發(fā)光元件安裝用基板及發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種體積固有電阻率低、靜電破壞的可能性小的發(fā)光元件安裝用基板以及在該發(fā)光元件安裝用基板上安裝發(fā)光元件而成的發(fā)光裝置。發(fā)光元件安裝用基板以構(gòu)成的所有成分為100質(zhì)量％時(shí)，含有氧化鋁占80質(zhì)量％以上的氧化鋁燒結(jié)體，由于氧化鋁的結(jié)晶粒子中O和Al的原子量之比O/Al低于1.5，因此可以形成體積固有電阻率低，靜電破壞的可能性小的發(fā)光元件安裝用基板。
【專利說明】發(fā)光元件安裝用基板及發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光元件安裝用基板以及在該發(fā)光元件安裝用基板安裝發(fā)光元件而成的發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，作為高輝度且低耗電量的發(fā)光元件，LED (發(fā)光二極管)受到關(guān)注。而且，從作為一般照明到作為電光顯示板的光源、手機(jī)和電腦等的背光燈而漸漸被廣泛利用。
[0003]而且，該發(fā)光元件被安裝于由形成于基板的金屬形成的導(dǎo)體上，作為基板，使用的是體積固有電阻率高且機(jī)械特性優(yōu)良的陶瓷，考慮到可以較廉價(jià)地制造這點(diǎn)，多使用氧化鋁燒結(jié)體。作為這樣的氧化鋁燒結(jié)體，例如專利文獻(xiàn)I提供了含有氧化鋁和玻璃質(zhì)成分的高反射白色陶瓷。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2007-284333號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的問題
[0008]但是，專利文獻(xiàn)I這樣的含有氧化鋁燒結(jié)體的基板由于表面上形成有導(dǎo)體，因此要求體積固有電阻率要高。但體`積固有電阻率過高時(shí)，在導(dǎo)體的形成、搬運(yùn)等過程中，由于與設(shè)備等的接觸或摩擦，基板容易帶靜電。而且，在基板帶靜電的狀態(tài)下安裝發(fā)光元件時(shí)，由于所帶的靜電的放出，發(fā)光元件有發(fā)生靜電破壞的可能性。
[0009]本發(fā)明為解決上述課題而提出，目的在于提供體積固有電阻率低，靜電破壞的可能性小的發(fā)光元件安裝用基板以及在該發(fā)光元件安裝用基板上安裝發(fā)光元件而成的發(fā)光
>J-U ρ?α裝直。
[0010]本發(fā)明的發(fā)光元件安裝用基板的特征在于，其含有以構(gòu)成的所有成分為100質(zhì)量％時(shí)氧化鋁占80質(zhì)量％以上的氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體，氧化鋁的結(jié)晶粒子中的O和Al的原子量之比0/Α1低于1.5。
[0011]另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置的特征在于，在上述構(gòu)成的發(fā)光元件安裝用基板載置有發(fā)光兀件。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件安裝用基板，由于氧化鋁的結(jié)晶粒子中的O和Al的原子量之比0/Α1低于1.5，因此可以降低體積固有抵抗率，在導(dǎo)體的形成、搬運(yùn)等過程中，可以減少由于與設(shè)備等的接觸或摩擦而帶靜電的可能性。
[0013]另外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置，由于是在體積固有電阻率低、靜電破壞的可能性小的發(fā)光元件安裝用基板上安裝發(fā)光元件而成的，因此可以作為可靠性高的發(fā)光裝置。
【專利附圖】

【附圖說明】[0014]圖1為表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板的導(dǎo)體的形成例的部分剖視圖。
[0015]圖2為表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板的漫反射光的散射狀態(tài)的示意圖。
