導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、觸控面板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及包括所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的觸控面板及其制造方法，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括：a)基體；b)在所述基體的至少一面上設(shè)置的導(dǎo)電圖形；和c)設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的上表面和下表面上、設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的側(cè)面的至少部分上以及設(shè)置在對應(yīng)于導(dǎo)電圖形的區(qū)域中的暗化層。
【專利說明】導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、觸控面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請基于2011年3月28日向韓國專利局提交的韓國專利申請第10-2011-0027791號，并要求享有其優(yōu)先權(quán)，其公開的全部內(nèi)容在此通過引用的方式并入本文。
[0002]本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、一種觸控面板及其制造方法。本發(fā)明涉及一種包括導(dǎo)電圖形的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、一種觸控面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]通常，觸控面板可以根據(jù)信號檢測方法分類如下。就是說，觸控面板分為:通過在施加DC電壓的情況下改變電流值或電壓值檢測經(jīng)壓力壓按的位置的電阻式(resistivetype);在施加AC電壓的情況下使用電容稱合的電容式(capacitive type);以及在施加磁場的情況下隨著電壓的變化檢測所選位置的電磁式(electromagnetic type)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]技術(shù)問題
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，提高上述不同類型的觸控面板的性能的技術(shù)發(fā)展是必需的。在此情況下，為達到目的，在相關(guān)技術(shù)中使用不同于ITO的金屬細絲的情況下，問題在于由于金屬的高反射導(dǎo)致圖形被發(fā)現(xiàn)。
[0006]技術(shù)方案
[0007]本發(fā)明的一個不例性的實施方式提供了一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括:
[0008]a)基體；
[0009]b)在所述基體的至少一面上設(shè)置的導(dǎo)電圖形；和
[0010]c)設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的上表面和下表面上、設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的側(cè)面的至少部分上以及設(shè)置在對應(yīng)于導(dǎo)電圖形的區(qū)域中的暗化層。
[0011]此外，本發(fā)明的另一個示例性的實施方式提供了一種包括所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的觸控面板。
[0012]此外，本發(fā)明的又一個示例性的實施方式提供了一種包括所述觸控面板和顯示組件的顯示器。
[0013]本發(fā)明的再一個示例性的實施方式提供了一種觸控面板的制造方法，其包括:
[0014]在基體上形成導(dǎo)電圖形；在形成所述導(dǎo)電圖形之前和之后形成暗化層；和誘導(dǎo)暗化層的電化腐蝕。
[0015]本發(fā)明的還一個示例性的實施方式提供了一種觸控面板的制造方法，其包括:
[0016]形成導(dǎo)電層以在基體上形成導(dǎo)電圖形；在形成所述導(dǎo)電層之前和之后沉積暗化層；分別或同時使所述導(dǎo)電層和所述暗化層圖形化；和誘導(dǎo)圖形化的暗化層的電化腐蝕。
[0017]有益效果
[0018]根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施方式，在包括設(shè)置在可用屏幕部分上的導(dǎo)電圖形的觸控面板中，在導(dǎo)電圖形的可見面上引入暗化層，從而可以在不影響導(dǎo)電圖形的導(dǎo)電性的情況下，防止因?qū)щ妶D形引起的反射，并且，在可見面的側(cè)面額外引入暗化層，從而可以提高黑化程度以改善導(dǎo)電圖形的隱蔽性。另外，如上所述，通過引入暗化層，可以進一步改善觸控面板的對比度特性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是顯示如本發(fā)明的一個示例性的實施方式的通過使用電化腐蝕效應(yīng)將暗化層引入導(dǎo)電圖形的側(cè)面的圖。
[0020]圖2是如本發(fā)明的一個示例性的實施方式的根據(jù)實施例1的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電子顯微鏡照片。
[0021]圖3是如本發(fā)明的一個示例性的實施方式的根據(jù)實施例2的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電子顯微鏡照片。
[0022]圖4是如本發(fā)明的一個示例性的實施方式的根據(jù)實施例3的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電子顯微鏡照片。
[0023]圖5是如本發(fā)明的一個示例性的實施方式的根據(jù)實施例4的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電子顯微鏡照片。
