檢測及校正疑難的先進過程控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)的制作方法
檢測及校正疑難的先進過程控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明可具體實施于一種用于監(jiān)視并控制例如集成電路制作過程等制造過程中的反饋控制的系統(tǒng)及方法中。過程控制參數(shù)可包含通過在硅晶片上操作的光刻掃描儀或步進器所施加的平移、旋轉、放大、劑量及焦距。使用覆蓋誤差來計算所述反饋控制過程中使用的測得參數(shù)。統(tǒng)計參數(shù)經(jīng)計算、正規(guī)化并繪制在一組共同軸上以一目了然地比較測得參數(shù)與過程控制參數(shù)以促進疑難參數(shù)的檢測。還以圖表方式比較參數(shù)趨勢與背景松弛情境?？纱_定例如EWMAλ等反饋控制參數(shù)并將其用作反饋參數(shù)以用于精煉基于所述測得參數(shù)計算對所述過程控制參數(shù)的調整的APC模型。
【專利說明】檢測及校正疑難的先進過程控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及集成電路制造，且更特定來說涉及一種用于監(jiān)視并控制集成電路制造過程中的反饋參數(shù)的方法。
【背景技術】
[0002]先進過程控制(APC)系統(tǒng)當前用以實施集成電路(IC)制造過程中的反饋控制。IC制造過程通常包含晶片處理工具(例如，掃描儀或步進器)，其適合用于在晶片(例如，硅晶片)中形成一系列所要圖案層以產生IC裝置?？捎赏ㄟ^所述過程工具在所述制造過程的每一步驟處施加的若干過程控制參數(shù)來控制所述制造過程。這些過程控制參數(shù)可包含(但不限于)晶片跨所述過程工具(掃描儀或步進器)的平移速率、晶片相對于所述過程工具的旋轉角度、通過所述過程工具施加于晶片的輻射的劑量、通過所述過程工具的源圖案(標線片)的放大，及通過所述過程工具在晶片上的源圖案的焦距。APC系統(tǒng)自動地實時或接近實時控制這些過程控制參數(shù)中的一者或一者以上，以隨著圖案形成過程在不同層之間進行而抵消所掃描的圖案中測量的誤差。
[0003]隨著IC制造過程進行，使用計量系統(tǒng)以監(jiān)視掃描到晶片上的圖案，使得可做出調整以抵消制造過程期間可能形成的誤差。更具體來說，所述計量系統(tǒng)通常確定安置在裝置的每一過程層中的某些參考標記(計量目標)的位置。不同層的所述參考標記之間的錯位(已知為“覆蓋誤差”)可經(jīng)測量并用以計算用以控制所述過程工具的反饋參數(shù)，從而允許所述制造過程的進行中反饋調節(jié)。
[0004]然而，應明白，覆蓋誤差指示(但并不等同于)由掃描儀或步進器使用以控制IC制造過程的特定過程控制參數(shù)。特定來說，所述覆蓋誤差表示兩個計量參考標記之間的層間位置錯位，而所述過程控制參數(shù)(例如，平移、旋轉、劑量、放大及焦距)控制產生所述層的掃描儀或步進器的操作。因此，平常使用過程控制模型以基于測得的覆蓋誤差計算對過程控制參數(shù)(可校正)的預期校正。
[0005]雖然這是極為成功的IC制造技術，但是所述控制參數(shù)的計算在傳統(tǒng)上對技術人員來說是“黑盒子”，其中APC系統(tǒng)的內部工作(例如下伏覆蓋誤差及測量參數(shù))不可用于觀察或分析。這使得技術人員難以了解IC制造系統(tǒng)如何起作用以有助于識別疑難的過程控制參數(shù)并發(fā)展模型改變以抵消問題并發(fā)展對反饋控制系統(tǒng)的改善。因此，可能難以診斷并校正APC系統(tǒng)內的誤差。
[0006]因此，繼續(xù)需要用于監(jiān)視并控制IC裝置制造中使用的反饋控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)。更特定來說，繼續(xù)需要用于暴露關于用于集成電路裝置制造中的過程控制參數(shù)的自動反饋控制的APC系統(tǒng)的內部工作的信息的技術。
【發(fā)明內容】
[0007]本發(fā)明可具體實施于一種用于計算并顯示與APC系統(tǒng)中的反饋控制參數(shù)相關聯(lián)的統(tǒng)計量的APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)中。應了解，本發(fā)明一股可施加于制造處理的反饋控制，且IC制造表示(但不限制本發(fā)明)本發(fā)明的一個特定實施例。在本發(fā)明的此特定實例中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)可計算并顯示若干圖表，所述圖表展示反映IC制造過程期間物理測得的覆蓋誤差的測得參數(shù)通常連同所施加及/或經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的統(tǒng)計參數(shù)(例如平均數(shù)及偏差)。
[0008]在特定實施例中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)計算并顯示若干圖表，所述圖表對用作IC制造過程中的反饋控制參數(shù)的一組選定的選定過程控制參數(shù)(稱為分析數(shù)據(jù)集(例如，平移、旋轉、放大、劑量及焦距))展示測得參數(shù)的平均數(shù)加上偏差[m+n*sigma]及/或經(jīng)精煉證明控制參數(shù)的偏差[n*sigma]。
[0009]在本發(fā)明的另一方面中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)計算并顯示若干圖表，所述圖表對所述組選定的過程控制參數(shù)(分析數(shù)據(jù)集)展示測量值連同所施加及/或經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的隨時間的趨勢(即，連續(xù)晶片批次的過程控制參數(shù))。
[0010]在本發(fā)明的另一方面中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)還可計算并顯示反映基于選定背景松弛情境的理想?yún)?shù)的隨時間的比較的趨勢。
[0011]在本發(fā)明的另一方面中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)還可計算優(yōu)選的反饋控制參數(shù)(在EWMA背景中稱為“ λ ”)，其用來在考慮隨時間在過程控制參數(shù)中發(fā)生的趨勢的自回歸相關過程中確定過程控制反饋調整。例如，可通過調整用以基于制造過程期間發(fā)生在連續(xù)批次的晶片、若干晶片或若干晶片層之間的覆蓋誤差計算測得參數(shù)的反饋控制參數(shù)來實施模型參數(shù)的分析及潛在精煉。
