晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)裝置和制造晶片的方法
【專利摘要】晶片保持器和溫度控制布置具有覆蓋加熱器隔室的金屬圓形晶片載板。在加熱器隔室中，布置多個加熱器燈管，其直接作用于圓形晶片載板上。圓形晶片載板可繞中心軸線被驅(qū)動旋轉(zhuǎn)。利用重量環(huán)來將晶片保持在圓形晶片載板上，重量環(huán)安放于在晶片載板上所淀積的晶片外圍。
【專利說明】晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)裝置和制造晶片的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明針對于晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，貫穿本說明書也被稱作“卡盤/夾盤(chuck)布置”，以及使用這樣的夾盤布置來制造涂布晶片的方法。
【背景技術】
[0002]在真空加工腔室中加工期間用來定位和保持硅晶片并且在這種加工期間進行溫度調(diào)節(jié)的夾盤布置是眾所周知的。由此，真空加工可包括物理氣相淀積工藝和/或化學氣相淀積工藝以便在晶片上執(zhí)行層淀積，可在晶片上或?qū)M行蝕刻，可加熱或冷卻晶片。
[0003]由此，晶片通常通過靜電力或固持重量環(huán)而保持在夾盤布置上，固持重量環(huán)擱置在正被加工的晶片的外圍上、并且通過重量而對于晶片朝向夾盤布置的晶片載體表面上進行偏壓。
[0004]取決于在真空加工腔室中建立的真空壓力，從夾盤布置到晶片或從晶片到夾盤布置的傳熱主要通過輻射來進行。眾所周知在夾盤布置的載體表面與安放于所提到的表面上的晶片表面之間建立/形成氣墊，氣墊相對于晶片周圍的加工氣氛的真空壓力而言處于增加的壓力以便向所提到的輻射傳熱添加熱傳導傳熱。
[0005]在制造和銷售由OC Oerlikon Balzers策劃的CLN 300真空加工的情形下,一種旋轉(zhuǎn)夾盤布置已變得為人所知，其具有將借助于圖1加以解釋的結(jié)構。此圖示意性地并且高度簡化地示出了這樣的現(xiàn)有技術旋轉(zhuǎn)夾盤布置的結(jié)構。所提到的旋轉(zhuǎn)夾盤布置的主要功能是允許使用具有多個目標的濺射源。夾盤布置和因此定位于并且保持于這種布置上的晶片的旋轉(zhuǎn)確保了所形成的層是均一的。
[0006]晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置I (也被稱作夾盤布置I)包括待安裝于具有加工空間P的真空加工腔室的壁5上的基座布置3?；贾?具有朝向加工空間P的突伸肋狀物7圖案，突伸肋狀物7繞總夾盤布置I的中心軸線A同心。在基座布置3內(nèi)設有同樣關于軸線A同心的加熱器隔室9，其為環(huán)形腔室，其中，安裝并且操作四個加熱器燈管11。加熱器燈管11各自不同地位于加熱器隔室9中，具有離軸線A不同的間距和關于從軸線A至加熱器隔室9的圓形外圍壁的徑向方向r不同的角取向。
[0007]在操作中，加熱器隔室9和因此加熱器燈管11在加工腔室內(nèi)的真空中。突伸肋狀物7的同心圖案匹配著加工于金屬圓形晶片載板15的表面上的相應圓形凹槽13的圖案。利用所提到的肋狀物7和凹槽13的圖案，用來在基座布置3與金屬圓形晶片載板15之間傳熱的有效表面加倍。此外，基座布置3以及金屬圓形晶片載板15被涂布特殊黑色涂層，其吸收熱輻射，即紅外輻射。
[0008]金屬圓形晶片載板15由操作性地連接到伺服馬達19的驅(qū)動軸桿17來驅(qū)動。與軸線A同軸的驅(qū)動軸桿17和金屬圓形晶片載板15是與基座布置3以及與真空加工腔室的壁5電隔離的，并且可因此(未圖示)以任何所希望的電偏壓信號來操作。
[0009]驅(qū)動軸桿17還包括同軸的氣體進給管線21，其一方面操作性地連接到氣體源布置23并且其另一方面在氣體出口和氣體分流系統(tǒng)26中與氣體分布凹槽28抵接，氣體分布凹槽28設置于金屬圓形晶片載板15的基本上平面表面25中，在操作中，待加工的晶片27位于該金屬圓形晶片載體15的基本上平面表面25上。晶片27利用重量環(huán)29固持于金屬圓形晶片載板15上，重量環(huán)29通過其適當重量使晶片27朝向金屬圓形晶片載板15的所提到的表面25并且在該表面25上偏壓。利用氣體進給系統(tǒng)21、23，氣體出口 26和在所提到的表面25中的氣體分布凹槽28，在操作中，以大于加工空間P中的操作真空壓力的壓力而形成墊襯氣墊，該墊襯氣墊(back gas cushion)改進了從金屬圓形晶片載板15朝向晶片27、或從晶片27開始的通過熱傳導的傳熱。