[0016]圖3為表示在本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板安裝發(fā)光元件而成的發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)之一例的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下利用【專利附圖】

【附圖說明】本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板以及在該發(fā)光元件安裝用基板載置了發(fā)光元件的發(fā)光裝置。圖1為表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板中導(dǎo)體的形成例的部分剖視圖。
[0018]圖1所示的發(fā)光元件安裝用基板I (以下也稱基板I)示意了在基板I的一側(cè)表面Ia形成有電極3a、3b,在形成了電極3a、3b的部分形成有電極焊墊3c、3d的例子,含有半導(dǎo)體的發(fā)光元件(未圖示)載置于電極焊墊3c或電極焊墊3d上。另外，圖1還示意了在貫通孔內(nèi)、另一個(gè)表面Ib也形成有電極3a、3b的例子。
[0019]而且，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I的特征在于，以構(gòu)成的成分為100質(zhì)量％時(shí)，含有氧化鋁占80質(zhì)量％以上的氧化鋁燒結(jié)體，該氧化鋁的結(jié)晶粒子中的O和Al的原子量之比0/A1低于1.5。予以說明，以下敘述中，氧化鋁結(jié)晶粒子中的O和Al的原子量之比0/A1也記載為氧化鋁的結(jié)晶粒子中的0/A1比，有時(shí)也只稱為0/A1比。此處，氧化鋁燒結(jié)體是除了使用占80質(zhì)量％以上的氧化鋁之外，還含有例如氧化硅、氧化鎂和氧化鈣中的至少I種，并將這些作為燒結(jié)輔助劑燒成而成的。
[0020]其次，氧化鋁如化學(xué)式Al2O3所表示，按定比組成來說，0/A1比為1.5。與此相對(duì)，由于通過本實(shí)施方式中的0/A1比低于1.5可以降低基板I的體積固有電阻率，因此可以在導(dǎo)體的形成、搬運(yùn)等過程中減少由于與設(shè)備等的接觸或摩擦導(dǎo)致基板I帶靜電的可能性。
[0021]此處，可以降低體積固有電阻率是指，對(duì)于燒結(jié)輔助劑成分及含量相同、余下部分含有氧化鋁的氧化鋁燒結(jié)體來說，0/A1比低于1.5的燒結(jié)體的體積固有電阻率小于0/A1比為1.5的燒結(jié)體的體積固有電阻率(例如IO14 Ω.cm)，體積固有電阻率的測(cè)定可以依照J(rèn)IS C2141-1992測(cè)定。另外，可以降低體積固有電阻率的原因可能是由于從Al2O3中失去的0(氧氣)的影響、或過量Al (鋁)的影響，但具體并不明確。
[0022]另外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I優(yōu)選在氧化鋁的結(jié)晶粒子中，0/A1比為0.7以上且1.3以下。通過使該0/A1比為0.7以上且1.3以下，可以獲得體積固有電阻率低、且具有高反射率的發(fā)光元件安裝用基板I。
[0023]此處，氧化鋁的結(jié)晶粒子中0/A1比是基于以下方法算出的。首先，作為預(yù)處理，對(duì)基板I的剖面進(jìn)行鏡面加工后使用離子銑削(ion milling)裝置(GATAN制M0DEL691)進(jìn)行加工，使用透射電子顯微鏡(TEM、例如日本電子制JEM-2010F)以40，000倍?60，000倍的倍率進(jìn)行觀察，選擇出任意10個(gè)氧化鋁的結(jié)晶粒子。接著，通過附設(shè)的能量分散型X射線分光分析(EDS、例如Thermo Electron制NSS)，點(diǎn)徑設(shè)為Inm(p、測(cè)定時(shí)間設(shè)為50秒、測(cè)定能量范圍設(shè)為0.14?20.48keV,使用半定量計(jì)算方法作為薄膜近似法測(cè)定O和Al的原子量，通過得到的原子量計(jì)算各氧化鋁的結(jié)晶粒子中的0/A1比，將其平均值作為氧化鋁的結(jié)晶粒子中的0/A1比。