[0024]圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性的實施方式的測量反射率的裝置的構(gòu)造和配置的圖。
[0025]圖7是顯示如本發(fā)明的示例性的實施方式的實施例5和6與比較例I和2的全反射率的結(jié)果的圖。
【具體實施方式】
[0026]在下文中，將對本發(fā)明進行詳細的說明。
[0027]通常，觸控面板使用基于ITO的導(dǎo)電層，但是當(dāng)將ITO應(yīng)用于大尺寸的觸控面板時，問題在于:因其本身的RC延遲而導(dǎo)致其識別速度低。為了解決該問題，人們已經(jīng)嘗試引入額外的補償芯片，但是存在著成本增加的問題。為了解決此問題，許多制造商正在開發(fā)使用金屬圖形替代ITO導(dǎo)電層的技術(shù)。然而，該技術(shù)的缺點在于:當(dāng)使用普通的單一金屬時，由于金屬自身的高反射率，從被觀察到的清晰程度來說，該圖形會被人眼明顯觀察到，而且由于對外界光的高反射率和霧度值等會產(chǎn)生眩光。
[0028]因此，本發(fā)明人進行了能夠改善在包括設(shè)置在可用屏幕部分上的導(dǎo)電圖形的觸控面板中的導(dǎo)電圖形的可見度以及對外界光的反射特性的研究，這不同于相關(guān)技術(shù)中的使用基于ITO的導(dǎo)電層的觸控面板。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一個示例性的實施方式的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括:a)基體；b)在所述基體的至少一面上設(shè)置的導(dǎo)電圖形；和c)設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的上表面和下表面上、設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的側(cè)面的至少部分上以及設(shè)置在對應(yīng)于導(dǎo)電圖形區(qū)域的區(qū)域中的暗化層。
[0030]本發(fā)明中，暗化層是指表現(xiàn)出如下特性的層:當(dāng)同時將形成導(dǎo)電層的金屬與暗化層層壓并由此配置圖形時，可見顏色因反射率和吸收特性而被黑化，而非指配置所述暗化層的層本身的顏色或吸光率表現(xiàn)為黑色。
[0031]本發(fā)明中，在包括設(shè)置在可用屏幕部分上的導(dǎo)電圖形的觸控面板中，發(fā)現(xiàn)因?qū)щ妶D形引起的光反射對于導(dǎo)電圖形的可見度具有重大影響的事實，此問題亟待被改善。特別是，在相關(guān)技術(shù)中的基于ITO的觸控面板中，由于ITO本身的高透光度，所以因?qū)щ妶D形的反射率引起的問題并不嚴重，但是在包括設(shè)置在可用屏幕部分上的導(dǎo)電圖形的觸控面板中，發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電圖形的反射率和吸收特性對于線條的辨認具有重大影響的事實。
[0032]因此，本發(fā)明中，為了降低導(dǎo)電圖形的反射率以及改善觸控面板的吸光率特性，在對應(yīng)于導(dǎo)電圖形的表面上形引入暗化層。在本發(fā)明中，將暗化層設(shè)置在觸控面板中的導(dǎo)電圖形的整個表面之上，由此減少因?qū)щ妶D形的高反射率而引起的可見度。詳言之，因為暗化層在與具有高反射率的層(如導(dǎo)電圖形)結(jié)合時在預(yù)定厚度條件下具有破壞性干擾和自吸收，所以通過類似于將由暗化層反射的光的量調(diào)節(jié)到通過暗化層的由導(dǎo)電圖形反射的光的量，并且同時在預(yù)定厚度條件下，誘導(dǎo)兩種光之間的交互破壞性干擾，由此降低導(dǎo)電圖形的反射率。在此情況下，優(yōu)選的是，暗化層具有比導(dǎo)電圖形更低的反射率。因此，與使用者直接觀看導(dǎo)電圖形的情況相比，光線的反射率可被降低，所以導(dǎo)電圖形的可見度可被大幅地降低。
[0033]特別是，在本發(fā)明中，可以將暗化層設(shè)置在導(dǎo)電圖形的整個表面(包括上表面、下表面以及側(cè)面)上。根據(jù)在引入暗化層后另外進行的整個蝕刻和剝離程序的過程中因DI混合引起的PH變化，利用在異金屬之間表現(xiàn)出的電化腐蝕作用，誘導(dǎo)在導(dǎo)電圖形的上表面上的暗化層覆蓋導(dǎo)電圖形的側(cè)面，由此設(shè)置在導(dǎo)電圖形的整個表面上的暗化層可被形成在導(dǎo)電圖形的上表面、下表面以及側(cè)面上。
[0034]在此情況下，電化腐蝕是指當(dāng)異金屬被浸潰在溶液中時，存在電位差，因此，在異金屬之間出現(xiàn)電子的移動，在這種情況下，具有貴金屬電位的金屬的腐蝕速度則會降低，而具有活性電位的金屬的腐蝕速度則會加速。也就是說，具有貴金屬電位的金屬是負電極，而具有活性電位的金屬是正電極。因此，所引起的腐蝕被稱為電化腐蝕或異金屬接觸腐蝕(dissimilar metal contact corrosion)。影響電化腐蝕的一個重要因素是負電極和正電極的面積比，并且隨著正電極面積的電流密度的增加，電化腐蝕速度也增加。相反，具有小面積的負電極與具有大面積的正電極的組合是一種能夠減少電化腐蝕的良好方式。
[0035]作為本發(fā)明的一個示例性的實施方式，圖1顯示通過使用電化腐蝕將暗化層引入導(dǎo)電圖形的側(cè)面的各步驟的電子顯微鏡照片。
[0036]考慮到在產(chǎn)生顯影的區(qū)域中表面和側(cè)面腐蝕的腐蝕效果在0.5μπι水平內(nèi)，因電化腐蝕作用而導(dǎo)致的導(dǎo)電圖形的側(cè)面的覆蓋過程可被控制在初始圖形化線寬不會有太大變化的狀態(tài)。另外，在該過程的一個方面中，可以通過調(diào)節(jié)剝離液(stripper)中的防腐蝕劑的含量、剝離液中的DI混合比、剝離時間和溫度等來控制覆蓋過程。
[0037]從此方面來看，本發(fā)明的重大優(yōu)勢在于，可以通過控制剝離過程而在導(dǎo)電圖形的整個表面上引入暗化層，而無需額外的步驟，因此，具有可以控制在導(dǎo)電圖形中包含的金屬(特別是高導(dǎo)電金屬)本身所引起的側(cè)面反射的優(yōu)點。
