專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有多層布線層的半導(dǎo)體裝置的過(guò)孔(via)的配置構(gòu)造。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于以LSI (Large Scale Integrated circuit,大規(guī)模集成電路)為首的半導(dǎo)體裝置的高速化，正在積極地推進(jìn)構(gòu)成該半導(dǎo)體裝置的多層布線的層間絕緣膜的低介電常數(shù)(Low-k)化。一般，低相對(duì)介電常數(shù)膜是通過(guò)降低用于該膜的材料的密度、或者排除用于膜的材料中的極性來(lái)形成的。但是，用這種方式形成的膜，一般楊氏模量等的物性值較低，因此機(jī)械強(qiáng)度降低。
此夕卜，一直以來(lái)，在形成布線層時(shí)，廣泛使用CMP (Chemical-MechanicalPolishing，化學(xué)機(jī)械拋光)工藝。在CMP工藝中，為了確保布線層中的平坦性，除了形成作為電路發(fā)揮電氣功能的布線之外，還形成不作為電路發(fā)揮電氣功能的虛設(shè)(du_y)布線。該虛設(shè)布線不僅用于這種確保平坦性的用途，伴隨近年的層間絕緣膜的Low-k化，還擔(dān)當(dāng)確保層間絕緣膜的機(jī)械強(qiáng)度的任務(wù)。進(jìn)而，在將Low-k材料也用于上下布線層間的過(guò)孔層的情況下，該過(guò)孔層的機(jī)械強(qiáng)度也成為問(wèn)題。即，多層布線的層疊方向(縱向)的機(jī)械強(qiáng)度降低，有可能損壞布線的可靠性。因此，在上下布線層間的過(guò)孔層中也設(shè)置不作為電路發(fā)揮電氣功能的虛設(shè)過(guò)孔。該虛設(shè)過(guò)孔不與構(gòu)成電路的布線連接，而與虛設(shè)布線連接。而且，一般由按每種半導(dǎo)體工藝而制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等來(lái)規(guī)定的虛設(shè)過(guò)孔的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，與虛設(shè)布線同樣地通過(guò)每單位面積的密度、有無(wú)位于虛設(shè)過(guò)孔的上下層的虛設(shè)布線、以及與虛設(shè)布線的懸垂(overhang)量等來(lái)規(guī)定。在此，一般虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)密度不是如虛設(shè)布線和布線的合計(jì)密度(例如，20 80%)那樣大的值。此外，虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)密度的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)是大于0.1%等僅受下限值限制的比較小的值。一般，用于遵守這些設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的虛設(shè)過(guò)孔被配置在上下2層的虛設(shè)布線彼此的重疊區(qū)域。此外，一般虛設(shè)布線的形狀與布線同樣地是線和空間的重復(fù)形狀。而且，在上下2層的各個(gè)虛設(shè)布線的延伸方向正交的情況下，虛設(shè)過(guò)孔在遵守過(guò)孔彼此的間隔等的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)在行列方向上具有均等的間距地配置在通過(guò)在上下層間正交的虛設(shè)布線交叉而形成的重疊區(qū)域。在專利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了為了抑制加感(loading)效應(yīng)而設(shè)置虛設(shè)接觸點(diǎn)的技術(shù)的例子。此外，在專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了為了降低過(guò)孔不良、接觸不良而配置虛設(shè)過(guò)孔、虛設(shè)接觸點(diǎn)的技術(shù)的例子。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I JP特開(kāi)平6-85080號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 JP特開(kāi)平8-97290號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
在按照達(dá)成虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)密度的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的方式配置虛設(shè)過(guò)孔時(shí)，考慮在配置虛設(shè)過(guò)孔的周邊電路沒(méi)有將布線彼此連接的過(guò)孔的情況，需要非常高密度地配置虛設(shè)過(guò)孔。具體而言，例如在存在構(gòu)成電路的布線雖然集中、但基本上沒(méi)有過(guò)孔的區(qū)域的情況下，在將該周邊包含在內(nèi)的區(qū)域中，虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)密度成為非常小的值。因此，需要使配置在虛設(shè)布線的虛設(shè)過(guò)孔的密度大幅提高，以確保虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)密度。但是，在高密度地配置了虛設(shè)過(guò)孔的情況下，所配置的虛設(shè)過(guò)孔的個(gè)數(shù)成為龐大的數(shù)目，存在表現(xiàn)該虛設(shè)過(guò)孔圖案的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸變得龐大的問(wèn)題。該結(jié)果，在配置了虛設(shè)過(guò)孔圖案后的設(shè)計(jì)工序中，存在與供應(yīng)了布局CAD數(shù)據(jù)的磁盤系統(tǒng)之間的數(shù)據(jù)讀寫需要龐大的時(shí)間的問(wèn)題、以及文件尺寸過(guò)大從而不能完全存儲(chǔ)到磁盤系統(tǒng)等的問(wèn)題。本發(fā)明的一種方式提供一種具有基板、和形成在基板上的第I以及第2布線層的 半導(dǎo)體裝置，其具有形成在第I布線層的第I布線、形成在第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜、和形成在第2布線層的第2布線。進(jìn)而具備貫通層間絕緣膜并且將第I布線和第2布線進(jìn)行連接的過(guò)孔、形成在第I布線層的第I虛設(shè)布線、形成在第2布線層的第2虛設(shè)布線、和貫通層間絕緣膜并且將第I虛設(shè)布線和第2虛設(shè)布線進(jìn)行連接的虛設(shè)過(guò)孔。進(jìn)而，由多個(gè)虛設(shè)過(guò)孔構(gòu)成并且配置在第I以及第2布線的附近的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案的密度高于由多個(gè)虛設(shè)過(guò)孔構(gòu)成并且配置在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離第I以及第2布線的地方的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案的密度。根據(jù)該方式，在第I以及第2布線的附近，配置密度高的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案，并且在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離第I以及第2布線的地方，配置密度低的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案。據(jù)此，能夠進(jìn)行與有無(wú)連接第I布線和第2布線的過(guò)孔相匹配的虛設(shè)過(guò)孔的配置，即，與過(guò)孔較少的區(qū)域相匹配來(lái)沒(méi)有過(guò)剩地配置虛設(shè)過(guò)孔，從而達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。即，能夠在達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，抑制表現(xiàn)虛設(shè)過(guò)孔的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的龐大化。


