而釋放的金屬鎢與氧氣反應(yīng)而成為氧化鎢，以在基板10的陽極20上以及輔助布線30上連續(xù)的狀態(tài)實(shí)現(xiàn)空穴注入層40的成膜，得到中間產(chǎn)品IlOA0 另外，該成膜條件如后所述，優(yōu)選設(shè)定為包括氬氣與氧氣的濺射氣體的全壓為
2.3Pa以上7. OPa以下，并且氧氣分壓相對(duì)于濺射氣體的全壓為50%以上70%以下，并且靶的每單位面積的接入功率(接入功率密度)為I. 5ff/cm2以上6. Off/cm2以下，并且將濺射氣體的全壓除以接入功率密度而得到的值即全壓/功率密度大于O. 7Pa包含在該條件下成膜的氧化鎢的空穴注入層40具有納米晶構(gòu)造，在其表面與晶體晶界具有與氧缺陷相類似的構(gòu)造所形成的電子能級(jí)。接下來，將中間產(chǎn)品IlOA從反應(yīng)室取出。接下來，如圖3 (C)所示，在整個(gè)表面涂敷負(fù)型的光致抗蝕劑50A。接下來，如圖3 (d)所示，在光致抗蝕劑50A之上，在與發(fā)光部和連接部相當(dāng)?shù)奈恢脤?duì)位而載置具有遮光部的光掩模51。然后，隔著該光掩模51，使用光刻法對(duì)光致抗蝕劑50A進(jìn)行曝光。 接下來，如圖3 (e )所示，進(jìn)行顯影處理，形成構(gòu)成像素開口部45和連接開口部35的堤欄50。接下來，如圖4 Ca)所示，通過例如基于旋涂法和/或噴墨法實(shí)現(xiàn)的濕式工藝，向像素開口部45滴下包含胺系有機(jī)分子材料的組合物墨，并使溶劑揮發(fā)除去。由此形成緩沖層60。接下來，如圖4 (b)所示，在緩沖層60的表面，通過同樣的方法，向像素開口部45滴下包含有機(jī)發(fā)光材料的組合物墨，并使溶劑揮發(fā)除去。由此形成發(fā)光層70。另外，緩沖層60、發(fā)光層70的形成方法并不限定于此，也可以通過旋涂法和/或噴墨法以外的方法、例如凹版印刷(7 ' T印刷、凹版印刷)法、分配法、噴涂法、凸版印刷等公知的方法滴下、涂敷墨。接下來，如圖4 (C)所示，通過例如真空蒸鍍法，以在發(fā)光層70上以及連接開口部35的空穴注入層40上連續(xù)的狀態(tài)形成電子注入層80。進(jìn)而，如圖4 (d)所示，通過同樣的方法，在電子注入層80上進(jìn)行陰極90的成膜。另外，在圖I中未圖不，但出于抑制有機(jī)EL兀件在完成后暴露于大氣的目的，能夠在陰極90的表面進(jìn)而設(shè)置封止層，或者設(shè)置將元件整體在空間上與外部隔離的封止罐。封止層能夠由例如SiN (氮化硅)、SiON (氮氧化硅)等材料形成，為了將元件密封于內(nèi)部而設(shè)置。在使用封止罐的情況下，封止罐能夠通過例如與基板10同樣的材料形成，并在密閉空間內(nèi)設(shè)置吸附水分等的吸氣劑。經(jīng)過上面的工序，有機(jī)EL顯示面板110完成。[各種實(shí)驗(yàn)和考察][I]與從空穴注入層向功能層的空穴注入效率相關(guān)的實(shí)驗(yàn)和考察另外，在本項(xiàng)中，主要考察從空穴注入層40向緩沖層60的空穴注入效率，對(duì)于空穴注入層40的空穴傳導(dǎo)效率，在以下的[2]項(xiàng)中進(jìn)行考察。<關(guān)于氧化鎢的成膜條件>
在本實(shí)施方式中，通過在預(yù)定的成膜條件下進(jìn)行構(gòu)成空穴注入層40的氧化鎢的成膜，使上述的費(fèi)米面附近的占有能級(jí)存在于空穴注入層40，降低空穴注入層40與緩沖層60之間的空穴注入勢(shì)壘，能夠以低電壓驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL顯示面板110。作為用于得到這樣的性能的氧化鎢的成膜方法，可以考慮優(yōu)選使用DC磁控管濺射裝置，靶設(shè)為金屬鎢，不控制基板溫度，反應(yīng)室內(nèi)氣體包含氬氣和氧氣，設(shè)定為下述的成膜條件(I)包含氬氣和氧氣的濺射氣體的全壓為2. 7Pa以上7. OPa以下，并且(2)氧氣分壓相對(duì)于濺射氣體的全壓為50%以上70%以下，并且(3)靶的每單位面積的接入功率(接入功率密度)為lW/cm2以上2. 8ff/cm2以下，通過反應(yīng)性濺射法進(jìn)行成膜。上述成膜條件的有效性能夠通過以下的各實(shí)驗(yàn)確認(rèn)。首先，為了可靠地進(jìn)行從空穴注入層40向緩沖層60的空穴注入效率的成膜條件依賴性的評(píng)價(jià)，作為評(píng)價(jià)設(shè)備制作僅空穴元件。在有機(jī)EL元件中，形成電流的載流子為空穴和電子雙方，在有機(jī)EL元件的電特性中除了空穴電流以外也反映電子電流。但是，在僅空穴元件中，阻礙從陰極注入電子，所以幾乎不流動(dòng)電子電流，全部電流大致僅包含空穴電流，載流子大致僅認(rèn)為是空穴。因此，僅空穴元件在空穴注入效率的評(píng)價(jià)中優(yōu)選。具體制作的僅空穴元件IB設(shè)為圖5所示的結(jié)構(gòu)，通過下述過程制作在基板9上通過濺射成膜法進(jìn)行厚度50nm的包含ITO薄膜的陽極2的成膜，在陽極2上通過下述的各成膜條件進(jìn)行厚度30nm的包含氧化鎢的空穴注入層4的成膜，在空穴注入層4上分別通過旋涂法進(jìn)行厚度20nm的包含作為胺系有機(jī)高分子的TFB的緩沖層6A和厚度70nm的包含作為有機(jī)高分子的F8BT的發(fā)光層6B的成膜，進(jìn)而通過蒸鍍法進(jìn)行厚度IOOnm的包含Au (金)的陰極8C的成膜。