[0012]特定來說，優(yōu)選的反饋控制值可通過連續(xù)更新的歷史數(shù)據(jù)而選擇且實時或接近實時提供給APC系統(tǒng)以用于從測得參數(shù)計算對過程控制參數(shù)的實際調整，所述測得參數(shù)又是基于由計量系統(tǒng)物理測得的覆蓋誤差。此外，所述反饋控制參數(shù)可為指數(shù)加權移動平均(EWMA)自回歸反饋控制過程中的加權參數(shù)(通常稱為“λ”)?？赏ㄟ^反復地計算從候選λ組及一組連續(xù)更新的歷史的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)(隨時間發(fā)生)計算的虛擬經(jīng)修訂過程控制參數(shù)所對應的差指數(shù)直到解收斂在一組優(yōu)選的λ來選擇優(yōu)選的EWMA λ。所述組優(yōu)選的λ接著輸入(反饋)到APC模型中，其中其用以從前進的測得參數(shù)計算經(jīng)修訂過程控制。
[0013]應了解，前述一股描述及以下詳細描述兩者僅僅為示范性及解釋性的，且不必限制如所主張的本發(fā)明。并入并構成所述說明書的一部分的【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的實施例，且連同一股描述用以解釋本發(fā)明的原理。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]參考附圖可更好地了解本發(fā)明的許多優(yōu)點，其中:
[0015]圖1為具有反饋參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)的集成電路制造過程的框圖。
[0016]圖2為在所述集成電路制造過程中在晶片上具有計量目標的IC圖案的概念說明。
[0017]圖3為在所述集成電路制造過程中外加到晶片上的連續(xù)層的概念說明。
[0018]圖4為在所述集成電路制造過程中確定所述連續(xù)層中的覆蓋誤差的概念說明。
[0019]圖5為說明用于監(jiān)視所述集成電路制造過程中的反饋控制過程的邏輯流程圖。
[0020]圖6為說明用于顯示統(tǒng)計參數(shù)并實施所述集成電路制造過程中的反饋控制過程的過程的邏輯流程圖。[0021]圖7為計算并顯示統(tǒng)計參數(shù)用于監(jiān)視所述集成電路制造過程中的反饋控制過程的概念框圖。
[0022]圖8為計算并顯示趨勢及背景松弛情境用于監(jiān)視集成電路制造過程的概念框圖。
[0023]圖9為計算對模型化參數(shù)的調整以實施集成電路制造過程的反饋控制的概念框圖。
【具體實施方式】
[0024]現(xiàn)在將詳細參考在附圖中予以說明的所揭示的標的物。本發(fā)明可具體實施于一種用于監(jiān)視并控制例如光刻集成電路制造過程等制造過程中的反饋控制的系統(tǒng)及方法中。光刻系統(tǒng)中的過程控制參數(shù)包含(但不限于)通過在給定晶片(例如，硅晶片)上操作的光刻掃描儀或步進器所施加的平移、旋轉、放大、劑量及焦距。使用覆蓋誤差測量以計算反饋控制過程中使用的測得參數(shù)。這些預期校正經(jīng)統(tǒng)計上分析并使用以確定經(jīng)精煉過程控制參數(shù)，以實施通過掃描儀或步進器施加的過程控制參數(shù)的反饋控制。實際上通過掃描儀或步進器對特定層施加的過程控制變量在本發(fā)明中稱為“所施加過程控制參數(shù)”，對過程控制參數(shù)的預期校正通常稱為“測得參數(shù)”，而“經(jīng)精煉過程控制變量”指代由掃描儀或步進器對下一層使用的經(jīng)修改過程控制參數(shù)。
[0025]所描述的反饋控制過程由于以下事實而復雜化:通過計量系統(tǒng)測量的覆蓋誤差及因此經(jīng)計算以補償測得覆蓋誤差(測得參數(shù))的對過程控制參數(shù)的預期改變并非通過用于層的單個一組值表示。相反地，對不同層之間的每一增量，針對每一計量目標確定一組覆蓋誤差。繼而，過程模型匯總并統(tǒng)計上分析所述覆蓋誤差以基于由計量系統(tǒng)提供的覆蓋誤差確定對過程控制參數(shù)(即，下一連續(xù)層的每一過程控制參數(shù)的單個調整值)的復合調整值(測得參數(shù))。接著使用所述測得參數(shù)以實時或接近實時計算經(jīng)修訂過程控制參數(shù)(例如，經(jīng)修訂平移、旋轉、放大、劑量及焦距參數(shù))以控制掃描儀或步進器?？蓪?、個別晶片或個別晶片的連續(xù)層反復地執(zhí)行此過程。
[0026]如上所述，給定過程層中使用的過程控制參數(shù)通常稱為“所施加(使用)過程控制參數(shù)”，而旨在補償由計量系統(tǒng)供應的覆蓋誤差的對所述參數(shù)的改變一股稱為“測得參數(shù)”。在此說明書中稱為“經(jīng)精煉過程控制參數(shù)”的經(jīng)校正過程控制參數(shù)可被計算為所施加過程控制參數(shù)加上或減去測得參數(shù)(對所施加過程控制參數(shù)的校正)。然而，此相關性由于以下事實而復雜化:用以計算測得參數(shù)的覆蓋誤差可在X維及I維中且在晶片的不同層之間變化。一個控制參數(shù)的改變還可影響其它參數(shù)的測得值，從而導致所述參數(shù)之間的協(xié)方差。所述過程控制參數(shù)還趨向于在不同批次之間(即，隨著時間或過程數(shù)量)漂移且還可響應于工具磨損及改變的環(huán)境狀況而變化。因此，實時或接近實時地尋找對過程控制參數(shù)的最佳調整是不能期望完全消除在一批接一批制造IC裝置時的全部覆蓋誤差的復雜任務。
[0027]為滿足此挑戰(zhàn)，已開發(fā)出APC系統(tǒng)以從所施加過程控制參數(shù)及測得參數(shù)中計算經(jīng)精煉過程控制參數(shù)，且實時或接近真實地反饋所述經(jīng)精煉過程控制參數(shù)。例如，可以反饋控制方案在連續(xù)批次、晶片或個別晶片層之間精煉所述過程控制參數(shù)。在此過程期間，單個一組經(jīng)精煉過程控制參數(shù)通常由APC系統(tǒng)計算并用于IC制造過程中的每一連續(xù)批次、晶片或層。本發(fā)明是針對用于監(jiān)視并控制IC裝置制造中使用的反饋控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)。
[0028]在本發(fā)明的一個方面中，計算、正規(guī)化并在一組共同軸上繪制統(tǒng)計參數(shù)以一目了然地比較測得參數(shù)與過程控制參數(shù)以促進疑難參數(shù)的檢測。參數(shù)趨勢及背景松弛情境還以圖表方式進行比較。例如EWMAX的反饋控制參數(shù)可經(jīng)確定并用作反饋參數(shù)以用于精煉基于測得參數(shù)計算對過程控制參數(shù)的調整的APC模型。
[0029]一股參考圖1到9，根據(jù)本發(fā)明描述用于監(jiān)視并控制制造過程的反饋控制過程的系統(tǒng)及方法。本發(fā)明的特定實例是針對光刻集成電路制造過程。將明白，這僅僅為本發(fā)明的一個潛在實施例，其說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例但并未將本發(fā)明限于此特定實施例。