圖I是表示從上方觀察第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置時(shí)的布線布局的俯視圖。圖2是表示第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的流程圖。圖3是表示在第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法中第I虛設(shè)過(guò)孔能配置區(qū)域提取步驟的詳細(xì)情況的流程圖。圖4是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖5是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖6是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖7是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖8是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖9是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖10是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。
圖11是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖12是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖13是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖14是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖15是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖16是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖17是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖18是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。 圖19是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖20是用于說(shuō)明第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖21A是表示虛設(shè)過(guò)孔圖案的配置規(guī)格的變形例的圖。圖21B是表示虛設(shè)過(guò)孔圖案的配置規(guī)格的變形例的圖。圖21C是表示虛設(shè)過(guò)孔圖案的配置規(guī)格的變形例的圖。圖22是表示從上方觀察第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置時(shí)的布線布局的其他例的俯視圖。圖23是表示從上方觀察第2實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置時(shí)的布線布局的俯視圖。圖24是用于說(shuō)明第2實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖25是用于說(shuō)明第2實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的過(guò)程的圖。圖26是表示用于說(shuō)明本發(fā)明的從上方觀察半導(dǎo)體裝置時(shí)的一般的布線布局的俯視圖。圖27是表示用于說(shuō)明本發(fā)明的從上方觀察半導(dǎo)體裝置時(shí)的一般的布線布局的其他例的俯視圖。
具體實(shí)施例方式(發(fā)明的概念)圖26以及圖27是表示用于說(shuō)明本發(fā)明的從上方觀察半導(dǎo)體裝置時(shí)的一般的布線布局的俯視圖。圖26的布線布局具備形成在第I布線層的第I布線201a 201f、和在第I布線層中形成于第I布線201a 201f的空隙部分的第I虛設(shè)布線圖案204。而且，具備形成在第2布線層的第2布線202a 202i、在第2布線層中形成于第2布線202a 202i的空隙部分的第2虛設(shè)布線圖案206、過(guò)孔203a 203i、和虛設(shè)過(guò)孔圖案221。另外，雖然未在圖26中進(jìn)行圖示，但是在第I布線層和第2布線層之間形成有層間絕緣膜。過(guò)孔203a 203i貫通第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜，將第I布線201a 201f和第2布線202a 202i進(jìn)行連接。虛設(shè)過(guò)孔圖案221貫通第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜，將第I虛設(shè)布線圖案204和第2虛設(shè)布線圖案206進(jìn)行連接。在圖26中，在第I布線201a中沒(méi)有配置過(guò)孔。因此，第I布線201a的周邊區(qū)域的過(guò)孔的每單位面積的密度是O (零)。因此，為了提高過(guò)孔和虛設(shè)過(guò)孔的合計(jì)過(guò)孔面積率，需要高密度地配置虛設(shè)過(guò)孔圖案221。圖26所示的虛設(shè)過(guò)孔圖案221是在滿足按每種半導(dǎo)體工藝而制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)，按照提高虛設(shè)過(guò)孔的密度的方式較窄地設(shè)定其配置間隔進(jìn)行配置的例子。在此，在將第I虛設(shè)布線圖案204和第2虛設(shè)布線圖案206的重疊區(qū)域中相鄰的圖案的中心間的距離定義為I間距時(shí)，對(duì)于虛設(shè)過(guò)孔圖案221而言，虛設(shè)過(guò)孔-虛設(shè)過(guò)孔間的距離被設(shè)定為2間距，以2間距的均等的間距配置虛設(shè)過(guò)孔。由此，所配置的虛設(shè)過(guò)孔的個(gè)數(shù)成為龐大的數(shù)目，表現(xiàn)虛設(shè)過(guò)孔圖案221的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸變得龐大。例如，根據(jù)一種一般的布局CAD數(shù)據(jù)格式即GDSII格式來(lái)存儲(chǔ)該布局CAD數(shù)據(jù)時(shí)，作為芯片尺寸水平的數(shù)據(jù)，有時(shí)變?yōu)閿?shù)十GB (gigabyte)。據(jù)此，在配置了虛設(shè)過(guò)孔圖案221后的設(shè)計(jì)工序中，存在與保存了布局CAD數(shù)據(jù)的磁盤系統(tǒng)之間的讀寫需要龐大的時(shí)間的問(wèn)題、以及文件尺寸過(guò)大從而不能完全存儲(chǔ)到磁盤系統(tǒng)等的問(wèn)題。
圖27示出了如下例子為了抑制表現(xiàn)虛設(shè)過(guò)孔圖案的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的龐大化，作為每單位面積的虛設(shè)過(guò)孔的密度，在第I以及第2虛設(shè)布線圖案204、206的重疊區(qū)域中配置了滿足按每種半導(dǎo)體工藝而制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的最低限度的低密度的虛設(shè)過(guò)孔。具體而言，在圖27中，將虛設(shè)過(guò)孔圖案222中的虛設(shè)過(guò)孔的配置間距從圖26的2間距變更為6間距。據(jù)此，與圖26所示的虛設(shè)過(guò)孔圖案221相比，虛設(shè)過(guò)孔圖案222在同一面積內(nèi)，虛設(shè)過(guò)孔的個(gè)數(shù)降低為九分之一，抑制了表現(xiàn)虛設(shè)過(guò)孔圖案222的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的龐大化。但是，存在如下問(wèn)題雖然在如第I布線201b 201f以及第2布線202b 202 那樣存在過(guò)孔203a 203i的布線的周邊，虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)每單位面積的密度滿足設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，但是在如第I布線201a以及第2布線202a那樣不存在過(guò)孔的布線的周邊，過(guò)孔和虛設(shè)過(guò)孔的合計(jì)每單位面積的密度不能滿足設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。也就是說(shuō)，在圖26、圖27所示的布線布局中，若配置虛設(shè)過(guò)孔使得達(dá)成每單位面積的虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)密度的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，則布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸變得龐大，另一方面，若配置虛設(shè)過(guò)孔使得抑制布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的增加，則難以達(dá)成每單位面積的虛設(shè)過(guò)孔和過(guò)孔的合計(jì)密度的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。