另外，僅空穴元件IB為用于研究有機(jī)EL顯示面板的像素部中從空穴注入層向緩沖層的空穴注入效率的評(píng)價(jià)設(shè)備，所以堤欄和/或布線部省略。在該制作工序中，空穴注入層4使用DC磁控管濺射裝置，通過反應(yīng)性濺射法成膜。反應(yīng)室內(nèi)氣體包含氬氣以及氧氣的至少任意一種，靶使用金屬鎢?；鍦囟炔贿M(jìn)行控制，氬氣分壓、氧氣分壓、全壓通過各氣體的流量進(jìn)行調(diào)節(jié)。成膜條件如以下的表I所示使全壓、氧氣分壓以及接入功率的各條件變化，由此得到具備在各成膜條件下成膜的空穴注入層4的僅空穴元件IB (元件No. I 14)。另外，以下氧氣分壓設(shè)為相對(duì)于全壓的比(％)而表示。[表 I] 各僅空穴元件IB的成膜條件
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL顯不面板,具備 基板； 第1電極，其形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)； 輔助布線，其與所述第I電極分離地形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)； 功能層，其形成于所述第I電極的上方，至少包含發(fā)光層； 空穴注入層，其介于所述功能層與所述第I電極之間，進(jìn)行向所述功能層的空穴注入；以及 第2電極，其形成于所述功能層的上方； 所述空穴注入層以及所述第2電極各自也連續(xù)地形成于所述第I電極的上方以及所述輔助布線的上方； 所述第2電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴注入層電連接； 所述空穴注入層包含金屬氧化物膜而構(gòu)成； 構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜，并且 所述金屬氧化物膜包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體。
2.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述第2電極為透明電極。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述透明電極為ITO或者ΙΖ0。
4.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述第2電極以Al或者Ag為主成分。
5.如權(quán)利要求1 4中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 具有連續(xù)形成于所述第I電極的上方以及所述輔助布線的上方的金屬層； 所述金屬層 在所述第I電極的上方，介于所述第2電極與所述發(fā)光層之間； 在所述輔助布線的上方，介于所述第2電極與所述空穴注入層之間。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述金屬層是在所述第I電極的上方從所述第2電極向所述發(fā)光層注入電子的電子注入層。
7.如權(quán)利要求6所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述金屬層包含Ba。
8.如權(quán)利要求I 7中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述輔助布線為ITO或者ΙΖ0。
9.如權(quán)利要求I 8中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述輔助布線的上方形成有與形成于所述第I電極的上方的空穴注入層相同層的空穴注入層。
10.如權(quán)利要求I 9中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 至少形成于所述輔助布線上的空穴注入層的膜厚為4nm以上。
11.如權(quán)利要求I 10中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板，在所述空穴注入層上形成有具有使所述第I電極露出的開口部以及使所述輔助布線露出的區(qū)域的分隔壁； 所述發(fā)光層形成于所述第I電極的上方且形成于所述分隔壁的開口部內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述第I電極以像素為單位配置有多個(gè)； 所述分隔壁的開口部與所述多個(gè)第I電極的各個(gè)對(duì)應(yīng)地形成。
13.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述第I電極以像素為單位配置有多個(gè)； 所述分隔壁的開口部與所述配置有多個(gè)的第I電極的各行對(duì)應(yīng)地形成。
14.如權(quán)利要求I 13中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述空穴注入層與所述第I電極的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述第I電極的最高被占軌道的結(jié)合能的差為±0. 3eV以內(nèi)。
