減少偏移的電阻電路的制作方法
【專利摘要】電阻器段可以放置在集成電路的空間區(qū)中。電阻器段與導(dǎo)體之間形成的面結(jié)可以放置在多個(gè)位置處，以使得每個(gè)面結(jié)具有一個(gè)相同類型的配對(duì)對(duì)應(yīng)物，所述配對(duì)對(duì)應(yīng)物被間隔開以便形成相應(yīng)的相同面結(jié)類型質(zhì)心(即，幾何中心)。不同面結(jié)類型質(zhì)心可以大致上重合，這意味著這些質(zhì)心大致上重疊。用這種方式，由一對(duì)面結(jié)產(chǎn)生的面結(jié)電壓(或偏移電壓)可以抵消由所述電阻電路中的另一對(duì)面結(jié)產(chǎn)生的面結(jié)電壓。
【專利說明】減少偏移的電阻電路
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用:
[0002]本申請(qǐng)要求2011年6月17日提交的臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)61/498，244所提供的優(yōu)先權(quán)權(quán)益。
[0003]背景
[0004]本發(fā)明涉及用于減少可在集成電路中出現(xiàn)的電壓偏移的技術(shù)，并且明確來說涉及可在這類集成電路內(nèi)的半導(dǎo)體電阻器中出現(xiàn)的那些電壓偏移。
[0005]在半導(dǎo)體電阻器中，電壓偏移是在金屬與半導(dǎo)體材料之間的面結(jié)處產(chǎn)生的電壓。電壓偏移導(dǎo)致集成電路以不理想的方式工作。雖然電氣工程師通常根據(jù)以下方程來對(duì)電阻器進(jìn)行建模:V=I*R，其中V表示電阻器兩端的驅(qū)動(dòng)電壓，I表示通過所述電阻器的電流，并且R表示構(gòu)成所述電阻器的材料的電阻，但實(shí)際上電阻器可能是按V = I*R+Σ Vtwi來工作，其中Vtwi表示由所述電阻器內(nèi)各種金屬與半導(dǎo)體面結(jié)所誘導(dǎo)的電壓。在要求高精度操作的應(yīng)用中，電壓偏移導(dǎo)致精度的損失。
[0006]電壓偏移出現(xiàn)在如放大器的其它電路系統(tǒng)中。減少電壓偏移的各種技術(shù)被用于這類系統(tǒng)中，如斬波穩(wěn)定器和自動(dòng)調(diào)零電路，然而，這類技術(shù)不能應(yīng)對(duì)所有的偏移現(xiàn)象。舉例來說，斬波穩(wěn)定器通過調(diào)制偏移電壓并且在低通濾波器中對(duì)其進(jìn)行抑制來減少放大器中產(chǎn)生的偏移電壓。雖然斬波穩(wěn)定器有效地減少了放大器中產(chǎn)生的偏移電壓，但是它們不能減少由其它電路元件產(chǎn)生的偏移電壓。本發(fā)明著重于減少由電阻器結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的偏移電壓，所述電阻器結(jié)構(gòu)具有由半導(dǎo)體材料制成的電阻體和由導(dǎo)電材料制成的端子。
[0007]圖1是產(chǎn)生不合需要的偏移電壓的典型多晶硅電阻器100的橫截面。金屬軌道110 (例如，鋁或銅)附接至觸點(diǎn)材料120 (例如，TiSi2)。觸點(diǎn)材料120附接至多晶硅薄膜130。根據(jù)塞貝克效應(yīng)(Seebeck effect),當(dāng)兩種不同導(dǎo)電材料在一個(gè)面結(jié)處接觸時(shí)產(chǎn)生電壓電位。這個(gè)電位隨著接觸材料而變化并且與溫度成比例(對(duì)于小的溫度范圍來說，變化關(guān)系是近似線性的)。導(dǎo)電材料之間的面結(jié)被稱為熱電偶。對(duì)于圖1中的多晶硅電阻器100來說，在多晶硅電阻器100的每個(gè)面結(jié)處存在兩個(gè)這類熱電偶140。熱電偶140處于(a)金屬軌道110與觸點(diǎn)材料120之間并且處于(b)觸點(diǎn)材料120與多晶硅薄膜130之間。
[0008]如果在多晶硅電阻器100的金屬軌道110之間存在溫差，那么可以觀察到電壓電位(或偏移電壓)。換句話說，電阻器在這種狀況下成為了 “熱電偶”。金屬-硅面結(jié)中所產(chǎn)生的電壓電位的典型值是近似400μ V/°C。在這類情況下，多晶硅電阻器100兩端僅僅