[0010]基座布置3還包括冷卻系統(tǒng)31的管路，冷卻系統(tǒng)31的管路被設想到使液體冷卻介質(zhì)在基座布置3中流動。在從加熱器隔室9或從具有管路的冷卻系統(tǒng)31向或自晶片27之間的傳熱在介于基座布置3與金屬圓形晶片載板15之間的實心材料表面界面上，以及在墊襯氣墊上從板15向或自晶片27進行。由此，特別地基座布置3的熱慣性(thermicalinertia)顯著地造成反應時間，其為晶片27的溫度對施加到基座布置上的加熱或冷卻步驟做出反應的時間。取決于晶片27的直徑，能允許實現(xiàn)加熱器燈管11中的兩個或四個。加熱器燈管11在加熱器隔室9內(nèi)的個別位置被優(yōu)化以在一旦實現(xiàn)了晶片27的熱穩(wěn)定的情況下得到沿著晶片27的均勻溫度分布，晶片27如圖1以w所示隨著金屬圓形晶片載板15和重量環(huán)29 —起旋轉(zhuǎn)。
[0011]利用圖1中所示的已知布置，可加工300 mm或200mm硅晶片。晶片可達到的最高溫度為大約200°C并且因此金屬圓形晶片載板15的表面也可達到大約200°C的溫度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的一個目的在于提供一種待安裝于真空晶片處理腔室的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，其允許大量不同的晶片加工，由此額外地簡化了已知并且借助于圖1所例示的晶片保持器和溫度調(diào) 節(jié)布置的總結(jié)構。
[0013]這通過待安裝到真空晶片處理腔室上的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置來實現(xiàn)，其包括:
?基座布置，其具有延伸的基本上平面表面，延伸的基本上平面表面以繞基本上平面表面的中心的突伸圓形邊沿表面為界；
?金屬圓形晶片載板，其相對于基本上平面表面的中心居中安裝，金屬圓形晶片載板的一個表面、延伸的基本上平面表面和突伸圓形邊沿表面共同限定著加熱器隔室，金屬晶片載板相對于基座布置圍繞著穿過基本上平面表面的中心的幾何軸線可被驅(qū)動旋轉(zhuǎn)；
?多個加熱器燈管，其沿著延伸的基本上平面表面和沿著金屬圓形晶片載板的一個表面而布置于加熱器隔室中并且直接向此表面暴露并且安裝到基座布置上；
?晶片固持布置，其操作性地聯(lián)接到金屬圓形晶片載板。
[0014]由于金屬圓形晶片載板本身形成其中設置加熱器燈管的加熱器隔室的一個壁，金屬圓形晶片載板由加熱器燈管通過輻射直接加熱并且在施加到所提到的晶片載板的晶片與加熱器燈管之間存在很少的熱慣性。這明顯地有助于這一事實:可沿著金屬圓形晶片載板和因此沿著安放于所提到的載板上的晶片實現(xiàn)至少800°C的很高的最高溫度。在根據(jù)本發(fā)明的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置的一實施例中，此布置包括電功率控制單元，控制著到多個加熱器燈管的功率。此功率控制單元被設想到操作多個加熱器燈管以便沿著與其所述一個表面相反和因而在操作中在上面安放晶片的金屬圓形晶片載板的另一表面上實現(xiàn)在所提到的另一表面上平均化的至少800°C的最高溫度。
[0015]由此，晶片加工和特別地晶片的涂布在真空晶片處理腔室中變得可能，到目前為止，利用已知的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置這是不可能的。此外，在加熱器燈管與晶片之間的微小熱慣性允許在晶片處高度地直接的和低時間滯后的溫度調(diào)整。
[0016]晶片載板在目前優(yōu)選的實施例中可繞幾何軸線被驅(qū)動旋轉(zhuǎn)，因為如在圖1的情形下所示，驅(qū)動軸桿被引導穿過該基座布置并且聯(lián)接到金屬圓形晶片載板，金屬圓形晶片載板在目前優(yōu)選的實施例中與可在所希望的電偏壓電位操作的基座布置電隔離。
[0017]目前優(yōu)選實施例的晶片固持布置如圖1所示由重量環(huán)實現(xiàn)，但也可以不同的方式來實現(xiàn)，例如，利用永磁體和/或電磁固持構件。