因此，本發(fā)明的一種方式如下作為具有基板、和形成在基板上的第I以及第2布線層的半導(dǎo)體裝置，具有形成在第I布線層的第I布線、形成在第I布線層與第2布線層之間的層間絕緣膜、和形成在第2布線層的第2布線。進(jìn)而具備貫通層間絕緣膜并且使第I布線和第2布線連接的過(guò)孔、形成在第I布線層的第I虛設(shè)布線、形成在第2布線層的第2虛設(shè)布線、和貫通層間絕緣膜并且使第I虛設(shè)布線和第2虛設(shè)布線連接的虛設(shè)過(guò)孔。進(jìn)而，由多個(gè)虛設(shè)過(guò)孔構(gòu)成的配置在第I以及第2布線附近的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案的密度高于第2虛設(shè)過(guò)孔圖案的密度，所述第2虛設(shè)過(guò)孔圖案由多個(gè)虛設(shè)過(guò)孔構(gòu)成，并且被配置為比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離第I以及第2布線。根據(jù)該方式，在第I以及第2布線附近，配置密度高的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案，在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離第I以及第2布線的地方配置密度低的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案。據(jù)此，例如在存在連接第I布線和第2布線的過(guò)孔較少的區(qū)域的情況下，也可以提高配置在第I以及第2布線附近的虛設(shè)過(guò)孔的密度，所以能夠滿足由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的過(guò)孔和虛設(shè)過(guò)孔的合計(jì)密度的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。另一方面，在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離第I以及第2布線的地方，使虛設(shè)過(guò)孔的密度變低。即，在該密度低的比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)的地方，能夠抑制表現(xiàn)虛設(shè)過(guò)孔圖案的布局CAD數(shù)據(jù)的龐大化。據(jù)此，能夠與有無(wú)連接第I布線和第2布線的過(guò)孔、即給定區(qū)域中的連接第I布線和第2布線的過(guò)孔的疏密無(wú)關(guān)，不會(huì)過(guò)剩地配置虛設(shè)過(guò)孔地，達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝而制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。即，能夠在達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝而制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，抑制表現(xiàn)虛設(shè)過(guò)孔圖案的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的龐大化。而且，在 本發(fā)明的一種方式的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選構(gòu)成第I虛設(shè)過(guò)孔圖案的各虛設(shè)過(guò)孔間的距離小于構(gòu)成第2虛設(shè)過(guò)孔圖案的各虛設(shè)過(guò)孔間的距離。此外，本發(fā)明的一方式的半導(dǎo)體裝置優(yōu)選具備由以均等的間距并列地配置的多根第I虛設(shè)布線構(gòu)成的第I虛設(shè)布線圖案。此外，本發(fā)明的一方式的半導(dǎo)體裝置優(yōu)選具備由以均等的間距并列地配置的多根第2虛設(shè)布線構(gòu)成的第2虛設(shè)布線圖案。此外，本發(fā)明的一方式的半導(dǎo)體裝置的第I以及第2虛設(shè)布線優(yōu)選形狀為矩形，并且以均等的間距配置為矩陣狀。此外，在本發(fā)明的一方式的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選第I虛設(shè)布線和第2虛設(shè)布線的重疊區(qū)域的中心與虛設(shè)過(guò)孔的中心一致。以下，參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。<第I實(shí)施方式>圖I是表示從上方觀察本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體集成電路)時(shí)的布線布局的俯視圖。圖I的布線布局具備形成在第I布線層的第I布線IOla IOlf ;和在第I布線層中形成于第I布線IOla IOlf的空隙部分的、由多根第I虛設(shè)布線構(gòu)成且不作為電路發(fā)揮電氣功能的第I虛設(shè)布線圖案104。進(jìn)而具備形成在第2布線層的第2布線102a 102 ;在第2布線層中形成于第2布線圖案的空隙部分的、由多根第2虛設(shè)布線構(gòu)成且不作為電路發(fā)揮電氣功能的第2虛設(shè)布線圖案106 ;過(guò)孔103a 103i ;和由多個(gè)虛設(shè)過(guò)孔構(gòu)成的第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案121、124。另外，雖然未在圖I中進(jìn)行圖示，但是在第I布線層和第2布線層之間形成有層間絕緣膜。此外，第I布線IOla IOlf、第2布線102a 102i、以及過(guò)孔103a 103i分別圖示了構(gòu)成電路的第I以及第2布線圖案、以及過(guò)孔圖案的一部分。在此，設(shè)以由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的最小尺寸、最小間隔形成第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。過(guò)孔103a 103i貫通第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜，將第I布線IOla IOlf和第2布線102a 102i進(jìn)行連接。第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121配置在第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i附近的區(qū)域、即第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125，貫通第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜，將第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106進(jìn)行連接。第2虛設(shè)過(guò)孔圖案124配置在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125遠(yuǎn)離第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i的區(qū)域、即第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域126，貫通第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜，將第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106進(jìn)行連接。
在此，第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案121、124與第I以及第2虛設(shè)布線圖案104、106同樣地不作為電路發(fā)揮電氣功能。圖2是表示第I實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法的流程圖。此外，圖3是表示圖2的第I虛設(shè)過(guò)孔能配置區(qū)域提取步驟(s204)的詳細(xì)情況的流程圖。在此，圖2以及圖3所示的布線輔助圖案生成方法的各步驟，使用使計(jì)算機(jī)執(zhí)行數(shù)據(jù)處理的分析工具(例如，布局檢驗(yàn)工具)等來(lái)執(zhí)行。例如，該布局檢驗(yàn)工具是檢驗(yàn)半導(dǎo)體布局圖案的尺寸等是否滿足設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的工具。步驟s201是布線圖案提取步驟，從存儲(chǔ)了設(shè)計(jì)信息的文件提取第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i。例如向組裝了分析工具的計(jì)算機(jī)輸入包含半導(dǎo)體裝置的布線布局信息的布局CAD數(shù)據(jù)，提取相應(yīng)區(qū)域的布線圖案。具體而言，如圖4所示，在第I布線層中提取第I布線IOla 101f，在第2布線層中提取第2布線102a 102i。
