基座及使用此基座的外延晶片的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種基座，其在進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)時(shí)支撐半導(dǎo)體基板，其特征在于，在基座的上表面上，形成有內(nèi)部配置半導(dǎo)體基板的凹坑，該凹坑呈雙層結(jié)構(gòu)，具有支撐半導(dǎo)體基板的外周緣部的上層凹坑部、與在該上層凹坑部的下層且形成于中心側(cè)的下層凹坑部，在下層凹坑部中，形成有貫穿至前述基座的背面且在進(jìn)行氣相生長(zhǎng)時(shí)為敞開(kāi)狀態(tài)的貫穿孔，在基座的背面?zhèn)?，與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有溝槽。由此，提供一種基座及使用此基座的外延晶片的制造方法，所述基座可以降低半導(dǎo)體基板外周部上且基座的背面?zhèn)鹊呐c上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處的溫度，使基板背面的外周部與內(nèi)周部的熱條件固定，而抑制基板背面的背面沉積的產(chǎn)生。
【專利說(shuō)明】基座及使用此基座的外延晶片的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基座(susceptor)及外延晶片的制造方法，具體來(lái)說(shuō)，涉及一種在外延氣相生長(zhǎng)時(shí)，可以減少晶片(wafer)背面外周所產(chǎn)生的析出物(沉積物(deposition))的基座及使用該基座的外延晶片的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體基板即硅晶片的外延生長(zhǎng)中，常常使用設(shè)置有貫穿至基座背面且敞開(kāi)的貫穿孔的基座，目的在于提高外周電阻率分布和改善背面外觀等(專利文獻(xiàn)I)。利用設(shè)置于基座上的貫穿孔，各種品質(zhì)得以被改善，但與此同時(shí)，在晶片的背面外周部將產(chǎn)生局部的沉積物(以下稱為“背面沉積”)。
[0003]通常，原料氣體是在晶片表面?zhèn)攘鲃?dòng)，但在外延制造裝置的結(jié)構(gòu)上，原料氣體有時(shí)也會(huì)繞到基座的背面。繞到基座的背面的原料氣體，通過(guò)基座的貫穿孔再繞到晶片背面，并在晶片背面反應(yīng)，而產(chǎn)生背面沉積。
[0004]此時(shí)，晶片的背面沉積是在基座與晶片的接觸部附近即晶片背面的外周部分(如果是直徑300mm的晶片，則是距離晶片的中心的半徑為147?149mm左右的部分)上局部地產(chǎn)生，它的高度根據(jù)反應(yīng)時(shí)間而變化，但將達(dá)到幾百納米。
[0005]當(dāng)依照背面標(biāo)準(zhǔn)來(lái)測(cè)定產(chǎn)生了背面沉積的外延晶片的平坦度時(shí)，它的厚度形狀為在外周部分上急劇增大的形狀，而成為平坦度惡化的主要原因。在元件細(xì)微化、連晶片外周部分都要求高平坦度的現(xiàn)今，背面沉積對(duì)于制造尖端產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，成為較大的障礙。
[0006]以往，由于背面沉積集中產(chǎn)生在晶片與基座接觸或非常貼近以致重合的部分即基座的載置余量的部分上，且背面沉積高度根據(jù)基座側(cè)的加熱量而變動(dòng)，因此，主要使用以下方法等對(duì)策來(lái)應(yīng)對(duì):盡可能減小前述基座的載置余量；或相反地?cái)U(kuò)大基座的載置余量，并使背面沉積連續(xù)產(chǎn)生；或減少基座下側(cè)由燈管所實(shí)施的燈管加熱。
[0007]然而，上述對(duì)策方法，對(duì)背面沉積雖然有效，但也存在以下弊病:容易產(chǎn)生滑移位錯(cuò)(slip dislocation),并損害表面的納米拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(nano topology)和外周電阻率分布。