0.01°C的溫差將在金屬軌道110之間產(chǎn)生幾μ V的電位差。現(xiàn)代電路應(yīng)用常常需要將偏移減少至0.01 μ V。當(dāng)電路耗散大量功率從而在電阻器兩端誘導(dǎo)更大溫差時(shí)，情況會(huì)更加嚴(yán)重。因此，對(duì)于考慮到電阻器兩端的溫度變化的偏移減少技術(shù)存在需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1示出產(chǎn)生不合需要的偏移電壓的多晶硅電阻器結(jié)構(gòu)。
[0010]圖2示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的電阻器結(jié)構(gòu)。
[0011]圖3是圖2的電阻器的電路模型。[0012]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案的電阻器結(jié)構(gòu)。
[0013]圖5是圖4的電阻器的電路模型。
[0014]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案的電阻器結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】
[0015]本發(fā)明的實(shí)施方案提供用于電阻器的集成電路結(jié)構(gòu)，所述集成電路結(jié)構(gòu)最大限度地減少典型半導(dǎo)體電阻電路中的材料面結(jié)處發(fā)生的偏移電壓。本發(fā)明可以包括可經(jīng)由金屬導(dǎo)體來互連的至少兩個(gè)電阻器段。電阻器段可以放置在集成電路的空間區(qū)中。電阻器段與導(dǎo)體之間形成的面結(jié)可以放置在多個(gè)位置處，以使得每個(gè)面結(jié)具有相同類型(即，電流流動(dòng)方向類型)的配對(duì)對(duì)應(yīng)物，所述對(duì)應(yīng)物被間隔開以便形成相應(yīng)的相同面結(jié)類型質(zhì)心(即，幾何中心)。不同面結(jié)類型質(zhì)心可以大致上重合，這意味著質(zhì)心大致上重疊。用這種方式，由一對(duì)面結(jié)產(chǎn)生的面結(jié)電壓(或偏移電壓)可以抵消由所述電阻電路中的另一對(duì)面結(jié)產(chǎn)生的面結(jié)電壓。
[0016]另外，因?yàn)榕鋵?duì)面結(jié)的質(zhì)心大致上重合，所以面結(jié)電壓可能隨著溫度以相等但是相反的方式來變化。因此，抵消效應(yīng)應(yīng)當(dāng)持續(xù)存在，甚至在溫度變化時(shí)也如此。
[0017]本發(fā)明的原理可以應(yīng)用于具有由半導(dǎo)體材料制成的電阻體的任何電阻器結(jié)構(gòu)。舉例來說，本發(fā)明的電阻器段可以是多晶硅電阻器、N型或P型擴(kuò)散電阻器或N型或P型阱電阻器。這些實(shí)施方案的電阻器段是與金屬導(dǎo)體耦合。然而，可以使用其它導(dǎo)電材料來代替金屬。此外，電阻器段可以用作連接焊盤，例如接合焊盤。
[0018]圖2不出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的電阻器200的布局。電阻器200可以包括兩個(gè)電阻器段210、220和三個(gè)導(dǎo)體230、240、250。前兩個(gè)導(dǎo)體230、240 (展示為“軌道”)可以在面結(jié)處耦合至相應(yīng)電阻器段210、220。軌道230、240可以為電阻器200提供輸入/輸出端子。軌道230、240與電阻器`段210、220之間的每個(gè)結(jié)合部形成一個(gè)面結(jié)(即，熱電偶)，對(duì)于軌道230來說大體展示為TCA，并且對(duì)于軌道240來說大體展示為TCd。第三導(dǎo)體250可以將電阻器段210、220的第二末端彼此連接。第三導(dǎo)體250與電阻器段210、220之間的每個(gè)結(jié)合部形成一個(gè)面結(jié)，對(duì)于導(dǎo)體250來說大體分別展示為TCb和TC。。每個(gè)面結(jié)產(chǎn)生一個(gè)電壓，圖3中進(jìn)一步討論。