接下來(lái)，步驟s202是虛設(shè)布線圖案生成步驟，如圖5所示，在沒(méi)有形成由步驟s201提取的第I布線IOla IOlf的空隙部分中，從第I布線IOla IOlf空開(kāi)第I間隔值105的間隔，生成在與第I布線層的大部分布線的延伸方向即優(yōu)先布線方向(垂直方向)相同的方向上延伸的第I虛設(shè)布線圖案104。同樣地，如圖6所示，在沒(méi)有形成由步驟s201提取的第2布線102a 102i的空隙部分中，從第2布線102a 102i空開(kāi)第2間隔值107的間隔，生成在與第2布線層的大部分布線的延伸方向即優(yōu)先布線方向(水平方向)相同的方向上延伸的第2虛設(shè)布線圖案106。在此，設(shè)第I布線層的優(yōu)先布線方向和第2布線層的優(yōu)先布線方向正交，S卩，設(shè)第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106分別正交。另外，第I布線層的優(yōu)先布線方向以及第2布線層的優(yōu)先布線方向不限定于本實(shí)施方式的方向。例如，既可以水平方向?yàn)榈贗布線層的優(yōu)先布線方向，也可以第I布線層的優(yōu)先布線方向和第2布線層的優(yōu)先布線方向相同。但是，優(yōu)選第I布線層的優(yōu)先布線方向和第2布線層的優(yōu)先布線方向正交。此外，第I虛設(shè)布線圖案104以及第2虛設(shè)布線圖案106分別以均等的間距并列地配置，優(yōu)選以由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的最小尺寸、最小間隔來(lái)形成。在圖5以及圖6中示出，分別在第I以及第2虛設(shè)布線圖案104、106中，以均等的間距并列地進(jìn)行配置，以由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的最小尺寸、最小間隔而形成的例子。也就是說(shuō)，在該實(shí)施方式中，第I以及第2虛設(shè)布線圖案104、106的布線寬度均等。此外，作為一例，可以考慮使構(gòu)成第I虛設(shè)布線圖案104的各第I虛設(shè)布線為如下構(gòu)成使布線寬度與第I布線的布線寬度中最小的布線寬度相等，并且使布線間隔與第I布線彼此的布線間隔中最小的間隔相等。進(jìn)而，作為另一例，還可以考慮使構(gòu)成第2虛設(shè)布線圖案106的各第2虛設(shè)布線為如下構(gòu)成使布線寬度與第2布線的布線寬度中最小的布線寬度相等，并且使布線間隔與第2布線彼此的布線間隔中最小的間隔相等。此外，第I以及第2間隔值105、107分別表示在布線圖案和虛設(shè)布線圖案之間要確保的間隔，是由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的值。而且，存在第I間隔值105和第2間隔值107為不同的值的情況，成為不同的值也沒(méi)有關(guān)系。接下來(lái)，步驟s203是虛設(shè)布線重復(fù)區(qū)域提取步驟，如圖7所示，提取由步驟s202輸出的第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106的重疊區(qū)域108。重疊區(qū)域108是第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106都存在的區(qū)域。即，表示可以配置將第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106物理連接的第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案121、124的區(qū)域。接下來(lái)，在步驟s204中，在由步驟s201提取的第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的附近，提取可以配置第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125。具體而言，通過(guò)使用定義第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i與第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121的最小間隔的值、和定義表示第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102 的附近的上限距離的值，從而提取第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i的附近的區(qū)域即第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125。在此，使用圖3以及圖8 圖14來(lái)說(shuō)明步驟s204的詳細(xì)情況 。如圖3所示，步驟s204由步驟s301 s303構(gòu)成。步驟s301是使用了定義最小間隔的值的第I布線擴(kuò)大步驟。具體而言，如圖8所示，對(duì)于由步驟s201提取的第I布線IOla IOlf，使用第3間隔值110進(jìn)行擴(kuò)大處理，輸出擴(kuò)大圖案109a、109b。同樣地，如圖9所示，對(duì)于由步驟s201提取的第2布線102a 102i，使用第4間隔值112進(jìn)行擴(kuò)大處理，輸出擴(kuò)大圖案111。在此，第3以及第4間隔值110、112分別是定義第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i與第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121的最小間隔的值。即，由步驟s301輸出的擴(kuò)大圖案109a、109b、111所表示的區(qū)域是在第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的附近禁止配置第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121的區(qū)域。步驟s302是使用了定義表示附近的上限距離的值的第2布線擴(kuò)大步驟。具體而言，如圖10所示，對(duì)于由步驟S201提取的第I布線IOla 101f，使用第5間隔值114進(jìn)行擴(kuò)大處理，輸出擴(kuò)大圖案113a、113b。同樣地，如圖11所示，對(duì)于由步驟s201提取的第2布線102a 102i，使用第6間隔值116進(jìn)行擴(kuò)大處理，輸出擴(kuò)大圖案115。在此，第5以及第6間隔值114、116分別是定義表示第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的附近的上限距離的值。據(jù)此，由步驟s302輸出的擴(kuò)大圖案113a、113b、115所表示的區(qū)域成為表示第I以及第2布線圖案IOla IOlf、102a 102i的附近的區(qū)域。步驟s303從由步驟s302輸出的擴(kuò)大圖案113a、113b、115所表示的區(qū)域中刪除由步驟s301輸出的擴(kuò)大圖案109a、109b、111所表示的區(qū)域，并且輸出該結(jié)果。具體而言，如圖12所示，將由步驟s301提取的擴(kuò)大圖案109a、109b、lll合成，生成合成圖案117。而且，如圖13所示，將擴(kuò)大圖案113a、113b、115合成，生成合成圖案118。而且，如圖14所示，從所生成的合成圖案118中刪除與合成圖案117的重疊部分。進(jìn)行了該刪除處理而剩下的區(qū)域119表示在第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的附近可以配置虛設(shè)過(guò)孔的區(qū)域，將其作為第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域119進(jìn)行輸出。另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)于具有重疊區(qū)域108的一部分與擴(kuò)大圖案109a、109b、111所表示的區(qū)域的一部分重疊的區(qū)域的例子進(jìn)行了說(shuō)明，而在沒(méi)有重疊區(qū)域108和擴(kuò)大圖案109a、109b、lll所表示的區(qū)域重疊的區(qū)域的情況下，在布線附近禁止配置第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121的區(qū)域消失。即，此時(shí)合成圖案118所表示的區(qū)域是第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域。