[0008]并且，以往是使用以下基座:當(dāng)以化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,CVD)冷壁法并利用感應(yīng)加熱型基座來(lái)加熱基板時(shí)，通過(guò)在基座中心附近形成溝槽，使高頻磁場(chǎng)由該溝槽侵入至基座內(nèi)，而使基座中心附近成為高溫區(qū)域，由此可以使基座與晶片的接觸面的溫度分布均勻(專利文獻(xiàn)2);或，可以通過(guò)在基座背面形成多個(gè)凹凸，而增大加熱器的熱量的吸收面積(專利文獻(xiàn)3)。
[0009]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)
[0011 ] 專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2003-229370
[0012]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平10-12364
[0013]專利文獻(xiàn)3:日本實(shí)開(kāi)平6-23240
【發(fā)明內(nèi)容】

[0014][發(fā)明所要解決的課題]
[0015]在基座上,所述基座具有以雙層結(jié)構(gòu)的形式而形成的凹坑(counter sink),且所述雙層結(jié)構(gòu)是支撐半導(dǎo)體基板的外周緣部的部分(以下稱為上層凹坑部)、與在該上層凹坑部的下層且形成于基座中心側(cè)且具有前述貫穿孔的部分(以下稱為下層凹坑部)，由于在基板外周部的尤其是上層凹坑部處，基板與基座接觸，且除了接觸部以外，基板也與基座貼近，因此，一般認(rèn)為溫度高于不容易產(chǎn)生背面沉積的內(nèi)周部。
[0016]因此，本發(fā)明鑒于上述狀況，推測(cè)背面沉積和基板與基座之間的溫度環(huán)境有密切的關(guān)系，本發(fā)明的目的在于提供一種基座及使用此基座進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)的外延晶片的制造方法，所述基座可以降低基板外周部上且基座的背面?zhèn)鹊呐c上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處的溫度，使基板背面的外周部與內(nèi)周部的熱條件固定，而抑制基板背面的背面沉積的產(chǎn)生。
[0017][解決課題的方法]
[0018]S卩，在本發(fā)明中提供一種基座，其在進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)時(shí)支撐半導(dǎo)體基板，其特征在于，在該基座的上表面上，形成有內(nèi)部配置前述半導(dǎo)體基板的凹坑，該凹坑呈雙層結(jié)構(gòu)，具有支撐前述半導(dǎo)體基板的外周緣部的上層凹坑部、與在該上層凹坑部的下層且形成于中心側(cè)的下層凹坑部，在前述下層凹坑部中，形成有貫穿至前述基座的背面且在進(jìn)行前述氣相生長(zhǎng)時(shí)為敞開(kāi)狀態(tài)的貫穿孔，在前述基座的背面?zhèn)?，與前述上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有溝槽。
[0019]如果是這種形成有溝槽的基座，由于基座背面的表面積將增大，且增大的量為該形成的溝槽的側(cè)面積，因此，基座背面的散熱增加。并且，由于形成前述溝槽將導(dǎo)致產(chǎn)生臺(tái)階(段差)，而產(chǎn)生相對(duì)于燈管等加熱手段的加熱光成為背光處的部分，因此，基板外周部的溫度降低，可以使基板外周部與內(nèi)周部的熱條件固定。由此，可以抑制背面沉積的產(chǎn)生，提高基板表面的納米拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和外周電阻率分布，使品質(zhì)較高。
[0020]并且此時(shí)，優(yōu)選為，前述溝槽是由多個(gè)溝槽以放射狀排列而成。
[0021]如果是這樣排列而成的溝槽，就可以更有效且均勻地降低基板外周部的溫度，并更確實(shí)地使基板外周部與內(nèi)周部的熱條件固定。
[0022]并且此時(shí)，優(yōu)選為，前述放射狀的多個(gè)溝槽分別為，在載置于前述基座上的基板的半徑方向上的長(zhǎng)度為該基板半徑的1/4以下，寬度為5mm以下，深度為與前述上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處的基座的厚度的75%以下。
[0023]如果是這樣形成的溝槽，就可以獲得本發(fā)明的充分的效果，并且也可以維持基座的強(qiáng)度。
