真空處理裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種真空處理裝置(100)，其能夠抑制處理的吞吐量的下降，為此，真空處理裝置具備：多個(gè)真空搬運(yùn)室(41，42)，其配置在大氣搬運(yùn)室(21)的后方，搬運(yùn)被處理晶片，在真空搬運(yùn)室的周?chē)B結(jié)真空處理室(61，62，63)，真空處理室對(duì)所述被處理晶片使用等離子體實(shí)施處理；中間室(32)，其在所述真空搬運(yùn)室(41，42)之間搬運(yùn)的期間，載置并收納所述被處理晶片；以及鎖止室(31)，其在所述真空搬運(yùn)室與所述大氣搬運(yùn)室(21)的背面之間配置，真空處理裝置將在載置于處理盒臺(tái)上的處理盒內(nèi)收納的所述被處理晶片經(jīng)所述鎖止室(31)向所述多個(gè)真空處理室(61，62，63)的任一個(gè)搬運(yùn)而實(shí)施處理，在所述中間室(32)內(nèi)配置有假晶片的收納部，所述假晶片的收納部當(dāng)在所述處理室(61，62，63)內(nèi)形成等離子體并在與所述處理不同的條件下，在各處理室(61，62，63)使用假晶片進(jìn)行的處理時(shí)配置在所述處理室(61，62，63)內(nèi)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】真空處理裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在配置于真空容器內(nèi)部的處理室內(nèi)處理半導(dǎo)體晶片等被處理基板的真空處理裝置，該裝置具備與真空容器連結(jié)且在其內(nèi)部搬運(yùn)被處理基板的搬運(yùn)容器。
【背景技術(shù)】
[0002]在上述這樣的裝置中，尤其在配置于真空容器內(nèi)部并被減壓后的處理室內(nèi)對(duì)處理對(duì)象的試料即半導(dǎo)體晶片等基板狀的試料(以下，稱(chēng)為“晶片”)進(jìn)行處理的真空處理裝置中，隨著處理室內(nèi)所處理的晶片的片數(shù)增加，在處理室內(nèi)處理中所形成的生成物的粒子附著而堆積在處理室內(nèi)壁或配置于處理室內(nèi)的部件的表面上。若這樣的附著物的量增大，則在這些附著物的表面與晶片處理中在處理室內(nèi)形成的等離子體之間的相互作用下或者在氣密地劃分處理室內(nèi)外的閥的開(kāi)閉時(shí)所產(chǎn)生的力的作用下，存在著如下問(wèn)題:附著物從附著的表面再度游離而浮游在處理室內(nèi)，并附著在晶片上而成為異物。
[0003]因此，在經(jīng)過(guò)晶片的既定的處理的片數(shù)或者時(shí)間后，一般進(jìn)行將上述處理室的內(nèi)側(cè)的表面的附著物除去的工作。作為這樣的處理室內(nèi)的清潔，進(jìn)行如下兩種清潔，其一是不將被加工而成為半導(dǎo)體設(shè)備的元件的產(chǎn)品用半導(dǎo)體晶片配置在處理室內(nèi)，而使用處理室內(nèi)所形成的等離子體將附著物通過(guò)等離子體和生成物的相互作用除去的等離子體清潔，其二是將真空容器內(nèi)形成為大氣壓，將處理室內(nèi)向大氣開(kāi)放，作業(yè)者對(duì)處理室內(nèi)的部件的表面進(jìn)行清洗或者清掃的濕式清潔。
[0004]濕式清潔那樣的作業(yè)需要更長(zhǎng)的時(shí)間，所以一般而言，每隔特定的晶片的處理的片數(shù)或處理的合計(jì)時(shí)間而實(shí)施等離子體清潔，在重復(fù)進(jìn)行了既定次數(shù)的等離子體清潔后，進(jìn)行上述濕式清潔。另外，根據(jù)成為處理對(duì)象的晶片表面的膜的種類(lèi)或處理的條件的不同，晶片的每一片的處理中還進(jìn)行等離子體清潔。
[0005]另外，一般也進(jìn)行`陳化(seasoning)處理，即將表面形成有同一材料、構(gòu)造的膜層的多片晶片作為一個(gè)集合(批次)，在任意批次的處理前不在處理室內(nèi)配置產(chǎn)品用的晶片，形成等離子體，使處理室的內(nèi)部的表面接近于之后進(jìn)行的產(chǎn)品用晶片的等離子體的處理時(shí)的狀態(tài)，使之后的晶片的處理穩(wěn)定，即，使壁表面習(xí)慣于等離子體。在該陳化處理以成為與產(chǎn)品用晶片的處理時(shí)相同的條件的方式進(jìn)行氣體或電場(chǎng)的供給、壓力的調(diào)節(jié)。
[0006]在進(jìn)行這樣的清潔(等離子體清潔)或陳化時(shí)，為了抑制因在處理室內(nèi)形成的等離子體，在處理室內(nèi)載置吸附晶片而對(duì)其進(jìn)行保持的試料臺(tái)的試料的載置面由于與等離子體的相互作用而消耗或變質(zhì)、或異物附著，一般采用與產(chǎn)品用的晶片不同的、用于清潔或陳化的晶片即所謂的假基板(以下，稱(chēng)為“假晶片”)。
[0007]另外，在這樣的真空處理裝置中，在大氣壓下搬運(yùn)并被載置于在該裝置前面配置的臺(tái)上的處理盒內(nèi)收納有多個(gè)晶片，將該多個(gè)晶片一片一片地取出并一片一片地搬運(yùn)到預(yù)先確定的真空容器內(nèi)的處理室。搬運(yùn)一般而言由至少一臺(tái)搬運(yùn)用機(jī)器人進(jìn)行，在該裝置的開(kāi)閉機(jī)構(gòu)(以下，稱(chēng)為裝載端口)的晶片搬入口打開(kāi)的狀態(tài)下，在處理盒內(nèi)部互換晶片，其中開(kāi)閉機(jī)構(gòu)具有面向處理盒臺(tái)與載置的處理盒的晶片取出用的開(kāi)口的空處理裝置前面?zhèn)鹊木崛肟凇?br> [0008]當(dāng)搬運(yùn)的晶片在處理室內(nèi)被處理后，朝向與搬入該處理室時(shí)相反的方向搬運(yùn)，回到原來(lái)的處理盒的原來(lái)的收納位置。在處理盒內(nèi)有未處理的晶片的情況下，其被取出而與先處理的被處理晶片同樣被搬運(yùn)而實(shí)施處理。
[0009]另一方面，如上所述在使用假晶片進(jìn)行清潔或陳化的情況下，內(nèi)部收納有至少一片假晶片的處理盒與收納有被處理晶片的處理盒同樣，被載置于在真空處理裝置前面配置的處理盒臺(tái)上，并由搬運(yùn)用機(jī)器人搬運(yùn)到處理室，在清潔或陳化處理結(jié)束后，回到假晶片用的處理盒內(nèi)的原來(lái)的位置。作為這樣的現(xiàn)有技術(shù)的例子，公知有日本特開(kāi)2008— 27937號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)I)、日本特開(kāi)2001—250780號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)、日本特開(kāi)2004 — 153185號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。