接下來(lái)在步驟s205中，如圖15所示，提取由步驟s203輸出的重疊區(qū)域108、與由步驟s204輸出的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域119的重疊區(qū)域120。重疊區(qū)域120是更詳細(xì)地示出了第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的附近的能夠配置虛設(shè)過(guò)孔的區(qū)域的區(qū)域。而且，如圖16所示，對(duì)于重疊區(qū)域120，基于給定第I虛設(shè)過(guò)孔圖案生成規(guī)格，配置并輸出第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121。在此，優(yōu)選將給定第I虛設(shè)過(guò)孔圖案生成(配置)規(guī)格設(shè)為在滿足按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)，按照虛設(shè)過(guò)孔的密度變得最高的方式定義了虛設(shè)過(guò)孔的配置間距的生成(配置)規(guī)格。例如在圖16中示出如下例子將圖15中相鄰的兩個(gè)重疊區(qū)域120的中心間(a-b間)的距離設(shè)為P時(shí)，將第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121以2Xp的均等的間距分別在行方向及列方向上進(jìn)行配置，并且在由相鄰的4個(gè)虛設(shè)過(guò)孔形成的各格子的中心也進(jìn)行了配置。具體而言，該格子的中心，是位于 在上述以2Xp的均等的間距分別在行方向及列方向上配置的虛設(shè)過(guò)孔中，通過(guò)行方向上相鄰的2個(gè)虛設(shè)過(guò)孔的中點(diǎn)并且分別在列方向上延伸的多條假想線、與通過(guò)列方向上相鄰的2個(gè)虛設(shè)過(guò)孔的中點(diǎn)并且分別在行方向上延伸的多條假想線的交點(diǎn)的重疊區(qū)域120。 接下來(lái)，在步驟s206中，提取比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域119遠(yuǎn)離第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的區(qū)域。具體而言，如圖17所示，將由構(gòu)成步驟s204的步驟s302輸出的擴(kuò)大圖案113a、113b、115合成，對(duì)合成后的圖案118進(jìn)行圖形翻轉(zhuǎn)處理，生成并輸出沒(méi)有由步驟s302輸出的圖案113a、113b、115的區(qū)域122。在此，由步驟s302所使用的第5以及第6間隔值114、116是定義表示第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的附近的上限距離的值。也就是說(shuō)，進(jìn)行了圖形翻轉(zhuǎn)處理的結(jié)果的區(qū)域122表示在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域119遠(yuǎn)離第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的地方可以配置虛設(shè)過(guò)孔的區(qū)域。在步驟s206中，將該區(qū)域作為第2虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域122進(jìn)行輸出。接下來(lái)，在步驟s207中，如圖18所示，提取由步驟s203輸出的重疊區(qū)域108和由步驟s206輸出的第2虛設(shè)過(guò)孔能配置區(qū)域122的重疊區(qū)域123。重疊區(qū)域123是更詳細(xì)的表示比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域119遠(yuǎn)離第I以及第2布線圖案IOla IOlf、102a 102 的地方的能夠配置虛設(shè)過(guò)孔的區(qū)域的區(qū)域。而且，如圖19所示，對(duì)于重疊區(qū)域123，基于給定第2虛設(shè)過(guò)孔圖案生成規(guī)格，配置并輸出第2虛設(shè)過(guò)孔圖案124。在此，優(yōu)選將給定第2虛設(shè)過(guò)孔圖案生成(配置)規(guī)格設(shè)為定義了為了達(dá)成由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的虛設(shè)過(guò)孔的密度的下限值所需的最低限度的虛設(shè)過(guò)孔的配置間距的生成(配置)規(guī)格。例如在圖19中示出如下例子在重疊區(qū)域123中將圖16中設(shè)為2Xp的均等間距變?yōu)?Xp的均等間距進(jìn)行配置。此外，此時(shí)沒(méi)有進(jìn)行圖16中進(jìn)行了的向由相鄰的4個(gè)虛設(shè)過(guò)孔形成的各格子的中心的虛設(shè)過(guò)孔的配置。也就是說(shuō)，圖16所示的配置在第I布線101a、第2布線IOlb的附近的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121的各虛設(shè)過(guò)孔間的距離，小于圖19所示的在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離第I布線101a、第2布線IOlb的地方配置的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案124的各虛設(shè)過(guò)孔間的距離。圖20示出在結(jié)束了步驟s201 s207的處理之后在第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125、126配置了第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案121、124的樣子。另外，在圖14以及圖15和圖20中，第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域119和第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125表示同一區(qū)域。同樣地，在圖17 19和圖20中，第2虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域122和第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域126表示同一區(qū)域。通過(guò)實(shí)施以上的步驟s201 s207，如圖I以及圖20所示，能夠在第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的附近的區(qū)域即第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125內(nèi)以較高的密度配置第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121。此外，同時(shí)能夠在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125遠(yuǎn)離第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的區(qū)域即第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域126內(nèi)以較低的密度配置第2虛設(shè)過(guò)孔圖案124。如上所述，利用本實(shí)施方式的方法所設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體集成電路)能夠在第I以及第2布線的附近區(qū)域配置密度高的虛設(shè)過(guò)孔圖案，并且在比第I以及第2布線的附近區(qū)域遠(yuǎn)的區(qū)域配置密度低的虛設(shè)過(guò)孔圖案。據(jù)此，能夠沒(méi)有過(guò)剩地配置虛設(shè)過(guò)孔地達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。即，能夠在達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，抑制表現(xiàn)虛設(shè)過(guò)孔的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的龐大化。