[0019]電阻器段210、220可以放置在集成電路的空間區(qū)中。如圖2中所示，電阻器段210、220與導(dǎo)體230、240、250之間形成的每個(gè)面結(jié)可以放置在圍繞電阻器200的質(zhì)心(展示為CRT)的一個(gè)位置處。質(zhì)心可以作為電阻器200的幾何中心來提供。在一個(gè)實(shí)施方案中，質(zhì)心可以定義為面結(jié)1^、1^、1^和TCd的x-y坐標(biāo)的平均值。此外，每個(gè)面結(jié)可以包括多個(gè)觸點(diǎn)，例如平行長(zhǎng)方形觸點(diǎn)，并且由此，每個(gè)面結(jié)還可以包括中心位置。因此，質(zhì)心可以相對(duì)于每個(gè)面結(jié)的中心位置來提供。
[0020]每個(gè)面結(jié)可以與相似類型(即，N型或P型)對(duì)應(yīng)物配對(duì)，其中這對(duì)面結(jié)形成這種面結(jié)類型的一個(gè)質(zhì)心。面結(jié)類型可以基于穿過電阻器段的電流流動(dòng)方向來分類。舉例來說，具有從金屬部分到電阻器的電流流動(dòng)的面結(jié)可以歸類為第一類型的面結(jié)，并且具有從電阻器到金屬部分的電流流動(dòng)的另一個(gè)面結(jié)可以歸類為第二類型的面結(jié)。此外，每個(gè)面結(jié)和其配對(duì)對(duì)應(yīng)物可以共同距離與電阻器質(zhì)心間隔開。例如，面結(jié)1^和TC。相對(duì)于電阻器質(zhì)心來對(duì)稱地布置并且可以歸類為第一類型的面結(jié)，Jmk(具有金屬至電阻器電流流動(dòng)的面結(jié))。類似地，面結(jié)TCb和TCd相對(duì)于質(zhì)心來對(duì)稱地布置并且可以歸類為第二類型的面結(jié)，Jem(具有電阻器至金屬電流流動(dòng)的面結(jié))。配對(duì)面結(jié)可以具有彼此相反的極性。因此，與配對(duì)面結(jié)TCa和TC。相關(guān)聯(lián)的面結(jié)電壓可能抵消電阻器200中與配對(duì)面結(jié)TCb和TCd相關(guān)聯(lián)的面結(jié)電壓。
[0021]此外，電阻器200可以用作連接至焊盤的電阻器。舉例來說，導(dǎo)體230、240、250可以連接至導(dǎo)電接合焊盤。
[0022]圖3是圖2中描述的電阻器300的實(shí)施方案的電氣模型。所述模型包括兩個(gè)電阻器段310、320和三個(gè)導(dǎo)體330、340、350。圖3中的面結(jié)TCA、TCB、TCc和TCd建模為電壓Va、VpVcJPVdt5電壓Va-Vd表示每個(gè)相應(yīng)熱電偶處的總熱電位。這些電壓可以基于溫度而變化。
[0023]在軌道330與340之間出現(xiàn)的總熱電位(或偏移電壓)Vtot為
[0024]Vtot=Va - Vb+Vc - Vd 方程(1.)
[0025]因此，只要滿足以下條件，就可抵消電阻電路300的熱電位(或偏移電壓):
[0026]Va+Vc=Vb+Vd 方程(2.)
[0027]在圖3中所示的當(dāng)前實(shí)施方案中，面結(jié)對(duì)TCA、TC。和TCB、TCD圍繞電阻器300的質(zhì)心來對(duì)稱地布置。因此，假定每個(gè)電阻器段310、320兩端的熱梯度是線性的，那么每個(gè)面結(jié)處的溫度滿足以下方程:
[0028]TEMPTCa+TEMPTCc=TEMPTCb+TEMPTCd 方程(3.)
[0029]其中TEMPrca是TCa處的溫度，TEMPrcb是TCb處的溫度，TEMPTC。是TCc處的溫度，并且TEMPtm是TCd處的溫度。
[0030]因?yàn)闊犭娢慌c溫度成線性變化關(guān)系，所以總熱電位(或偏移電壓)Vtot應(yīng)為:
[0031 ] Va - Vb+Vc - Vd=K* (TEMPTCa+TEMPTCc-TEMPTCb-TEMPTCd)方程(4.)
