處理裝置制造方法
處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供對生產(chǎn)率的提高有利的技術(shù)。處理裝置具備：在對基板進行處理的處理空間中支撐所述基板的基板支撐部；包含具有開口部的頂蓋部并將所述處理空間從外部空間分隔的第1分隔構(gòu)件；和第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第1分隔構(gòu)件，以便閉塞所述開口部并與所述第1分隔構(gòu)件一起從所述外部空間分隔出所述處理空間。所述第2分隔構(gòu)件被安裝于所述第1分隔構(gòu)件，以便能夠通過使所述第2分隔構(gòu)件朝向所述頂蓋部的下表面所面向的空間移動，從而使所述第2分隔構(gòu)件從所述第1分隔構(gòu)件取下。
【專利說明】處理裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及對基板進行處理的處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]公知在鐘形罩周圍配置天線的感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置。在專利文獻I中公開了等離子體處理裝置，其中，由真空容器(2)和閉塞真空容器(2)的上部的鐘形罩(12)形成真空處理室。此處，氣環(huán)(4)經(jīng)由O形環(huán)被配置在真空容器(2)的凸緣(24)上，并且鐘形罩(12)經(jīng)由O形環(huán)被配置在氣環(huán)(4)上。圍繞鐘形罩(12)配置天線(la、lb)，并且，經(jīng)由匹配器(匹配箱)(3)將高頻電源(10)連接到天線(la、lb)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻1:日本特開2004-235545號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]發(fā)明要解決的課題
[0006]在感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置等的處理裝置中，在處理基板(例如沉積處理、蝕刻處理)時，在鐘形罩的內(nèi)表面會有反應(yīng)產(chǎn)物堆積。堆積在鐘形罩的內(nèi)表面的反應(yīng)產(chǎn)物，會剝落和掉落到基板或基板支撐部上。此外，如果反應(yīng)產(chǎn)物在鐘形罩內(nèi)表面的堆積量變多，則會因此改變處理基板時的條件。因此，能進行將鐘形罩從處理裝置取下，進行清潔，并再次安裝到該處理裝置，或是更換鐘形罩的維修操作。
[0007]然而，如專利文獻I所記載的處理裝置那樣，處理裝置具有鐘形罩被載置在構(gòu)造體(真空容器)上的結(jié)構(gòu)，該構(gòu)造體位于鐘形罩下面，為了要從該構(gòu)造體取下鐘形罩，之前必須要取下配置于鐘形罩的上側(cè)的匹配器等。如果取下匹配器，并在取下鐘形罩，進行清潔、安裝之后將匹配器再次安裝于處理裝置，對等離子體的天線的耦合狀態(tài)就會改變，所以有必要重新設(shè)定沉積或是蝕刻處理等的處理條件。此條件設(shè)定需要長時間，導(dǎo)致生產(chǎn)率降低，所以應(yīng)該避免在每次清潔或者更換鐘形罩時將匹配器從處理裝置取下。
[0008]本發(fā)明是發(fā)明人認識到上述技術(shù)問題而做出的，本發(fā)明的目的在于提供對生產(chǎn)率的提聞有利的技術(shù)。
[0009]〔用于解決課題的手段〕
[0010]本發(fā)明的一個方面是相關(guān)于對基板進行處理的處理裝置。所述處理裝置具備:基板支撐部，其在對基板進行處理的處理空間中支撐所述基板；第I分隔構(gòu)件，其包括具有開口部的頂蓋部并且使所述處理空間從外部空間分隔開；和第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便閉塞開口部并且與所述第I分隔構(gòu)件一起使所述處理空間從所述外部空間分隔開；第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便通過使所述第2分隔構(gòu)件朝向所述頂蓋部的下表面所面向的空間移動，從而將所述第2分隔構(gòu)件從所述第I分隔構(gòu)件取下。
[0011]〔發(fā)明的效果〕[0012]根據(jù)本發(fā)明，提供對于生產(chǎn)率的提高有利的技術(shù)。
[0013]本發(fā)明的其他的特征及優(yōu)點，參照【專利附圖】
【附圖說明】如下。應(yīng)注意，在附圖中相同或者相似的構(gòu)成賦予相同的參考編號。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]附圖包含于說明書中，構(gòu)成其一部分，表不本發(fā)明的實施方式，并且與實施方式的記載一起用于說明本發(fā)明的原理。
[0015]圖1是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0016]圖2是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0017]圖3是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0018]圖4是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0019]圖5是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0020]圖6是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0021]圖7是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0022]圖8是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0023]圖9是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的開放動作的圖。
[0024]圖10是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的開放動作的圖。
[0025]圖11是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的零件拆除動作的圖。
[0026]圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的其他實施方式的處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