[0024]并且，本發(fā)明提供一種外延晶片的制造方法，其是制造外延晶片的方法，其特征在于，使用本發(fā)明的基座，在該基座的凹坑上載置基板，并一邊流入原料氣體一邊在前述基板上進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)。
[0025]通過(guò)像這樣進(jìn)行氣相生長(zhǎng)，可以降低基板外周部的溫度，并使基板背面的外周部與內(nèi)周部的熱條件固定，且通過(guò)抑制背面沉積的產(chǎn)生，可以在不損害基板表面的納米拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和外周電阻率分布的前提下，制造一種高品質(zhì)的外延晶片。
[0026][發(fā)明的效果][0027]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，提供一種基座，所述基座當(dāng)在半導(dǎo)體基板的表面上使外延層氣相生長(zhǎng)時(shí)，可以使基板外周部與內(nèi)周部的熱條件固定，由此可以抑制背面沉積的產(chǎn)生，使基板表面的納米拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和外周電阻率分布為高品質(zhì)。并且，通過(guò)使用這種基座在基板表面上進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)，可以制造一種背面沉積的產(chǎn)生得以被抑制的高品質(zhì)的外延
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【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是表示本發(fā)明中所使用的外延生長(zhǎng)裝置的示意剖面圖的一個(gè)實(shí)例的圖。
[0029]圖2是表不本發(fā)明的基座的不意仰視圖和上層凹坑部四周的不意首I]面圖的一個(gè)實(shí)例的圖。
[0030]圖3是表示基座背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處的表面積比(以無(wú)溝槽為I)與制造而成的外延晶片的外周部上的外延層的厚度的高程差(difference of elevation)的相關(guān)性的圖。
[0031]圖4是表示基座背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處的表面積比(以無(wú)溝槽為I)與半導(dǎo)體基板上的外延層氣相生長(zhǎng)后的最大背面沉積高度的相關(guān)性的圖。
[0032]圖5是表示在實(shí)施例和比較例中使用晶片測(cè)試儀(WaferSight)測(cè)定的結(jié)果的圖。
[0033]圖6是表示在實(shí)施例和比較例中使用超高精度3D測(cè)定儀(Ultra highAccurate3D Profilometer, UA3P)測(cè)定的結(jié)果的圖。
[0034]圖7是表示示出了本發(fā)明的外延晶片的制造方法的處理流程的流程圖的圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0035]以下，以使用硅晶片作為半導(dǎo)體基板的情況為例，一邊參照附圖一邊對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式，也可以使用碳化硅晶片、GaP晶片或GaAs晶片等化合物半導(dǎo)體晶片等。
[0036]將使用本發(fā)明的基座的外延生長(zhǎng)裝置的一個(gè)實(shí)例的示意圖示于圖1。
[0037]外延生長(zhǎng)裝置51由以下部分構(gòu)成；腔室(chamber) 52、配置于腔室52內(nèi)部的基座71、從下方支撐基座的自由旋轉(zhuǎn)并上下移動(dòng)的基座支撐手段53、用于將晶片搬入至腔室52內(nèi)或相反地向外搬出的晶片搬送口 54、向腔室52內(nèi)供給各種氣體的氣體導(dǎo)入管55、與氣體導(dǎo)入管55連接并向腔室52內(nèi)供給氫氣的未圖示的氫氣供給手段和供給硅烷等原料氣體的未圖示的原料氣體供給手段、將各種氣體從腔室52內(nèi)排出的氣體排出管57、備置于腔室52外部的加熱手段58、及將硅晶片轉(zhuǎn)移至腔室52內(nèi)并從腔室52內(nèi)轉(zhuǎn)移硅晶片的未圖示的晶片轉(zhuǎn)移手段等。