[0038]根據(jù)本發(fā)明，在形成所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的初始基板材料中，以暗化層和導(dǎo)電圖形形成的圖形區(qū)域的色域(其是從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的暗化層被觀察的一側(cè)所測量的)可為:基于CIE LAB彩色坐標，20以下的L值，-10至10的A值，及-70至70的B值；可為:10或以下的L值，-5至5的A值，及O至35的B值；以及可為:5以下的L值，-2至2的A值，及O至15的B值。
[0039]此外，以暗化層和導(dǎo)電圖形形成的圖形區(qū)域的全反射率(其是從導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的暗化層被觀察的一側(cè)所測量的)可為:(基于550nm) 17%以下、10%以下、及5%以下。
[0040]在此，全反射率是:通過使用黑色糊劑、帶子等將要被測量表面的相對表面的反射率設(shè)置為O之后，僅測量要被的表面的反射率所觀察到的值，在此情況下，入射光光源選擇為與環(huán)境光條件最相近的漫射光源。此外，在此情況下，測量反射率的測量位置是基于與積分球半圓的垂直線傾斜大約7度的位置。下圖6顯示如上所述的測量反射率的裝置的構(gòu)造和配置。
[0041]作為本發(fā)明的一個示例性的實施方式，在觸控面板中，在基準樣品的透射比為89%的情況下，在基體側(cè)面測量的全反射率可為6%以下、5%以下、及4%以下，所述觸控面板通過以下方式制作:通過使用光學(xué)清除粘合劑(optically cleared adhesive)經(jīng)由圖形化工藝層壓兩片形成了暗化層和導(dǎo)電圖形的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，然后再在鋼化玻璃上層壓所層壓的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0042]在此情況下，透射比和全反射率具有相互關(guān)系，其中，隨著透射比降低，全反射率會提高。因此，在圖形存在的情況下一片基體的透射比和全反射率之間的關(guān)系由下列公式I和2所示。
[0043][公式I]
[0044]基體的透射比=基體的自透射比X (開口面積比)
[0045][公式2]
[0046]基體的全反射率=基體的自反射率X (開口面積比)+金屬的自全反射率X (由金屬線造成的封閉面積比)
[0047]在此情況下，基體的自反射率是指不存在金屬細線的情況下基體的反射率。
[0048]此外，基體的自透射比的關(guān)系由下列公式3所示。
[0049][公式3]
[0050]基體的自透射比=100-基體的自反射率-基體的自吸光率
[0051]因此，在圖形存在的情況下全反射率和透射比之間的相互關(guān)系由下列公式4所
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[0052][公式4]
[0053]全反射率=(100-基體的自透射比-基體的自吸光率)X開口面積比+金屬的自全反射率X(由金屬線造成的封閉面積比)
[0054]在此情況下，開口面積比與封閉面積比的總和為I。
[0055]因此，公式4可以由下列公式5表示。
[0056][公式5]
[0057]全反射率= (100-基體的自透射比-基體的自吸光率)X (基體的透射比/基體的自透射比)+金屬的自全反射率X (1-基體的透射比/基體的自透射比)
[0058]因此，基體的全反射率與透射比具有線性關(guān)系，其中，隨著基體的透射比的增大，全反射率減小。
[0059]根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)指的是一種多層結(jié)構(gòu)，其中，通過沉積過程(如濺射等)依次沉積基體、導(dǎo)電圖形和暗化層。根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以使用層壓板、多層結(jié)構(gòu)來進行描述。
[0060]在根據(jù)本發(fā)明的觸控面板中，所述暗化層包括與導(dǎo)電圖形鄰接的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，并且當(dāng)在黑化圖形的第二表面?zhèn)葴y量導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率時，可以通過下列公式6計算導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率(Rt)。
[0061][公式6]
[0062]使用一片基體的觸控窗的全反射率Rt=觸控鋼化玻璃+裸基體的反射率(在表面是膜的情況下的膜的反射率)X孔徑比+暗化層的反射率X封閉比
[0063]另外，在觸控面板的配置中層壓兩種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的情況下，可以通過下列公式7計算導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率(Rt)。
[0064][公式7]
[0065]全反射率(Rt) =觸控鋼化玻璃+兩片裸基體的層壓板的反射率(在表面是膜的情況下的膜的反射率)X孔徑比+兩片具有圖形的基體的層壓板的封閉比X暗化層的反射率X封閉比
[0066]因此，存在暗化層的情況和不存在暗化層的情況之間的差異取決于暗化層的反射率，并且在此方面，與除了不存在暗化層之外具有相同構(gòu)造的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率(RO)相t匕，差異可以減少15%到20%、20%到30%、以及30%到50%。實際上，因為即使存在暗化層和導(dǎo)電圖形，可以實現(xiàn)具有比使用無任何圖形和導(dǎo)體的裸基體的層壓板更低的反射率的產(chǎn)品。然而，通過該降低效果，對于上述的除了不存在暗化層之外具有相同構(gòu)造的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率(RO)而言，反射率可以減少至少15%至最高50% (基于88%的透射比)。