【具體實施方式】
[0027]以下，參照圖1同時說明本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置I。處理裝置1，典型的是作為感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置而被構(gòu)成的。然而，本發(fā)明也可適用于其他處理裝置，例如，ECR等離子體處理裝置、微波等離子體處理裝置等。處理裝置1，作為對處理基板S的處理空間PS從外部空間(例如大氣環(huán)境)OS分隔的構(gòu)件(包圍物)，并且具備第I分隔構(gòu)件(腔室；chamber)40、第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30、與基底部120。
[0028]第I分隔構(gòu)件40，作為至少2個能相互分離的構(gòu)件，包含例如上部分隔構(gòu)件42和下部分隔構(gòu)件44。第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42包含具有開口部46的頂蓋部(ceiling portion)42T。第2分隔構(gòu)件30被安裝于第I分隔構(gòu)件40,以便閉塞開口部46并與第I分隔構(gòu)件40 —起將處理空間PS從外部空間OS分隔開。
[0029]第2分隔構(gòu)件30被安裝于第I分隔構(gòu)件40，以便通過使第2分隔構(gòu)件30朝向頂蓋部42T的下表面LS所面向(即，朝著方向DIR)的空間(在圖1的狀態(tài)下，是處理空間PS)移動，從而使第2分隔構(gòu)件30能夠從第I分隔構(gòu)件40取下。此處，方向DIR是第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42的頂蓋部42T的下表面LS所面向的方向。因此是取決于第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42的取向(即，相對于第I分隔構(gòu)件40或者上部分隔構(gòu)件42的相對方向)，并不是以水平面等基準面為基準的絕對方向。
[0030]基底部120被配置以便閉塞住第I分隔構(gòu)件40的下部的開口部。然而，基底部120也可以與第I分隔構(gòu)件40 —體化，以便構(gòu)成第I分隔構(gòu)件40的一部分。[0031]如圖2示出，第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42能在開口部46的周圍具有安裝表面41。第2分隔構(gòu)件30被安裝于第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42，以便經(jīng)由密封構(gòu)件(例如，O形環(huán))32將第2分隔構(gòu)件30壓在安裝表面41上。更具體地說，由緊固構(gòu)件(例如，螺栓)64將壓環(huán)(pressing ring) 60緊固于上部分隔構(gòu)件42,而使第2分隔構(gòu)件30通過壓環(huán)60經(jīng)由密封構(gòu)件(例如，O形環(huán))32被壓在安裝表面41上。此處，優(yōu)選壓環(huán)60具有彈性環(huán)62并經(jīng)由彈性環(huán)62對第2分隔構(gòu)件30施加壓力。這對于防止第2分隔構(gòu)件30因受壓而導(dǎo)致?lián)p害是有效的。此外，設(shè)置彈性環(huán)62，從在處理空間PS為真空狀態(tài)時，防止對第2分隔構(gòu)件30從外部空間OS施加外壓導(dǎo)致第2分隔構(gòu)件30破損的觀點來看也是更有效的。彈性環(huán)62，優(yōu)選由具有彈力的材質(zhì)構(gòu)成，并且耐等離子體、耐活性氣體、且耐熱，例如優(yōu)選彈性環(huán)62由特氟綸(登錄商標)構(gòu)成。應(yīng)注意，雖然從削減零件數(shù)目的觀點來看，彈性環(huán)62優(yōu)選由I個環(huán)狀構(gòu)件構(gòu)成，但例如也可以由多個環(huán)狀構(gòu)件構(gòu)成，或者可以由沿圓周設(shè)置在規(guī)定的間隔的片狀構(gòu)件構(gòu)成。此外，雖然優(yōu)選壓環(huán)60由考慮到耐熱性和剛性的金屬構(gòu)成，但是也可以由具有彈力的構(gòu)件構(gòu)成，并且在該情況下壓環(huán)60也可以不具有彈性環(huán)62。
[0032]經(jīng)由密封構(gòu)件(例如，O形環(huán))32將第2分隔構(gòu)件30壓在面向下的安裝表面41上的結(jié)構(gòu)，能夠用單個密封構(gòu)件32取得卓越的密封。
[0033]處理裝置I具備氣體供給部GS和天線20。天線20被配置于外部空間OS以便接近第2分隔構(gòu)件30，并且向氣體供給電磁波從而激發(fā)該氣體，該氣體由氣體供給部GS被供給到處理空間PS。從高頻電源(RF電源)12經(jīng)由匹配器10向天線20供給高頻電力。用于使等離子體朝向基板S擴散的電磁鐵單元22能被配置在天線20的外側(cè)，該等離子體是通過從天線20放射的電磁波從而在第2分隔構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)的空間產(chǎn)生的。為了將從天線20放射的電磁波導(dǎo)入第2分隔構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)的空間并且產(chǎn)生等離子體，第2分隔構(gòu)件30由絕緣材料構(gòu)成，例如，石英玻璃、氮化鋁等。
[0034]處理裝置I還具備護罩50，該護罩50被配置于第I分隔構(gòu)件40 (上部分隔構(gòu)件42和下部分隔構(gòu)件44)的內(nèi)側(cè)，以便面對處理空間PS并且保護第I分隔構(gòu)件40以防處理空間PS中的等離子體環(huán)境。護罩50能具有例如上部護罩52和下部護罩54，該上部護罩52被配置于上部分隔構(gòu)件42的內(nèi)側(cè)并且保護上部分隔構(gòu)件42以防處理空間PS中的等離子體環(huán)境，該下部護罩54被配置于下部分隔構(gòu)件44的內(nèi)側(cè)并且保護下部分隔構(gòu)件44以防處理空間PS的等離子體環(huán)境。上部護罩52能由未圖示的緊固構(gòu)件被緊固于上部分隔構(gòu)件42。