另外，作為步驟s205、s207中的虛設(shè)過(guò)孔圖案的配置規(guī)格，在圖16以及圖19中說(shuō)明了第I虛設(shè)過(guò)孔圖案121以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案124的配置例，但是為了獲得作為目標(biāo)的虛設(shè)過(guò)孔的密度，可以進(jìn)行虛設(shè)過(guò)孔的配置規(guī)格的多種變形。例如，可以變更各個(gè)虛設(shè)過(guò)孔的間距，例如，可以進(jìn)行如圖21A、圖21B、圖21C所示的虛設(shè)過(guò)孔圖案128 130那樣的變形。圖21A、圖21B、圖21C示出第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106的重疊區(qū)域127中的虛設(shè)過(guò)孔圖案配置規(guī)格的其他例。作為虛設(shè)過(guò)孔圖案128，圖21A示出如下例子與圖16同樣地以2Xp的均等間距進(jìn)行配置，并且沒(méi)有向由相鄰的4個(gè)虛設(shè)過(guò)孔形成的各格子的中心配置虛設(shè)過(guò)孔。此外，作為虛設(shè)過(guò)孔圖案129，圖21B示出在重疊區(qū)域127的全部重疊區(qū)域配置了虛設(shè)過(guò)孔的例子。此外，作為虛設(shè)過(guò)孔圖案130，圖21C示出如下例子從最左下方的一個(gè)重疊區(qū)域127向處于右上方的各個(gè)重疊區(qū)域127配置虛設(shè)過(guò)孔，并且從該配置了的各個(gè)虛設(shè)過(guò)孔向上方向以及右方向的各個(gè)方向以3間距的均等的間距配置虛設(shè)過(guò)孔。此外，在步驟s205、s207的說(shuō)明中，在第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106的重疊區(qū)域108中，對(duì)于一個(gè)重疊區(qū)域配置了一個(gè)虛設(shè)過(guò)孔，但是虛設(shè)過(guò)孔的配置規(guī)格不限定于此。例如，對(duì)于一個(gè)重疊區(qū)域，也可以在遵守按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)配置多個(gè)虛設(shè)過(guò)孔。此外，作為第I虛設(shè)布線圖案104以及第2虛設(shè)布線圖案106的布線寬度以及布線間隔，與第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i同樣地，使用了由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的最小尺寸(布線寬度)以及最小布線間隔，但是不限定于此，在遵守按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)可以進(jìn)行向多種尺寸(布線寬度以及布線間隔)的變形。圖22是表示從上方觀察第I實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置時(shí)的布線布局的俯視圖的其他例，是對(duì)一個(gè)重疊區(qū)域配置了多個(gè)虛設(shè)過(guò)孔的例子。在圖22中，第I虛設(shè)布線圖案131以及第2虛設(shè)布線圖案132具有第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的布線寬度的3倍的布線寬度。S卩，在第I以及第2虛設(shè)布線圖案131、132中，將布線寬度和布線間隔相加所得的布線間距是第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的4倍。此外，在第I虛設(shè)布線圖案131和第2虛設(shè)布線圖案132的重疊區(qū)域133中，在第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i的附近的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125中對(duì)一個(gè)重疊區(qū)域133配置兩個(gè)虛設(shè)過(guò)孔，形成了第I虛設(shè)過(guò)孔圖案134。而且，在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域125遠(yuǎn)離第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域126中，對(duì)一個(gè)重疊區(qū)域133配置一個(gè)虛設(shè)過(guò)孔，形成了第2虛設(shè)過(guò)孔圖案135。另外，在本實(shí)施方式中，在第I以及第2虛設(shè)布線圖案131、132中，將布線寬度和布線間隔相加所得的布線間距是第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的4倍，但是并不限定于4倍。布線間距只要是整數(shù)倍即可。 此外，在本實(shí)施方式中，第I虛設(shè)布線圖案104的延伸方向與第I布線層的優(yōu)先布線方向(列方向)相同，第2虛設(shè)布線圖案106的延伸方向與第2布線層的優(yōu)先布線方向(行方向)相同，但是不限定于此。例如，也可以第I虛設(shè)布線圖案104的延伸方向與第I布線層的優(yōu)先布線方向(列方向)正交，并且第2虛設(shè)布線圖案106的延伸方向與第2布線層的優(yōu)先布線方向(行方向)正交。此外，設(shè)第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106正交而進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限定于此。但是，優(yōu)選第I虛設(shè)布線圖案104和第2虛設(shè)布線圖案106正交?！吹?實(shí)施方式〉圖23是表示從上方觀察第2實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置時(shí)的布線布局的俯視圖。在圖23中對(duì)于與圖I公共的構(gòu)成要素標(biāo)注與圖I相同的符號(hào)，并且在此省略其詳細(xì)說(shuō)明。此外，圖24以及圖25是用于說(shuō)明生成第2實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的過(guò)程的圖。在圖23的布線布局中，與圖I不同的是在第I布線層中形成在第I布線IOla IOlf的空隙部分的第I虛設(shè)布線圖案140、以及在第2布線層中形成在第2布線102a 102 的空隙部分的第2虛設(shè)布線圖案141以均等的間距被配置為矩陣狀的矩形虛設(shè)布線圖案。第I虛設(shè)過(guò)孔圖案147被配置在第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的附近的區(qū)域即第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域143內(nèi)的重疊區(qū)域142，并且貫通第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜，將第I虛設(shè)布線圖案140和第2虛設(shè)布線圖案141進(jìn)行連接。第2虛設(shè)過(guò)孔圖案148被配置在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域143遠(yuǎn)離第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的區(qū)域即第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域144內(nèi)的重疊區(qū)域142，并且貫通第I布線層和第2布線層之間的層間絕緣膜，將第I虛設(shè)布線圖案140和第2虛設(shè)布線圖案141進(jìn)行連接。使用圖23 25、以及曾用于第I實(shí)施方式的說(shuō)明的圖，來(lái)說(shuō)明第2實(shí)施方式所涉及的布線輔助圖案的生成方法。以下，與第I實(shí)施方式同樣地參照?qǐng)D2來(lái)說(shuō)明各步驟。首先在步驟S201中，例如向組裝了分析工具的計(jì)算機(jī)輸入包含半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體集成電路)的布線布局信息的布局CAD數(shù)據(jù)，提取相應(yīng)的區(qū)域的布線圖案。具體而言，如圖4所示，提取第I布線IOla IOlf以及第2布線102a 102i。接下來(lái)，在步驟s202中，如圖23所示，在沒(méi)有形成由步驟s201提取的第I布線IOla IOlf的空隙部分中，從第I布線IOla IOlf空開(kāi)第I間隔值105的間隔，以矩陣狀、均等的間距生成矩形的第I虛設(shè)布線圖案140。同樣地，在沒(méi)有形成由步驟s201提取的第2布線102a 102i的空隙部分中，從第2布線102a 102i空開(kāi)第2間隔值107的間隔，以矩陣狀、均等的間距生成矩形的第2虛設(shè)布線圖案141。在本實(shí)施方式中，第I以及第2虛設(shè)布線圖案140、141的以均等的間距配置的原點(diǎn)分別不同。于是，如圖23所示，第I虛設(shè)布線圖案140和第2虛設(shè)布線圖案141局部具有重疊區(qū)域。在此，第I虛設(shè)布線圖案140以及第2虛設(shè)布線圖案141存在如下情況在沒(méi)有形成空開(kāi)了第I給定值105的間隔的第I布線IOla IOlf的空隙部分、以及沒(méi)有形成空開(kāi)了第2給定值107的間隔的第2布線102a 102i的空隙部分的各邊界部分，僅殘存不滿足以均等的間距配置的矩形的大小的區(qū)域。此時(shí)，優(yōu)選將矩形布線的一部分切掉進(jìn)行配置。進(jìn)而，存在通過(guò)上述切掉后剩下的虛設(shè)布線的形狀不滿足由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)等規(guī)定的最小尺寸、最小面積等的情況，此時(shí)優(yōu)選將通過(guò)上述切掉而剩下的矩形的虛設(shè)布線本身刪除。