15.如權(quán)利要求I 14中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述空穴注入層的膜厚為2nm以上。
16.如權(quán)利要求I 15中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯不面板， 所述空穴注入層在UPS譜中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低I. 8 3. 6eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)，具有隆起的形狀。
17.如權(quán)利要求I 16中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯不面板， 所述空穴注入層在XPS譜中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低I. 8 3. 6eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)，具有隆起的形狀。
18.如權(quán)利要求I 17中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述空穴注入層在UPS譜的微分譜中，遍及比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低2. O 3. 2eV的結(jié)合能區(qū)域，具有表達(dá)為與指數(shù)函數(shù)不同的函數(shù)的形狀。
19.如權(quán)利要求I 18中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述空穴注入層中的所述占有能級(jí)存在于比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低2. O 3. 2eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)。
20.如權(quán)利要求I 19中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 通過所述占有能級(jí)的存在，在所述空穴注入層與所述功能層的層疊界面，所述功能層的最高被占軌道的結(jié)合能位于所述占有能級(jí)的結(jié)合能的附近。
21.如權(quán)利要求20所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述空穴注入層與所述功能層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述功能層的最高被占軌道的結(jié)合能的差為±0. 3eV以內(nèi)。
22.如權(quán)利要求I 21中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 通過所述占有能級(jí)的存在，在所述第I電極與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述第I電極的費(fèi)米能級(jí)的附近。
23.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述第I電極與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述第I電極的費(fèi)米能級(jí)的差為±0. 3eV以內(nèi)。
24.如權(quán)利要求I 23中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板，通過所述占有能級(jí)的存在，在所述輔助布線與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述輔助布線的費(fèi)米能級(jí)的附近。
25.如權(quán)利要求24所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述輔助布線與所述空穴注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述輔助布線的費(fèi)米能級(jí)的差為±0. 3eV以內(nèi)。
26.如權(quán)利要求I 25中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯不面板， 通過所述占有能級(jí)的存在，在所述空穴注入層與所述第2電極的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述第2電極的費(fèi)米能級(jí)的附近。
27.如權(quán)利要求26所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述空穴注入層與所述第2電極的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述第2電極的費(fèi)米能級(jí)的差為±0. 3eV以內(nèi)。