[0035]如圖3所例示地，氣體供給部GS能具有例如，用于將氣體供給至處理空間PS的環(huán)狀氣體流路90，將氣體向環(huán)狀氣體流路90供給的氣體供給環(huán)70，和將氣體向氣體供給環(huán)70供給的氣體供給流路160。環(huán)狀氣體流路90的往處理空間PS的出口 92是環(huán)狀狹縫。經(jīng)由氣體供給流路160及氣體供給環(huán)70向環(huán)狀氣體流路90被供給的氣體，作為環(huán)狀的氣體流，穿過環(huán)狀氣體流路90被供給到處理空間PS。由于環(huán)狀氣體流路90的往處理空間PS的出口 92是環(huán)狀狹縫，所以與從放射狀地配置的氣體供給孔直接向處理空間PS供給氣體的結(jié)構(gòu)的情況相比，能夠使氣體更均勻地供給到處理空間PS。這意味著，能夠更均勻地處理基板S，或者能夠縮減第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30與基板S的距離(使氣體擴散而使氣體均勻化所需要的距離)。[0036]環(huán)狀氣體流路90的至少一部分是由第2分隔構(gòu)件30與上部護罩52所限定的。例如，環(huán)狀氣體流路90的往處理空間PS的出口(環(huán)狀狹縫)92是由第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30的最下側(cè)的外側(cè)側(cè)面與上部護罩52的最內(nèi)側(cè)的側(cè)面的間隙來限定。這提供了在維修上的優(yōu)勢。換言之，通過僅僅清潔第2分隔構(gòu)件30及上部護罩52，使出口(環(huán)狀狹縫)92被清潔。此外，氣體供給孔94不直接暴露于等離子體，所以可以減低氣體供給口 94的污染和老化。另一方面，在傳統(tǒng)的氣體供給孔的清潔中，有必要清潔甚至是氣體供給孔的內(nèi)部(即，未露出于表面的部分)，這在清潔的可靠性的方面以及在用于清潔所需要的時間的方面是不利的。
[0037]此外，由氣體供給環(huán)70的內(nèi)側(cè)側(cè)面與上部護罩52的流路限定部52a的外側(cè)側(cè)面之間的間隙來限定環(huán)狀氣體流路90的入口 91，并且由壓環(huán)60的下表面與上部護罩52的流路限定部52a的上表面之間的間隙來限定環(huán)狀氣體流路90的入口 91與出口 92之間的部位的至少一部分。上部護罩52具有與上部分隔構(gòu)件42的頂蓋部42T的下表面LS接觸的頂蓋護罩部52b，上部護罩52的流路限定部52a可以是例如從頂蓋護罩部52b向上方突出的部分。在此實施方式中，由壓環(huán)60、氣體供給環(huán)70、第2分隔構(gòu)件30以及護罩50(上部護罩52)來規(guī)定環(huán)狀氣體流路90。
[0038]氣體供給環(huán)70能具有例如，使從氣體供給流路160供給的氣體環(huán)狀地擴散的環(huán)狀擴散槽96，以及連接環(huán)狀擴散槽96與環(huán)狀氣體流路90的入口 91的氣體供給孔94。氣體供給環(huán)70能通過緊固構(gòu)件(例如，螺栓)72緊固于第I分隔構(gòu)件40的上部分隔構(gòu)件42。在基板支撐部112的沿著包含基板載置面SS的法線的平面切斷的橫截面(圖3示出該橫截面)，環(huán)狀氣體流路90在環(huán)狀氣體流路90的入口 91和出口 92之間至少包含I個彎曲部99。這對于增長從環(huán)狀氣體流路90的入口 91至出口 92的路徑并且使氣體均勻地擴散是有效的。這結(jié)果有助于基板S的均勻處理。此時，能夠通過在氣體供給環(huán)70的圓周上等間隔地配置氣體供給孔94，而使氣體更均勻地供給至處理空間PS。
[0039]氣體供給環(huán)70能被安裝于分隔構(gòu)件42，以便用于將壓環(huán)60緊固于上部分隔構(gòu)件42的緊固構(gòu)件64被氣體供給環(huán)70隱藏。換言之，壓環(huán)60被夾在上部分隔構(gòu)件42與氣體供給環(huán)70之間。密封構(gòu)件(例如O形環(huán))74被配置于氣體供給環(huán)70與上部分隔構(gòu)件42之間，以便分別被定位在環(huán)狀擴散槽96的外側(cè)及內(nèi)側(cè)。密封構(gòu)件74防止從氣體供給流路160被供給的氣體在氣體供給環(huán)70與上部分隔構(gòu)件42的間隙泄漏，因此能提高在環(huán)狀擴散槽96中的氣體擴散。
[0040]處理裝置I在處理空間PS具備支撐基板S的基板支撐部112?；逯尾?12由基底部120支撐?；逯尾?12包含為了包圍基板S而配置的周邊環(huán)110及基板載置面SS0在基底部120設(shè)有排氣口，在排氣處理空間PS內(nèi)的氣體穿過排氣口由排氣部130排出。在處理空間PS到排氣部130之間使用排氣隔板等?；逯尾?12包含用于靜電吸附基板S或者對基板S施加偏壓的電極，并且該電極經(jīng)由匹配器150被連接于高頻電源152及直流電源154。
[0041]以下，將參照在圖1中示出的處理裝置I的部分放大圖的圖4?圖8，說明第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30的取下及安裝。圖4示出了在進行第2分隔構(gòu)件30的取下的操作前的狀態(tài)。首先，如圖5所示，通過移動上部護罩52，從上部分隔構(gòu)件42取下上部護罩52。此處，使上部護罩52移動的方向是朝向頂蓋部42T的下表面LS所面向的空間的方向DIR。應(yīng)注意，雖然朝向下表面LS所面向的空間的方向DIR,在圖5中是下方向,但在后述的圖11中示出的狀態(tài)是朝上。
[0042]接著，如圖6所示，通過解除由緊固構(gòu)件72所產(chǎn)生的氣體供給環(huán)70向上部分隔構(gòu)件42的緊固，并且使氣體供給環(huán)70在方向DIR移動，從而將氣體供給環(huán)70從上部分隔構(gòu)件42取下。接著，如圖7所示，通過解除由緊固構(gòu)件64所產(chǎn)生的壓環(huán)60向上部分隔構(gòu)件42的緊固，并且使壓環(huán)60在方向DIR移動，從而將壓環(huán)60從上部分隔構(gòu)件42取下。其結(jié)果，第2分隔構(gòu)件30處于能從上部分隔構(gòu)件42取下的狀態(tài)。接著，如圖8所示，通過在方向DIR移動第2分隔構(gòu)件30,使第2分隔構(gòu)件30從上部分隔構(gòu)件42取下。
[0043]如以上所述，根據(jù)此實施方式，不需要從第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42取下第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30的上方的構(gòu)造物，典型的是能作為構(gòu)造體ST的一部分的匹配器10，就能夠從第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42取下第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30并進行更換。因而，在與上述的傳統(tǒng)的技術(shù)的操作相比較時，在維修上容易，用于后來處理的條件設(shè)定，例如沉積或者蝕刻等也是容易的，該傳統(tǒng)的技術(shù)的操作即是，在完成清潔或安裝其他的干凈的第2分隔構(gòu)件30之后，將匹配器10取下而取下第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30，并且將匹配器10再一次安裝到處理裝置I。