[0024]另外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I的氧化鋁的結(jié)晶粒子中的0/A1比為0.7以上且1.3以下時(shí)，有利用X射線衍射(CuKa射線)在a -氧化鋁的104面產(chǎn)生波峰的入射角(2Θ)進(jìn)行評(píng)價(jià)的方法。根據(jù)a-氧化鋁的JCPDS cards (#46-1212)，104面的波峰出現(xiàn)在2 Θ = 35.152°，但本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I的氧化鋁的結(jié)晶粒子中的Ο/Al比低于1.5時(shí)，104面的波峰向大角一側(cè)(入射角大)移動(dòng)，因此可以通過2 Θ的數(shù)值確認(rèn)。具體來說，Ο/Al比為0.7以上且1.3以下時(shí)，2 Θ的數(shù)值出現(xiàn)在35.20°以上、35.35°以下的范圍內(nèi)。
[0025]另外，為了減少發(fā)光元件的靜電破壞的可能性，同時(shí)抑制由于霹雷的影響、配線開關(guān)等故障造成基板I產(chǎn)生異常電壓的情況下的電極間或配線間的短路，體積固有電阻率優(yōu)選 IO9 ?IO12 Ω.cm。
[0026]圖2為表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I的漫反射光的散射狀態(tài)的示意圖。另外，該示意圖表示與表面Ia垂直的剖面,如圖2所示，以結(jié)晶大小的水平來觀察本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I時(shí)，其具有氧化鋁的結(jié)晶粒子5、6和主要由燒結(jié)輔助劑成分組成的晶界相7。另外，晶界相7為氧化硅、氧化鎂和氧化鈣中的至少一種時(shí)，晶界相7以非晶態(tài)玻璃相存在。
[0027]從本實(shí)施方式的發(fā)光兀件安裝用基板I的表面Ia側(cè)照射的入射光11變成從表面Ia朝特定方向反射的正反射光13a和從表面Ia朝非特定方向反射的漫反射光13b,余下的光變成進(jìn)入(透射)基板I內(nèi)部的光11a。而且，進(jìn)入該基板I內(nèi)部的光Ila在與晶界相7的邊界，即氧化鋁的結(jié)晶粒子5的界面5a，變成正反射光13c和漫反射光13d，余下的變成進(jìn)一步進(jìn)入基板I內(nèi)部的光11a。
[0028]接著，進(jìn)一步行進(jìn)入基體I的內(nèi)部的光Ila在與晶界相7的邊界，即氧化鋁的結(jié)晶粒子6的界面6a,變成正反射光13e和漫反射光13f,余下的變成進(jìn)一步進(jìn)入基板I內(nèi)部的光11a。正反射光13a、13c、13e，漫反射光13b、13d、13f在沒有碰撞的結(jié)晶粒子的情況下就保持原樣射出基體I外，若有碰撞的結(jié)晶粒子就在界面反復(fù)正反射、漫反射，透射結(jié)晶粒子，從而射出基體I外。
[0029]另外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I優(yōu)選氧化鋁的結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑為0.7μπι以上且2.0μπι以下。氧化鋁的結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑為0.7μπι以上且
2.Ομπι以下時(shí)，可以獲得具有低體積固有電阻率、且反射率高的發(fā)光元件安裝用基板I。這是由于含有體積固有電阻率高的非晶態(tài)玻璃相的晶界相7不會(huì)過多，可以增加反射光的界面。
[0030]此處，計(jì)算氧化鋁的結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑的方法是，首先，對(duì)基板I的剖面進(jìn)行鏡面加工，在比基板I的燒成工序中的最高溫度還低50?100°C的溫度下燒蝕(fireetching)。接著通過使用掃描電鏡(SEM，例如日本電子制JSM-7001F)以1000?3000倍的倍率拍攝圖像，使用圖像解析裝置(例如三谷商事制Win R00F)解析拍下的圖像，從而求出氧化鋁的各結(jié)晶粒子的面積，計(jì)算與該面積為相等面積的圓的直徑(相當(dāng)圓直徑)，算出相當(dāng)圓直徑的平均值即可。