[0038]而且，在基座71上，還可以形成有頂料銷(lift pin)用貫穿孔73。頂料銷用貫穿孔73中插通頂料銷75。
[0039]并且，也可以在腔室52的內(nèi)部設(shè)置頂料銷升降手段，所述頂料銷升降手段可以使頂料銷75相對(duì)于基座11相對(duì)地上下移動(dòng)。
[0040]并且，將本發(fā)明即基座71的擴(kuò)大示意圖示于圖2。在基座71上，形成有將載置的硅晶片加以定位的凹坑72，該凹坑72呈雙層結(jié)構(gòu)，具有支撐晶片W的外周緣部的上層凹坑部72a與在該上層凹坑部的下層且形成于中心側(cè)的下層凹坑部72b。并且，在下層凹坑部72b的大致整個(gè)表面上，形成有多個(gè)貫穿孔74。
[0041]并且，在基座71背面的與上層凹坑部72a相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有溝槽76。
[0042]通過(guò)設(shè)置上述溝槽76，由圖2(b)的符號(hào)S所表示的基座71的背面與前述上層凹坑部72a相對(duì)應(yīng)的位置處的表面積增大，而使晶片W背面的散熱增加。并且，由于還將產(chǎn)生相對(duì)于來(lái)自燈管等加熱手段58的加熱光成為背光處的部分，因此，晶片W外周部的溫度下降，可以使晶片W外周部與內(nèi)周部的熱條件固定。由此，可以抑制背面沉積的產(chǎn)生，并抑制晶片W主表面的納米拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和外周電阻率分布的劣化。
[0043]通過(guò)如圖2(a)所示地在徑向上放射狀地設(shè)置多個(gè)這種溝槽76，可以更均勻且有效地增大與晶片W背面外周部相對(duì)應(yīng)的基座71背面的表面積，因此優(yōu)選。并且，如果使放射狀地設(shè)置的多個(gè)溝槽76的尺寸分別為，晶片W的半徑方向上的長(zhǎng)度為該晶片半徑的1/4以下，寬度為5mm以下，深度為與上層凹坑部72a相對(duì)應(yīng)的位置處的基座71的厚度的75%以下，則更為有效。
[0044]而且，作為溝槽76的形狀，并非限定于如圖2(a)所示的方柱狀，也可以是例如圓柱狀或半球狀。并且，例如也可以設(shè)置一個(gè)環(huán)狀的較大的溝槽，且所述溝槽包含基座71的與前述上層凹坑部72a相對(duì)應(yīng)的位置處的所有范圍，但如前所述地設(shè)置多個(gè)溝槽更為有效，在基座的強(qiáng)度上也不容易產(chǎn)生問(wèn)題。
[0045]使用具備這種基座71的外延生長(zhǎng)裝置51,如下所述地,在娃晶片表面上使外延層氣相生長(zhǎng)。
[0046]將應(yīng)用本發(fā)明的外延晶片的制造方法的次序的流程圖示于圖7。
[0047]首先，在工序(a)中，準(zhǔn)備使外延層生長(zhǎng)的半導(dǎo)體基板(硅晶片)。
[0048]接著,在工序(b)中,對(duì)娃晶片適當(dāng)進(jìn)行RCA清洗等清洗。
[0049]此清洗工序中的清洗法，除了典型的RCA清洗以外，還可以將藥液的濃度和種類等在通常進(jìn)行的范圍內(nèi)變更后再使用。
[0050]接著，在工序(C)中，使用未圖示的晶片轉(zhuǎn)移手段將硅晶片W轉(zhuǎn)移至腔室52內(nèi)，并載置于本發(fā)明的基座71的凹坑部72上。將硅晶片載置于基座71上的方法，除了使用頂料銷75的方法以外，可以應(yīng)用通常所使用的載置方法。
[0051]接著，在工序(d)中，在腔室52內(nèi)，由氫氣供給手段通過(guò)氣體導(dǎo)入管55,向腔室52內(nèi)導(dǎo)入氫氣，并利用加熱手段58加熱以進(jìn)行氫處理，去除硅晶片表面上產(chǎn)生的自然氧化膜。
[0052]接著，在工序(e)中，在硅晶片的表面上，進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)。此外延層的氣相生長(zhǎng)是通過(guò)以下方法進(jìn)行:將單硅烷或三氯硅烷、四氯化硅等原料氣體與作為載氣的氫氣導(dǎo)入至腔室52內(nèi)并加熱。
[0053]這樣一來(lái)，可以制造一種在硅晶片的表面上形成有外延層的外延晶片。
[0054]此時(shí)，在本發(fā)明中，由于使用在背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處具有溝槽的基座，因此，可以抑制晶片外周部的背面沉積，制造一種高品質(zhì)的外延晶片。