[0044]為了使取下第2分隔構(gòu)件30后安裝干凈的第2分隔構(gòu)件30的操作容易，處理裝置I能被構(gòu)成為通過從基底部120使第I分隔構(gòu)件40的至少頂蓋部42T (在此實施方式中，構(gòu)造體ST具有第2分隔構(gòu)件30和包含頂蓋部42T的上部分隔構(gòu)件42)離開，從而處理空間PS能被開放至外部空間OS。
[0045]在圖9?圖11中，作為用于從基底部120離開的機構(gòu)的一例，示出用于使構(gòu)造體ST離開下部分隔構(gòu)件44的機構(gòu)。在圖9?圖11示出的例子中，構(gòu)造體ST與下部分隔構(gòu)件44是由鉸鏈部170彼此連接，并且可以使構(gòu)造體ST相對于下部分隔構(gòu)件44轉(zhuǎn)動。如圖9及圖10所示，可以將構(gòu)造體ST轉(zhuǎn)動180度，如圖11所示，使上部護罩52以及氣體供給環(huán)70依次沿方向DIR移動并取下，其后，可以使第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30沿方向DIR移動并取下。如圖9?圖11所示，使構(gòu)造體ST轉(zhuǎn)動180度的結(jié)構(gòu)從取下時防止上部護罩52、氣體供給環(huán)70和第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30落下的觀點來看是優(yōu)選的。此外，角度不限于180度，能被設(shè)定在防止落下的任何角度。替代圖9?圖11所示的結(jié)構(gòu)，可以采用例如使構(gòu)造體ST往上方移動的結(jié)構(gòu)。
[0046]在圖12中，不出第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42與第2分隔構(gòu)件30連接的位置的密封部的變形例。在圖12所示的例子，上部分隔構(gòu)件42(第I分隔構(gòu)件40)具有被配置于上部分隔構(gòu)件42的開口部46的周圍的安裝表面41和被配置于安裝表面41的周圍的固定表面43。處理裝置I具有用于將第2分隔構(gòu)件30壓在安裝表面41上的安裝環(huán)60。安裝環(huán)60被固定于上部分隔構(gòu)件42的固定表面43。第I密封構(gòu)件(例如O形環(huán))64被配置在安裝環(huán)60與第2分隔構(gòu)件30之間。第2密封構(gòu)件(例如O形環(huán))66被配置在安裝環(huán)60與上部分隔構(gòu)件42的固定表面43之間。應(yīng)注意，從防止第2分隔構(gòu)件30的破損的觀點來看，也可以在安裝表面41與第2分隔構(gòu)件30之間配置由具有彈力的材料所構(gòu)成的彈性環(huán)。
[0047]以下，說明使用上述的處理裝置I制造半導(dǎo)體裝置等裝置的裝置制造方法。此裝置制造方法包含:在處理裝置I的處理空間PS中裝載基板S，使得由基板支撐部112支撐基板S的步驟；和由氣體供給部GS將氣體供給到處理空間PS，由天線20將電磁波供給到氣體而激發(fā)氣體，并且通過由此產(chǎn)生的等離子體來處理基板S的步驟。
[0048]本發(fā)明并不限于以上述的實施方式，在不脫離本發(fā)明的精神及其范圍的情況下，可以進行各種變更與變形。因此，為了告知本發(fā)明的范圍，做出以下的權(quán)利要求。
[0049]本申請要求2011年4月4日提交的日本專利申請第2011-083113號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此合并作為參考。
【權(quán)利要求】
1.一種處理裝置，其對基板進行處理，其特征在于， 所述處理裝置具備: 基板支撐部，其在對基板進行處理的處理空間中支撐所述基板； 第I分隔構(gòu)件，其包括具有開口部的頂蓋部并且使所述處理空間從外部空間分隔開；和 第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便閉塞開口部并且與所述第I分隔構(gòu)件一起使所述處理空間從所述外部空間分隔開； 第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便通過使所述第2分隔構(gòu)件朝向所述頂蓋部的下表面所面向的空間移動，從而將所述第2分隔構(gòu)件從所述第I分隔構(gòu)件取下。
2.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于， 所述第I分隔構(gòu)件，在所述開口部的周圍具有安裝表面，并且所述第2分隔構(gòu)件被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便經(jīng)由密封構(gòu)件將所述第2分隔構(gòu)件壓在所述安裝表面上。
3.如權(quán)利要求2所述的處理裝置，其特征在于， 所述處理裝置還包含用于將所述第2分隔構(gòu)件壓在所述安裝表面上的安裝環(huán)。
4.如權(quán)利要求3所述的處理裝置，其特征在于， 彈性環(huán)被配置在所述安裝環(huán)和所述第2分隔構(gòu)件之間。
5.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于， 所述第I分隔構(gòu)件具有被配置于所述開口部的周圍的安裝表面和被配置于所述安裝表面的周圍的固定表面； 所述處理裝置還包含用于將所述第2分隔構(gòu)件壓在所述安裝表面上的安裝環(huán)；并且所述安裝環(huán)被固定于所述固定表面，第I密封構(gòu)件被配置在所述安裝環(huán)與所述第2分隔構(gòu)件之間，第2密封構(gòu)件被配置在所述安裝環(huán)與所述固定表面之間。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項所述的處理裝置,其特征在于， 所述處理裝置還具備支撐所述基板支撐部的基底部， 所述處理裝置被構(gòu)成為通過使包含所述第2分隔部和所述第I分隔部中的至少所述頂蓋部的構(gòu)造體從所述基底部離開，從而能使所述處理空間開放至所述外部空間。
【文檔編號】H01L21/3065GK103477721SQ201280015592