28.如權(quán)利要求I 27中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 通過所述占有能級(jí)的存在，在所述空穴注入層與所述電子注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能位于所述電子注入層的費(fèi)米能級(jí)的附近。
29.如權(quán)利要求28所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述空穴注入層與所述電子注入層的層疊界面，所述占有能級(jí)的結(jié)合能與所述電子注入層的費(fèi)米能級(jí)的差為±0. 3eV以內(nèi)。
30.如權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述金屬氧化物為氧化鎢； 所述最大化合價(jià)的狀態(tài)的所述金屬原子為6價(jià)的鎢原子。
31.如權(quán)利要求30所述的有機(jī)EL顯示面板， 比所述最大化合價(jià)低的化合價(jià)的所述金屬原子為5價(jià)的鎢原子。
32.如權(quán)利要求31所述的有機(jī)EL顯示面板， 將所述5價(jià)的鎢原子的數(shù)量除以所述6價(jià)的鎢原子的數(shù)量所得的值即W5+/W6+為3. 2%以上。
33.如權(quán)利要求32所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述W5VW6+為3. 2%以上7. 4%以下。
34.如權(quán)利要求30所述的有機(jī)EL顯示面板， 在包含所述氧化鎢的空穴注入層的硬X射線光電子分光譜中，在比與6價(jià)的鎢原子的4f7/2能級(jí)對(duì)應(yīng)的第I成分低的結(jié)合能區(qū)域存在第2成分。
35.如權(quán)利要求34所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述第2成分存在于比所述第I成分的峰頂?shù)慕Y(jié)合能低O. 3 I. SeV的結(jié)合能區(qū)域。
36.如權(quán)利要求34或35所述的有機(jī)EL顯示面板， 所述第2成分的面積強(qiáng)度相對(duì)于所述第I成分的面積強(qiáng)度為3. 2 7. 4%。
37.如權(quán)利要求30 36中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 通過比所述最大化合價(jià)低的化合價(jià)的鎢原子的存在，在包含所述氧化鎢的空穴注入層的電子狀態(tài)中，在比價(jià)電子帶中最低的結(jié)合能低I. 8 3. 6eV的結(jié)合能區(qū)域內(nèi)具有占有能級(jí)。
38.如權(quán)利要求30 37中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板，包含所述氧化鎢的空穴注入層包含多個(gè)粒徑為5 10納米的大小的所述氧化鎢的晶體。
39.如權(quán)利要求30 38中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板， 在包含所述氧化鎢的空穴注入層的通過透射型電子顯微鏡觀察得到的晶格像中，出現(xiàn)以1·85 ~的間隔規(guī)則地排列的線狀構(gòu)造。
40.如權(quán)利要求39所述的有機(jī)EL顯示面板， 在所述晶格像的2維傅里葉變換像中，出現(xiàn)以該2維傅里葉變換像的中心點(diǎn)為中心的同心圓狀的亮部。
41.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)EL顯示面板， 在表示距所述中心點(diǎn)的距離與將所述距離處的所述2維傅里葉變換像的輝度標(biāo)準(zhǔn)化而得到的數(shù)值即標(biāo)準(zhǔn)化輝度的關(guān)系的曲線圖中，所述標(biāo)準(zhǔn)化輝度的波峰在中心點(diǎn)以外出現(xiàn)1個(gè)以上。
42.如權(quán)利要求41所述的有機(jī)EL顯示面板， 將所述曲線圖中的距所述中心點(diǎn)最近地出現(xiàn)的所述標(biāo)準(zhǔn)化輝度的峰頂?shù)奈恢盟鶎?duì)應(yīng)的所述距離與所述標(biāo)準(zhǔn)化輝度的波峰的上升位置所對(duì)應(yīng)的所述距離的差設(shè)為波峰寬度，將與所述峰頂?shù)奈恢脤?duì)應(yīng)的所述距離設(shè)為100時(shí)的所述波峰寬度小于22。
43.—種有機(jī)EL顯不面板,具備 基板； 第I電極，其形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)； 布線，其與所述第1電極分離地形成于所述基板上或者所述基板內(nèi)； 有機(jī)層，其形成于所述第I電極的上方，包含有機(jī)材料； 金屬氧化物膜，其介于所述有機(jī)層與所述第I電極之間，包含金屬氧化物；以及 第2電極，其形成于所述有機(jī)層的上方； 所述金屬氧化物膜以及所述第2電極各自也連續(xù)地形成于所述第I電極的上方以及所述布線的上方； 所述第2電極與所述布線經(jīng)由所述金屬氧化物膜電連接； 構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜，并且 所述金屬氧化物膜包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體。