[0010]專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)了如下技術(shù):當(dāng)從載置于處理盒臺(tái)上的處理盒內(nèi)將假晶片移送向在配置于裝置前面?zhèn)鹊拇髿獍徇\(yùn)室安裝的假晶片用的收納空間之后，從該收納空間內(nèi)取出假晶片，并搬運(yùn)向真空側(cè)的處理室。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2公開(kāi)了如下技術(shù):將假晶片收納到與被處理晶片相同形狀、構(gòu)成的處理盒內(nèi)，載置在處理盒臺(tái)上，在配置于大氣搬運(yùn)室和真空搬運(yùn)室之間且在它們之間轉(zhuǎn)移晶片的鎖止室內(nèi)，載置收納了被處理晶片的上述處理盒，并且在鎖止室內(nèi)的收納了該被處理晶片的處理盒的下方配置收納假晶片的棚架，當(dāng)清潔處理室等使用假晶片時(shí)，取出在鎖止室內(nèi)的下部的棚架中收納的假晶片而使用。
[0011]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0012]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0013]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008— 027937號(hào)公報(bào)
[0014]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2001— 250780號(hào)公報(bào)
[0015]在上述的現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)下述點(diǎn)的考慮不夠。即，在真空處理裝置中，當(dāng)在被處理晶片的處理前后使用假晶片進(jìn)行清潔或陳化的情況下，若要從裝載端口、或者與大氣搬運(yùn)室相鄰的晶片收納空間供給假晶片，則需要并行進(jìn)行向該處理室搬運(yùn)假晶片以及向該處理室搬運(yùn)被處理晶片。即，在產(chǎn)品用的被處理晶片的搬運(yùn)的次序之間混入假晶片的搬運(yùn)，因而被處理晶片的搬運(yùn)效率，即每單位時(shí)間的被處理晶片被搬運(yùn)的片數(shù)降低，真空處理裝置的對(duì)被處理晶片的處理的吞吐量下降。
[0016]另外，在設(shè)置其他的收納空間的情況下，出于處理被處理晶片這一目的以外的目的，需要為了利用假晶片而專(zhuān)門(mén)化的機(jī)構(gòu)、空間等，從而成為裝置成本上升的原因。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]本發(fā)明的目的在于提供一種在進(jìn)行被處理晶片的處理之前或之后使用假晶片進(jìn)行清潔或陳化的真空處理裝置中，能夠抑制處理的吞吐量的下降的真空處理裝置。
[0018]上述目的通過(guò)如下方式實(shí)現(xiàn):一種真空處理裝置，在大氣搬運(yùn)室的后方，連結(jié)了至少一個(gè)真空處理室的多個(gè)真空搬運(yùn)室?jiàn)A著中間室而連結(jié)，在真空處理室的處理的前后使用假晶片進(jìn)行處理，在這樣的真空處理裝置中，在中間室內(nèi)配置有收納假晶片的空間。
[0019]進(jìn)而，還可以在配置于中間室內(nèi)部的收納空間的處理后的晶片用的收納部收納假晶片?；蛘?，還可以在中間室內(nèi)具有收納處理前以及處理后的晶片這兩者的收納空間，在處理后的晶片用的收納空間的下方配置假晶片的收納空間。[0020]發(fā)明效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠抑制處理的吞吐量的下降的真空處理裝置。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的真空處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的概略的俯視圖。
[0023]圖2是表示圖1所示的實(shí)施例的真空搬運(yùn)結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0024]圖3是放大表示圖1所示的實(shí)施例的真空搬運(yùn)中間室的橫剖面圖。
[0025]圖4是說(shuō)明本發(fā)明的變形例的真空處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的概略的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下，基于附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的真空處理裝置的實(shí)施例。
[0027]以下的實(shí)施例表示本發(fā)明的實(shí)施方式的具體例，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，在本說(shuō)明書(shū)公開(kāi)的技術(shù)思想的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行各種變更以及修正。
[0028]另外，在用來(lái)說(shuō)明實(shí)施例的所有圖中，具有同一功能者標(biāo)注同一符號(hào)，省略其反復(fù)的說(shuō)明。
[0029]〔實(shí)施例〕
[0030]以下，結(jié)合圖1至圖3說(shuō)明本申請(qǐng)發(fā)明的實(shí)施例。圖1是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例的真空處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的概略的俯視圖。
[0031]圖1所示的本發(fā)明的實(shí)施方式的包括真空處理室的真空處理裝置100大體上區(qū)分，由大氣側(cè)區(qū)域101和真空側(cè)區(qū)域102構(gòu)成。大氣側(cè)區(qū)域101由用于在大氣壓下將被處理物即半導(dǎo)體晶片等基板狀的試料(以下，稱(chēng)為晶片)向真空側(cè)處理部搬運(yùn)的部分以及用于搭載收納了晶片的處理盒的裝載端口 11、12、13構(gòu)成，真空側(cè)區(qū)域102是在從大氣壓減壓后的壓力下搬運(yùn)晶片，并在預(yù)先確定的真空處理室內(nèi)進(jìn)行處理的區(qū)域。而且，在真空側(cè)區(qū)域102的進(jìn)行前述的搬運(yùn)、處理的真空側(cè)區(qū)域102的部位與大氣側(cè)區(qū)域101之間，配置有對(duì)它們進(jìn)行連結(jié)而配置且在內(nèi)部具有試料的狀態(tài)下使壓力在大氣壓和真空壓之間上下的部分。
[0032]大氣側(cè)區(qū)域101具有大致長(zhǎng)方體形狀的框體21，該框體21具備大氣搬運(yùn)機(jī)器人22，該大氣搬運(yùn)機(jī)器人22配置在成為大氣壓或可視為大氣壓的程度的近似的氣壓的內(nèi)部的搬運(yùn)用的空間即搬運(yùn)室內(nèi)，將晶片載置于其機(jī)械手上而在該空間進(jìn)行搬運(yùn)，在安裝于該框體21前面?zhèn)鹊乃鲅b載端口 11、12、13可以搭載收納了被處理晶片或清潔、陳化用的假晶片的處理盒。進(jìn)而，如本圖所示，還具有不同于裝載端口 11、12、13而在框體21的圖上右側(cè)(從真空處理裝置100的前方觀察時(shí)的右側(cè))端的側(cè)壁安裝而配置的假晶片的收納容器14。在該收納容器14內(nèi)具備架子或棚架部，與處理盒內(nèi)部同樣，其用于將一個(gè)批次所包含的片數(shù)的晶片上下隔開(kāi)間隔而重疊收納。