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月4日
【發(fā)明者】長田智明, 長谷川雅己 申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司
【專利摘要】本發(fā)明提供對生產(chǎn)率的提高有利的技術(shù)。處理裝置具備：在對基板進行處理的處理空間中支撐所述基板的基板支撐部；包含具有開口部的頂蓋部并將所述處理空間從外部空間分隔的第1分隔構(gòu)件；和第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第1分隔構(gòu)件，以便閉塞所述開口部并與所述第1分隔構(gòu)件一起從所述外部空間分隔出所述處理空間。所述第2分隔構(gòu)件被安裝于所述第1分隔構(gòu)件，以便能夠通過使所述第2分隔構(gòu)件朝向所述頂蓋部的下表面所面向的空間移動，從而使所述第2分隔構(gòu)件從所述第1分隔構(gòu)件取下。
【專利說明】處理裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及對基板進行處理的處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]公知在鐘形罩周圍配置天線的感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置。在專利文獻I中公開了等離子體處理裝置，其中，由真空容器(2)和閉塞真空容器(2)的上部的鐘形罩(12)形成真空處理室。此處，氣環(huán)(4)經(jīng)由O形環(huán)被配置在真空容器(2)的凸緣(24)上，并且鐘形罩(12)經(jīng)由O形環(huán)被配置在氣環(huán)(4)上。圍繞鐘形罩(12)配置天線(la、lb)，并且，經(jīng)由匹配器(匹配箱)(3)將高頻電源(10)連接到天線(la、lb)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻1:日本特開2004-235545號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]發(fā)明要解決的課題
[0006]在感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置等的處理裝置中，在處理基板(例如沉積處理、蝕刻處理)時，在鐘形罩的內(nèi)表面會有反應(yīng)產(chǎn)物堆積。堆積在鐘形罩的內(nèi)表面的反應(yīng)產(chǎn)物，會剝落和掉落到基板或基板支撐部上。此外，如果反應(yīng)產(chǎn)物在鐘形罩內(nèi)表面的堆積量變多，則會因此改變處理基板時的條件。因此，能進行將鐘形罩從處理裝置取下，進行清潔，并再次安裝到該處理裝置，或是更換鐘形罩的維修操作。
[0007]然而，如專利文獻I所記載的處理裝置那樣，處理裝置具有鐘形罩被載置在構(gòu)造體(真空容器)上的結(jié)構(gòu)，該構(gòu)造體位于鐘形罩下面，為了要從該構(gòu)造體取下鐘形罩，之前必須要取下配置于鐘形罩的上側(cè)的匹配器等。如果取下匹配器，并在取下鐘形罩，進行清潔、安裝之后將匹配器再次安裝于處理裝置，對等離子體的天線的耦合狀態(tài)就會改變，所以有必要重新設(shè)定沉積或是蝕刻處理等的處理條件。此條件設(shè)定需要長時間，導(dǎo)致生產(chǎn)率降低，所以應(yīng)該避免在每次清潔或者更換鐘形罩時將匹配器從處理裝置取下。
[0008]本發(fā)明是發(fā)明人認識到上述技術(shù)問題而做出的，本發(fā)明的目的在于提供對生產(chǎn)率的提聞有利的技術(shù)。
[0009]〔用于解決課題的手段〕
[0010]本發(fā)明的一個方面是相關(guān)于對基板進行處理的處理裝置。所述處理裝置具備:基板支撐部，其在對基板進行處理的處理空間中支撐所述基板；第I分隔構(gòu)件，其包括具有開口部的頂蓋部并且使所述處理空間從外部空間分隔開；和第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便閉塞開口部并且與所述第I分隔構(gòu)件一起使所述處理空間從所述外部空間分隔開；第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便通過使所述第2分隔構(gòu)件朝向所述頂蓋部的下表面所面向的空間移動，從而將所述第2分隔構(gòu)件從所述第I分隔構(gòu)件取下。
[0011]〔發(fā)明的效果〕[0012]根據(jù)本發(fā)明，提供對于生產(chǎn)率的提高有利的技術(shù)。
[0013]本發(fā)明的其他的特征及優(yōu)點，參照【專利附圖】
【附圖說明】如下。應(yīng)注意，在附圖中相同或者相似的構(gòu)成賦予相同的參考編號。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]附圖包含于說明書中，構(gòu)成其一部分，表不本發(fā)明的實施方式，并且與實施方式的記載一起用于說明本發(fā)明的原理。
[0015]圖1是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
[0016]圖2是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0017]圖3是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0018]圖4是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0019]圖5是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0020]圖6是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0021]圖7是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0022]圖8是圖1示出的處理裝置的部分放大圖。
[0023]圖9是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的開放動作的圖。
[0024]圖10是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的開放動作的圖。
[0025]圖11是示意地示出根據(jù)本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置的零件拆除動作的圖。