[0031]此外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I的光反射率的測(cè)定是，使用分光光度計(jì)(例如株式會(huì)社島津制作所制:UV-315和配件的積分球單元:ISR-3100)，光源使用50W鹵燈和氘燈，波長(zhǎng)范圍設(shè)為200?lOOOnm，測(cè)定范圍設(shè)為7 X 9mm，縫寬度設(shè)為20nm，不使用遮光片進(jìn)行測(cè)定。予以說明，此處所述反射率為以用作基準(zhǔn)的硫酸鋇粉狀體的反射率為100%時(shí)的相對(duì)值。
[0032]此外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I優(yōu)選晶界相不含有過渡金屬。像這樣晶界相不含有過渡金屬時(shí)，可以抑制由于基板I暗色化造成的反射率降低，因此可以優(yōu)選用于發(fā)光元件的安裝用途。予以說明，本實(shí)施方式中對(duì)于晶界相是否含有過渡金屬，采用與上述計(jì)算ο/AI比時(shí)同樣的測(cè)定方法，將碰撞點(diǎn)從結(jié)晶粒子變更為晶界相即可。
[0033]本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I是除了不可避免的雜質(zhì)以外的含有成分為氧化硅、氧化鈣和氧化鎂中的至少一種的燒結(jié)輔助劑成分時(shí)，以構(gòu)成的所有成分為100質(zhì)量％計(jì)，優(yōu)選氧化鋁占94質(zhì)量％以上。氧化鋁占94質(zhì)量％以上時(shí)，由于構(gòu)成晶界相7的燒結(jié)輔助劑導(dǎo)致玻璃相過度增長(zhǎng)，這樣可以抑制入射光11透射到基板I的背面造成反射率降低，因此可以保持入射光11的高反射率。
[0034]此外，應(yīng)提高光的反射率而含有氧化鋇時(shí)，除去該氧化鋇以及燒結(jié)輔助劑成分和不可避雜質(zhì)的余下部分采用氧化鋁即可。
[0035]此外，本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I的各成分的含量可以使用ICP(Inductively Coupled Plasma)發(fā)光分光分析裝置或突光X射線分析裝置求出金屬元素的量后，換算成各氧化物來計(jì)算。另外，氧化鋁可以從100質(zhì)量％減去其他氧化物含有成分的含量而算出，本實(shí)施方式中的氧化鋁以該計(jì)算方法計(jì)算占80質(zhì)量％以上。
[0036]圖3為表示本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板上安裝發(fā)光元件而成的發(fā)光裝置的構(gòu)成之一例的剖視圖。如圖所示，本實(shí)施方式的發(fā)光裝置21是在本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I上安裝發(fā)光元件2而成的。
[0037]圖3所示發(fā)光裝置21中，在基板I的表面Ia上形成有電極3a、3b，還有電極焊墊3c,3d,電極焊墊3a上安裝了含有半導(dǎo)體的發(fā)光元件2，發(fā)光元件2和電極焊墊3d通過接合線4可電連接。另外，發(fā)光元件2的安裝只要能電接合，使用導(dǎo)電性粘結(jié)劑的接合、通過接合線4的接合或通過釬焊料的接合都可以。
[0038]發(fā)光元件2、電極3a、3b、電極焊墊3c、3d和接合線4被含有樹脂等的封固構(gòu)件31覆蓋。另外，電極3a、3b和焊墊電極3c、3d被透明的保護(hù)膜玻璃保護(hù)，封固構(gòu)件31同時(shí)具有發(fā)光元件2的保護(hù)和透鏡功能。另外，對(duì)于本實(shí)施方式的發(fā)光裝置21，在本實(shí)施方式的基板I上安裝發(fā)光元件2的構(gòu)成是必須條件，但并不限于圖3的構(gòu)成。