[0033]另外，真空側(cè)區(qū)域102具備在第一真空搬運(yùn)室41和大氣側(cè)區(qū)域101之間配置的鎖止室31，該鎖止室31在內(nèi)部具有在大氣側(cè)和真空側(cè)之間搬運(yùn)的晶片的狀態(tài)下使內(nèi)部的壓力在大氣壓與真空壓之間變化。在圖1中，從上方觀察時(shí)僅示出一個(gè)鎖止室31，但在本實(shí)施例中，相同或接近視為相同的程度的尺寸的多個(gè)(圖1的例中為兩個(gè))鎖止室在上下方向上重疊配置。需要說(shuō)明的是，在以下的說(shuō)明中，在沒(méi)有特別理由的情況下，對(duì)多個(gè)鎖止室31僅簡(jiǎn)單地作為鎖止室31進(jìn)行說(shuō)明。[0034]本實(shí)施例的鎖止室31具備兩個(gè)閘閥，該兩個(gè)閘閥開(kāi)放或氣密地對(duì)在前后的端部配置的開(kāi)口進(jìn)行密封而閉塞。這前后的閘閥當(dāng)判斷為相對(duì)于其中任一方所劃分的第一真空搬運(yùn)室41或大氣側(cè)的框體21而言?xún)?nèi)部的壓力變成大致相等時(shí)，將該閘閥開(kāi)放，使鎖止室31內(nèi)和第一真空搬運(yùn)室41或大氣側(cè)的框體21內(nèi)通過(guò)門(mén)而連通，如后所述，利用搬運(yùn)用的機(jī)器人進(jìn)行穿過(guò)門(mén)的晶片的搬運(yùn)。
[0035]真空側(cè)區(qū)域102是內(nèi)部被減壓到既定的真空度的多個(gè)真空容器被連結(jié)起來(lái)而在內(nèi)部搬運(yùn)晶片并實(shí)施處理的晶片處理用的部分。在本實(shí)施例中具備如下結(jié)構(gòu):在多個(gè)搬運(yùn)用的真空容器連結(jié)而成的真空搬運(yùn)用的單元上連結(jié)了一個(gè)以上的處理單元，所述處理單元具備處理用的真空容器，處理用的真空容器具有在其內(nèi)側(cè)搬運(yùn)晶片并形成等離子體的處理室。
[0036]在真空側(cè)區(qū)域102，作為真空搬運(yùn)用的單元具備:鎖止室31、與其連結(jié)的第一真空搬運(yùn)室41、配置在該真空處理裝置100的前后方向(圖上上下方向)的后方側(cè)并與其連結(jié)的第二真空搬運(yùn)室42。所述第一真空搬運(yùn)室41以及第二真空搬運(yùn)室42是各自包括具有平面形狀或大致矩形的真空容器的單元，它們是具有實(shí)質(zhì)上視為相同的程度的結(jié)構(gòu)上差異的兩個(gè)單元。
[0037]另外，在第一真空搬運(yùn)室41與第二真空搬運(yùn)室42之間，在構(gòu)成它們的真空容器的對(duì)置的側(cè)壁面彼此之間配置有真空搬運(yùn)中間室32而將兩者連結(jié)起來(lái)，從而在前后方向上排列配置。真空搬運(yùn)中間室32是內(nèi)部可以減壓到與其他的真空搬運(yùn)室或真空處理室相同的真空度、且具備視為長(zhǎng)方體的形狀的真空容器，真空搬運(yùn)中間室32將第一真空搬運(yùn)室41、第二真空搬運(yùn)室42相互連結(jié)，真空搬運(yùn)中間室32的內(nèi)部的室與它們連通。
[0038]另外，在真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)部的室中配置有收納部，該收納部將多個(gè)晶片在它們的上表面和下表面之間隔開(kāi)間隙而載置且保持為水平。收納部是一種在內(nèi)部收納了晶片的狀態(tài)下與晶片的下表面相接而支承晶片的棚架，且具備如下作用:當(dāng)在左右方向上以比晶片直徑稍大的間隔配置的晶片被載置于棚架的狀態(tài)下，在第一真空搬運(yùn)室41和第二真空搬運(yùn)室42之間交接晶片時(shí)，作為暫時(shí)收納晶片的中繼室。即，由一方的真空搬運(yùn)室內(nèi)的真空搬運(yùn)機(jī)器人搬入并載置于所述收納部的晶片，被另一方的真空搬運(yùn)室內(nèi)的真空搬運(yùn)機(jī)器人搬出，并被搬運(yùn)到與該真空搬運(yùn)室連結(jié)的真空處理室或鎖止室。
[0039]在第一真空搬運(yùn)室41連結(jié)一個(gè)真空處理室61。雖然可以在第二真空搬運(yùn)室42連結(jié)三個(gè)真空處理室，但在本實(shí)施例中，連結(jié)兩個(gè)真空處理室62、63。第一真空搬運(yùn)室41以及第二真空搬運(yùn)室42將其內(nèi)部作為搬運(yùn)室，在減壓后的內(nèi)部的搬運(yùn)室由后述的真空搬運(yùn)機(jī)器人51或52搬運(yùn)處理前或處理后的晶片，并在真空處理室61或62、63和鎖止室31、真空搬運(yùn)中間室32之間搬運(yùn)。
[0040]在本實(shí)施例中，第一真空搬運(yùn)室41和第二真空搬運(yùn)室42是實(shí)質(zhì)上具有相同結(jié)構(gòu)、尺寸、形狀與配置的真空容器，在視為四個(gè)面的四方的側(cè)壁面上，同樣相互以相同結(jié)構(gòu)配置有同一形狀且在內(nèi)部搬運(yùn)晶片的通路及其開(kāi)口即門(mén)。即，在本實(shí)施例中，與構(gòu)成真空搬運(yùn)室的容器連結(jié)的真空容器相互通過(guò)相同規(guī)格的門(mén)連接、連結(jié)。
[0041]在第一真空搬運(yùn)室41中，在其內(nèi)部的空間的中央部分配置有真空搬運(yùn)機(jī)器人51，該真空搬運(yùn)機(jī)器人51在真空下在鎖止室31與真空處理室61或真空搬運(yùn)中間室32中某一者之間搬運(yùn)晶片。第二真空搬運(yùn)室42也同樣在內(nèi)部的中央部分配置有真空搬運(yùn)機(jī)器人52，在與真空處理室62或真空處理室63之間進(jìn)行晶片的搬運(yùn)。
[0042]另外，在圖1中，在第一真空搬運(yùn)室41僅連結(jié)真空處理室61來(lái)作為真空處理室。第一真空搬運(yùn)室41內(nèi)的真空搬運(yùn)機(jī)器人51在鎖止室31和與第一真空搬運(yùn)室41連結(jié)的真空處理室61之間搬運(yùn)被處理晶片，并且還進(jìn)行在真空搬運(yùn)中間室32和鎖止室31之間搬運(yùn)由第二真空搬運(yùn)機(jī)器人52搬運(yùn)且在兩個(gè)真空處理室62、63受到處理后回到大氣側(cè)區(qū)域101的被處理晶片的動(dòng)作。為了減少真空搬運(yùn)機(jī)器人51和真空搬運(yùn)機(jī)器人52的動(dòng)作的負(fù)荷、動(dòng)作的時(shí)間的偏差，還可以即便另外其他的真空處理室連結(jié)于第一真空搬運(yùn)室41，也不向該真空處理室搬運(yùn)晶片而不使其動(dòng)作。