[0018]在真空氣氛中操作的加熱器隔室直接向金屬圓形晶片載板暴露額外地減輕了構建工作。
[0019]在除非相矛盾可與前文和后文提到的實施例中任何實施例相組合的本發(fā)明的一實施例中，多個加熱器燈管包括多個相同的加熱器燈管，其安裝于加熱器隔室中，相對于從中心到圓形邊沿表面的徑向方向而相同地定位/取向。由此，在另一實施例中，加熱器燈管的長度延伸方向相對于從基本上平面表面的中心朝向突伸圓形邊沿表面的徑向方向而角偏移。
[0020]在除非相矛盾可與前文和后文提到的實施例中任何實施例組合的本發(fā)明的另一實施例中，可調(diào)整在加熱器隔室中的加熱器燈管的至少一部分的位置以便優(yōu)化沿著安置于金屬圓形晶片載板上并且隨著金屬圓形晶片載體和因此相對于加熱器燈管旋轉(zhuǎn)的晶片的溫度分布。
[0021]類似于關于圖1的解釋，也在若不矛盾可與先前和隨后提到的實施例中任何實施例組合的本發(fā)明的一實施例中，穿過并且沿著金屬圓形晶片載板的另一表面(其為直接向晶片暴露的表面)設置一種氣體出口和分配布置。
[0022]也類似于在圖1的情形中給出的解釋，在除非相矛盾可與前文和后文提到的實施例中任何實施例相組合的本發(fā)明的一實施例中，在基座布置中設置一種管路布置，管路布置被設想到使其中的液體，即一種冷卻液體流動，以在每當需要時冷卻經(jīng)加工的晶片。應當指出的是由于較小的熱慣性，根據(jù)本發(fā)明對晶片的這種冷卻效果比利用圖1的已知布置顯著更快。
[0023]另外，在除非相矛盾可與前文和后文提到的實施例中任何實施例相組合的本發(fā)明的一實施例中，晶片固持布置為重量環(huán)，其尺寸適于安放于待加工的晶片外圍，由此則重量環(huán)優(yōu)選地被設想為電連接到電偏壓源。
[0024]在除非相矛盾可與前文和后文提到的實施例中任何實施例相組合的本發(fā)明的一實施例中，加熱器燈管具有填充了在延伸的基本上平面表面與金屬圓形晶片載體的一個表面之間的加熱器隔室而不接觸這些表面的厚度范圍。換言之，加熱器隔室厚度實際上被加熱器燈管的厚度范圍所填充。
[0025]在除非相矛盾可與前文和后文提到的實施例中任何實施例相組合的本發(fā)明的一實施例中，延伸的基本上平面表面和突伸外圍圓形邊沿表面為熱反射器表面，其優(yōu)選地被高光澤度拋光。由此，由加熱器燈管生成的熱僅將基座布置加熱到有限程度，因為其由所提到的表面直接朝向金屬圓形晶片載板反射。此實施例目前是非常優(yōu)選的。
[0026]在除非相矛盾可與前文和后文提到的實施例中任何實施例相組合的本發(fā)明的另一實施例中，金屬圓形晶片載板與基座布置電隔離并且優(yōu)選地被設想為電連接到電偏壓源。
[0027]更具體而言，本發(fā)明的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置并且在除非矛盾可與上文提到的實施例中的任何實施例相組合的具體實施例中，晶片載板被設想到用于下列之一:
?IOOmm直徑晶片，由此多個加熱器燈管包括四個500W鹵素加熱器燈管；
?150mm直徑晶片，由此所提到的多個包括五個500W鹵素加熱器燈管；
?200mm直徑晶片，由此所提到的多個包括十個250W鹵素加熱器燈管。
[0028]本發(fā)明還針對于一種制造被涂布有層的晶片的方法，包括:
?在真空加工涂布腔室中設置一種晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置包括:
-基座布置，其具有延伸的基本上平面表面，延伸的基本上平面表面以繞基本上平面表面的中心的一種突伸圓形邊沿表面為界；
-金屬圓形晶片載板，其相對于基本上平面表面的中心而居中安裝，金屬圓形晶片載板的一個表面、延伸的基本上平面表面和突伸圓形邊沿表面共同地限定了一種加熱器隔室，金屬晶片載板 相對于基座布置圍繞著一種穿過基本上平面表面的中心的幾何軸線可被驅(qū)動旋轉(zhuǎn)；
多個加熱器燈管，其沿著延伸的基本上平面表面和金屬圓形晶片載板的一個表面而布置于加熱器隔室中，并且直接地向金屬圓形晶片載板的一個表面暴露并且安裝到基座布直上;
-晶片固持布置，其操作性地聯(lián)接到金屬圓形晶片載板，以及-電功率控制單元，其控制多個加熱器燈管的功率并且被設想到操作多個加熱器燈管以便沿著與其一個表面相反的金屬圓形晶片載板的另一個表面而形成在另一表面上平均化的預定溫度，
?在金屬圓形晶片載板的另一表面上淀積一種待涂布的晶片；