[0039]基板I的另一側(cè)表面的電極3a、3b(背面電極)通過連接外部的直流電源(未圖示)或AC-DC開關(guān)電源(未圖示)并接通電源發(fā)光元件2來發(fā)光。此時(shí)，封固構(gòu)件31保護(hù)發(fā)光元件2，具備作為使光漫射和放射的透鏡的功能，作為封固構(gòu)件31也具備有選擇性地改變光的波長(zhǎng)的功能。
[0040]對(duì)于本實(shí)施方式的發(fā)光裝置21,由于安裝了發(fā)光兀件2的本實(shí)施方式的發(fā)光兀件安裝用基板I的體積固有電阻率低，在導(dǎo)體的形成、搬運(yùn)等過程中，由于與設(shè)備等的接觸或摩擦而帶靜電的可能性小，因而安裝時(shí)發(fā)光元件2的靜電破壞的可能性小，所以可以作為可靠性高的發(fā)光裝置21。
[0041]接下來說明本實(shí)施方式的發(fā)光元件安裝用基板I的制造方法之一例。首先，準(zhǔn)備平均粒徑為0.5?1.8 μ m左右的氧化鋁(Al2O3)粉末、作為燒結(jié)輔助劑的氧化硅、氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)中的至少一種粉末。接著，以氧化鋁和燒結(jié)輔助劑的總量為100質(zhì)量％計(jì)，稱量合計(jì)6質(zhì)量％以下的燒結(jié)輔助劑，余下部分為氧化鋁作為起始原料。[0042]接下來，將稱量的起始原料放入具有高純度的氧化鋁珠的碾磨機(jī)等中，與水等溶劑同時(shí)粉碎并混合。接著，相對(duì)于起始原料100質(zhì)量份,添加4?8質(zhì)量份左右的含有石臘、聚乙烯醇、聚乙二醇、丁縮醛樹脂以及丙烯酸樹脂等中的至少I種的成型用粘合劑(這些成型用粘合劑含有碳)，再旋轉(zhuǎn)碾磨機(jī)混合得到料漿。
[0043]其次,使用該料衆(zhòng),采用刮均涂裝法(doctor blade method)形成薄片，或者使用將該料漿通過噴霧干燥器進(jìn)行噴霧造粒而成的顆粒，通過公知的粉末壓力成型法或滾壓法(roll compaction)形成薄片。接下來,通過用于形成制品形狀的模具或通過激光加工薄片得到成型體?？紤]到基板I的量產(chǎn)性，該成型體優(yōu)選多件同時(shí)加工的成型體。
[0044]接著，將得到的成型體在空氣(氧化)氣氛下進(jìn)行脫脂，采用不活潑氣體氣氛(不活潑氣體為氬氣等)或氧氣濃度氣氛可以調(diào)整到5?20體積％的燒成爐(例如使用鎢加熱器的間歇式可控氣氛電爐)，在1420?1650°C范圍內(nèi)的最高溫度下進(jìn)行燒成。
[0045]另外，0/A1比可以根據(jù)燒成氣氛作調(diào)整，氧化鋁的結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑可以根據(jù)起始原料的大小、燒成條件作調(diào)整。
[0046]以下、具體說明本發(fā)明的實(shí)施例，但本發(fā)明并不限定于以下實(shí)施例。
[0047]實(shí)施例1
[0048]首先，評(píng)價(jià)由于0/A1比的差異導(dǎo)致的體積固有電阻率的變化。
[0049]準(zhǔn)備平均粒徑為1.8μπι的氧化鋁(Al2O3)的粉末、作為燒結(jié)輔助劑的氧化硅(SiO2)、氧化鈣(CaO)和氧化鎂(MgO)粉末。接著，稱量氧化鋁94質(zhì)量％、氧化硅3.5質(zhì)量％、氧化鈣1.5質(zhì)量％、氧化鎂1.0質(zhì)量％，使用這些作為起始原料。向其中添加溶劑和含有丙烯酸樹脂的成型用粘合劑，并混合得到料漿。此處，成型用粘合劑的添加量相對(duì)于起始原料100質(zhì)量份為6質(zhì)量份。
[0050]接下來，使用該料漿，采用公知的刮均涂裝法形成薄片，通過用模具沖壓該薄片而得到2個(gè)成型體。首先將其中一個(gè)成型體放入電爐，氧氣濃度氣氛調(diào)整到16體積％，同時(shí)在1500°C的最高溫度下進(jìn)行燒成，得到厚度為0.6mm的試料N0.1的發(fā)光元件安裝用基板。對(duì)于另一個(gè)成型體，燒成時(shí)以空氣氣氛為燒成氣氛進(jìn)行燒成，得到試料N0.2的發(fā)光兀件安裝用基板。
[0051]接著，對(duì)于該得到的發(fā)光元件安裝用基板，基于TEM-EDS的0/A1比的測(cè)定通過以下方法進(jìn)行。