[0043]圖2是從上面放大表示圖1所示說(shuō)明的鎖止室31、第一真空搬運(yùn)室41及42以及與其連結(jié)的真空處理室61、62、63的局部的概略圖。在該圖中，真空處理室61、62、63使用在處理室內(nèi)形成的等離子體處理具有相同結(jié)構(gòu)且配置于內(nèi)部的處理室內(nèi)而形成的晶片，對(duì)于其詳細(xì)結(jié)構(gòu)省略圖示。另一方面，第一以及第二真空搬運(yùn)室41、42示出外形和在內(nèi)部配置的真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52的結(jié)構(gòu)的概略。
[0044]真空搬運(yùn)機(jī)器人51配置在第一真空搬運(yùn)室41內(nèi)部的搬運(yùn)用的空間的中央部，真空搬運(yùn)機(jī)器人51具有多個(gè)臂，通過(guò)由在各個(gè)端部配置的多個(gè)關(guān)節(jié)部連結(jié)的多個(gè)梁狀的腕部件，繞這些關(guān)節(jié)部的軸可以旋轉(zhuǎn)動(dòng)作。
[0045]另外，在各個(gè)臂的前端部，具有可將晶片載置于其上的機(jī)械手部。
[0046]在本實(shí)施例中，真空搬運(yùn)機(jī)器人51具備兩條臂即第一臂81以及第二臂82。各臂的多個(gè)腕部之中最靠其根部側(cè)的腕部的端部通過(guò)關(guān)節(jié)連結(jié)于在第一真空搬運(yùn)室41的中央部繞上下方向(與圖紙面垂直的方向)的軸旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)圓筒。連結(jié)于旋轉(zhuǎn)圓筒的關(guān)節(jié)部構(gòu)成為繞所述上下方向的軸旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，并且在上下的軸向可移動(dòng)向與關(guān)節(jié)部連結(jié)的腕部件的端部的位置，真空搬運(yùn)機(jī)器人51構(gòu)成為繞各個(gè)臂的多個(gè)關(guān)節(jié)部驅(qū)動(dòng)各腕部件以希望角度旋轉(zhuǎn)，從而能夠以如下的長(zhǎng)度、高度可變地進(jìn)行伸展、收縮或上下，其中所述長(zhǎng)度是從與中心軸的旋轉(zhuǎn)圓筒連結(jié)的關(guān)節(jié)到與其前端部的機(jī)械手的晶片中心相當(dāng)?shù)奈恢玫拈L(zhǎng)度，所述高度是從旋轉(zhuǎn)圓筒到根部或機(jī)械手的晶片中心相當(dāng)位置的高度。
[0047]真空搬運(yùn)機(jī)器人52配置于在第一真空搬運(yùn)室42的內(nèi)部配置的搬運(yùn)用的空間的中央部，且具備與真空搬運(yùn)機(jī)器人51同樣的結(jié)構(gòu)。即，具備多個(gè)臂和具有連結(jié)它們的多個(gè)關(guān)節(jié)部的第一臂83以及第二臂84，使這些臂伸縮而可使載置晶片的機(jī)械手與真空搬運(yùn)機(jī)器人52的根部的旋轉(zhuǎn)中心軸之間的距離增減。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，雖然上述搬運(yùn)機(jī)器人是具備兩條臂的結(jié)構(gòu)，但也可以具備兩條以上的條數(shù)的臂。
[0048]進(jìn)而，與各臂的根部連結(jié)的旋轉(zhuǎn)圓筒構(gòu)成為被驅(qū)動(dòng)繞其中心軸旋轉(zhuǎn)，從而可以改變中心軸與臂的根部的繞軸的角度位置。由此，能夠使各臂相對(duì)于將與分別連結(jié)于第一真空搬運(yùn)室41、第二真空搬運(yùn)室42的真空處理室61?63之間連通的門(mén)向相對(duì)的位置旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。
[0049]另外，本實(shí)施例的真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52能夠使各自所具備的第一以及第二臂81、82或83、84的各自的關(guān)節(jié)部在旋轉(zhuǎn)方向、高度方向的動(dòng)作、臂的伸縮的動(dòng)作分別與其他的臂的動(dòng)作無(wú)關(guān)地獨(dú)立自如地動(dòng)作。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，圖3所示的真空搬運(yùn)機(jī)器人51以及52能夠?qū)Χ鄠€(gè)搬運(yùn)目的地并行訪問(wèn)，能夠提高晶片的搬運(yùn)的效率和能力。
[0050]下面，以下說(shuō)明這樣的真空處理裝置100中的對(duì)晶片進(jìn)行處理的動(dòng)作。[0051]在配置于裝載端口 11、12、13某一者的前面?zhèn)鹊奶幚砗信_(tái)上載置處理盒，在處理盒內(nèi)收納被處理晶片，從調(diào)節(jié)真空處理裝置100的動(dòng)作的、由未圖示的通信機(jī)構(gòu)與所述真空處理裝置100連接的未圖示的控制裝置接收指令，或者從設(shè)置真空處理裝置100的生產(chǎn)線的控制裝置等接收指令，開(kāi)始其處理。從控制裝置接收了指令的大氣搬運(yùn)機(jī)器人22將處理盒內(nèi)的特定的被處理晶片從處理盒內(nèi)部取出，將取出的被處理晶片搬運(yùn)到與框體21連結(jié)的未圖示的對(duì)位器，并將在該對(duì)位器進(jìn)行對(duì)位的處理前的被處理晶片搬運(yùn)到與框體21的背面連結(jié)的鎖止室31的內(nèi)部。需要說(shuō)明的是，此時(shí)，鎖止室31的框體21側(cè)的門(mén)開(kāi)放，其內(nèi)部調(diào)節(jié)成大氣壓或與大氣壓近似的氣壓。
[0052]之后，閉合門(mén)，將鎖止室31內(nèi)部氣密地閉塞，在減壓到既定真空度之后，打開(kāi)第一真空搬運(yùn)室41側(cè)的閘閥，真空搬運(yùn)機(jī)器人51將內(nèi)部的被處理晶片搬運(yùn)到第一真空搬運(yùn)室41內(nèi)。真空搬運(yùn)機(jī)器人51對(duì)應(yīng)于來(lái)自控制裝置的指令信號(hào)，將被處理晶片搬運(yùn)到真空處理室61或真空搬運(yùn)中間室32的某一者。
[0053]搬運(yùn)到真空搬運(yùn)中間室32的被處理晶片被第二真空搬運(yùn)室42內(nèi)的真空搬運(yùn)機(jī)器人52搬運(yùn)到進(jìn)行從控制裝置指令的處理的目的的處理室即真空處理室62、63的某一者。搬運(yùn)到真空處理室61?63的某一者的內(nèi)部的處理室的被處理晶片根據(jù)來(lái)自控制裝置的指令信號(hào)，基于預(yù)先設(shè)定的條件在該處理室內(nèi)被實(shí)施處理。
[0054]在處理結(jié)束后，在真空處理室61實(shí)施了處理的處理完的晶片被真空搬運(yùn)機(jī)器人51搬運(yùn)到鎖止室31內(nèi)。另外，在真空處理室62或63實(shí)施了處理的處理完的晶片通過(guò)第二真空搬運(yùn)室42從處理室搬出，并經(jīng)過(guò)真空搬運(yùn)中間室32被搬運(yùn)到鎖止室31。