[0030]圖1為制造系統(tǒng)10及具有反饋參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15的相關聯(lián)的過程的框圖。圖1進一步說明特定實施例，其為用于由硅晶片制造集成電路的光刻系統(tǒng)。系統(tǒng)10包含在襯底上操作的過程工具12。在所述特定光刻實例中，所述過程工具可為通過一系列層外加集成電路圖案到硅晶片上的光刻掃描儀或步進器。當所述過程工具在襯底上操作時，其使用若干可調整控制參數(shù)。在所述特定光刻實例中，所述可調整過程控制參數(shù)包含以下各項中的一者或一者以上:晶片跨掃描儀或步進器的平移速率、晶片相對于掃描儀或步進器的旋轉角度、通過掃描儀或步進器施加于晶片的輻射的劑量、通過掃描儀或步進器到晶片上的源圖案(標線片)的放大，及通過掃描儀或步進器到晶片上的源圖案的焦距(平移、旋轉、劑量、放大及焦距)。
[0031]系統(tǒng)10還包含確定與襯底相關聯(lián)的物理測量的測量系統(tǒng)13。在所述特定光刻實例中，所述測量系統(tǒng)可包含適合用于測量與制造過程的連續(xù)過程層的計量目標相關聯(lián)的物
理覆蓋誤差的計量系統(tǒng)。
[0032]系統(tǒng)10進一步包含基于由測量系統(tǒng)13 (計量系統(tǒng)18)提供的物理測量計算測得參數(shù)的過程模型14。在所述特定光刻實例中，過程模型14可基于由系統(tǒng)10的計量系統(tǒng)18量化的測得覆蓋誤差確定潛在過程工具校正(測得參數(shù))。
[0033]系統(tǒng)10進一步包含通過自動化反饋過程控制方案自動地調整過程控制參數(shù)的參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15。在所述特定光刻實例中，參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15已知為先進過程控制(APC)系統(tǒng)，其對IC制造過程實施自動反饋控制。在進一步方面中，參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15包含參數(shù)數(shù)據(jù)庫16。參數(shù)數(shù)據(jù)庫16可包含反饋控制過程中使用的過程控制數(shù)據(jù)。在特定光刻實例中，APC數(shù)據(jù)庫包含在由掃描儀或步進器操作的多個晶片批次上編譯的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)精煉過程控制參數(shù)。
[0034]根據(jù)本發(fā)明，參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15還可確定并呈現(xiàn)(S卩，繪制)統(tǒng)計參數(shù)以顯示于用戶站17的圖形用戶接口上。在所述特定光刻實例中，第一組統(tǒng)計參數(shù)可包含測得參數(shù)的正規(guī)化平均數(shù)及偏差(即，m+n*sigma)。第二組統(tǒng)計參數(shù)可包含經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的偏差(即，n*sigma)。這些統(tǒng)計參數(shù)可由用戶通過用戶站17指定。分析數(shù)據(jù)集中指定的特定過程控制參數(shù)包含掃描儀或步進器過程控制變量(例如平移、旋轉、放大、劑量及焦距)中的一者或一者以上。通過用戶對選定分析數(shù)據(jù)集指定的過程控制參數(shù)及/或測得參數(shù)優(yōu)選地經(jīng)正規(guī)化并顯示在共同軸上。特定來說，可通過呈平均數(shù)的百分比及百分比誤差的表達式或例如nm的共同單位正規(guī)化所述參數(shù)。額外的統(tǒng)計參數(shù)可包含在襯底的多個群組(例如多個連續(xù)的硅晶片批次)上延伸的參數(shù)趨勢及背景松弛圖表。
[0035]比較所述統(tǒng)計參數(shù)的圖表通過用戶站17的圖形用戶接口以方便的格式顯示，允許用戶有效地觀察并比較所述統(tǒng)計參數(shù)，借此促進基于所述統(tǒng)計參數(shù)識別疑難參數(shù)及相關聯(lián)的校正動作。用戶站17還可用以輸入經(jīng)配置以控制參數(shù)監(jiān)視過程的用戶數(shù)據(jù)。在所述特定光刻實例中，用戶輸入可包含分析數(shù)據(jù)集的選擇，其為用于監(jiān)視及潛在反饋控制的過程控制參數(shù)及/或相關聯(lián)的測得參數(shù)(平移、旋轉、放大、劑量及焦距)的選擇。所述用戶輸入還可包含用于顯示參數(shù)趨勢(例如，將包含于參數(shù)趨勢圖表中的特定晶片批次)的定義及用于確定并繪制背景松弛情境(例如，將以圖表方式分析的特定背景情境，例如由同一掃描儀或步進器制造的IC裝置、從同一層計算的測得參數(shù)、在放大或焦距設定下計算的測得參數(shù)等等)的背景松弛數(shù)據(jù)。
[0036]用戶站17還可用以計算用于輸入到參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15中的特定反饋控制參數(shù)。在所述特定光刻實例中，反饋控制參數(shù)可包含EWMA加權參數(shù)(在所建立的EWMA辭典中稱為“λ”)，其可通過確定產生最低的差指數(shù)的一組λ的反復分析過程而選擇。特定來說，可通過反復地計算從候選λ組及一組連續(xù)更新的歷史的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)(隨時間發(fā)生)計算的虛擬經(jīng)修訂過程控制參數(shù)所對應的差指數(shù)直到解收斂在一組優(yōu)選的入來選擇優(yōu)選的EWMA λ。所述組優(yōu)選的λ接著輸入(反饋)到APC模型中，其中其用以從前進的測得參數(shù)計算經(jīng)修訂過程控制。
[0037]雖然剩余的描述將僅指代所述特定光刻實例，但是所屬領域的技術人員將了解如何使通過此實例說明的本發(fā)明的技術很快地調適為其它反饋控制制造過程。圖2為硅晶片
20、將掃描到所述晶片上的IC圖案22及安置在晶片20的各個層過程層中的計量目標(其用于監(jiān)視并實施IC制造過程的反饋控制)的概念說明。本文應注意，可在本發(fā)明的背景中實施此項技術中已知的任何覆蓋計量測量過程。為描述的方便，調出兩個計量目標:位置(XI,Yl)處的計量目標24a及位置(X2,Y2)處的計量目標24b。將了解,數(shù)個計量目標經(jīng)定義于不同位置處的IC圖案的每個二維層上(X維及y維)，其通過光刻過程中的一系列層而放下。
[0038]圖3為半導體晶片上制造的集成電路裝置中的三個連續(xù)過程層30a到30c的概念說明。圖4為確定所述集成電路制造過程中的覆蓋誤差的概念說明。每一層包含類似的計量目標，正常情況下其位置在不同層之間變化。然而，不同層的計量目標之間的所要對準是已知的，且可隨著若干層經(jīng)處理而用以監(jiān)視并校正不同批次之間、不同晶片之間或不同層之間的IC制造過程。通過計量系統(tǒng)確定的覆蓋誤差因此表示連續(xù)層中的兩個或兩個以上計量標記之間的相對錯位。