44.一種有機(jī)EL顯示面板的制造方法，包括 第1工序，在基板上或者基板內(nèi)形成第1電極； 第2工序，在所述基板上或者所述基板內(nèi)與所述第I電極分離地形成輔助布線； 第3工序，在所述第I電極的上方以及所述輔助布線的上方形成連續(xù)的空穴注入層；第4工序，在所述第I電極的上方形成至少包含發(fā)光層的功能層；以及第5工序，在所述功能層的上方以及所述輔助布線上的所述空穴注入層的上方形成連續(xù)的第2電極； 所述第2電極與所述輔助布線經(jīng)由所述空穴注入層電連接； 在所述第3工序中， 所述空穴注入層包含金屬氧化物而構(gòu)成；以構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜的方式，并且以包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體的方式，形成所述金屬氧化物膜。
45.如權(quán)利要求44所述的有機(jī)EL顯示面板的制造方法， 在所述第3工序與所述第4工序之間，還包括在所述空穴注入層上形成分隔壁的工序，所述分隔壁具有使所述第I電極上方的所述空穴注入層露出的開口部以及使所述輔助布線露出的區(qū)域； 在所述第4工序中，所述功能層形成于所述分隔壁的所述開口部內(nèi)。
46.如權(quán)利要求44或45所述的有機(jī)EL顯示面板的制造方法， 在所述第3工序中，在所述輔助布線的上方形成與形成于所述第I電極的上方的空穴注入層相同層的空穴注入層。
47.如權(quán)利要求44 46中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板的制造方法， 在所述第3工序中， 所述金屬氧化物膜為氧化鎢膜； 使用包含氬氣和氧氣的濺射氣體以及包含鎢的靶，在所述濺射氣體的全壓為2. 3Pa以上7. OPa以下并且所述氧氣分壓相對(duì)于所述濺射氣體的全壓的比例為50%以上70%以下，并且所述靶的每單位面積的接入功率即接入功率密度為I. 5ff/cm2以上6. Off/cm2以下，并且將所述濺射氣體的全壓除以接入功率密度而得到的值即全壓/接入功率密度大于O.7Pa · cm2/ff的成膜條件下，對(duì)所述氧化鎢膜進(jìn)行成膜。
48.如權(quán)利要求47所述的有機(jī)EL顯示面板的制造方法， 在所述第3工序中， 所述全壓/接入功率密度小于3. 2Pa · cm2/W。
49.一種有機(jī)EL顯示面板的制造方法，包括 第I工序，在基板上或者基板內(nèi)形成第I電極； 第2工序，在所述基板上或者所述基板內(nèi)與所述第I電極分離地形成布線； 第3工序，在所述第I電極的上方以及所述布線的上方形成連續(xù)的包含金屬氧化物的金屬氧化物膜； 第4工序，在所述第I電極的上方形成包含有機(jī)材料的有機(jī)層；以及 第5工序，在所述有機(jī)層的上方以及所述布線上的所述金屬氧化物膜的上方形成連續(xù)的第2電極； 所述第2電極與所述布線經(jīng)由所述金屬氧化物膜電連接； 在所述弟3工序中， 以構(gòu)成所述金屬氧化物的金屬原子以該金屬原子能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于所述金屬氧化物膜的方式，并且以包含粒徑為納米級(jí)的大小的所述金屬氧化物的晶體的方式，形成所述金屬氧化物膜。
50.一種有機(jī)EL顯示裝置，具備 權(quán)利要求I 49中的任意一項(xiàng)所述的有機(jī)EL顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠以低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)并且能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光效率的有機(jī)EL顯示面板以及有機(jī)EL顯示裝置。有機(jī)EL顯示面板(110)具備基板(10)、第1電極(20)、輔助布線(30)、空穴注入層(40)、功能層以及第2電極(90)，空穴注入層(40)以及第2電極(90)的各個(gè)連續(xù)地形成于第1電極(20)的上方以及輔助布線(30)的上方，第2電極(90)與輔助布線(30)經(jīng)由空穴注入層(40)電連接，空穴注入層(40)為金屬氧化物膜，構(gòu)成金屬氧化物的金屬原子以其能夠取得的最大化合價(jià)的狀態(tài)以及比該最大化合價(jià)低的化合價(jià)的狀態(tài)包含于金屬氧化物膜，并且金屬氧化物膜包含粒徑為納米級(jí)的大小的金屬氧化物的晶體(13)。
文檔編號(hào)H01L51/50GK102884650SQ20128000120
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月11日
發(fā)明者小松隆宏, 大內(nèi)曉, 山田隆太, 藤田浩史, 藤村慎也, 西山誠司, 年代健一, 菅野恒, 矢田修平 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社