[0067]在根據(jù)本發(fā)明的觸控面板中，所述暗化層包括與導(dǎo)電圖形鄰接的第一表面和面對所述第一表面的第二表面，并且當(dāng)在黑化圖形的第二表面?zhèn)葴y量導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率時，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率(Rt)與基體的全反射率之間的差異可為50%以下、30%以下、20%以下、以及10%以下。
[0068]在根據(jù)本發(fā)明的觸控面板中，所述觸控面板進一步包括在所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一側(cè)設(shè)置的基板，并且當(dāng)在基板側(cè)測量具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的基板全反射率時，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率(Rt)與基板的全反射率之間的差異可為50%以下、30%以下、20%以下、以及10%以下。
[0069]在此，全反射率是指包括暗化層的觸控面板的自全反射率。
[0070]在本說明書中，全反射率優(yōu)選為在由當(dāng)入射光為100%時投入光的目標層或?qū)訅喊宸瓷涞姆瓷涔庵谢?50nm的波長值所測量的值。原因是因為550nm的波長的全反射率與整體的全反射率的差異不大。例如，在通過使用如沉積法(例如，如濺射法、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、熱蒸發(fā)法、電子束沉積法等)的方法在基體上用構(gòu)成暗化層的材料形成前暗化層(front darkening layer)之后,可以測量由空氣側(cè)投入的可見光的反射率(550nm)。在此情況下，在基體的后表面(即，沒有形成暗化層的整個表面)上進行暗化處理，由此除去基體的后表面的反射。所述基體可以使用透明基板，但并無特別限制，例如可以為玻璃、塑料基板、塑料膜等。
[0071]在根據(jù)本發(fā)明的觸控面板中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的霧度值可為5%以下、3%以下、以及
1.5%以下。
[0072]由構(gòu)成暗化層的材料制成的前層(front layer)的吸光率沒有特別限制，但是可為15%以下、30%以下、以及40%以下。
[0073]此外，由配置暗化層的材料制成的前層的透光率沒有特別限制，但是可為80%以上以便被用于觸控面板。[0074]例如，所述暗化層可以通過使用如沉積法(例如，如濺射法、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、熱蒸發(fā)法、電子束沉積法等)的方法形成暗化層并使其圖形化而形成。特別是，在使用濺射法的情況下，暗化層具有優(yōu)異的撓性。在熱蒸發(fā)法和電子束沉積法中，粒子被簡單地堆棧，但在濺射法中，粒子因碰撞而形成核，且雖然該核要長成為彎曲的核，但是該核具有優(yōu)異的機械性能。特別是，在使用濺射法的情況下，暗化層與另一層之間的界面粘合是優(yōu)異的。如上所述，所述暗化層可以在不使用粘合劑層的情況下通過使用沉積法在基體或?qū)щ妶D形上直接形成，并且可以實現(xiàn)所需的厚度和圖形形狀。
[0075]本發(fā)明中，可以同時或分別使所述暗化層和所述導(dǎo)電圖形圖形化，但是用于形成各圖形的層分別形成。然而，最優(yōu)選的是，同時形成所述導(dǎo)電圖形和所述暗化層，以使得所述導(dǎo)電圖形和所述暗化層精確地存在于各自對應(yīng)的表面。
[0076]如上所述，在通過形成圖形使暗化層的效果最優(yōu)化和最大化時，可以實現(xiàn)觸控面板所需的精細導(dǎo)電圖形。在觸控面板中，在沒有實現(xiàn)精細導(dǎo)電圖形的情況下，無法獲得觸控面板所需的物理性能(如電阻等)。
[0077]本發(fā)明中，在暗化層和導(dǎo)電圖形中，分開的圖形層具有層壓結(jié)構(gòu)，這不同于使至少部分吸收性材料凹陷或分散在導(dǎo)電圖形中的結(jié)構(gòu)，或者不同于對單層導(dǎo)電層的表面進行處理以使表面?zhèn)鹊囊徊糠职l(fā)生物理或化學(xué)變形的結(jié)構(gòu)。
[0078]此外，在根據(jù)本發(fā)明的觸控面板中，在沒有施加粘合劑層的情況下在基體上或者在導(dǎo)電圖形上直接設(shè)置暗化層。所述粘合劑層會影響耐久性或光學(xué)性能。此外，根據(jù)本發(fā)明的在觸控面板中包括的層壓板是通過完全不同于使用粘合劑層的方法的制造方法而制造的。此外，與使用粘合劑層的方法相比，本發(fā)明中，基體或?qū)щ妶D形與暗化層之間的界面特性是優(yōu)異的。
[0079]本發(fā)明中，如果暗化層的厚度具有作為上述物理性能的破壞性干擾特性和吸收系數(shù)特性，當(dāng)將光的波長定義為A并且將暗化層的折射率定義為η時，λ / (4Xn) =N，如果N滿足奇數(shù)厚度條件，則任何厚度都無關(guān)緊要。然而，考慮到在制造過程中導(dǎo)電圖形的蝕刻特性，優(yōu)選將厚度選擇為IOnm和400nm之間,但是,根據(jù)材料和制造方法,優(yōu)選的厚度可以不同，并且本發(fā)明的范圍不限于此數(shù)值范圍。
[0080]所述暗化層可以形成為單層或具有兩層或更多層的多層中。
[0081]優(yōu)選的是，所述暗化層的顏色接近無色。然而，所述暗化層并不必需地需要無色，并且只要顏色具有低反射率就可以使用。在此情況下，無色指的是當(dāng)投射到物體表面的光不被選擇性地吸收，而是各個波長的光被反射地和均勻地吸收時表現(xiàn)出的顏色。本發(fā)明中，所述暗化層可以使用當(dāng)在400nm至SOOnm可見光區(qū)中測量全反射率時各波長的全反射率的標準偏差在50%之內(nèi)的材料。
[0082]暗化層的材料是吸收性材料，并且沒有特別限制，可以使用任何材料，只要當(dāng)形成前層時所述材料是由具有上述物理性能的金屬、金屬氧化物或金屬氧氮化物制成的材料即可。