[0039]為說明幾個簡單實例，圖3在第一層A上調出兩個計量目標:層A中的位置(Xla，Yla)處的計量目標24a_l,及層A中的位置(X2a, Y2a)處的計量目標24a_2。類似地，圖3在第二層B上調出兩個計量目標:層B中的位置(Xlb，Ylb)處的計量目標24b-l，及層B中的位置(X2b，Y2b)處的計量目標24b-2;且在第三層C上調出兩個計量目標:層C中的位置(Xlc，Ylc)處的計量目標24c-l，及層C中的位置(X2c，Y2c)處的計量目標24c_2。圖4調出表示層A中的計量目標24a-l與層B中的計量目標24b_l之間的位置錯位的覆蓋誤差42a。類似地,覆蓋誤差42b表示層A中的計量目標24a_2與層B中的計量目標24b_2之間的位置錯位。覆蓋誤差42c表示層B中的計量目標24b-l與層C中的計量目標24c-l之間的位置錯位；且覆蓋誤差42d表示層B中的計量目標24b-2與層C中的計量目標24c-2之間的位置錯位。以此方式，可對通過一系列過程層在晶片上制造的每一集成電路計算覆蓋誤差的完整矩陣。
[0040]此外，隨時間測得的覆蓋誤差(例如，通過多個晶片批次表示)經(jīng)計算、存儲于參數(shù)數(shù)據(jù)庫中并用于分析及控制。對應的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)也經(jīng)計算、存儲于參數(shù)數(shù)據(jù)庫中并用于分析及控制。這提供對歷史數(shù)據(jù)以及實時數(shù)據(jù)或接近實時數(shù)據(jù)的存取以用于過程控制分析且用于通過相關聯(lián)的反饋控制參數(shù)(例如，EWMAA )建立并修改過程控制參數(shù)。特定來說，通過掃描儀或步進器施加的實際參數(shù)(例如，平移、旋轉、放大、劑量及焦距)可通過改變自回歸、多變量反饋控制方案中的加權參數(shù)(例如，EWMAX )的規(guī)格來間接地控制，所述加權參數(shù)用以加權測得參數(shù)及/或覆蓋誤差、反映交叉相關性并將經(jīng)加權分量匯總到所述測得參數(shù)中，從而反映對過程控制參數(shù)的復合調難
iF.0
[0041]圖5為說明例程50的邏輯流程圖，例程50提供用于監(jiān)視集成電路制造過程中的反饋控制過程的過程的一個說明性實例。以下描述還將涉及圖1中所示的系統(tǒng)組件。在步驟52中，APC系統(tǒng)15 (例如)從用戶站17通過適當?shù)膱D形用戶接口接收分析數(shù)據(jù)集的定義、參數(shù)趨勢定義及/或背景松弛情境定義。步驟52后續(xù)接著步驟54，其中過程工具(光刻掃描儀或步進器)12使用一組所施加過程控制參數(shù)以將IC圖案的第一層掃描到硅晶片上。所施加過程控制參數(shù)包含以下各項中的至少一者:晶片跨掃描儀或步進器的平移速率、晶片相對于掃描儀或步進器的旋轉角度、通過掃描儀或步進器施加于晶片的輻射的劑量、通過掃描儀或步進器的源圖案(標線片)的放大，及通過掃描儀或步進器到晶片上的源圖案的焦距。所述分析數(shù)據(jù)集包含經(jīng)選擇以監(jiān)視并潛在用于反饋控制的這些過程控制參數(shù)中的一者或一者以上。
[0042]步驟54后續(xù)接著步驟56，其中過程工具(光刻掃描儀或步進器)12使用一組所施加過程控制參數(shù)以將IC圖案的后續(xù)層掃描到硅晶片上。現(xiàn)在存在兩層，可確定與所述兩個過程層相關聯(lián)的覆蓋誤差(參見圖2到4)。步驟56后續(xù)接著步驟58，其中測量系統(tǒng)13(計量系統(tǒng)18)確定所述掃描層之間的覆蓋誤差。步驟58后續(xù)接著步驟60，其中過程模型(例如，統(tǒng)計過程控制模型)14基于所述覆蓋誤差確定測得參數(shù)。所述測得參數(shù)表示對過程工具12的潛在校正(S卩，過程控制參數(shù)，例如平移、旋轉、劑量、放大及焦距)以抵消所述覆蓋誤差。此時，所述測得參數(shù)并不反映對過程控制參數(shù)的總體調整，而是反映對在每一計量目標位置處計算的過程控制參數(shù)的潛在校正。因此，步驟60后續(xù)接著步驟62，其中參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15 (APC系統(tǒng))基于所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)、這些項的歷史值及/或覆蓋誤差及自回歸、多變量反饋控制方案中的反饋控制參數(shù)(EWMAX)計算對所述過程控制參數(shù)的總體調整。
[0043]這些調整反映在經(jīng)修訂過程控制參數(shù)中，所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)平常自動地供應給掃描儀或步進器以用于掃描正制造的晶片的下一個連續(xù)層。然而，本發(fā)明提供機會以在制造過程中的任何時刻監(jiān)視過程控制參數(shù)及測得參數(shù)且潛在地修訂所述反饋控制參數(shù)?？筛鶕?jù)(例如)若干層之間、晶片之間或晶片批次之間的經(jīng)編程邏輯實施模型精煉。此外，可在由被告知統(tǒng)計監(jiān)視數(shù)據(jù)及相關聯(lián)的圖表、趨勢、背景松弛情境及反饋控制參數(shù)優(yōu)化的系統(tǒng)工程師確定的任何其它時間按需要實施模型精煉。
[0044]為說明APC系統(tǒng)的模型精煉特征，步驟62后續(xù)接著步驟64，其中APC系統(tǒng)確定其是否已經(jīng)配置以更新層之間的APC模型。如果APC系統(tǒng)已經(jīng)配置以更新層之間的APC模型，那么從步驟64后續(xù)接著“是”分支到例程80以用于模型分析及潛在精煉。參考圖6更詳細地描述例程80。如果APC系統(tǒng)未經(jīng)配置以更新層之間的APC模型，那么從步驟64后續(xù)接著“否”分支到步驟66，其中APC系統(tǒng)確定對當前晶片的掃描過程是否已完成(即，對當前晶片已施加全部層)。如果對當前晶片的掃描過程未完成，那么從步驟66后續(xù)接著“否”分支到步驟56，其中掃描儀或步進器此時使用經(jīng)精煉過程控制參數(shù)施加另一層。
[0045]如果對當前晶片的掃描過程已完成，那么從步驟66后續(xù)接著“是”分支到步驟68，其中APC系統(tǒng)確定其是否已經(jīng)配置以更新晶片之間的APC模型。如果APC系統(tǒng)已經(jīng)配置以更新晶片之間的APC模型，那么從步驟64后續(xù)接著“是”分支到例程80以用于模型分析及潛在精煉。另一方面，如果APC系統(tǒng)未經(jīng)配置以更新晶片之間的APC模型，那么從步驟68后續(xù)接著“否”分支到步驟70，其中APC系統(tǒng)確定對當前的晶片批次的掃描過程是否已完成(即，已對當前晶片批次中的最后的晶片施加全部層)。如果對當前晶片批次的掃描過程未完成，那么從步驟70后續(xù)接著“否”分支到步驟74，其中提供新的晶片給掃描儀或步進器。步驟74后續(xù)接著步驟54，其中掃描儀或步進器施加第一層于所述新的晶片。
[0046]如果對當前晶片批次的掃描過程已完成，那么從步驟70后續(xù)接著“是”分支到步驟72，其中APC系統(tǒng)確定其是否已經(jīng)配置以更新晶片批次之間的APC模型。如果APC系統(tǒng)已經(jīng)配置以更新晶片批次之間的APC模型，那么從步驟72后續(xù)接著“是”分支到例程80以用于模型分析及潛在精煉。另一方面，如果APC系統(tǒng)未經(jīng)配置以更新晶片批次之間的APC模型，那么從步驟72后續(xù)接著“否”分支到步驟76，其中起始新的晶片批次，且在步驟74中提供所述新的批次中的第一晶片給掃描儀或步進器。接著，步驟74后續(xù)接著步驟54，其中掃描儀或步進器施加所述第一層于所述新的批次中的新的晶六。