[0052]各試料的剖面經(jīng)過鏡面加工后使用離子銑削裝置進(jìn)行加工，使用TEM以50，000倍的倍率進(jìn)行觀察，選擇出任意10個(gè)氧化鋁的結(jié)晶粒子。使用附設(shè)的EDS，點(diǎn)徑設(shè)為lnmcp、測(cè)定時(shí)間設(shè)為50秒、測(cè)定能量范圍設(shè)為0.14?20.48keV，使用半定量計(jì)算方法作為薄膜近似法測(cè)定O和Al的原子量，通過得到的原子量計(jì)算各氧化鋁的結(jié)晶粒子中的0/A1比，進(jìn)而算出平均值。
[0053]其次，體積固有電阻率以JIS C2141-1992所述的體積固有電阻率測(cè)定為參考進(jìn)行測(cè)定。
[0054]其結(jié)果是，試料N0.1中0/A1比為0.92，體積固有電阻率為5Χ10ηΩ.cm，試料N0.2中，0/A1比為1.5，體積固有電阻率為1Χ1014Ω.cm。由該結(jié)果可知，通過使0/A1比低于1.5可以降低體積固有電阻率。
[0055]實(shí)施例2[0056]接下來評(píng)價(jià)基于0/A1比的體積固有電阻率和反射率的變化。
[0057]首先，通過與實(shí)施例1同樣的工序制造成型體。接著，使用電爐，根據(jù)試料將氧氣濃度氣氛調(diào)整到5~20體積％的范圍，進(jìn)行各成型體的燒成。另外，燒成在最高溫度為1500°C的過程中進(jìn)行，得到試料N0.3~9的發(fā)光元件安裝用基板。
[0058]接下來，采用與實(shí)施例1同樣的方法對(duì)得到的該發(fā)光元件安裝用基板進(jìn)行0/A1比的計(jì)算和體積固有電阻率的測(cè)定。使用分光光度計(jì)，光源使用50W鹵燈和氘燈，波長(zhǎng)范圍設(shè)定為500nm，測(cè)定范圍設(shè)定為7 X 9mm，縫寬度設(shè)定為20nm，不使用遮光片測(cè)定反射率。另外，使用硫酸鋇粉狀體作為基準(zhǔn)。
[0059]另外，對(duì)于各試料的綜合評(píng)價(jià)，波長(zhǎng)500nm的反射率為91%以上且體積固有電阻率低于1Χ1013Ω.cm的為“優(yōu)”用A表示，不滿足反射率為91%以上或體積固有電阻率低于1Χ1013Ω.cm任意一項(xiàng)的情況為“良”用B表不。得到的結(jié)果不于表1。
[0060][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光元件安裝用基板，其特征在于，其含有以構(gòu)成的所有成分為100質(zhì)量％時(shí)氧化鋁占80質(zhì)量％以上的氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體，所述氧化鋁的結(jié)晶粒子中的O和Al的原子量之比Ο/Al低于1.5。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件安裝用基板，其特征在于，所述Ο/Al比為0.7以上且1.3以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件安裝用基板，其特征在于，所述氧化鋁的結(jié)晶粒子的平均結(jié)晶粒徑為0.7 μ m以上且2.0 μ m以下。
4.如權(quán)利要求1?3中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光元件安裝用基板，其特征在于，晶界相不含有過渡金屬。
5.一種發(fā)光裝置，其特征在于，是在權(quán)利要求1?4中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光元件安裝用基板安裝發(fā)光元件而成的。
【文檔編號(hào)】H01L33/60GK103828077SQ201280046457
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2012年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月29日
【發(fā)明者】戶田甫, 中須賀實(shí), 中元徹郎, 三垣俊二 申請(qǐng)人:京瓷株式會(huì)社