[0055][實(shí)施例]
[0056]以下，示出實(shí)驗(yàn)例、實(shí)施例及比較例，更具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。
[0057]在此，針對(duì)在以下的實(shí)驗(yàn)例、實(shí)施例及比較例中，作為評(píng)價(jià)外延晶片的膜厚和硅晶片的背面沉積的裝置而使用的晶片測(cè)試儀(WaferSight)(科嘉(KLA-Tencor Corporation)制造)和UA3P (松下電器(股)(Panasonic Corporation)制造)，加以說(shuō)明。
[0058]晶片測(cè)試儀(WaferSight)是指測(cè)定器，原理是向晶片上入射光，根據(jù)由晶片的反射光與標(biāo)準(zhǔn)面的反射光的光學(xué)干擾所產(chǎn)生的干擾條紋的數(shù)量與寬度，來(lái)測(cè)量晶片表面的位移量。在實(shí)際測(cè)定中，在晶片兩面進(jìn)行前述測(cè)量，并根據(jù)預(yù)先測(cè)定的某一特定點(diǎn)的厚度，來(lái)計(jì)算整體的厚度變化。
[0059]并且，UA3P是根據(jù)觸針式表面位移量來(lái)進(jìn)行測(cè)定的測(cè)定機(jī)。原理是以微弱的固定負(fù)載將探針抵壓于對(duì)象上，并根據(jù)對(duì)象的凹凸，利用激光來(lái)測(cè)量動(dòng)針的位移量。
[0060](實(shí)驗(yàn)例)
[0061]首先，準(zhǔn)備以下基座:基座背面未作任何設(shè)置的基座；通過(guò)在基座背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置多個(gè)溝槽，而使背面外周部的表面積相對(duì)于未作任何設(shè)置的基座增大至3倍的基座；及，同樣地使背面外周部的表面積增大至5倍的基座。
[0062]使用具備這些基座的外延晶片制造裝置，在基座的凹坑上載置硅晶片作為半導(dǎo)體基板，利用燈管加熱，并一邊流入原料氣體，一邊在直徑300mm的硅晶片表面上進(jìn)行厚度5 μ m的外延層的氣相生長(zhǎng)。
[0063]此時(shí)，使前述溝槽成為在晶片半徑方向上的長(zhǎng)度為10mm、寬度為2mm、深度為2mm的長(zhǎng)方體狀，且放射狀地設(shè)置。并且，使反應(yīng)壓力為常壓，反應(yīng)溫度為110(TC，生長(zhǎng)速度為
2.5 μ m/min。
[0064]此時(shí)，在距離與本發(fā)明的設(shè)置有溝槽的基座的背面部分相對(duì)應(yīng)的位置處的硅晶片的中心的半徑為147mm和149mm的2點(diǎn)上，利用晶片測(cè)試儀(Wafer Sight)，測(cè)定由具備前述基座的各外延晶片制造裝置制造而成的外延晶片的外延層形成前后的晶片厚度變化量，并求出前述2點(diǎn)之間的值(外延層形成前后的晶片厚度變化量)的差。此時(shí)的結(jié)果示于圖3。
[0065]并且，使用UA3P測(cè)定上述范圍中的硅晶片背面的沉積高度。此時(shí)的結(jié)果示于圖4。
[0066]由圖3和圖4得知,基座背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處的表面積與此時(shí)所產(chǎn)生的背面沉積的高度有相關(guān)性。一般認(rèn)為原因在于:基座背面的表面積增大而使散熱量增加，并且通過(guò)設(shè)置有溝槽，而產(chǎn)生相對(duì)于燈管的加熱光的背光處(陰影)。
[0067](實(shí)施例)
[0068]使用具備基座的外延晶片制造裝置，且所述基座背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有溝槽，在基座的凹坑上載置硅晶片作為半導(dǎo)體基板，并一邊流入原料氣體，一邊在直徑300mm的娃晶片表面上進(jìn)行厚度5 μ m的外延層的氣相生長(zhǎng)。
[0069]此時(shí)，使前述溝槽成為在晶片半徑方向上的長(zhǎng)度為10mm、寬度為2mm、深度為2m的長(zhǎng)方體狀，且放射狀地設(shè)置于240處。并且，使反應(yīng)壓力為常壓，反應(yīng)溫度為1100°C，生長(zhǎng)速度為 2.5 μ m/min。