[0083]例如,通過使用N1、Mo、T1、Cr等,按照本領(lǐng)域技術(shù)人員所設(shè)定的沉積條件,所述暗化層可為氧化物層、氮化物層、氧化物-氮化物層、碳化物層、金屬層或其組合。本發(fā)明人證實，在使用Mo的情況下，與單獨使用氧化物的方案相比，同時使用氮化物和氧化物的方案具有更加適合本發(fā)明中提到的暗化層的光學(xué)性能。[0084]作為一個詳細的實例，所述暗化層可以同時包括Ni和Mo。所述暗化層可以包括50至98原子％的Ni和2至50原子％的Mo，并且可以進一步包括0.01至10原子％量的其他金屬，例如，F(xiàn)e、Ta、Ti等。在此，如需要，所述暗化層可以進一步包括0.01至30原子％的氮或者4原子％以下的氧或碳。
[0085]作為另一個詳細的實例，所述暗化層可以包括選自SiO、SiO2, MgF2和SiNx(x是I以上的整數(shù))中的介電材料以及選自Fe、Co、T1、V、Al、Cu、Au和Ag中的金屬，并且可以進一步包括選自Fe、Co、T1、V、Al、Cu、Au和Ag中的兩種以上的原子的金屬合金。隨著遠離外界光的投射方向，使所述介電材料的分布逐漸減少，而金屬和合金組成的分布則相反。在此情況下，所述介電材料的含量可為20重量％至50重量％,以及所述金屬的含量可為50重量％至80重量％。在所述暗化層進一步包括合金的情況下，所述暗化層可以包括10重量％至30重量％的介電材料、50重量％至80重量％的金屬、以及5重量％至40重量％的合金。
[0086]作為另一個詳細的實例，所述暗化層可被形成為包括鎳和釩的合金、鎳和釩的氧化物、氮化物或氧氮化物中的任一種或多種的膜。在此情況下，可以包含26至52原子％的釩，并且釩與鎳的原子比可為26/74至52/48。
[0087]作為另一個詳細的實例，所述暗化層可以包括具有兩種以上原子的過渡層，其中，根據(jù)外界光的入射方向，一種原子的組成比每100埃最大約增加20%。在此情況下，一種原子可為金屬原子，例如，鉻、鎢、鉭、鈦、鐵、鎳或鑰，而不同于所述金屬原子的原子可為氧、氮或碳。
[0088]作為另一個詳細的實例，所述暗化層可以包括第一氧化鉻層、金屬層、第二氧化鉻層、以及鉻鏡(chromium mirror),在此情況下,可以包括代替鉻的選自鶴、鑰;、鐵、鉻、鑰和銀中的金屬。所述金屬層的厚度可為10至30nm,所述第一氧化鉻層的厚度可為35至41nm,以及所述第二氧化鉻層的厚度可為37至42nm。
[0089]作為另一個詳細的實例，所述暗化層可以使用氧化鋁(Al2O3)層、氧化鉻(Cr2O3)層和鉻(Cr)層的層壓結(jié)構(gòu)。在此，所述氧化鋁層具有改善的反射特性和防光漫射特性，而所述氧化鉻層可以降低鏡面的反射率以提高對比度特性。
[0090]本發(fā)明中，所述暗化層被設(shè)置在對應(yīng)于導(dǎo)電圖形的區(qū)域。在此，所述對應(yīng)于導(dǎo)電圖形的區(qū)域是指具有與導(dǎo)電圖形相同形狀的圖形。然而，所述暗化層的圖形比例并不需要與導(dǎo)電圖形完全相同，并且本發(fā)明的范圍中包括了甚至是暗化層的線寬度小于或大于導(dǎo)電圖形的線寬度的情況。例如，所述暗化層可以具有導(dǎo)電圖形的面積的80%至120%的面積。
[0091]所述暗化層的圖形形式的線寬度可以與導(dǎo)電圖形的線寬度相同，或者大于導(dǎo)電圖形的線寬度。
[0092]在所述暗化層的圖形形式的線寬度大于導(dǎo)電圖形的線寬度情況下，在由使用者觀察時，因為極大地應(yīng)用了暗化層覆蓋導(dǎo)電圖形的效果，所以可以有效地防止由導(dǎo)電圖形本身的光澤或反射引起的效應(yīng)。然而，即使暗化層的線寬度與導(dǎo)電圖形的線寬度相同，但仍可以實現(xiàn)本發(fā)明所需的效果。優(yōu)選的是，通過下列公式8計算暗化層的線寬度大于導(dǎo)電圖形的線寬度的值。
[0093][公式8]
[0094]TconX tangent Θ 3X 2
[0095]在公式8中，[0096]Tcon是導(dǎo)電圖形的厚度，
[0097]O3是從定位使用者視角的位置投射光透過導(dǎo)電圖形和暗化層的邊緣時，光與基體表面的法線間的夾角。
[0098]O3是如下的角度:通過基體的折射率以及設(shè)置了暗化層和導(dǎo)電圖形的區(qū)域的介質(zhì)(例如，觸控面板的粘合劑)的折射率，根據(jù)斯涅爾定律(Snell’s law)改變使用者的視角和觸控面板的基體間的夾角?P
[0099]例如，假定觀察者觀看導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使得O3值形成大約80度的角以及導(dǎo)電圖形的厚度為大約200nm，則基于導(dǎo)電圖形的側(cè)面，所述暗化層的線寬度優(yōu)選大了約
2.24ym(200nmXtan(80) X2)。然而，如上所述，即使是在所述暗化層的線寬度與導(dǎo)電圖形的線寬度相同的情況下，仍可以實現(xiàn)本發(fā)明所述的效果。
[0100]本發(fā)明中，可以根據(jù)應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)所需的領(lǐng)域適當(dāng)選擇基體的材料，并且作為優(yōu)選的實例，可以是玻璃或無機材料基板、塑料基板或膜等，但不限于此。
[0101]導(dǎo)電圖形的材料沒有特別限制，但優(yōu)選為金屬。導(dǎo)電圖形的材料是具有優(yōu)異的導(dǎo)電性并且能夠容易蝕刻的材料。但是，在本發(fā)明的側(cè)面黑化的情況下，所述導(dǎo)電材料可以使用與暗化層的材料不同的金屬，并且特別是，當(dāng)考慮到由暗化層的腐蝕而引起的側(cè)面暗化時，導(dǎo)電層可選擇為具有貴金屬電位(+電位)。
[0102]相反，導(dǎo)電層具有活性電位(_電位)的情況更為有利，原因在于，由于側(cè)面腐蝕，暗化層的面積變寬，這與暗化層通過使用電化腐蝕形成具有較寬面積的電極的情況相反。
[0103]通常，不利的是，具有優(yōu)異的導(dǎo)電性的材料具有高反射率。然而，本發(fā)明中，在使用暗化層的情況下，可以通過使用具有高反射率的材料形成導(dǎo)電圖形。本發(fā)明中，即使是在使用全反射率為70%到80%或更大的材料的情況下，可以通過暗化層來降低全反射率，可以降低導(dǎo)電圖形的可見度，并且可以維持或提高對比度特性。