[0055]收納有處理完的晶片的鎖止室31將閘閥閉合，在內(nèi)部密閉的狀態(tài)下使內(nèi)部的室內(nèi)的壓力上升到大氣壓或與之近似的既定壓力值，之后，將框體21側(cè)的閘閥打開(kāi)。然后，通過(guò)所述大氣搬運(yùn)機(jī)器人22從所述鎖止室31回到搬出出發(fā)地的處理盒的原來(lái)的位置。
[0056]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，真空搬運(yùn)機(jī)器人51進(jìn)行的晶片的搬運(yùn)連續(xù)進(jìn)行如下動(dòng)作:在處理前的晶片載置于第一臂81或第二臂82的一方的機(jī)械手上的狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)另一方而使其進(jìn)入搬入處理前晶片的目標(biāo)的部位，例如進(jìn)入進(jìn)行處理的真空處理室內(nèi)的試料臺(tái)上，在機(jī)械手上載置處理后的晶片并搬出，之后，驅(qū)動(dòng)一方的臂，進(jìn)入目標(biāo)的部位，將處理前的晶片交接到試料臺(tái)上表面的試料載置面上，并進(jìn)行替換。尤其，兩個(gè)臂連續(xù)進(jìn)行如下兩個(gè)動(dòng)作，其一是兩個(gè)臂都將腕部件折疊而收縮，從與目標(biāo)的部位對(duì)置的狀態(tài)，另一方的臂將腕部件向目標(biāo)的部位(例如處理室內(nèi)的試料臺(tái)上)展開(kāi)而伸展，在機(jī)械手上載置處理后的晶片之后，為了從該目標(biāo)的部位退出而再次收縮的動(dòng)作，其二是折疊的一方的臂將其腕部件展開(kāi)，載置保持于機(jī)械手上的處理前的晶片，向同一目標(biāo)部位伸展，之后，再次收縮的動(dòng)作。
[0057]使用兩個(gè)臂，盡可能縮短動(dòng)作的間隔而連續(xù)進(jìn)行這樣的替換的動(dòng)作，由此，降低晶片的搬運(yùn)所需的時(shí)間，真空處理裝置100的處理的效率提高。另外，在由真空搬運(yùn)機(jī)器人51將晶片相對(duì)于鎖止室31或真空搬運(yùn)中間室32，進(jìn)行上述替換動(dòng)作而進(jìn)行搬運(yùn)時(shí)，還可以并行進(jìn)行如下兩個(gè)動(dòng)作，其一是另一方的臂載置晶片并從目標(biāo)的部位(此時(shí)，是鎖止室31或保持真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)部的晶片的臺(tái)或棚架)退出而收縮的動(dòng)作，其二是一方的臂載置處理前的晶片而伸展到目標(biāo)的部位上的動(dòng)作。
[0058]在這樣的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，當(dāng)在真空處理室61?63的某一者對(duì)被處理晶片進(jìn)行處理之前、或者之后的清潔或陳化中使用假晶片實(shí)施的情況下，向前述的被處理晶片之前、或之后對(duì)被處理晶片進(jìn)行處理的預(yù)定的真空處理室搬運(yùn)假晶片。假晶片從收納有載置于前述的裝載端口 11、12、13的某一個(gè)的假晶片的處理盒供給，或者從與框體21相鄰設(shè)置的假晶片的收納容器14供給。
[0059]假晶片不僅在清潔或陳化的一次的處理中使用，在到達(dá)考慮晶片的損傷或污損等的使用次數(shù)之前可以重復(fù)使用，或者根據(jù)處理時(shí)間設(shè)置使用限制區(qū)間，在達(dá)到該限制區(qū)域之前可以重復(fù)使用。
[0060]在所述真空處理室內(nèi)供清潔或陳化所使用的假晶片為了不妨礙被處理晶片的搬運(yùn)，通常是回到原來(lái)的處理盒或所述假晶片的收納容器14，但在本實(shí)施例中，收納于所述真空搬運(yùn)中間室32，在直到下次在所述真空處理室使用假晶片的時(shí)機(jī)之前，在所述收納的真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)的室中待機(jī)。
[0061]當(dāng)產(chǎn)生了在真空處理室61使用假晶片的時(shí)機(jī)時(shí)，將在所述真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)的室中待機(jī)的假晶片通過(guò)第一真空搬運(yùn)室41內(nèi)的真空搬運(yùn)機(jī)器人51搬運(yùn)到所述真空處理室61，供清潔或陳化的處理所使用。另外，當(dāng)產(chǎn)生了在真空處理室62或63使用假晶片的時(shí)，將在所述真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)的室中待機(jī)的假晶片通過(guò)第二真空搬運(yùn)室42內(nèi)的真空搬運(yùn)機(jī)器人52搬運(yùn)到所述真空處理室62或63，供清潔或陳化的處理所使用。因而，通過(guò)反復(fù)前述動(dòng)作，可將假晶片的搬運(yùn)給被處理晶片的搬運(yùn)帶來(lái)的影響抑制為最小限度。
[0062]真空搬運(yùn)中間室32是第一真空搬運(yùn)室41和第二真空搬運(yùn)室42的中繼室，使必要的假晶片在與第一真空搬運(yùn)室41連接的真空處理室61待機(jī)，在與第二真空搬運(yùn)室42連接的真空處理室62或63中有時(shí)同時(shí)期也使用被處理晶片或假晶片，具備收納這些假晶片的空間。
[0063]圖3是表示圖1的真空處理裝置的真空搬運(yùn)中間室32及與其連結(jié)的第一以及第二真空搬運(yùn)室41、42的結(jié)構(gòu)的概略的縱剖面圖。如該圖所示，在本實(shí)施例中，真空搬運(yùn)中間室32與鎖止室31同樣，在上下方向?qū)蓚€(gè)室配置于重疊的位置。更詳細(xì)地說(shuō)，真空搬運(yùn)中間室32在構(gòu)成內(nèi)部的用于收納晶片的空間的真空容器的內(nèi)部，具備將其上下劃分的可裝卸的分隔板73,減少劃分出的兩個(gè)室內(nèi)彼此之間的氣體或粒子的移動(dòng)。
[0064]真空搬運(yùn)中間室32是收納分別在真空處理室62、63實(shí)施處理的、或者處理好的晶片的處理站，在這些真空處理室之中的一方實(shí)施處理的預(yù)定的處理前的晶片在該真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)的收納空間中待機(jī)的狀態(tài)下，有可能產(chǎn)生在另一方的真空處理室受到處理的處理完的晶片被搬入該收納空間中的狀態(tài)，或者在處理完的晶片在該收納空間內(nèi)等待向鎖止室31搬運(yùn)的狀態(tài)下，有可能產(chǎn)生在真空處理室62、63的某一個(gè)實(shí)施處理的處理前的晶片被搬入該空間的狀態(tài)。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠抑制處理前的晶片和處理后的晶片在同一時(shí)刻存在于真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)而殘留于后者周?chē)臍怏w或生成物給前者帶來(lái)不良影響。