?在操作電功率控制單元以將晶片加熱到至少800°C時驅(qū)動旋轉(zhuǎn)金屬圓形晶片載板；
以及
?在晶片上淀積層。
[0029]由此，在所提到的方法的框架中，可采用在上文根據(jù)本發(fā)明的這樣的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置的情形下提到的實施例中任何實施例的一種晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置。另外，如果提及涂布“晶片”，理解為向這樣的晶片施加涂層，其包括已經(jīng)施加的在硅晶片與待施加的一層或多層的涂層之間的涂層。
[0030]在所提到的方法的優(yōu)選實施例中，所施加/涂覆的層為鋯鈦酸鉛，其優(yōu)選地通過共濺射鉛、鋯和鈦而施加/涂覆。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]現(xiàn)將借助于另外的附圖進一步例示本發(fā)明。由此，這些另外的附圖示出:
圖2:以與圖1的表示類似的表示，根據(jù)本發(fā)明的一種溫度保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，利用它來實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的方法。
[0032]圖3:根據(jù)本發(fā)明并且如在圖2中示例用于加工IOOmm直徑晶片的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置的加熱器隔室的簡化示意頂視圖。
[0033]圖4:與圖3的表示類似的表示，該布置被設想到加工150mm直徑晶片。
【具體實施方式】
[0034]根據(jù)圖2，基座布置103安裝到具有加工空間P的真空加工腔室的壁5上。根據(jù)本發(fā)明的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置(夾盤布置)101的基座布置103具有基本上平面表面107，其以圓形突伸邊沿表面108為邊界。邊沿表面108繞基座布置103的基本上平面表面107的中心軸線A為圓形。由此在基座布置103中形成的容納室109由圓形金屬晶片載板115閉合，圓形金屬晶片載板115的配置如已經(jīng)在圖1的情形下所描述的那樣，具有一種氣體出口和一種分布系統(tǒng)128，通過在驅(qū)動軸桿117內(nèi)居中的一種氣體進給管線121而被進給墊襯氣體用于旋轉(zhuǎn)地驅(qū)動金屬圓形晶片載板115。通過進給管線121和出口與分布系統(tǒng)128，墊襯氣墊可自(如示意性地示出)氣體儲集器123施加于金屬圓形晶片載板115的頂表面與待加工的晶片127之間。驅(qū)動軸桿117由馬達119驅(qū)動(如示意性地示出)。如在圖1中已經(jīng)示意性地示出，分別設置真空密封件30、130。
[0035]金屬圓形晶片載板115的底表面116閉合了由邊沿表面108和基本上平面表面107形成于基座布置103中的容納室109，由此限定了熱隔室110:熱隔室110在一側(cè)受到可旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的金屬圓形晶片載板115限制。在加熱器隔室110中，安裝了多個加熱器燈管111，金屬圓形晶片載板向加熱器燈管111直接暴露。加熱器燈管111的底座和電連接僅在圖2中以111。和Illi示意性地示出。容納室109的表面，即突伸圓形邊沿表面108以及基本上平面表面107被實現(xiàn)為熱反射表面，優(yōu)選地被高光澤地拋光。
[0036]如在圖3和圖4中例示，加熱器燈管111相對于從平面表面107的中心A至圓形邊沿表面108的徑向方向R全都具有相同取向。在被設想為用于加工具有IOOmm直徑的晶片127的根據(jù)本發(fā)明的布置中，具有標稱電功率500W的四個相同加熱器燈管111，鹵素管設置于加熱器隔室Iio中，加熱器燈管111的長度軸線L相對于徑向方向R以角度α而相同地角偏移。在圖4中并且以與圖3的表示類似的表示，根據(jù)本發(fā)明的布置被設想到用于150 mm直徑的晶片。五個500W齒素加熱器燈管111設置于加熱器隔室110中，其長度軸線L同樣相對于任何徑向方向R而相同地角偏移。