[0104]作為導(dǎo)電圖形的材料的詳細實例，優(yōu)選為包括金、銀、鋁、銅、釹、鑰、鎳、或其合金的單層或多層。在此，導(dǎo)電圖形的厚度沒有特別限制，但是考慮到導(dǎo)電圖形的導(dǎo)電性以及形成過程的經(jīng)濟性，優(yōu)選為0.01到ΙΟμπι或更小。
[0105]由導(dǎo)電層和暗化層形成的層壓板的圖形化可以使用利用防蝕涂層圖形的方法。所述防蝕涂層圖形可以通過使用印刷法、攝影法、使用掩模的方法、激光轉(zhuǎn)移法(例如，熱轉(zhuǎn)移成像法等)而形成，在這些方法中，印刷法和攝影法是更加優(yōu)選的。所述導(dǎo)電圖形是通過使用防蝕涂層圖形來蝕刻的，并且所述防蝕涂層圖形可被去除。
[0106]本發(fā)明中，所述導(dǎo)電圖形的線寬度可為10 μ m以下、0.1至I μ m、0.2至8 μ m、以及I至5 μ m。所述導(dǎo)電圖形的厚度可為10 μ m以下、2 μ m以下、以及10到300 μ m。
[0107]所述導(dǎo)電圖形的孔徑比(即，未被導(dǎo)電圖形覆蓋的面積比)可為70%以上、85%以上、以及95%以上。此外，所述導(dǎo)電圖形的孔徑比可為90%到99.9%，但不限于此。
[0108]所述導(dǎo)電圖形也可以是規(guī)則圖形或者不規(guī)則圖形。
[0109]作為規(guī)則圖形，可以使用本領(lǐng)域中的圖形形狀，例如網(wǎng)狀圖形。不規(guī)則圖形沒有特別限制，但也可為形成維諾圖樣(Voronoi diagram)的圖的邊界形狀(boundary shape)。本發(fā)明中，在同時使用不規(guī)則圖形和暗化層的情況下，可以通過不規(guī)則圖形除去由定向照明造成的反射光的衍射圖樣，并且可以通過暗化層將由光散射造成的影響減至最小，由此將可見度的問題減至最少。[0110]在本發(fā)明的一個示例性的實施例中，所述導(dǎo)電圖形是規(guī)則圖形并且包括通過使構(gòu)成導(dǎo)電圖形的線中的任意多條線交叉所形成的交叉點，并且在3.5cmX3.5cm的面積中交叉點的數(shù)目可為3, 000 M 122，500個，13，611至30，625個，以及19，600至30，625中。此夕卜，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性的實施例，在被附加到顯示器上時交叉點的數(shù)目是4，000至123，000的情況下，可以確定得到了不會損壞顯示器的光學(xué)特性的光學(xué)特性。
[0111]此外，在本發(fā)明的示例性的實施方式中，所述導(dǎo)電圖形是不規(guī)則圖形并且包括通過使構(gòu)成導(dǎo)電圖形的線中的任意多條線交叉所形成的交叉點，并且在3.5cmX3.5cm的面積中交叉點的數(shù)目可為6，000至245，000個，3，000至122，500個，13，611至30，625個，以及19，600至30，625個。此外，根據(jù)本發(fā)明的示例性的實施例，在被附加到顯示器上時交叉點的數(shù)目是4，000至123，000的情況下，可以確定得到了不會損壞顯示器的光學(xué)特性的光學(xué)特性。
[0112]所述導(dǎo)電圖形的間距可為600 μ m以下以及250 μ m以下，但可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員想要的透射比和導(dǎo)電率來進行控制。
[0113]在本發(fā)明中使用的導(dǎo)電圖形優(yōu)選是比電阻為1X10 Q.αιι至30Χ106?.αιι(更優(yōu)選7 X IO6 ?.Cm以下)的材料。
[0114]本發(fā)明中，包括基體、導(dǎo)電圖形和暗化層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的表面電阻可為I至300 U/ 口。在該范圍內(nèi)控制面板的操作是有利的。
[0115]本發(fā)明中，所述暗化層的照度可為Inm以上、2nm以上、5nm以上、以及IOnm以上，
但不限于此。此外，本發(fā)明中，在所述導(dǎo)電圖形的上表面、下表面以及側(cè)面中的至少部分上設(shè)置的所有暗化層是相同材料并且可以彼此相繼連接。
[0116]本發(fā)明中，所述暗化層與所述導(dǎo)電圖形的側(cè)面可以具有正錐角，但是設(shè)置在導(dǎo)電圖形的基體側(cè)面的相對表面上的暗化層或?qū)щ妶D形可以具有反錐角。
[0117]根據(jù)本發(fā)明的觸控面板可以進一步包括除包括基體、導(dǎo)電圖形和暗化層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之外還包括額外的暗化層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在此情況下，包括暗化層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以基于導(dǎo)電圖形以不同方向來設(shè)置。包括在本發(fā)明的觸控面板中的包括兩個以上的暗化層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)無需是相同的結(jié)構(gòu)，并且其中的任意一個，優(yōu)選地，只有最接近使用者的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括基體、導(dǎo)電圖形和暗化層，而另外的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以不包括暗化層。
[0118]此外，在根據(jù)本發(fā)明的觸控面板中，可以分別在基體的兩側(cè)上設(shè)置導(dǎo)電圖形和暗化層。
[0119]在根據(jù)本發(fā)明的包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的觸控面板中的全反射率可為12%以下、7%以下、5%以下、以及2%以下。
[0120]除具有在導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的導(dǎo)電圖形的可用的屏幕之外，根據(jù)本發(fā)明的觸控面板可以進一步包括電極部分或墊片部分，并且在此情況下，所述可用的屏幕以及所述電極部分/所述墊片部分可由相同的導(dǎo)體進行配置，并且具有相同的厚度，而無需具有接合點。