[0065]尤其，在本實(shí)施例中，在真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)的兩個(gè)收納空間之中，在上方的收納部71、下方的收納部72能夠以在上下方向上在上表面和下表面之間空出間隙的方式收納兩片以上的晶片，在各個(gè)收納部將未處理的晶片收納于上方，將處理完的晶片收納于下方。由此，在各個(gè)收納空間中，也抑制殘留于處理完的晶片的周?chē)臍怏w或生成物給未處理的晶片帶來(lái)不良影響。
[0066]另外，在各收納部71、72配置有具有收納并保持兩片以上的晶片的棚架構(gòu)造的晶片的載置部74(以下，稱(chēng)為“晶片槽口”)。載置部74構(gòu)成如下這樣的棚架構(gòu)造，S卩，沿著構(gòu)成收納部71、72的真空搬運(yùn)中間室32的內(nèi)側(cè)的相面對(duì)的兩個(gè)側(cè)壁面并由此朝向相對(duì)的側(cè)壁面而具有能夠載置晶片的外周緣部而保持晶片的水平方向(圖中與圖紙垂直的方向)的長(zhǎng)度而延伸，并且具備在上下方向空開(kāi)既定間隔而配置的凸緣，且在各個(gè)側(cè)壁面?zhèn)葘?duì)應(yīng)的側(cè)壁面的凸緣分別以相同高度配置，晶片或收納部的中央部分廣闊地打開(kāi)空間。
[0067]這樣的構(gòu)成多層的載置部74的槽口的數(shù)量能夠收納當(dāng)真空處理裝置100運(yùn)轉(zhuǎn)中晶片在與作為目標(biāo)部位的真空處理室62、63或者鎖止室31之間被搬運(yùn)的期間而暫時(shí)保持于載置部74內(nèi)部的片數(shù)。即，對(duì)于載置部74的層數(shù)而言，具備一片一片地收納被處理晶片的未處理或處理完的各個(gè)晶片的層，并且在內(nèi)部收納并保持假晶片的載置部74中具備至少收納一片晶片的層。
[0068]尤其，在本實(shí)施例中，在真空處理室61?63某一者中使用之前處于待機(jī)的假晶片收納于下方的收納部即收納部72。因此，收納部72內(nèi)的載置部74具備至少具有與之對(duì)應(yīng)的層數(shù)的槽口。
[0069]另外，真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52由控制裝置控制動(dòng)作，使得載置部74的槽口的收納被處理晶片的層與收納假晶片的層被區(qū)分開(kāi)，而分別收納于特定的層的位置。另外，在本實(shí)施例中，對(duì)于不收納假晶片的層，也設(shè)定分別收納被處理晶片之中的未處理晶片、處理完晶片的層的高度位置。
[0070]在收納本實(shí)施例的載置部74的槽口的晶片而運(yùn)轉(zhuǎn)真空處理裝置的各層之中，上部的多個(gè)層作為保持被處理晶片的層而設(shè)定，在收納假晶片的載置部74，將被處理晶片用的多個(gè)層的下方的層用作收納假晶片的層。
[0071]另外，如上所述，在本實(shí)施例中，當(dāng)各晶片由真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52相對(duì)于搬運(yùn)的目標(biāo)的部位即作為處理站的真空搬運(yùn)中間室32的載置部74搬入、搬出被處理晶片或假晶片時(shí)，為了實(shí)施連續(xù)進(jìn)行搬入、搬出處理后的晶片和處理前的晶片的動(dòng)作的替換，真空處理裝置100利用控制裝置對(duì)包括其搬運(yùn)動(dòng)作在內(nèi)的運(yùn)轉(zhuǎn)的動(dòng)作進(jìn)行控制，使得除了在發(fā)生異常時(shí)，在通常的運(yùn)轉(zhuǎn)中不會(huì)產(chǎn)生如下情況:處理前的被處理晶片和處理后的被處理晶片被同時(shí)保持于載置部74內(nèi)。另一方面，收納于載置部74的假晶片在真空處理室61?63的某一者進(jìn)行的清潔或陳化的時(shí)間的期間，被保持在載置部74內(nèi)。
[0072]因此，當(dāng)在真空處理室61?63并行進(jìn)行被處理晶片的處理，需要在這些處理室并行進(jìn)行陳化或清潔的情況下，需要三個(gè)假晶片，收納部72內(nèi)的載置部74具備最大收納三片假晶片的槽口的層數(shù)。該載置部74的槽口可以根據(jù)真空處理裝置100所具備的真空處理室的結(jié)構(gòu)以及假晶片的使用條件而具備最佳的結(jié)構(gòu)。
[0073]例如，在第一真空搬運(yùn)室41構(gòu)成為最大連結(jié)兩個(gè)真空處理室，第二真空搬運(yùn)室42構(gòu)成為最大可連結(jié)三個(gè)真空處理室。由此，在各真空處理室并行使用假晶片時(shí)，需要最大五片假晶片的收納空間，因此，所述收納部72可以具備具有最大可收納五片晶片的槽口的載置部74。
[0074]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，對(duì)于真空搬運(yùn)中間室32的上下的多個(gè)收納部71、72而言，上方的收納部71僅收納處理前的被處理晶片，下方的收納部72收納處理后的被處理晶片和假晶片。如此將實(shí)施了處理后的晶片與處理前的晶片分開(kāi)收納于隔開(kāi)的空間，由此，減少在這些晶片之間的氣體或生成物的粒子的移動(dòng)，尤其抑制從處理后的晶片向處理前的晶片的污染。同樣，多次使用的假晶片能夠減少收納于下方的室中而至少使用一次以上的假晶片對(duì)處理前的晶片的影響。
[0075]另外，在下方的收納部72的載置部74所具備的多個(gè)槽口的層中，在上方的層載置處理完的被處理晶片，在其下方的層載置假晶片。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，也減少處理室內(nèi)的微粒子或殘留氣體等污染源給被處理晶片帶來(lái)不良影響。在本實(shí)施例中，載置部74的槽口具備多個(gè)用于收納被處理晶片的層，進(jìn)而當(dāng)在其下方具備收納假晶片的層的情況下，該載置部74的槽口的層數(shù)是3層以上。
[0076]另一方面，還可以在內(nèi)部具有具備多個(gè)層的載置部74的收納部71、72的兩方收納處理前、處理后的被處理晶片。如上所述，在本實(shí)施例的由真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52進(jìn)行的通常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的搬運(yùn)，是不管晶片的種類(lèi)如何，將處理前、處理后的晶片替換并相對(duì)于目標(biāo)的部位進(jìn)行搬入/搬出。此時(shí)，對(duì)于各真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52的上述替換的動(dòng)作時(shí)的兩個(gè)臂的上下方向的移動(dòng)的距離而言，進(jìn)行在一個(gè)收納部收納處理前、處理后的晶片的搬運(yùn)時(shí)的距離更小。