接下來(lái)，在步驟s203中，如圖24所示，提取由步驟s202輸出的第I虛設(shè)布線圖案140以及第2虛設(shè)布線圖案141的重疊區(qū)域142。重疊區(qū)域142是第I虛設(shè)布線圖案140和第2虛設(shè)布線圖案141都存在的區(qū)域，所以是能夠配置第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案147、148的區(qū)域。接下來(lái)，在步驟s204中，如圖24所示，在由步驟s201提取的第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的附近，提取可以配置虛設(shè)過(guò)孔的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域143。接下來(lái)，在步驟s205中，如圖25所示，提取由步驟s203輸出的重疊區(qū)域142、與由步驟s204輸出的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域143的重疊區(qū)域145。重疊區(qū)域145是更詳細(xì)地示出了第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的附近的能夠配置虛設(shè)過(guò)孔的區(qū)域的區(qū)域。而且，如圖23所示，對(duì)于重疊區(qū)域145，基于給定第I虛設(shè)過(guò)孔圖案生成規(guī)格，配置并輸出第I虛設(shè)過(guò)孔圖案147。在此，優(yōu)選將給定第I虛設(shè)過(guò)孔圖案生成(配置)規(guī)格設(shè)為在滿足按每種半導(dǎo)體 工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)，按照虛設(shè)過(guò)孔的密度變得最高的方式定義了虛設(shè)過(guò)孔的配置間距的生成(配置)規(guī)格。接下來(lái)，在步驟s206中，如圖24所示，提取比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域143遠(yuǎn)離第I以及第2布線IOla 101f、102a 102i的能夠配置虛設(shè)過(guò)孔的區(qū)域、即第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域144。接下來(lái)，在步驟s207中，如圖25所示，提取由步驟s203輸出的重疊區(qū)域142和由步驟s206輸出的第2虛設(shè)過(guò)孔能配置區(qū)域144的重疊區(qū)域146。重疊區(qū)域146是更詳細(xì)地示出了在比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域143遠(yuǎn)離第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102 的地方能夠配置虛設(shè)過(guò)孔的區(qū)域的區(qū)域。而且，如圖23所示，對(duì)于重疊區(qū)域146，基于給定第2虛設(shè)過(guò)孔圖案生成規(guī)格，配置并輸出第2虛設(shè)過(guò)孔圖案148。在此，優(yōu)選將給定第2虛設(shè)過(guò)孔圖案生成規(guī)格設(shè)為定義了為了達(dá)成由按每種半導(dǎo)體工藝的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的虛設(shè)過(guò)孔的密度的下限值所需的最低限度的虛設(shè)過(guò)孔的配置間距的虛設(shè)過(guò)孔的配置規(guī)格。
通過(guò)實(shí)施以上的步驟s201 s207，如圖23所示，第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的附近的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域143內(nèi)的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案147能夠以較高的密度進(jìn)行配置。此外，同時(shí)比第I虛設(shè)過(guò)孔圖案能配置區(qū)域143遠(yuǎn)離第I以及第2布線IOla IOlf、102a 102i的地方的區(qū)域、即第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域144內(nèi)的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案148能夠以較低的密度進(jìn)行配置。如上所述，利用本實(shí)施方式的方法所設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體裝置(半導(dǎo)體集成電路)能夠在第I以及第2布線的附近區(qū)域配置密度高的虛設(shè)過(guò)孔圖案，并且在比第I以及第2布線的附近區(qū)域遠(yuǎn)的區(qū)域配置密度低的虛設(shè)過(guò)孔圖案。據(jù)此，能夠沒(méi)有過(guò)剩地配置虛設(shè)過(guò)孔地達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。即，能夠在達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，抑制要存儲(chǔ)的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的龐大化。另外，在本實(shí)施方式中，生成在第I布線層的第I虛設(shè)布線圖案和生成在第2布線 層的第2虛設(shè)布線圖案的以均等的間距配置的原點(diǎn)分別不同，但是該進(jìn)行配置的原點(diǎn)也可以相同。此外，在上述各實(shí)施方式中，設(shè)在第I布線層的上層隔著層間絕緣膜形成了第2布線層而進(jìn)行了說(shuō)明，但是也可以調(diào)換第I布線層和第2布線層的上下關(guān)系。此外，在上述各實(shí)施方式中，對(duì)于第I布線圖案和第2布線圖案的雙方進(jìn)行了附近和附近以外的判斷，但是也可以使用任一方的布線圖案來(lái)判斷附近和附近以夕卜。但是，優(yōu)選使用第I布線圖案和第2布線圖案的雙方來(lái)進(jìn)行附近和附近以外的判斷。此外，虛設(shè)過(guò)孔圖案也可以不配置在第I以及第2虛設(shè)布線圖案的重疊區(qū)域，而僅與第I虛設(shè)布線圖案或者第2虛設(shè)布線圖案進(jìn)行連接。但是，優(yōu)選配置在第I以及第2虛設(shè)布線圖案的重疊區(qū)域。此外，第I以及第2虛設(shè)布線圖案的一部分或者全部也可以與不作為電路發(fā)揮電氣功能的布線、例如不通過(guò)使電路動(dòng)作的信號(hào)的布線即接地布線進(jìn)行連接。此外，在上述的各實(shí)施方式中，對(duì)于作為均等的間距、布線寬度、以及/或者布線間隔進(jìn)行了說(shuō)明的各布線以及各布線圖案，根據(jù)制造工藝的過(guò)程等也可以產(chǎn)生偏差。此外，本發(fā)明不限定于上述的各實(shí)施方式，在不脫離主旨的范圍內(nèi)，由本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以適當(dāng)進(jìn)行變更。此外，構(gòu)成第I虛設(shè)布線圖案140的第I虛設(shè)布線、和構(gòu)成第2虛設(shè)布線圖案141的第2虛設(shè)布線也可以采取如下構(gòu)成矩形的一個(gè)邊的長(zhǎng)度彼此、以及另一個(gè)邊的長(zhǎng)度彼此相等，并且行方向的間距彼此以及列方向的間距彼此相等。此外，在第I實(shí)施方式或者第2實(shí)施方式中，優(yōu)選第I虛設(shè)布線和第2虛設(shè)布線的重疊區(qū)域的中心與虛設(shè)過(guò)孔的中心一致。此外，在圖I所示的第I實(shí)施方式中，具備由在列方向上延伸并且以均等的第I間距并列配置的多根第I虛設(shè)布線構(gòu)成的第I虛設(shè)布線圖案104、和由在行方向上延伸并且以均等的第2間距并列配置的多根第2虛設(shè)布線構(gòu)成的第2虛設(shè)布線圖案104。此外，第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案也可以是在第I虛設(shè)布線圖案和第2虛設(shè)布線圖案重疊的重疊區(qū)域中，以第I間距以及第2間距的N倍(N是正整數(shù))的間距分別在行列方向上配置的第I虛設(shè)過(guò)孔的構(gòu)成。進(jìn)而優(yōu)選N為偶數(shù)，第I以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案121、124為除了包括第I虛設(shè)過(guò)孔之外，還包括配置在位于多根第I假想線和多根第2假想線的交點(diǎn)的重疊區(qū)域的第2虛設(shè)過(guò)孔的結(jié)構(gòu)，其中，多根第I假想線通過(guò)在行方向上相鄰的2個(gè)第I虛設(shè)過(guò)孔的中點(diǎn)，并且分別沿列方向延伸，多根第2假想線通過(guò)在列方向上相鄰的2個(gè)第I虛設(shè)過(guò)孔的中點(diǎn)，并且分別沿行方向延伸。