[0070]此時(shí)，在距離硅晶片的中心的半徑為147mm?149mm左右的范圍，即與本發(fā)明的設(shè)置有溝槽的基座的背面部分相對(duì)應(yīng)的范圍內(nèi)，利用晶片測(cè)試儀(WaferSight)，測(cè)定由具備前述基座的各外延晶片制造裝置制造而成的外延晶片的外延層形成前后的晶片厚度變化量，并求出從各測(cè)定點(diǎn)的值中減去平均變化量的值。此時(shí)的結(jié)果示于圖5。
[0071]并且，使用UA3P測(cè)定上述范圍中的硅晶片背面的沉積高度。此時(shí)的結(jié)果示于圖6。
[0072](比較例)[0073]除了在基座背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處未設(shè)置溝槽以外，與實(shí)施例同樣地，在直徑300mm的硅晶片表面上，進(jìn)行厚度5 μ m的外延層的氣相生長(zhǎng)。
[0074]此時(shí)，在距離硅晶片的中心的半徑為147mm?149mm左右的范圍內(nèi)，利用晶片測(cè)試儀(WaferSight),測(cè)定由具備前述基座的各外延晶片制造裝置制造而成的外延晶片的外延層形成前后的晶片厚度變化量，并求出從各測(cè)定點(diǎn)的值中減去平均變化量的值。此時(shí)的結(jié)果示于圖5。
[0075]并且，使用UA3P測(cè)定上述范圍中的硅晶片背面的沉積高度。此時(shí)的結(jié)果示于圖6。
[0076]由實(shí)施例和比較例得知，在基座背面的與上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置溝槽，而使基座背面的表面積增大，并且產(chǎn)生相對(duì)于燈管的加熱光的背光處，由此，可以降低晶片外周部的溫度，并使晶片外周部與內(nèi)周部的熱條件固定。并且，由此可以有效地抑制背面沉積的產(chǎn)生，在不損害晶片表面的納米拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和外周電阻率分布的前提下，制造一種高品質(zhì)的外延晶片。
[0077]另外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。上述實(shí)施方式為例示，具有與本發(fā)明的權(quán)利要求書所述的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)相同的結(jié)構(gòu)、并發(fā)揮相同作用效果的技術(shù)方案，均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基座，其在進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)時(shí)支撐半導(dǎo)體基板，其特征在于，在該基座的上表面上，形成有內(nèi)部配置前述半導(dǎo)體基板的凹坑，該凹坑呈雙層結(jié)構(gòu)，具有支撐前述半導(dǎo)體基板的外周緣部的上層凹坑部、與在該上層凹坑部的下層且形成于中心側(cè)的下層凹坑部，在前述下層凹坑部中，形成有貫穿至前述基座的背面且在進(jìn)行前述氣相生長(zhǎng)時(shí)為敞開(kāi)狀態(tài)的貫穿孔，在前述基座的背面?zhèn)?，與前述上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處設(shè)置有溝槽。
2.如權(quán)利要求1所述的基座，其中，前述溝槽是由多個(gè)溝槽以放射狀排列而成。
3.如權(quán)利要求2所述的基座，其中，前述放射狀的多個(gè)溝槽分別為，在載置于前述基座上的基板的半徑方向上的長(zhǎng)度為該基板半徑的1/4以下，寬度為5mm以下，深度為與前述上層凹坑部相對(duì)應(yīng)的位置處的基座的厚度的75%以下。
4.一種外延晶片的制造方法，其是制造外延晶片的方法，其特征在于，使用前述權(quán)利要求I至3中的任一項(xiàng)所述的基座，在該基座的凹坑上載置半導(dǎo)體基板，并一邊流入原料氣體一邊在前述基板上進(jìn)行外延層的氣相生長(zhǎng)。
【文檔編號(hào)】H01L21/683GK103443904SQ201280011707
【公開(kāi)日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月4日
【發(fā)明者】大西理 申請(qǐng)人:信越半導(dǎo)體股份有限公司