[0037]類似地(未圖示)，被設想用于200mm直徑晶片的根據(jù)本發(fā)明的布置包括250W標稱電功率的十個加熱器燈管。
[0038]如在圖2中進一步僅示意性地示出，設置了一種功率控制器單元134，其用來控制遞送到加熱器燈管111的電功率以在向晶片127暴露的金屬圓形晶片載板115的表面處提供至少800°C的最高溫度。
[0039]如在圖3中進一步示意性地示出，可如圖所示以土 Λ α調(diào)整所述加熱器燈管111的長度軸線L的確切角位置以優(yōu)化向金屬圓形晶片載板115的回轉(zhuǎn)背側(cè)傳熱的均勻性。
[0040]另外，在本發(fā)明的布置中，如根據(jù)圖1的已知布置已提到的那樣，在基座布置103中設置管路131，用來在基座布置103內(nèi)循環(huán)一種冷卻液體介質(zhì)。如在圖2中可進一步看出，由邊沿表面108和基本上平面表面107所形成的容納室的深度基本上與管111的厚度一致，從而使得在軸線A的方向上考慮，管111填充了加熱器隔室110而不接觸(一方面)表面108/107和另一方面金屬圓形晶片載體115的背表面116。
[0041]所提到的板115與基座布置103和帶壁5的加工腔室電隔離(未圖示)從而使得晶片載體115和因此晶片載體115上所承載的晶片可以以任何所希望的偏壓電信號操作。在該實施例中，如在圖2中所例示，用于金屬圓形晶片載板115上的晶片127的固持布置由重量環(huán)129實現(xiàn)，類似于圖1的布置。也能向所提到的重量環(huán)129提供電接觸，以經(jīng)由所提到的重量環(huán)129向晶片127提供所希望的電偏壓信號(未圖示)。
[0042]借助于根據(jù)本發(fā)明的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置并且如借助于圖2至圖4所例示，變得能在加工腔室中在至少800°C的很高的溫度來加工晶片并且因此向這樣的晶片涂覆材料涂層，這種涂布需要這種很高的淀積溫度。這樣的層材料之一為鋯鈦酸鉛(PZT)材料，其優(yōu)選地通過共濺射鉛、鋯和鈦而淀積，如用于熱偶發(fā)電機器具。
[0043]由于根據(jù)本發(fā)明的布置，首先由加熱器燈管111生成的熱被直接傳輸?shù)浇饘賵A形晶片載板并且其次形成熱隔室的基座布置103的表面被實現(xiàn)為熱反射器，實現(xiàn)了所提到的將晶片加熱到很高的溫度。由此并且與圖1的布置相比，顯著地減輕了在加熱器燈管與晶片之間的熱慣性并且額外地顯著地簡化了總構造。
【權利要求】
1.一種待安裝到真空晶片處理腔室上的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，包括: ?基座布置，其具有一種延伸的基本上平面表面，所述延伸的基本上平面表面以繞所述基本上平面表面的中心的一種突伸圓形邊沿表面為界； ?金屬圓形晶片載板，其相對于所述基本上平面表面的所述中心居中安裝，所述金屬圓形晶片載板的一個表面、所述延伸的基本上平面表面和所述突伸邊沿表面共同限定一種加熱器隔室，所述金屬圓形晶片載板可相對于所述基座布置圍繞穿過所述延伸的基本上平面表面的所述中心的一種幾何軸線而受驅(qū)動旋轉(zhuǎn)； ?多個加熱器燈管，其沿著所述延伸的基本上平面表面和沿著所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面而布置于所述加熱器隔室中，并且直接向所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面暴露并且安裝到所述基座布置上； ?晶片固持布置，其操作性地聯(lián)接到所述金屬圓形晶片載板。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，包括電功率控制單元，其控制所述多個加熱器燈管的功率并且設想到操作所述多個加熱器燈管以沿著與其所述一個表面相反的所述金屬圓形晶片載板的另一個表面形成在所述另一表面上平均化的至少800°C的最高溫度。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述多個加熱器燈管包括安裝于所述加熱器隔室中的多個相同的加熱器燈管，相對于從所述中心到所述圓形邊沿表面的徑向方向具有相同取向。