另外，對(duì)于圖22所示的實(shí)施方式以及圖23所示的實(shí)施方式，也可以采取同樣的構(gòu)成。-工業(yè)可用性-本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置能夠比較有效地降低過(guò)孔不良、接觸不良等的制造上的不良，并且能夠抑制在半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)工序中布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸龐大化，所以例如對(duì)于以LSI為首的半導(dǎo)體集成電路等是有用的。-符號(hào)說(shuō)明-IOla IOlf 第 I 布線 102a 102i 第 2 布線103a 103i 過(guò)孔104、131、140第I虛設(shè)布線圖案106、132、141第2虛設(shè)布線圖案108、133、142 重疊區(qū)域121、134、147第I虛設(shè)過(guò)孔圖案124、135、148第2虛設(shè)過(guò)孔圖案125、143第I虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域126、144第2虛設(shè)過(guò)孔圖案配置區(qū)域
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，具有基板、和形成在所述基板上的第I布線層以及第2布線層，其中，所述半導(dǎo)體裝置具備第I布線，其形成在所述第I布線層；層間絕緣膜，其形成在所述第I布線層和所述第2布線層之間；第2布線，其形成在所述第2布線層；過(guò)孔，其貫通所述層間絕緣膜，并且將所述第I布線和所述第2布線進(jìn)行連接；第I虛設(shè)布線，其形成在所述第I布線層；第2虛設(shè)布線，其形成在所述第2布線層；以及虛設(shè)過(guò)孔，其貫通所述層間絕緣膜，并且將所述第I虛設(shè)布線和所述第2虛設(shè)布線進(jìn)行連接；由多個(gè)所述虛設(shè)過(guò)孔構(gòu)成并且配置在所述第I布線以及第2布線的附近的第I虛設(shè)過(guò)孔圖案的密度高于由多個(gè)所述虛設(shè)過(guò)孔構(gòu)成并且配置在比所述第I虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離所述第I布線以及第2布線的地方的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案的密度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述第I虛設(shè)過(guò)孔圖案的各虛設(shè)過(guò)孔間的距離小于構(gòu)成所述第2虛設(shè)過(guò)孔圖案的各虛設(shè)過(guò)孔間的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第I虛設(shè)布線的延伸方向和所述第2虛設(shè)布線的延伸方向正交。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第I虛設(shè)布線的延伸方向與所述第I布線層中的優(yōu)先布線方向相同，所述第2虛設(shè)布線的延伸方向與所述第2布線層中的優(yōu)先布線方向相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第I虛設(shè)布線的延伸方向與所述第I布線層中的優(yōu)先布線方向正交，所述第2虛設(shè)布線的延伸方向與所述第2布線層中的優(yōu)先布線方向正交。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置具備由以均等的間距并列配置的多根所述第I虛設(shè)布線構(gòu)成的第I虛設(shè)布線圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成所述第I虛設(shè)布線圖案的各第I虛設(shè)布線的布線寬度均等。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第I布線被設(shè)置了多根，構(gòu)成所述第I虛設(shè)布線圖案的各第I虛設(shè)布線的布線寬度與所述第I布線的布線寬度中的最小布線寬度相等，并且布線間隔與所述第I布線彼此的布線間隔中的最小間隔相坐寸ο
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置具備由以均等的間距并列配置的多根所述第I布線構(gòu)成的第I布線圖案，所述第I虛設(shè)布線圖案的間距是所述第I布線圖案的間距的整數(shù)倍。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置具備由以均等的間距并列配置的多根所述第2虛設(shè)布線構(gòu)成的第2虛設(shè)布線圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 構(gòu)成所述第2虛設(shè)布線圖案的各第2虛設(shè)布線的布線寬度均等。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第2布線被設(shè)置了多根， 構(gòu)成所述第2虛設(shè)布線圖案的各第2虛設(shè)布線的布線寬度與所述第2布線的布線寬度中的最小布線寬度相等，并且布線間隔與所述第2布線彼此的布線間隔中的最小間隔相坐寸ο
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體裝置具備由以均等的間距并列配置的多根所述第2布線構(gòu)成的第2布線圖案， 所述第2虛設(shè)布線圖案的間距是所述第2布線圖案的間距的整數(shù)倍。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第I虛設(shè)布線以及第2虛設(shè)布線的形狀是矩形，并且以均等的間距被配置為矩陣狀。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第I虛設(shè)布線和第2虛設(shè)布線構(gòu)成為所述矩形的一條邊的長(zhǎng)度彼此以及另一條邊的長(zhǎng)度彼此相等，并且行方向的間距彼此以及列方向的間距彼此相等。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第I虛設(shè)布線和所述第2虛設(shè)布線的重疊區(qū)域的中心與所述虛設(shè)過(guò)孔的中心一致。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體裝置具備由沿列方向延伸、并且以均等的第I間距并列配置的多根所述第I虛設(shè)布線構(gòu)成的第I虛設(shè)布線圖案；和 由沿行方向延伸、并且以均等的第2間距并列配置的多根所述第2虛設(shè)布線構(gòu)成的第2虛設(shè)布線圖案； 所述第I虛設(shè)過(guò)孔圖案以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案在所述第I虛設(shè)布線圖案和所述第2虛設(shè)布線圖案重疊的重疊區(qū)域包括以所述第I間距以及所述第2間距的N倍的間距分別在行方向及列方向上配置的第I虛設(shè)過(guò)孔，其中，N是正整數(shù)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述N是偶數(shù)， 所述第I虛設(shè)過(guò)孔圖案以及第2虛設(shè)過(guò)孔圖案除了包括所述第I虛設(shè)過(guò)孔之外，還包括配置在位于多根第I假想線和多根第2假想線的交點(diǎn)的所述重疊區(qū)域的第2虛設(shè)過(guò)孔，所述多根第I假想線通過(guò)在行方向上相鄰的兩個(gè)所述第I虛設(shè)過(guò)孔的中點(diǎn)，并且分別沿列方向延伸，所述多根第2假想線通過(guò)在列方向上相鄰的兩個(gè)所述第I虛設(shè)過(guò)孔的中點(diǎn)，并且分別沿行方向延伸。
全文摘要
在半導(dǎo)體裝置上的第1以及第2布線的附近配置密度高的第1虛設(shè)過(guò)孔圖案，并且在比第1虛設(shè)過(guò)孔圖案遠(yuǎn)離第1以及第2布線的地方配置密度低的第2虛設(shè)過(guò)孔圖案。據(jù)此，能夠與有無(wú)連接第1布線和第2布線的過(guò)孔無(wú)關(guān)地，在達(dá)成按每種半導(dǎo)體工藝制定的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的同時(shí)，抑制由虛設(shè)過(guò)孔引起的布局CAD數(shù)據(jù)的文件尺寸的龐大化。
文檔編號(hào)H01L27/04GK102918644SQ20128000152
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月20日
發(fā)明者柴田英則, 島田純一, 深澤浩公 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社