[0047]雖然上文描述用于自動模型精煉的程序，但是還應了解，所述系統(tǒng)允許技術人員連續(xù)監(jiān)視制造過程且接著選擇在任何適當時間實施模型精煉。APC系統(tǒng)還可實施這些技術的組合，其中在進行中的基礎上使用自動模型更新，以自動地反映反饋控制過程中的測得覆蓋誤差，同時還響應于(例如)技術人員通過監(jiān)視由所述APC計算并繪制且顯示在用戶站上的統(tǒng)計參數(shù)識別疑難過程控制而允許按需要在不同時間的用戶控制的模型精煉。
[0048]圖6為說明用于顯示統(tǒng)計參數(shù)并實施集成電路制造過程中的反饋控制過程的例程80的邏輯流程圖。可通過APC系統(tǒng)15、用戶站17及在某種程度上連同所述用戶站的技術人員操作一起實施例程80。圖7到9進一步說明例程80的某些步驟，且因此將結合例程80的以下描述予以描述。
[0049]在跟隨圖5的步驟64、68及72后面的步驟82中，APC系統(tǒng)15對分析數(shù)據(jù)集確定并繪制第一組統(tǒng)計參數(shù)且在用戶站17上顯示圖表。步驟82后續(xù)接著步驟84，其中APC系統(tǒng)15對所述分析數(shù)據(jù)集確定并繪制第二組統(tǒng)計參數(shù)并在用戶站17上顯示圖表。圖7為用于計算并顯示所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)以監(jiān)視集成電路制造過程中的反饋控制過程的步驟82的概念框圖。APC系統(tǒng)15使用由用戶通過用戶站17選擇的分析數(shù)據(jù)集來定義將包含于所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的過程控制參數(shù)及/或測得參數(shù)(框104)。APC系統(tǒng)15從由APC系統(tǒng)維護的參數(shù)數(shù)據(jù)庫16獲得所施加過程控制參數(shù)(框106)、測得參數(shù)(框108)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)(框110)。將這些項轉換為正規(guī)化值(框112)，例如平均數(shù)的百分比(對過程控制參數(shù))及百分比誤差(對測得參數(shù))或測量的共同單位，例如nm。APC系統(tǒng)還計算經(jīng)正規(guī)化的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)的平均數(shù)及偏差(例如，n*sigma，其中“η”為用戶定義參數(shù)(例如3)，且sigma表示標準偏差)(框 114)。[0050]APC系統(tǒng)接著點繪所述第一組統(tǒng)計參數(shù)(框116)，在此實例中，條形圖展示分析數(shù)據(jù)集中的測得參數(shù)的平均數(shù)加上偏差(m+n*sigma)，其中針對共同軸上的每一測量值各自展示單獨的“X”及“y”值。正規(guī)化條形圖值以使得以共同尺度顯示平均數(shù)及偏差的相對大小，這允許其得以一目了然地觀察及比較。APC系統(tǒng)還點繪所述第二組統(tǒng)計參數(shù)(框118)，在此實例中，條形圖展示分析數(shù)據(jù)集中的經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的偏差(n*sigma)，其中再次針對共同軸上的每一過程控制參數(shù)各自展示單獨的“X”及“y”值。還正規(guī)化這些條形圖值以使得以共同尺度顯示偏差的相對大小，從而允許其得以一目了然地觀察及比較。
[0051]上文描述的統(tǒng)計分析可用以識別過程模型中的疑難過程控制參數(shù)及/或疑難模型化參數(shù)。例如，不穩(wěn)定的參數(shù)為APC系統(tǒng)的疑難參數(shù)的一個實例。與穩(wěn)定的參數(shù)比較，不穩(wěn)定的參數(shù)可展示大的分布形狀(隨時間的大的偏差)。顯示展示經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的比較偏差的條形圖(每一條形表示n*sigma)允許技術人員容易地識別疑難過程控制參數(shù)。為促進所述比較，通過(例如)將全部單位轉換為平均數(shù)百分比(對過程控制參數(shù))、百分比誤差(對測得參數(shù))或例如nm的標準單位來正規(guī)化在所述條形圖上彼此比較的值。正規(guī)化所比較的值允許其一目了然地彼此直接比較。
[0052]返回到圖6，步驟84后續(xù)接著步驟86，其中APC系統(tǒng)確定并繪制分析數(shù)據(jù)集的參數(shù)趨勢。步驟86后續(xù)接著步驟88，其中APC系統(tǒng)確定并繪制所述分析數(shù)據(jù)集的背景松弛情境。圖8為計算并顯示用于監(jiān)視集成電路制造過程的趨勢及背景松弛情境的概念框圖。APC系統(tǒng)從用戶站17連同來自參數(shù)數(shù)據(jù)庫16的所施加過程控制參數(shù)(框122)、測得參數(shù)(框124)及經(jīng)精煉過程控制參數(shù)(框126) —起獲得分析數(shù)據(jù)集選擇(框120)。APC系統(tǒng)還從用戶站17獲得趨勢定義數(shù)據(jù)(例如，包含于參數(shù)趨勢圖表中的晶片批次)(框120)。APC系統(tǒng)接著在共同軸上對所指定的晶片批次繪制所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)精煉過程控制(框130)?？?30展示說明性過程控制參數(shù)的一目了然的比較。將了解，可對分析數(shù)據(jù)集中的每一過程控制參數(shù)計算類似參數(shù)趨勢圖表，且按需要在單個顯示圖像上單獨顯示并以各種組合來組合以促進對所述分析數(shù)據(jù)集中的過程控制參數(shù)的參數(shù)趨勢的一目了然的比較。
[0053]APC系統(tǒng)還從用戶站17獲得背景松弛定義數(shù)據(jù)(例如，在背景松弛優(yōu)化圖表中松弛的參數(shù))(框120)。APC系統(tǒng)接著根據(jù)背景松弛情境在共同軸上繪制經(jīng)精煉過程控制參數(shù)(框132)。框132展示一個說明性過程控制參數(shù)與一個背景松弛情境的一目了然的比較。將了解，可對分析數(shù)據(jù)集中的每一過程控制參數(shù)及對每一背景松弛情境計算類似背景松弛圖表?？砂葱枰趩蝹€顯示圖像上單獨顯示并以各種組合來組合這些圖表以促進背景松弛情境的一目了然的比較。
[0054]一股描述，背景松弛可以是用以在全部歷史晶片批次中選擇用于計算APC反饋的晶片群組或晶片層的規(guī)則。通常存在通過背景松弛分析的兩個主要方面。第一方面為識別將用以從全部歷史批次選擇將包含于APC反饋控制參數(shù)(EWMAX)的計算中的歷史批次的特定組件。為說明幾個極為簡單的實例，用以選擇晶片群組的背景松弛準則可為“暴露于同一掃描儀或步進器的批次”、“同一層”、“特定日期內”等等。通常通過背景松弛分析的第二方面是如何加權將用于計算APC反饋控制參數(shù)的各種批次、晶片或層。通?；趬勖蚱渌尘皡?shù)使數(shù)據(jù)折扣的各種加權方案可被選擇作為設計挑選的事項。一旦已識別出用于計算反饋控制參數(shù)的批次、晶片或層，則可確定一組優(yōu)選的反饋控制參數(shù)(參見圖9及隨附描述)。通過背景松弛可考慮額外的方面，例如當不存在匹配于所定義的背景松弛規(guī)則的歷史批次時排除若干組件、排除已知含有疑難參數(shù)的數(shù)據(jù)等等。