[0032]其中K是與形成面結(jié)的導(dǎo)電材料相關(guān)的常數(shù)。另夕卜，當(dāng)TEMPTCa+TEMPTCc=TEMPTCb+TEMPTCd時(shí)，總熱電位(或偏移電壓)變成零。
[0033]圖4示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案的減少偏移的電阻電路的布局。在這個(gè)實(shí)施方案中，電阻器400可以包括四個(gè)電阻器段410、420、430、440和五個(gè)導(dǎo)體450、460、470、480、490。前兩個(gè)導(dǎo)體450、460(展示為“軌道”)可以在面結(jié)處耦合至相應(yīng)電阻器段410、440。軌道450、460可以為電阻器400提供輸入/輸出端子。軌道450、460與電阻器段410、440之間的每個(gè)結(jié)合部形成一個(gè)面結(jié)，對(duì)于軌道450來說大體展示為TCa并且對(duì)于軌道460來說大體展示為TCe。
[0034]中間導(dǎo)體470、480、490可以連接電阻器段410、420、430、440。中間導(dǎo)體470、480、490和電阻器段410、420、430、440可以形成從軌道450到軌道460的導(dǎo)電通路。導(dǎo)體470可以連接電阻器段410和420，導(dǎo)體480可以連接電阻器段420和430，并且導(dǎo)體490可以連接電阻器段430和440。導(dǎo)體470、480、490與電阻器段410、420、430、440之間的每個(gè)結(jié)合部形成一個(gè)面結(jié)。導(dǎo)體470與電阻器段410之間的面結(jié)展示為TCB，導(dǎo)體480與電阻器段420之間的面結(jié)展不為TC。,等等。
[0035]電阻器段410、420、430、440可以放置在集成電路的空間區(qū)中。如圖4中所示，電阻器段410、420、430、440與導(dǎo)體450、460、470、480，490之間形成的每個(gè)面結(jié)TCa-TCh可以放置在圍繞電阻器400的質(zhì)心的一個(gè)位置處。每個(gè)面結(jié)可以與相似類型(即，N型或P型)對(duì)應(yīng)物配對(duì),其中這對(duì)面結(jié)形成這種面結(jié)類型的一個(gè)質(zhì)心。此外,每個(gè)面結(jié)和其配對(duì)對(duì)應(yīng)物可以共同距離與電阻器質(zhì)心間隔開。例如，面結(jié)TCa和TCh相對(duì)于電阻器質(zhì)心來對(duì)稱地布置，面結(jié)TCb和TCe相對(duì)于電阻器質(zhì)心來對(duì)稱地布置，等等。配對(duì)面結(jié)可以具有彼此相反的極性。因此，類似于圖2中所示的實(shí)施方案，圖4中的配對(duì)面結(jié)電壓可能在電阻電路400中彼此抵消。
[0036]圖5是圖4中描述的電阻電路500的實(shí)施方案的電氣模型。這個(gè)模型示出四個(gè)電阻器段510、520、530、540和五個(gè)導(dǎo)體550、560、570、580、590。面結(jié)TCa - TCh建模為電壓Va _\。電壓Va-Vh表示每個(gè)相應(yīng)面結(jié)處的總熱電位。這些電壓可以基于溫度而變化。
[0037]在軌道550和560之間出現(xiàn)的總熱電位(或偏移電壓)Vtot為:
[0038]Vtot=Va - VVc — VVe — Vf+Vg - Vh 方程(5.)
[0039]如以上圖2和3的討論中所描述，圖5中所示的實(shí)施方案中的熱梯度預(yù)期在圍繞質(zhì)心以共同位置定位的電阻器段內(nèi)是類似的-這意味著電阻器段520中的效應(yīng)可能類似于電阻器段530中的那些效應(yīng)，并且電阻器段510中的效應(yīng)可能類似于電阻器段540中的那些效應(yīng)。擴(kuò)展來說，面結(jié)TCa - TCh中每一個(gè)的熱效應(yīng)可能類似于對(duì)應(yīng)面結(jié)的那些熱效應(yīng)(例如，TCa應(yīng)類似于TCH，TCb應(yīng)類似于TCe，等等)。因此，面結(jié)之間的電壓可能在很大程度上得以抵消。
[0040]在另一個(gè)實(shí)施方案中，電阻器可以用于由產(chǎn)生熱的有源和無源裝置構(gòu)成的集成電路系統(tǒng)中。在這樣一種實(shí)施方案中，將配對(duì)面結(jié)圍繞系統(tǒng)的熱質(zhì)心對(duì)稱地分布可以有利于實(shí)現(xiàn)偏移電壓抵消。在這種情況下，系統(tǒng)的質(zhì)心可以不同于電阻器的質(zhì)心。
[0041]在圖6中展示的另一個(gè)實(shí)施方案中，根據(jù)先前實(shí)施方案的兩個(gè)電阻電路610、620可以在集成電路上以類似的方式并且彼此緊鄰地布置。在這樣一種實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的原理減少每個(gè)單獨(dú)電阻電路的電壓偏移將會(huì)減少兩個(gè)電阻電路之間產(chǎn)生的總電壓偏移。明確來說，因?yàn)閮蓚€(gè)電阻電路610、620彼此緊鄰地布置，所以電阻電路610、620中每一個(gè)的對(duì)應(yīng)成對(duì)面結(jié)將經(jīng)歷類似的熱效應(yīng)。根據(jù)這樣一種實(shí)施方案，兩個(gè)電阻電路610、620之間的電壓差將會(huì)減少，因此兩個(gè)電阻電路之間產(chǎn)生的電壓偏移將會(huì)減少。圖6實(shí)施方案可以尤其適用于差分信號(hào)，其中兩個(gè)電阻電路610、620可以減少差分信號(hào)的正部與負(fù)部之間產(chǎn)生的偏移電壓。
[0042]前述實(shí)施方案中的電阻器段以大體線性段形式來示出，然而本發(fā)明的原理不限于此。本發(fā)明的原理可以適應(yīng)任何其它的幾何形狀-如圓弧或肘狀-只要存在圍繞共同質(zhì)心對(duì)稱地布置并且串聯(lián)連接的偶數(shù)個(gè)金屬-硅面結(jié)即可。以這樣一種方式布置金屬-硅面結(jié)最大限度地減少了由于塞貝克效應(yīng)而由金屬-硅面結(jié)產(chǎn)生的電壓。