[0026]圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的其他實施方式的處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的橫截面圖。
【具體實施方式】
[0027]以下，參照圖1同時說明本發(fā)明的I個實施方式的處理裝置I。處理裝置1，典型的是作為感應(yīng)耦合型等離子體處理裝置而被構(gòu)成的。然而，本發(fā)明也可適用于其他處理裝置，例如，ECR等離子體處理裝置、微波等離子體處理裝置等。處理裝置1，作為對處理基板S的處理空間PS從外部空間(例如大氣環(huán)境)OS分隔的構(gòu)件(包圍物)，并且具備第I分隔構(gòu)件(腔室；chamber)40、第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30、與基底部120。
[0028]第I分隔構(gòu)件40，作為至少2個能相互分離的構(gòu)件，包含例如上部分隔構(gòu)件42和下部分隔構(gòu)件44。第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42包含具有開口部46的頂蓋部(ceiling portion)42T。第2分隔構(gòu)件30被安裝于第I分隔構(gòu)件40,以便閉塞開口部46并與第I分隔構(gòu)件40 —起將處理空間PS從外部空間OS分隔開。
[0029]第2分隔構(gòu)件30被安裝于第I分隔構(gòu)件40，以便通過使第2分隔構(gòu)件30朝向頂蓋部42T的下表面LS所面向(即，朝著方向DIR)的空間(在圖1的狀態(tài)下，是處理空間PS)移動，從而使第2分隔構(gòu)件30能夠從第I分隔構(gòu)件40取下。此處，方向DIR是第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42的頂蓋部42T的下表面LS所面向的方向。因此是取決于第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42的取向(即，相對于第I分隔構(gòu)件40或者上部分隔構(gòu)件42的相對方向)，并不是以水平面等基準面為基準的絕對方向。
[0030]基底部120被配置以便閉塞住第I分隔構(gòu)件40的下部的開口部。然而，基底部120也可以與第I分隔構(gòu)件40 —體化，以便構(gòu)成第I分隔構(gòu)件40的一部分。[0031]如圖2示出，第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42能在開口部46的周圍具有安裝表面41。第2分隔構(gòu)件30被安裝于第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42，以便經(jīng)由密封構(gòu)件(例如，O形環(huán))32將第2分隔構(gòu)件30壓在安裝表面41上。更具體地說，由緊固構(gòu)件(例如，螺栓)64將壓環(huán)(pressing ring) 60緊固于上部分隔構(gòu)件42,而使第2分隔構(gòu)件30通過壓環(huán)60經(jīng)由密封構(gòu)件(例如，O形環(huán))32被壓在安裝表面41上。此處，優(yōu)選壓環(huán)60具有彈性環(huán)62并經(jīng)由彈性環(huán)62對第2分隔構(gòu)件30施加壓力。這對于防止第2分隔構(gòu)件30因受壓而導(dǎo)致?lián)p害是有效的。此外，設(shè)置彈性環(huán)62，從在處理空間PS為真空狀態(tài)時，防止對第2分隔構(gòu)件30從外部空間OS施加外壓導(dǎo)致第2分隔構(gòu)件30破損的觀點來看也是更有效的。彈性環(huán)62，優(yōu)選由具有彈力的材質(zhì)構(gòu)成，并且耐等離子體、耐活性氣體、且耐熱，例如優(yōu)選彈性環(huán)62由特氟綸(登錄商標)構(gòu)成。應(yīng)注意，雖然從削減零件數(shù)目的觀點來看，彈性環(huán)62優(yōu)選由I個環(huán)狀構(gòu)件構(gòu)成，但例如也可以由多個環(huán)狀構(gòu)件構(gòu)成，或者可以由沿圓周設(shè)置在規(guī)定的間隔的片狀構(gòu)件構(gòu)成。此外，雖然優(yōu)選壓環(huán)60由考慮到耐熱性和剛性的金屬構(gòu)成，但是也可以由具有彈力的構(gòu)件構(gòu)成，并且在該情況下壓環(huán)60也可以不具有彈性環(huán)62。
[0032]經(jīng)由密封構(gòu)件(例如，O形環(huán))32將第2分隔構(gòu)件30壓在面向下的安裝表面41上的結(jié)構(gòu)，能夠用單個密封構(gòu)件32取得卓越的密封。
[0033]處理裝置I具備氣體供給部GS和天線20。天線20被配置于外部空間OS以便接近第2分隔構(gòu)件30，并且向氣體供給電磁波從而激發(fā)該氣體，該氣體由氣體供給部GS被供給到處理空間PS。從高頻電源(RF電源)12經(jīng)由匹配器10向天線20供給高頻電力。用于使等離子體朝向基板S擴散的電磁鐵單元22能被配置在天線20的外側(cè)，該等離子體是通過從天線20放射的電磁波從而在第2分隔構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)的空間產(chǎn)生的。為了將從天線20放射的電磁波導(dǎo)入第2分隔構(gòu)件30的內(nèi)側(cè)的空間并且產(chǎn)生等離子體，第2分隔構(gòu)件30由絕緣材料構(gòu)成，例如，石英玻璃、氮化鋁等。
[0034]處理裝置I還具備護罩50，該護罩50被配置于第I分隔構(gòu)件40 (上部分隔構(gòu)件42和下部分隔構(gòu)件44)的內(nèi)側(cè)，以便面對處理空間PS并且保護第I分隔構(gòu)件40以防處理空間PS中的等離子體環(huán)境。護罩50能具有例如上部護罩52和下部護罩54，該上部護罩52被配置于上部分隔構(gòu)件42的內(nèi)側(cè)并且保護上部分隔構(gòu)件42以防處理空間PS中的等離子體環(huán)境，該下部護罩54被配置于下部分隔構(gòu)件44的內(nèi)側(cè)并且保護下部分隔構(gòu)件44以防處理空間PS的等離子體環(huán)境。上部護罩52能由未圖示的緊固構(gòu)件被緊固于上部分隔構(gòu)件42。