[0055]返回到圖6，提供模型精煉的一種可能的途徑以說明此過程。步驟88后續(xù)接著步驟90，其中APC系統(tǒng)按需要通過(例如)經(jīng)編程邏輯及/或用戶指令確定是否精煉基于測得參數(shù)計算用以調整過程控制參數(shù)的反饋控制參數(shù)的APC模型。如果未要求APC模型精煉，那么從步驟90后續(xù)接著“否”分支到返回步驟92，其中所述過程返回到圖5中的步驟52以接收另一分析數(shù)據(jù)集選擇。如果要求APC模型精煉，那么從步驟90后續(xù)接著“是”分支到返回步驟94，其中對由APC模型使用的EWMA算法計算優(yōu)選的λ以從測得參數(shù)計算對過程控制參數(shù)的反饋調整。步驟94后續(xù)接著步驟96，其中在由APC模型使用的EWMA算法中更新λ以計算反饋調整。步驟96后續(xù)接著所述返回步驟92，其中所述過程返回到圖5中的步驟52以接收另一分析數(shù)據(jù)集選擇。
[0056]圖9為用于計算對反饋控制參數(shù)(在此實例中，EWMA加權參數(shù))的調整以實施集成電路制造過程的反饋控制的步驟94的概念框圖。一股描述，指數(shù)加權移動平均(EWMA)為施加指數(shù)地降低的加權因子的無限脈沖響應濾波器的類型。對每一較舊的基準點的加權指數(shù)地降低，且從未達到零。參數(shù)“ λ ”表示加權降低程度，介于O與I之間的恒定平滑因子。圖9說明其中使用來自參數(shù)數(shù)據(jù)庫16的歷史過程控制參數(shù)及測得參數(shù)數(shù)據(jù)集分析多個候選λ組的過程。定義差指數(shù)以匯總使用候選λ組與歷史數(shù)據(jù)中的實際數(shù)據(jù)計算的經(jīng)精煉過程控制參數(shù)之間計算的誤差。接著選擇產生最低的差指數(shù)的候選λ組以用于精煉APC模型。更特定來說，可通過反復地計算從候選λ組及一組連續(xù)更新的歷史的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)(隨時間發(fā)生)計算的虛擬經(jīng)修訂過程控制參數(shù)所對應的差指數(shù)直到解收斂在一組優(yōu)選的λ來選擇優(yōu)選的EWMA λ。所述組優(yōu)選的λ接著輸入(反饋)到APC模型中，其中其用以從前進的測得參數(shù)計算經(jīng)修訂過程控制。
[0057]本發(fā)明可由調適或重配置當前存在的系統(tǒng)組成(但不要求由其組成)?；蛘?，可提供具體實施本發(fā)明的原始設備。
[0058]本文描述的全部方法可包含在存儲媒體中存儲所述方法實施例的一個或一個以上步驟的結果。所述結果可包含本文描述的結果中的任一者，且可以此項技術中已知的任何方式存儲。所述存儲媒體可包含本文描述的任何存儲媒體或此項技術中已知的任何其它適當?shù)拇鎯γ襟w。在存儲所述結果之后，所述結果可在所述存儲媒體中存取且由本文描述的方法或系統(tǒng)實施例中的任一者使用、經(jīng)格式化以向用戶顯示、由另一軟件模塊、方法或系統(tǒng)使用等等。此外，可“永久地”、“半永久地”、暫時地或在某一段時間存儲所述結果。例如，所述存儲媒體可為隨機存取存儲器(RAM)，且所述結果無需無限期地保存在所述存儲媒體中。
[0059]本文描述的裝置及/或過程的至少一部分可經(jīng)由合理的實驗量集成到數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中。所屬領域的技術人員將認識到，典型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)一股包含以下各項中的一者或一者以上:系統(tǒng)單元外殼、視頻顯示裝置、例如易失性及非易失性存儲器的存儲器、例如微處理器及數(shù)字信號處理器的處理器、例如操作系統(tǒng)、驅動器、圖形用戶接口及應用程序的計算實體、例如觸摸墊或屏幕的一個或一個以上互動裝置，及/或包含反饋回路及控制電機(例如，用于感測位置及/或速度的反饋；用于移動及/或調整組件及/或數(shù)量的控制電機)的控制系統(tǒng)?？衫美缤ǔＴ跀?shù)據(jù)計算/通信及/或網(wǎng)絡計算/通信系統(tǒng)中發(fā)現(xiàn)的任何適當?shù)纳逃媒M件來實施典型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
[0060]應相信，將通過前述描述了解本發(fā)明及許多其附加優(yōu)點，且應明白，可在不脫離所揭示的標的物或不犧牲全部其材料優(yōu)點的情況下在組件的形式、構造及布置上做出各種改變。所描述的形式僅僅為解釋性的，且所附權利要求書旨在涵蓋且包含此類改變。
【權利要求】
1.一種用于監(jiān)視反饋過程控制系統(tǒng)的方法，其包括以下步驟: 接收與調整半導體裝置處理線的半導體晶片過程工具相關聯(lián)的多個所施加過程控制參數(shù)； 測量半導體晶片的多個計量目標位置處的覆蓋誤差； 基于所述測得覆蓋誤差確定一組測得參數(shù)； 通過比較所述所施加過程控制參數(shù)與所述測得參數(shù)確定一組經(jīng)修訂過程控制參數(shù)； 確定與所述測得參數(shù)相關聯(lián)的第一組統(tǒng)計參數(shù)及與所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)相關聯(lián)的第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者；及 顯示所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述過程工具包括光刻掃描儀及光刻步進器中的至少一者。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括計算并顯示說明所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者的圖表的步驟。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括所述測得參數(shù)的平均數(shù)及偏差中的至少一者。
