有機半導體絕緣膜用組合物及有機半導體絕緣膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供可形成膜表面的疏水性及平滑性優(yōu)異且電穩(wěn)定性優(yōu)異的絕緣膜的有機半導體絕緣膜用組合物及使用其的有機半導體絕緣膜。本發(fā)明的有機半導體絕緣膜用組合物含有聚硅氧烷和有機高分子化合物，聚硅氧烷為具有氧雜環(huán)丁烷基的籠型倍半硅氧烷、及下式所示的具有氧雜環(huán)丁烷基的硅化合物中的至少一者。另外，下式的R1～R3分別獨立地表示一價的有機基團(其中，R1～R3中的至少1個為具有氧雜環(huán)丁烷基的一價的有機基團。)。v、w、x及y分別獨立地表示0或正數(shù)(其中，v、x及y中的至少1個和w為正數(shù)。)。
【專利說明】有機半導體絕緣膜用組合物及有機半導體絕緣膜
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及有機半導體絕緣膜用組合物及有機半導體絕緣膜。進一步詳細而言，本發(fā)明涉及可形成膜表面的疏水性及平滑性優(yōu)異且電穩(wěn)定性優(yōu)異的絕緣膜的有機半導體絕緣膜用組合物、及使用了其的有機半導體絕緣膜。
【背景技術】
[0002]有機場效應晶體管(OFET)為在活性層使用有機半導體，期待著向有源矩陣顯示器、電子紙等的柔性電子學的應用。0FET，為這些的基本的構成單元，原理是用施加于柵極的電壓來控制漏電極和源極之間的電流，若提高柵極電壓，則漏電極和源極間的電流量變多。為了使晶體管高速工作，需要半導體的電荷載流子遷移率和開/關電流比高?？赏ㄟ^旋涂、印刷這樣的溶液工藝制作的涂布型0FET，可實現(xiàn)以往未實現(xiàn)的柔性化、低成本化進而大面積化，因此備受矚目，正在積極地進行影響OFET的性能的有機半導體的開發(fā)。
[0003]另外，對于OFET的器件特性、工作穩(wěn)定性而言，已知由于在有機半導體和柵極絕緣膜的界面附近進行電荷載流子的生成、遷移，因此也受到柵極絕緣膜的影響，柵極絕緣膜的性能方面也倍受重視。特別是，已知OFET中的遷移率、閾值電壓、開關比等的基本特性強烈依賴于柵極絕緣膜的平滑性、表面狀態(tài)，對柵極絕緣膜要求(I)膜表面具有疏水性、(2)膜表面的平滑性高、及(3)絕緣性高等的各特性。
[0004]作為以往的柵極絕緣膜，例如，已知由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚酰亞胺等構成的絕緣膜。進而，已知有由PVP和聚(三聚氰胺-CO-甲醛)構成的絕緣膜等(參照專利文獻I)。
[0005]現(xiàn)有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2010-74188號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的課題
[0009]然而，以往的絕緣膜，在表面的疏水性、平滑性及電穩(wěn)定性中，未必可以說是最佳的材料，現(xiàn)狀是尋求性能的進一步提高。進而，現(xiàn)狀是尋求具備作為絕緣膜所需的上述的性能、且可賦予、控制新的物性的新型材料。
[0010]本發(fā)明，是鑒于上述現(xiàn)狀而完成的，其目的在于，提供可形成膜表面的疏水性及平滑性優(yōu)異且電穩(wěn)定性優(yōu)異的絕緣膜的有機半導體絕緣膜用組合物、及使用了其的有機半導體絕緣膜。
[0011]用于解決課題的手段
[0012]本發(fā)明如下。
[0013][I] 一種有機半導體絕緣膜用組合物，其為含有(A)聚硅氧烷和(B)有機高分子化合物的有機半導體絕緣膜用組合物，其特征在于，[0014]上述(A)聚硅氧烷為具有氧雜環(huán)丁烷基的籠型倍半硅氧烷、及由下述式(I)所示的具有氧雜環(huán)丁烷基的硅化合物中的至少一者。
[0015][化學式I]
【權利要求】
1.一種有機半導體絕緣膜用組合物，其含有(A)聚硅氧烷和(B)有機高分子化合物，其特征在于，所述(A)聚硅氧烷為具有氧雜環(huán)丁烷基的籠型倍半硅氧烷、及下述式(I)所示的具有氧雜環(huán)丁烷基的硅化合物中的至少一者，
2.根據(jù)權利要求1所述的有機半導體絕緣膜用組合物，其中，還含有固化催化劑。
3.一種有機半導體絕緣膜，其特征在于，使用權利要求1或2所述的有機半導體絕緣膜用組合物而成。
【文檔編號】H01L51/05GK103828062SQ201280045962
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2012年11月13日 優(yōu)先權日:2011年12月26日
【發(fā)明者】鈴木浩, 北村昭憲, 濱田崇 申請人:東亞合成株式會社