4.根據(jù)權利要求3所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述加熱器燈管的所述長度延伸方向與所述徑向方向成角偏移。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述加熱器隔室中所述加熱器燈管的至少一部分的位置是可調(diào)整的。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，包括穿過所述金屬圓形晶片載板的所述另一個表面并且沿著所述另一表面的一種氣體出口與分配布置。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，包括在所述基座布置中的管路布置，其設想為使液體在其中流動。
8.根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述晶片固持布置為重量環(huán)，所述重量環(huán)的尺寸適于安放于待加工的晶片外圍，所述重量環(huán)優(yōu)選地設想為電連接到電偏壓源。
9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述加熱器燈管具有在所述延伸的基本上平面表面與所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面之間填充所述加熱器隔室而不與所述剛提到的表面相接觸的厚度范圍。
10.根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述延伸的基本上平面表面和所述突伸外圍圓形邊沿表面為熱反射器表面，優(yōu)選地受高光澤拋光。
11.根據(jù)權利要求1至10中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述金屬圓形晶片載板與所述基座布置電隔離并且優(yōu)選地設想為電連接到電偏壓源。
12.根據(jù)權利要求1至11中任一項所述的晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述晶片載板設想到用于下列之一: ?IOOmm直徑晶片，所述多個包括四個500W鹵素加熱器燈管，?150mm直徑晶片,所述多個包括五個500W鹵素加熱器燈管， ?200mm直徑晶片，所述多個包括十個250W鹵素加熱器燈管。
13.—種制造涂布著一種層的晶片的方法，包括: ?在真空加工涂布腔室中設置晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置，所述晶片保持器和溫度調(diào)節(jié)布置包括: >基座布置，其具有延伸的基本上平面表面，所述延伸的基本上平面表面以繞所述基本上平面表面的中心的一種突伸圓形邊沿表面為界； >金屬圓形晶片載板，其相對于所述基本上平面表面的所述中心居中安裝，所述金屬圓形晶片載板的一個表面、所述延伸的基本上平面表面和所述突伸邊沿表面共同限定一種加熱器隔室，所述晶片載板可相對于所述基座布置圍繞穿過所述延伸的基本上平面表面的所述中心的一種幾何軸線而可驅(qū)動地旋轉(zhuǎn)； >多個加熱器燈管，其沿著所述延伸的基本上平面表面和所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面布置于所述加熱器隔室中，并且直接向所述金屬圓形晶片載板的所述一個表面暴露并且安裝到所述基座布置上； >晶片固持布置，其操作性地聯(lián)接到所述金屬圓形晶片載板，以及>電功率控制單元，其控制所述多個加熱器燈管的功率并且設想為操作所述多個加熱器燈管以便沿著與其所述一個表面相反的所述金屬圓形晶片載板的另一個表面形成所述另一表面上平均化的預定溫度， ?在所述金屬圓形晶片載板的所述另一表面上淀積待涂布的晶片； ?在操作所述電功率控 制單元以將所述晶片加熱到至少800°C時驅(qū)動旋轉(zhuǎn)所述金屬圓形晶片載板；以及 ?在所述晶片上淀積層。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，包括:所述層為優(yōu)選地通過共濺射鉛、鋯和鈦淀積的鋯鈦酸鉛。
【文檔編號】H01L21/67GK103814434SQ201280042393
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年8月28日 優(yōu)先權日:2011年8月30日
【發(fā)明者】J.基伊維恩, B.肖特馮馬斯特, R.羅德 申請人:歐瑞康先進科技股份公司