[0043]雖然前述討論暗示出會(huì)發(fā)生電壓的完全抵消，但是這些只代表理想的情況。當(dāng)電阻器被制造在集成電路中時(shí)，不可能發(fā)生完全抵消。在制造電阻器時(shí)，它們不可能恰好如圖3和5中所示的電路模型中所描述來工作。舉例來說，熱梯度不可能是完全線性的，而可能發(fā)生小的裝置錯(cuò)配。然而，圖2至6中所示的布置可極大地減少由這類電阻器產(chǎn)生的總偏移電壓。
[0044]本文中明確地說明且/或描述了本發(fā)明的一些實(shí)施方案。然而，應(yīng)了解的是，本發(fā)明的修改和變化是由以上教義所涵蓋并且在附加權(quán)利要求書的范圍內(nèi)而不脫離本發(fā)明的精神和預(yù)期范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種電阻電路,其包括: 第一電阻器段和第二電阻器段，每一段都具有第一末端和第二末端， 第一導(dǎo)體，其耦合至所述第一段的所述第一末端從而形成第一面結(jié)； 第二導(dǎo)體，其耦合至所述第二段的所述第一末端從而形成第二面結(jié)；以及第三導(dǎo)體，其耦合至兩個(gè)電阻器段的所述第二末端，從而形成相對(duì)于所述第一電阻器段的第三面結(jié)和相對(duì)于所述第二電阻器段的第四面結(jié)； 其中第一類型的面結(jié)形成的第一質(zhì)心，所述第一質(zhì)心與由第二類型的面結(jié)所形成的第二質(zhì)心大致上重合。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述第一類型的面結(jié)包括所述第一面結(jié)和第四面結(jié)，并且所述第二類型的面結(jié)包括所述第二面結(jié)和第三面結(jié)。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述第一類型的面結(jié)包括具有從金屬到電阻器的電流流動(dòng)的面結(jié)，并且所述第二類型的面結(jié)包括具有從電阻器到金屬的電流流動(dòng)的面結(jié)。
4.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中每個(gè)面結(jié)包括多個(gè)平行觸點(diǎn)。
5.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中至少一個(gè)導(dǎo)體耦合至導(dǎo)電結(jié)合焊盤。
6.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段由半導(dǎo)體材料制成。
7.如權(quán)利要求1所述 的電阻電路，其中所述電阻器段是多晶硅電阻器。
8.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段是N型擴(kuò)散電阻器。
9.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段是P型擴(kuò)散電阻器。
10.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段是N型阱電阻器。
11.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段是P型阱電阻器。
12.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有線性形狀。
13.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有弧形形狀。
14.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有肘狀形狀。
15.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述導(dǎo)體由金屬制成。
16.如權(quán)利要求1所述的電阻電路，其中所述電阻器段被安置于集成電路中。
17.—種電阻電路,其包括: 第一電阻器段和第二電阻器段， 第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體，其在面結(jié)處耦合至相應(yīng)電阻器段，以及 第三導(dǎo)體，其在面結(jié)處耦合至所述電阻器段的其他末端， 其中不同類型的對(duì)應(yīng)成對(duì)面結(jié)定位于對(duì)稱位置處，從而形成大致上彼此重合的相應(yīng)面結(jié)類型質(zhì)心。
18.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述面結(jié)類型基于電流流動(dòng)方向來歸類。
19.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段由半導(dǎo)體材料制成。
20.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段是多晶硅電阻器。
21.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段是N型擴(kuò)散電阻器。
22.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段是P型擴(kuò)散電阻器。
23.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段是N型阱電阻器。
24.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段是P型阱電阻器。
25.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有線性形狀。
26.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有弧形形狀。
27.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有肘狀形狀。
28.如權(quán)利要求17所述的電阻電路，其中所述導(dǎo)體由金屬制成。
29.—種電阻電路,其包括: 多個(gè)電阻器段，其安置于集成電路中，所述電阻器段在多個(gè)面結(jié)處耦合至導(dǎo)體， 其中成對(duì)面結(jié)遍布于所述集成電路中的多個(gè)位置處從而形成每個(gè)類型的相應(yīng)面結(jié)質(zhì)心，其中所述質(zhì)心大致上重合。