[0035]如圖3所例示地，氣體供給部GS能具有例如，用于將氣體供給至處理空間PS的環(huán)狀氣體流路90，將氣體向環(huán)狀氣體流路90供給的氣體供給環(huán)70，和將氣體向氣體供給環(huán)70供給的氣體供給流路160。環(huán)狀氣體流路90的往處理空間PS的出口 92是環(huán)狀狹縫。經(jīng)由氣體供給流路160及氣體供給環(huán)70向環(huán)狀氣體流路90被供給的氣體，作為環(huán)狀的氣體流，穿過環(huán)狀氣體流路90被供給到處理空間PS。由于環(huán)狀氣體流路90的往處理空間PS的出口 92是環(huán)狀狹縫，所以與從放射狀地配置的氣體供給孔直接向處理空間PS供給氣體的結(jié)構(gòu)的情況相比，能夠使氣體更均勻地供給到處理空間PS。這意味著，能夠更均勻地處理基板S，或者能夠縮減第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30與基板S的距離(使氣體擴散而使氣體均勻化所需要的距離)。[0036]環(huán)狀氣體流路90的至少一部分是由第2分隔構(gòu)件30與上部護罩52所限定的。例如，環(huán)狀氣體流路90的往處理空間PS的出口(環(huán)狀狹縫)92是由第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30的最下側(cè)的外側(cè)側(cè)面與上部護罩52的最內(nèi)側(cè)的側(cè)面的間隙來限定。這提供了在維修上的優(yōu)勢。換言之，通過僅僅清潔第2分隔構(gòu)件30及上部護罩52，使出口(環(huán)狀狹縫)92被清潔。此外，氣體供給孔94不直接暴露于等離子體，所以可以減低氣體供給口 94的污染和老化。另一方面，在傳統(tǒng)的氣體供給孔的清潔中，有必要清潔甚至是氣體供給孔的內(nèi)部(即，未露出于表面的部分)，這在清潔的可靠性的方面以及在用于清潔所需要的時間的方面是不利的。
[0037]此外，由氣體供給環(huán)70的內(nèi)側(cè)側(cè)面與上部護罩52的流路限定部52a的外側(cè)側(cè)面之間的間隙來限定環(huán)狀氣體流路90的入口 91，并且由壓環(huán)60的下表面與上部護罩52的流路限定部52a的上表面之間的間隙來限定環(huán)狀氣體流路90的入口 91與出口 92之間的部位的至少一部分。上部護罩52具有與上部分隔構(gòu)件42的頂蓋部42T的下表面LS接觸的頂蓋護罩部52b，上部護罩52的流路限定部52a可以是例如從頂蓋護罩部52b向上方突出的部分。在此實施方式中，由壓環(huán)60、氣體供給環(huán)70、第2分隔構(gòu)件30以及護罩50(上部護罩52)來規(guī)定環(huán)狀氣體流路90。
[0038]氣體供給環(huán)70能具有例如，使從氣體供給流路160供給的氣體環(huán)狀地擴散的環(huán)狀擴散槽96，以及連接環(huán)狀擴散槽96與環(huán)狀氣體流路90的入口 91的氣體供給孔94。氣體供給環(huán)70能通過緊固構(gòu)件(例如，螺栓)72緊固于第I分隔構(gòu)件40的上部分隔構(gòu)件42。在基板支撐部112的沿著包含基板載置面SS的法線的平面切斷的橫截面(圖3示出該橫截面)，環(huán)狀氣體流路90在環(huán)狀氣體流路90的入口 91和出口 92之間至少包含I個彎曲部99。這對于增長從環(huán)狀氣體流路90的入口 91至出口 92的路徑并且使氣體均勻地擴散是有效的。這結(jié)果有助于基板S的均勻處理。此時，能夠通過在氣體供給環(huán)70的圓周上等間隔地配置氣體供給孔94，而使氣體更均勻地供給至處理空間PS。
[0039]氣體供給環(huán)70能被安裝于分隔構(gòu)件42，以便用于將壓環(huán)60緊固于上部分隔構(gòu)件42的緊固構(gòu)件64被氣體供給環(huán)70隱藏。換言之，壓環(huán)60被夾在上部分隔構(gòu)件42與氣體供給環(huán)70之間。密封構(gòu)件(例如O形環(huán))74被配置于氣體供給環(huán)70與上部分隔構(gòu)件42之間，以便分別被定位在環(huán)狀擴散槽96的外側(cè)及內(nèi)側(cè)。密封構(gòu)件74防止從氣體供給流路160被供給的氣體在氣體供給環(huán)70與上部分隔構(gòu)件42的間隙泄漏，因此能提高在環(huán)狀擴散槽96中的氣體擴散。
[0040]處理裝置I在處理空間PS具備支撐基板S的基板支撐部112?；逯尾?12由基底部120支撐?；逯尾?12包含為了包圍基板S而配置的周邊環(huán)110及基板載置面SS0在基底部120設(shè)有排氣口，在排氣處理空間PS內(nèi)的氣體穿過排氣口由排氣部130排出。在處理空間PS到排氣部130之間使用排氣隔板等?；逯尾?12包含用于靜電吸附基板S或者對基板S施加偏壓的電極，并且該電極經(jīng)由匹配器150被連接于高頻電源152及直流電源154。
[0041]以下，將參照在圖1中示出的處理裝置I的部分放大圖的圖4?圖8，說明第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30的取下及安裝。圖4示出了在進行第2分隔構(gòu)件30的取下的操作前的狀態(tài)。首先，如圖5所示，通過移動上部護罩52，從上部分隔構(gòu)件42取下上部護罩52。此處，使上部護罩52移動的方向是朝向頂蓋部42T的下表面LS所面向的空間的方向DIR。應(yīng)注意，雖然朝向下表面LS所面向的空間的方向DIR,在圖5中是下方向,但在后述的圖11中示出的狀態(tài)是朝上。
[0042]接著，如圖6所示，通過解除由緊固構(gòu)件72所產(chǎn)生的氣體供給環(huán)70向上部分隔構(gòu)件42的緊固，并且使氣體供給環(huán)70在方向DIR移動，從而將氣體供給環(huán)70從上部分隔構(gòu)件42取下。接著，如圖7所示，通過解除由緊固構(gòu)件64所產(chǎn)生的壓環(huán)60向上部分隔構(gòu)件42的緊固，并且使壓環(huán)60在方向DIR移動，從而將壓環(huán)60從上部分隔構(gòu)件42取下。其結(jié)果，第2分隔構(gòu)件30處于能從上部分隔構(gòu)件42取下的狀態(tài)。接著，如圖8所示，通過在方向DIR移動第2分隔構(gòu)件30,使第2分隔構(gòu)件30從上部分隔構(gòu)件42取下。
[0043]如以上所述，根據(jù)此實施方式，不需要從第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42取下第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30的上方的構(gòu)造物，典型的是能作為構(gòu)造體ST的一部分的匹配器10，就能夠從第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42取下第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30并進行更換。因而，在與上述的傳統(tǒng)的技術(shù)的操作相比較時，在維修上容易，用于后來處理的條件設(shè)定，例如沉積或者蝕刻等也是容易的，該傳統(tǒng)的技術(shù)的操作即是，在完成清潔或安裝其他的干凈的第2分隔構(gòu)件30之后，將匹配器10取下而取下第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30，并且將匹配器10再一次安裝到處理裝置I。