[0121]根據(jù)本發(fā)明的觸控面板可以在各基體的一個表面上包括保護膜、偏光膜、抗反射膜、抗眩光膜、抗指紋膜、低反射膜等。
[0122]此外，本發(fā)明提供了 一種觸控面板的制造方法。
[0123]根據(jù)一個示例性的實施方式，本發(fā)明提供了一種觸控面板的制造方法，其包括:在基體上形成導(dǎo)電圖形；在形成所述導(dǎo)電圖形之前和之后形成暗化層；和誘導(dǎo)暗化層的電化腐蝕。
[0124]根據(jù)另一個示例性的實施方式，本發(fā)明提供了一種觸控面板的制造方法，其包括:形成導(dǎo)電層以在基體上形成導(dǎo)電圖形；在形成所述導(dǎo)電層之前和之后沉積暗化層；分別或同時使所述導(dǎo)電層和所述暗化層圖形化；和誘導(dǎo)圖形化的暗化層的電化腐蝕。
[0125]在制造方法中，可以使用如上所述的各層的材料和形成方法。
[0126]此外，根據(jù)本發(fā)明的觸控面板包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。例如，在電容式觸控面板中，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性的實施方式的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可被用作觸控敏感型電極基板。
[0127]根據(jù)本發(fā)明的一個示例性的實施方式的觸控面板可以包括下基體；上基體；以及電極層，其設(shè)置在下基體的與上基體鄰接的表面以及上基體的與下基體鄰接的表面的任一面或兩面上。所述電極層可以實現(xiàn)傳輸和接收信號的功能以檢測X軸位置和Y軸的位置。
[0128]在此情況下，設(shè)置在下基體及下基體的與上基體鄰接的表面上的電極層；以及設(shè)置在上基體及上基體的與下基體鄰接的表面上的電極層的中的一個或兩者可以是根據(jù)本發(fā)明的一個不例性的實施方式的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在任意電極層中僅有一個是根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的情況下，其他電極層可以具有本領(lǐng)域中已知的圖形。
[0129]在將電極層設(shè)置在上基體和下基體的側(cè)面上以形成兩層電極層的情況下，可以在下基體和上基體之間設(shè)置絕緣層或間隔層以使電極層之間的間隔保持一致并且電極層不會彼此連接。所述絕緣層可以包括粘合劑或者UV固化或熱固化樹脂。
[0130]所述觸控面板可以進一步包括與所述導(dǎo)電圖形連接的接地部分。例如，所述接地部分可以形成在基體的具有導(dǎo)電圖形的表面的邊緣處。此外，可以在包括導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的層壓板的至少一面上設(shè)置抗反射膜、偏光膜和抗指紋膜。根據(jù)設(shè)計規(guī)格，除了前述功能性膜之夕卜，還可以進一步包括不同種類的功能性膜。如上所述，所述述觸控面板可以應(yīng)用于OLED顯示面板(ODP)、液晶顯示器(LCD)以及如陰極射線管(CRT)和TOP的顯示裝置。此外，本發(fā)明提供了一種顯示器，其包括所述觸控面板和顯示組件。
[0131]最佳方式
[0132]在下文中，將參照實施例更加詳細地描述本發(fā)明。然而，下列實施例僅為本發(fā)明的示范，并且本發(fā)明的范圍不限于下列實施例。
[0133]〈實施例〉
[0134]〈實施例1至4>
[0135]通過使用基于Mo的氧氮化物在基體上形成暗化層，而后通過使用Cu在其上形成導(dǎo)電層。接著，通過使用基于Mo的氧氮化物在該導(dǎo)電層的上表面上形成暗化層，而后根據(jù)DI混合比和防腐蝕劑的含量，觀察在剝離過程中由電化腐蝕產(chǎn)生的覆蓋效果的情況。其結(jié)果顯不在下表2-5中。
[0136][表 I]
[0137]
【權(quán)利要求】
1.一種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括: a)基體； b)在所述基體的至少一面上設(shè)置的導(dǎo)電圖形；和 c)設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的上表面和下表面上、設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的側(cè)面的至少部分上以及設(shè)置在對應(yīng)于導(dǎo)電圖形的區(qū)域中的暗化層。
2.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，由所述暗化層和所述導(dǎo)電圖形所構(gòu)成的圖形區(qū)域的色域，基于CIE LAB彩色坐標，具有20以下的L值，-10至10的A值，及-70至70的B值，其中，所述色域是在觀察導(dǎo)電基板的暗化層的表面處測量的。
3.權(quán)利要求1所述導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)，其中，由所述暗化層和所述導(dǎo)電圖形所構(gòu)成的圖形區(qū)域的全反射率為:基于550nm，17%以下，其中，所述全反射率是在觀察導(dǎo)電基板的暗化層的表面處測量的。
4.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述暗化層包括選自介電材料、金屬、金屬合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧氮化物和金屬碳化物中的一種或多種。
5.權(quán)利要求4所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述金屬包括選自N1、Mo、T1、Cr、Al、Cu、Fe、Co、T1、V、Au和Ag中的一種或多種。
6.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，與除了不包括所述暗化層之外具有相同構(gòu)造的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的全反射率相比，在觀察所述導(dǎo)電基板的暗化層的表面的全反射率減少了 15 %~.50%。