5.根據(jù)權利要 求1所述的方法，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的至少一偏差。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述測得參數(shù)的正規(guī)化平均數(shù)加上偏差值。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的偏差值。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的所述偏差值包括n*sigma值,其中sigma表示標準偏差。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述所施加過程控制參數(shù)包括平移參數(shù)、旋轉參數(shù)、放大參數(shù)、劑量參數(shù)及焦距參數(shù)中的至少一者。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括顯示在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括顯示比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述所施加過程控制參數(shù)、所述測得參數(shù)及所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括顯示基于背景松弛而比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的反復的圖表的步驟。
13.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括以下步驟: 確定一組自回歸加權參數(shù)；及 基于所述自回歸加權參數(shù)及在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述測得參數(shù)確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其進一步包括通過反復地計算導致差指數(shù)值的所述加權參數(shù)來確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)的步驟。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)包括EWMAλ值。
16.一種非暫時性計算機可讀存儲媒體，其具有計算機可執(zhí)行指令用于使計算機控制的設備執(zhí)行用于監(jiān)視反饋過程控制系統(tǒng)的方法，所述方法包括以下步驟: 接收與調整半導體裝置處理線的半導體晶片過程工具相關聯(lián)的多個所施加過程控制參數(shù)； 測量半導體晶片的多個計量目標位置處的覆蓋誤差； 基于所述測得覆蓋誤差確定一組測得參數(shù)，所述測得參數(shù)指示用于校正所述覆蓋誤差的對所述所施加過程控制參數(shù)的改變； 基于所述所施加過程控制參數(shù)及所述測得參數(shù)確定一組經(jīng)修訂過程控制參數(shù)； 確定與所述測得參數(shù)相關聯(lián)的第一組統(tǒng)計參數(shù)及與所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)相關聯(lián)的第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者；及 顯示所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者。
17.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述過程工具包括光刻掃描儀及光刻步進器中的至少一者。
18.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括計算并顯示說明所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者的圖表的步驟。
19.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括所述測得參數(shù)的平均數(shù)及偏差中的至少一者。
20.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的至少一偏差。
21.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述測得參數(shù)的正規(guī)化平均數(shù)加上偏差值。
22.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的偏差值。
23.根據(jù)權利要求22所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的所述偏差值包括n*sigma值,其中sigma表示標準偏差。
24.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述所施加過程控制參數(shù)包括平移參數(shù)、旋轉參數(shù)、放大參數(shù)、劑量參數(shù)及焦距參數(shù)中的至少一者。
25.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括顯示在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
26.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括顯示比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述所施加過程控制參數(shù)、所述測得參數(shù)及所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
27.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括顯示基于背景松弛而比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的反復的圖表的步驟。
28.根據(jù)權利要求16的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括以下步驟: 確定一組自回歸加權參數(shù)；及 基于所述自回 歸加權參數(shù)及在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述測得參數(shù)確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)。
29.根據(jù)權利要求28所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括通過反復地計算導致差指數(shù)值的所述加權參數(shù)來確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)的步驟。
30.根據(jù)權利要求29所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)包括EWMA λ值。
【文檔編號】H01L21/66GK103843124SQ201280048731
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年8月30日 優(yōu)先權日:2011年9月1日
【發(fā)明者】崔東燮, 戴維·天 申請人:科磊股份有限公司