[0077]另外，在一個(gè)載置部74收納處理前、處理后的被處理晶片的情況下，槽口的多個(gè)層之中的上部的層用于未處理的晶片的收納，其上部的層的下方的下部的層用于處理完的晶片的收納。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，也減少處理后的晶片所造成的對(duì)未處理晶片的不良影響。
[0078]進(jìn)而，當(dāng)在這樣的載置部74還收納假晶片時(shí)，在收納部72的載置部74收納假晶片。此時(shí)，載置部74在收納處理后的被處理晶片的層的更下方的層收納假晶片。
[0079]另外，在與第二真空搬運(yùn)室42連接的真空處理室62或63處理后的被處理晶片雖然經(jīng)由所述真空搬運(yùn)中間室32的處理完晶片的收納部72，但在槽口的層收納有假晶片情況下，在所述真空處理室62或63中，由于接著要使用假晶片，所以也可以通過(guò)前述的真空機(jī)器人的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將處理完的被處理晶片和收納于所述收納部72的假晶片替換。
[0080]例如，當(dāng)在第二真空搬運(yùn)室42內(nèi)的真空搬運(yùn)機(jī)器人52的第一臂83上載置處理完的被處理晶片的情況下，可由第二臂84將位于所述收納部72內(nèi)的晶片槽口中的假晶片搬出，在所述晶片槽口收納第一臂83上的處理完的被處理晶片。即，被處理晶片的搬運(yùn)以及假晶片的搬運(yùn)可以連續(xù)實(shí)施，不妨礙被處理晶片的搬運(yùn)。
[0081]在本實(shí)施例中，將真空搬運(yùn)中間室32的內(nèi)部的氣體或粒子排出的開(kāi)口沒(méi)有配備于真空搬運(yùn)中間室32內(nèi)，氣體或粒子是從與真空搬運(yùn)中間室32連結(jié)的第一真空搬運(yùn)室41、或從連通于與第二真空搬運(yùn)室42連結(jié)的真空泵等排氣裝置的開(kāi)口排出。另外，從真空搬運(yùn)中間室32的上下的收納部71、72的側(cè)壁向它們內(nèi)部供給惰性氣體，在真空處理裝置100的運(yùn)轉(zhuǎn)中通過(guò)惰性氣體供給線85、86將氣體源的惰性氣體從開(kāi)口 85'、86'導(dǎo)入內(nèi)部。
[0082]另外，真空搬運(yùn)中間室32的前后方向(圖中左右方向)的端部具有由分隔板73劃分并搬入/搬出晶片的開(kāi)口即門(mén)。這些門(mén)通過(guò)促動(dòng)器等驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)89、90分別驅(qū)動(dòng)而由圖中上下方向移動(dòng)的閘閥87、88開(kāi)放、氣密地閉塞。在本實(shí)施例中，在真空處理裝置100的運(yùn)轉(zhuǎn)中且晶片搬運(yùn)期間，閘閥87、88中的任一者向上方移動(dòng)而將真空搬運(yùn)中間室32閉塞。
[0083]開(kāi)口 85'、86'配置于各收納部71、72的側(cè)壁的前后方向的中央部的上部，從這些開(kāi)口導(dǎo)入的惰性氣體流向開(kāi)放的門(mén)的方向，并與各收納部71、72內(nèi)的氣體或粒子一起穿過(guò)另一方的門(mén)而流入與之連通的真空搬運(yùn)室41、42的任一者。真空搬運(yùn)室41、42都在內(nèi)側(cè)壁下部，在門(mén)的下方具備排出室內(nèi)部的氣體或粒子的排氣口 91、92，從該排氣口 91、92的某一者排出的上述惰性氣體、其他的粒子如圖中箭頭那樣，被經(jīng)排氣管道等管路而連通于排氣口 91、92而配置的真空泵93、94等排氣裝置的任一者排出。需要說(shuō)明的是，閘閥87、88維持開(kāi)放或閉塞的狀態(tài)，直到當(dāng)真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52的某一者進(jìn)行晶片的替換動(dòng)作時(shí)對(duì)之對(duì)應(yīng)而動(dòng)作。
[0084]S卩，當(dāng)真空搬運(yùn)機(jī)器人51、52的某一方，在將晶片保持于兩個(gè)臂之中的一方的機(jī)械手的狀態(tài)下，相對(duì)于真空搬運(yùn)中間室32實(shí)施晶片的替換時(shí)，控制裝置向?qū)?yīng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)發(fā)出指令，使得將閘閥87、88之中的、面對(duì)該一方的真空搬運(yùn)機(jī)器人的一方的閘閥打開(kāi)。在該一方的閘閥已經(jīng)開(kāi)放的情況下，由一方的真空搬運(yùn)機(jī)器人進(jìn)行晶片的替換動(dòng)作。
[0085]當(dāng)判斷為一方的閘閥閉塞門(mén)的情況下，控制裝置將驅(qū)動(dòng)另一方的閘閥而將其所對(duì)應(yīng)的門(mén)閉塞的指令發(fā)送給另一方的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。在檢測(cè)到另一方的門(mén)被閉塞這一情況之后，將一方的閘閥打開(kāi)，可由一方的真空搬運(yùn)機(jī)器人進(jìn)行晶片的替換。
[0086]在一方的真空搬運(yùn)機(jī)器人的臂從真空搬運(yùn)中間室32退出后，也維持由一方的閘閥對(duì)一方的門(mén)的開(kāi)放以及由另一方的閘閥對(duì)另一方的門(mén)的閉塞，直到需要由另一方的真空搬運(yùn)機(jī)器人實(shí)施晶片的替換動(dòng)作。如此，在本實(shí)施例中，在真空處理裝置100的通常運(yùn)轉(zhuǎn)中，在晶片在包括真空搬運(yùn)室31、32、真空搬運(yùn)中間室32在內(nèi)的搬運(yùn)單元內(nèi)搬運(yùn)的狀態(tài)下，真空搬運(yùn)中間室32維持被在其前后配置的多個(gè)閘閥的某一個(gè)閉塞、被另一方打開(kāi)的狀態(tài)。
[0087]〔變形例〕
[0088]圖4表示本發(fā)明的實(shí)施例的變形例的真空處理裝置的整體的構(gòu)成的概略。在本變形例中，相對(duì)于圖1所示的實(shí)施例，構(gòu)成為在配置于第二真空搬運(yùn)室42的真空搬運(yùn)中間室32的對(duì)面連結(jié)了具有與所述真空搬運(yùn)中間室32相同的機(jī)構(gòu)的真空搬運(yùn)中間室33。
[0089]在這種結(jié)構(gòu)的變形例中，在第一真空搬運(yùn)室41和第二真空搬運(yùn)室42之間與它們連結(jié)配置的真空搬運(yùn)中間室32中，收納在連接于所述第一真空搬運(yùn)室41的真空處理室61中使用的假晶片，在配置于第二真空搬運(yùn)室42的真空搬運(yùn)中間室33中，收納在連接于所述第二真空搬運(yùn)室42的真空處理室62或63中使用的假晶片。