30.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中根據(jù)電流定向，面結(jié)中的至少兩對(duì)是不同的面結(jié)類型。
31.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段由半導(dǎo)體材料制成。
32.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段是多晶硅電阻器。
33.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段是N型擴(kuò)散電阻器。
34.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段是P型擴(kuò)散電阻器。
35.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段是N型阱電阻器。
36.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段是P型阱電阻器。
37.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有線性形狀。
38.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有弧形形狀。
39.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述電阻器段具有肘狀形狀。
40.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述導(dǎo)體由金屬制成。
41.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述成對(duì)面結(jié)相對(duì)于所述電阻器段的質(zhì)心而定位于對(duì)稱位置處。
42.如權(quán)利要求29所述的電阻電路，其中所述成對(duì)面結(jié)相對(duì)于所述集成電路的熱質(zhì)心而定位于對(duì)稱位置處。
43.一種用于集成電路的設(shè)備，其包括: 多個(gè)半導(dǎo)體段，其經(jīng)由金屬導(dǎo)體來互連，單個(gè)段與導(dǎo)體之間的連接形成相應(yīng)面結(jié)，其中第一類型的面結(jié)形成的第一類型質(zhì)心，所述第一類型質(zhì)心與由第二類型的面結(jié)所形成的第二類型質(zhì)心大致上重合。
44.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段是多晶硅電阻器。
45.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段是N型擴(kuò)散電阻器。
46.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段是P型擴(kuò)散電阻器。
47.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段是N型阱電阻器。
48.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段是P型阱電阻器。
49.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段具有線性形狀。
50.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段具有弧形形狀。
51.如權(quán)利要求43所述的設(shè)備，其中所述段具有肘狀形狀。
52. 一種用于集成電路的設(shè)備，其包括: 兩個(gè)電阻電路，其在所述集成電路上以類似的方式布置并且彼此緊鄰地定位， 第一電阻電路，其包括:多個(gè)半導(dǎo)體段，其經(jīng)由金屬導(dǎo)體來互連，單個(gè)段與導(dǎo)體之間的連接形成相應(yīng)面結(jié)，其中第一類型的面結(jié)形成的第一類型質(zhì)心，所述第一類型質(zhì)心與由第二類型的面結(jié)所形成的第二類型質(zhì)心大致上重合， 第二電阻電路，其包括: 多個(gè)半導(dǎo)體段，其經(jīng)由金屬導(dǎo)體來互連，單個(gè)段與導(dǎo)體之間的連接形成相應(yīng)面結(jié)，其中第一類型的面結(jié)形成的第一類型質(zhì)心，所述第一類型質(zhì)心與由第二類型的面結(jié)所形成的第二類型質(zhì)心大致上重合。
53.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段是多晶硅電阻器。
54.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段是N型擴(kuò)散電阻器。
55.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段是P型擴(kuò)散電阻器。
56.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段是N型阱電阻器。
57.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段是P型阱電阻器。
58.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段具有線性形狀。
59.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段具有弧形形狀。
60.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述段具有肘狀形狀。
61.如權(quán)利要求52所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備被配置來接收差分信號(hào)。
【文檔編號(hào)】H01L21/00GK103620706SQ201280029846
【公開日】2014年3月5日 申請(qǐng)日期:2012年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月17日
【發(fā)明者】林毅竟, D·麥克卡特內(nèi) 申請(qǐng)人:美國亞德諾半導(dǎo)體公司