7.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的霧度值為5%以下。
8.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其進一步包括: 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其包括:基體，在所述基體的至少一面上設(shè)置的導(dǎo)電圖形，和設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的上表面和下表面上、設(shè)置在所述導(dǎo)電圖形的側(cè)面的至少部分上以及設(shè)置在對應(yīng)于導(dǎo)電圖形的區(qū)域中的暗化層。
9.權(quán)利要求8所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，在所述的兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間設(shè)置絕緣層。
10.權(quán)利要求8所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述的兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以相反方向或相同方向設(shè)置。
11.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，將所述導(dǎo)電圖形和所述暗化層分別設(shè)置在所述基體的兩面。
12.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電圖形為規(guī)則圖形或不規(guī)則圖形。
13.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電圖形是規(guī)則圖形并且包括通過使構(gòu)成所述導(dǎo)電圖形的線中的任意多條線交叉所形成的交叉點，并且在3.5cmX3.5cm的面積中交叉點的數(shù)目為3，000至122，500個。
14.權(quán)利要求13所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，在3.5cm X 3.5cm的面積中交叉點的數(shù)目為.13，611 至 30，625 個。
15.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電圖形是不規(guī)則圖形并且包括通過使構(gòu)成導(dǎo)電圖形的線中的任意多條線交叉所形成的交叉點，并且在3.5cmX3.5cm的面積中交叉點的數(shù)目為6，000至245，000個。
16.權(quán)利要求15所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，在3.5cm X 3.5cm的面積中交叉點的數(shù)目為.13，611 至 30，625 個。
17.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述暗化層的圖形形式的線寬度與導(dǎo)電圖形的線寬度相同或者大于所述導(dǎo)電圖形的線寬度。
18.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電圖形的線寬度為ΙΟμπι以下，厚度為10 μ m以下，以及間距為600 μ m以下。
19.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電圖形的線寬度為7μm以下，厚度為I μ m以下，以及間距為400 μ m以下。
20.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述導(dǎo)電圖形的線寬度為5μπι以下，厚度為0.5 μ m以下，以及間距為300 μ m以下。
21.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述暗化層的照度為Inm以上。
22.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述暗化層的照度為2nm以上。
23.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述暗化層的照度為5nm以上。
24.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述暗化層的照度為IOnm以上。
25.權(quán)利要求1所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，在所述導(dǎo)電圖形的上表面、下表面以及側(cè)面中的至少部分上設(shè)置的所有暗化層是相同材料并且彼此相繼連接。
26.一種觸控面板，其包括權(quán)利要求1至25中任一項所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
27.—種顯示器，其包括權(quán)利要求26所述的觸控面板和顯示組件。
28.一種觸控面板的制造方法，其包括:` 在基體上形成導(dǎo)電圖形； 在形成所述導(dǎo)電圖形之前和之后形成暗化層；和 誘導(dǎo)暗化層的電化腐蝕。
29.一種觸控面板的制造方法，其包括: 形成導(dǎo)電層以在基體上形成導(dǎo)電圖形； 在形成所述導(dǎo)電層之前和之后沉積暗化層； 分別或同時使所述導(dǎo)電層和所述暗化層圖形化；和 誘導(dǎo)圖形化的暗化層的電化腐蝕。
30.權(quán)利要求28或29所述的觸控面板的制造方法，在所述暗化層的蝕刻和剝離過程中進行電化腐蝕。
【文檔編號】H01B5/14GK103460303SQ201280015520
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月28日
【發(fā)明者】黃智泳, 樸珉春, 孫鏞久, 具范謨 申請人:Lg化學(xué)株式會社