[0090]將真空搬運(yùn)中間室33與第二真空搬運(yùn)室42之間連通的開(kāi)口即門(mén)由未圖示的閘閥開(kāi)放、氣密地閉塞。在本變形例中，第二真空搬運(yùn)室42在其周?chē)B結(jié)配置有四個(gè)真空容器，在它們之間配置有對(duì)連通進(jìn)行開(kāi)閉的四個(gè)閘閥。這些閘閥分別在該閘閥以外的閘閥被閉塞且被維持的狀態(tài)下開(kāi)放。即，四個(gè)閘閥的任一個(gè)都以排他性的方式開(kāi)放，通過(guò)該閘閥的開(kāi)放，抑制與其所對(duì)應(yīng)的門(mén)連通的真空容器和第二真空容器42以外的真空容器與它們連通，降低污染的擴(kuò)大。
[0091]另外，真空搬運(yùn)中間室33的內(nèi)部的收納晶片的空間由未圖示的分隔板被上下劃分成多個(gè)，減少在這樣的多個(gè)空間彼此之間的粒子的移動(dòng)，這種結(jié)構(gòu)與真空搬運(yùn)中間室32同樣。這些內(nèi)部的晶片的收納空間即收納部分別僅在各自真空處理室62、63使用的假晶片在配置在多個(gè)收納部各自的內(nèi)部的具有多層的棚架狀的槽口中上下空出間隙被收納保持，且在對(duì)應(yīng)的真空處理室62、63的清潔或陳化的處理時(shí)多次使用。
[0092]在它們進(jìn)行處理時(shí)由真空搬運(yùn)機(jī)器人52取出并搬運(yùn)到作為目標(biāo)的部位的對(duì)應(yīng)的真空處理室62、63，在清潔或陳化的處理后搬入到原來(lái)的位置，但與在真空搬運(yùn)中間室32收納假晶片的情況不同，真空搬運(yùn)機(jī)器人52不替換真空搬運(yùn)中間室33的收納部的假晶片。另外，在與面向第一真空搬運(yùn)室41內(nèi)部的門(mén)對(duì)應(yīng)的其他三個(gè)閘閥的某一個(gè)開(kāi)放的情況下，在真空搬運(yùn)中間室33的前方側(cè)配置的閘閥被閉塞，而在檢測(cè)到該開(kāi)放的閥被閉塞后，在真空搬運(yùn)中間室33的前方側(cè)配置的閘閥被打開(kāi)，之后，包括假晶片的取出動(dòng)作的期間在內(nèi)，在真空搬運(yùn)中間室33的前方側(cè)配置的閘閥也維持開(kāi)放，直到其他的門(mén)的開(kāi)放的動(dòng)作的之前才關(guān)閉。
[0093]另外，在真空搬運(yùn)中間室33，在上下的收納部的內(nèi)側(cè)壁的前后方向中央部的上部也配置有供給惰性氣體的開(kāi)口，在配置于真空搬運(yùn)中間室33前方的閘閥開(kāi)放的狀態(tài)下，導(dǎo)入各收納部的內(nèi)部的惰性氣體與各收納部?jī)?nèi)的殘留氣體或粒子一起從門(mén)流入第二真空搬運(yùn)室42內(nèi)，通過(guò)第二真空搬運(yùn)室42的側(cè)壁下部的排氣口 92被排氣，由真空泵94排出到外部。
[0094]根據(jù)上述說(shuō)明的實(shí)施例，為了收納假晶片所需的真空搬運(yùn)中間室內(nèi)的晶片槽口的結(jié)構(gòu)等，收納空間可以為最小限度。
[0095]根據(jù)上述本發(fā)明的實(shí)施例，能夠防止與被處理晶片的搬運(yùn)交替地連續(xù)而伴隨假晶片的搬運(yùn)所導(dǎo)致的被處理晶片的搬運(yùn)效率的下降，不需要處理被處理晶片這一目的以外的假晶片的利用所特需的機(jī)構(gòu)、空間等，能夠抑制伴隨于此的裝置成本的上升。
[0096]符號(hào)說(shuō)明
[0097]11~13 裝載端口
[0098]21框體
[0099]22大氣搬運(yùn)機(jī)器人
[0100]31鎖止室
[0101]32,33 真空搬運(yùn)中間室
[0102]41第一真空搬運(yùn)室
[0103]42第二真空搬運(yùn)室
[0104]51、52真空搬運(yùn)機(jī)器人
[0105]61、62、63 真空處理室
[0106]71,72收納部
[0107]73分隔板
[0108]74載置部
[0109]81、83第一臂
[0110]82、84第二臂
[0111]101大氣側(cè)區(qū)域
[0112]102真空側(cè)區(qū)域
【權(quán)利要求】
1.一種真空處理裝置，其具備: 大氣搬運(yùn)室，其在前表面具備處理盒臺(tái)，并在大氣壓的內(nèi)部搬運(yùn)被處理晶片； 多個(gè)真空搬運(yùn)室，其配置在所述大氣搬運(yùn)室的后方，具有矩形的俯視形狀，在減壓后的內(nèi)部搬運(yùn)所述被處理晶片，在真空搬運(yùn)室的周?chē)B結(jié)真空處理室，真空處理室對(duì)搬運(yùn)到減壓后的內(nèi)部而配置的所述被處理晶片使用在該內(nèi)部形成的等離子體實(shí)施處理； 中間室，其在該多個(gè)真空搬運(yùn)室之間將多個(gè)真空搬運(yùn)室連結(jié)起來(lái)而配置，在所述真空搬運(yùn)室之間搬運(yùn)的期間，載置并收納所述被處理晶片；以及 鎖止室，其在所述真空搬運(yùn)室與所述大氣搬運(yùn)室的背面之間將它們連結(jié)起來(lái)而配置，所述真空處理裝置將在載置于所述處理盒臺(tái)上的處理盒內(nèi)收納的所述被處理晶片經(jīng)所述鎖止室向所述多個(gè)真空處理室的任一個(gè)搬運(yùn)而實(shí)施處理， 在所述中間室內(nèi)配置有假晶片的收納部，所述假晶片的收納部當(dāng)在所述處理室內(nèi)形成等離子體并在與所述處理不同的條件下，在各處理室使用假晶片進(jìn)行的處理時(shí)配置在所述處理室內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其中， 所述多個(gè)真空搬運(yùn)室?jiàn)A著所述中間室而在前后方向上排列配置，在所述中間室內(nèi)部的晶片收納空間的下部收納所述假晶片。
3.如權(quán)利要求1或2所述的真空處理裝置，其中， 所述中間室內(nèi)的收納空間包括處理前的晶片用的收納空間和處理后的晶片用的收納空間，在所述處理后的晶片用的收納空間收納所述假晶片。
4.如權(quán)利要求1或2所述的真空處理裝置，其中， 具有配置在所述中間室內(nèi)部并將該內(nèi)部分隔為兩個(gè)收納空間的分隔板， 所述兩個(gè)收納空間具有收納所述處理前的晶片以及所述處理后的晶片這兩者的部分，在所述兩個(gè)收納空間的至少一個(gè)的收納所述處理后的晶片的部分的下方具備收納所述假晶片的部分。
5.如權(quán)利要求1或2所述的真空處理裝置，其中， 所述多個(gè)真空搬運(yùn)室包括將所述中間室?jiàn)A在中間而連結(jié)的第一以及第二真空搬運(yùn)室，在所述中間室內(nèi)收納在與所述第一真空搬運(yùn)室連結(jié)的真空處理室中使用的假晶片，在與第二真空搬運(yùn)室連結(jié)的另一假晶片用收納室內(nèi)收納在與第二真空搬運(yùn)室連接的處理室中使用的假晶片。
【文檔編號(hào)】H01L21/31GK103765571SQ201280038556
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2012年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月10日
【發(fā)明者】南繁治, 井上智己 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)