[0044]為了使取下第2分隔構(gòu)件30后安裝干凈的第2分隔構(gòu)件30的操作容易，處理裝置I能被構(gòu)成為通過從基底部120使第I分隔構(gòu)件40的至少頂蓋部42T (在此實施方式中，構(gòu)造體ST具有第2分隔構(gòu)件30和包含頂蓋部42T的上部分隔構(gòu)件42)離開，從而處理空間PS能被開放至外部空間OS。
[0045]在圖9?圖11中，作為用于從基底部120離開的機構(gòu)的一例，示出用于使構(gòu)造體ST離開下部分隔構(gòu)件44的機構(gòu)。在圖9?圖11示出的例子中，構(gòu)造體ST與下部分隔構(gòu)件44是由鉸鏈部170彼此連接，并且可以使構(gòu)造體ST相對于下部分隔構(gòu)件44轉(zhuǎn)動。如圖9及圖10所示，可以將構(gòu)造體ST轉(zhuǎn)動180度，如圖11所示，使上部護罩52以及氣體供給環(huán)70依次沿方向DIR移動并取下，其后，可以使第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30沿方向DIR移動并取下。如圖9?圖11所示，使構(gòu)造體ST轉(zhuǎn)動180度的結(jié)構(gòu)從取下時防止上部護罩52、氣體供給環(huán)70和第2分隔構(gòu)件(鐘形罩)30落下的觀點來看是優(yōu)選的。此外，角度不限于180度，能被設(shè)定在防止落下的任何角度。替代圖9?圖11所示的結(jié)構(gòu)，可以采用例如使構(gòu)造體ST往上方移動的結(jié)構(gòu)。
[0046]在圖12中，不出第I分隔構(gòu)件40或上部分隔構(gòu)件42與第2分隔構(gòu)件30連接的位置的密封部的變形例。在圖12所示的例子，上部分隔構(gòu)件42(第I分隔構(gòu)件40)具有被配置于上部分隔構(gòu)件42的開口部46的周圍的安裝表面41和被配置于安裝表面41的周圍的固定表面43。處理裝置I具有用于將第2分隔構(gòu)件30壓在安裝表面41上的安裝環(huán)60。安裝環(huán)60被固定于上部分隔構(gòu)件42的固定表面43。第I密封構(gòu)件(例如O形環(huán))64被配置在安裝環(huán)60與第2分隔構(gòu)件30之間。第2密封構(gòu)件(例如O形環(huán))66被配置在安裝環(huán)60與上部分隔構(gòu)件42的固定表面43之間。應(yīng)注意，從防止第2分隔構(gòu)件30的破損的觀點來看，也可以在安裝表面41與第2分隔構(gòu)件30之間配置由具有彈力的材料所構(gòu)成的彈性環(huán)。
[0047]以下，說明使用上述的處理裝置I制造半導(dǎo)體裝置等裝置的裝置制造方法。此裝置制造方法包含:在處理裝置I的處理空間PS中裝載基板S，使得由基板支撐部112支撐基板S的步驟；和由氣體供給部GS將氣體供給到處理空間PS，由天線20將電磁波供給到氣體而激發(fā)氣體，并且通過由此產(chǎn)生的等離子體來處理基板S的步驟。
[0048]本發(fā)明并不限于以上述的實施方式，在不脫離本發(fā)明的精神及其范圍的情況下，可以進行各種變更與變形。因此，為了告知本發(fā)明的范圍，做出以下的權(quán)利要求。
[0049]本申請要求2011年4月4日提交的日本專利申請第2011-083113號的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此合并作為參考。
【權(quán)利要求】
1.一種處理裝置，其對基板進行處理，其特征在于， 所述處理裝置具備: 基板支撐部，其在對基板進行處理的處理空間中支撐所述基板； 第I分隔構(gòu)件，其包括具有開口部的頂蓋部并且使所述處理空間從外部空間分隔開；和 第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便閉塞開口部并且與所述第I分隔構(gòu)件一起使所述處理空間從所述外部空間分隔開； 第2分隔構(gòu)件，其被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便通過使所述第2分隔構(gòu)件朝向所述頂蓋部的下表面所面向的空間移動，從而將所述第2分隔構(gòu)件從所述第I分隔構(gòu)件取下。
2.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于， 所述第I分隔構(gòu)件，在所述開口部的周圍具有安裝表面，并且所述第2分隔構(gòu)件被安裝于所述第I分隔構(gòu)件，以便經(jīng)由密封構(gòu)件將所述第2分隔構(gòu)件壓在所述安裝表面上。
3.如權(quán)利要求2所述的處理裝置，其特征在于， 所述處理裝置還包含用于將所述第2分隔構(gòu)件壓在所述安裝表面上的安裝環(huán)。
4.如權(quán)利要求3所述的處理裝置，其特征在于， 彈性環(huán)被配置在所述安裝環(huán)和所述第2分隔構(gòu)件之間。
5.如權(quán)利要求1所述的處理裝置，其特征在于， 所述第I分隔構(gòu)件具有被配置于所述開口部的周圍的安裝表面和被配置于所述安裝表面的周圍的固定表面； 所述處理裝置還包含用于將所述第2分隔構(gòu)件壓在所述安裝表面上的安裝環(huán)；并且所述安裝環(huán)被固定于所述固定表面，第I密封構(gòu)件被配置在所述安裝環(huán)與所述第2分隔構(gòu)件之間，第2密封構(gòu)件被配置在所述安裝環(huán)與所述固定表面之間。
6.如權(quán)利要求1?5中任一項所述的處理裝置,其特征在于， 所述處理裝置還具備支撐所述基板支撐部的基底部， 所述處理裝置被構(gòu)成為通過使包含所述第2分隔部和所述第I分隔部中的至少所述頂蓋部的構(gòu)造體從所述基底部離開，從而能使所述處理空間開放至所述外部空間。
【文檔編號】H01L21/3065GK103477721SQ201280015592
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月4日
【發(fā)明者】長田智明, 長谷川雅己 申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司
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