【專利摘要】本發(fā)明可具體實施于一種用于監(jiān)視并控制例如集成電路制作過程等制造過程中的反饋控制的系統(tǒng)及方法中。過程控制參數(shù)可包含通過在硅晶片上操作的光刻掃描儀或步進器所施加的平移、旋轉、放大、劑量及焦距。使用覆蓋誤差來計算所述反饋控制過程中使用的測得參數(shù)。統(tǒng)計參數(shù)經(jīng)計算、正規(guī)化并繪制在一組共同軸上以一目了然地比較測得參數(shù)與過程控制參數(shù)以促進疑難參數(shù)的檢測。還以圖表方式比較參數(shù)趨勢與背景松弛情境?？纱_定例如EWMAλ等反饋控制參數(shù)并將其用作反饋參數(shù)以用于精煉基于所述測得參數(shù)計算對所述過程控制參數(shù)的調整的APC模型。
【專利說明】檢測及校正疑難的先進過程控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及集成電路制造，且更特定來說涉及一種用于監(jiān)視并控制集成電路制造過程中的反饋參數(shù)的方法。
【背景技術】
[0002]先進過程控制(APC)系統(tǒng)當前用以實施集成電路(IC)制造過程中的反饋控制。IC制造過程通常包含晶片處理工具(例如，掃描儀或步進器)，其適合用于在晶片(例如，硅晶片)中形成一系列所要圖案層以產生IC裝置?？捎赏ㄟ^所述過程工具在所述制造過程的每一步驟處施加的若干過程控制參數(shù)來控制所述制造過程。這些過程控制參數(shù)可包含(但不限于)晶片跨所述過程工具(掃描儀或步進器)的平移速率、晶片相對于所述過程工具的旋轉角度、通過所述過程工具施加于晶片的輻射的劑量、通過所述過程工具的源圖案(標線片)的放大，及通過所述過程工具在晶片上的源圖案的焦距。APC系統(tǒng)自動地實時或接近實時控制這些過程控制參數(shù)中的一者或一者以上，以隨著圖案形成過程在不同層之間進行而抵消所掃描的圖案中測量的誤差。
[0003]隨著IC制造過程進行，使用計量系統(tǒng)以監(jiān)視掃描到晶片上的圖案，使得可做出調整以抵消制造過程期間可能形成的誤差。更具體來說，所述計量系統(tǒng)通常確定安置在裝置的每一過程層中的某些參考標記(計量目標)的位置。不同層的所述參考標記之間的錯位(已知為“覆蓋誤差”)可經(jīng)測量并用以計算用以控制所述過程工具的反饋參數(shù)，從而允許所述制造過程的進行中反饋調節(jié)。
[0004]然而，應明白，覆蓋誤差指示(但并不等同于)由掃描儀或步進器使用以控制IC制造過程的特定過程控制參數(shù)。特定來說，所述覆蓋誤差表示兩個計量參考標記之間的層間位置錯位，而所述過程控制參數(shù)(例如，平移、旋轉、劑量、放大及焦距)控制產生所述層的掃描儀或步進器的操作。因此，平常使用過程控制模型以基于測得的覆蓋誤差計算對過程控制參數(shù)(可校正)的預期校正。
[0005]雖然這是極為成功的IC制造技術，但是所述控制參數(shù)的計算在傳統(tǒng)上對技術人員來說是“黑盒子”，其中APC系統(tǒng)的內部工作(例如下伏覆蓋誤差及測量參數(shù))不可用于觀察或分析。這使得技術人員難以了解IC制造系統(tǒng)如何起作用以有助于識別疑難的過程控制參數(shù)并發(fā)展模型改變以抵消問題并發(fā)展對反饋控制系統(tǒng)的改善。因此，可能難以診斷并校正APC系統(tǒng)內的誤差。
[0006]因此，繼續(xù)需要用于監(jiān)視并控制IC裝置制造中使用的反饋控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)。更特定來說，繼續(xù)需要用于暴露關于用于集成電路裝置制造中的過程控制參數(shù)的自動反饋控制的APC系統(tǒng)的內部工作的信息的技術。
【發(fā)明內容】
[0007]本發(fā)明可具體實施于一種用于計算并顯示與APC系統(tǒng)中的反饋控制參數(shù)相關聯(lián)的統(tǒng)計量的APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)中。應了解，本發(fā)明一股可施加于制造處理的反饋控制，且IC制造表示(但不限制本發(fā)明)本發(fā)明的一個特定實施例。在本發(fā)明的此特定實例中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)可計算并顯示若干圖表，所述圖表展示反映IC制造過程期間物理測得的覆蓋誤差的測得參數(shù)通常連同所施加及/或經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的統(tǒng)計參數(shù)(例如平均數(shù)及偏差)。
[0008]在特定實施例中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)計算并顯示若干圖表，所述圖表對用作IC制造過程中的反饋控制參數(shù)的一組選定的選定過程控制參數(shù)(稱為分析數(shù)據(jù)集(例如，平移、旋轉、放大、劑量及焦距))展示測得參數(shù)的平均數(shù)加上偏差[m+n*sigma]及/或經(jīng)精煉證明控制參數(shù)的偏差[n*sigma]。
[0009]在本發(fā)明的另一方面中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)計算并顯示若干圖表，所述圖表對所述組選定的過程控制參數(shù)(分析數(shù)據(jù)集)展示測量值連同所施加及/或經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的隨時間的趨勢(即，連續(xù)晶片批次的過程控制參數(shù))。
[0010]在本發(fā)明的另一方面中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)還可計算并顯示反映基于選定背景松弛情境的理想?yún)?shù)的隨時間的比較的趨勢。
[0011]在本發(fā)明的另一方面中，APC監(jiān)視及控制系統(tǒng)還可計算優(yōu)選的反饋控制參數(shù)(在EWMA背景中稱為“ λ ”)，其用來在考慮隨時間在過程控制參數(shù)中發(fā)生的趨勢的自回歸相關過程中確定過程控制反饋調整。例如，可通過調整用以基于制造過程期間發(fā)生在連續(xù)批次的晶片、若干晶片或若干晶片層之間的覆蓋誤差計算測得參數(shù)的反饋控制參數(shù)來實施模型參數(shù)的分析及潛在精煉。
[0012]特定來說，優(yōu)選的反饋控制值可通過連續(xù)更新的歷史數(shù)據(jù)而選擇且實時或接近實時提供給APC系統(tǒng)以用于從測得參數(shù)計算對過程控制參數(shù)的實際調整，所述測得參數(shù)又是基于由計量系統(tǒng)物理測得的覆蓋誤差。此外，所述反饋控制參數(shù)可為指數(shù)加權移動平均(EWMA)自回歸反饋控制過程中的加權參數(shù)(通常稱為“λ”)?？赏ㄟ^反復地計算從候選λ組及一組連續(xù)更新的歷史的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)(隨時間發(fā)生)計算的虛擬經(jīng)修訂過程控制參數(shù)所對應的差指數(shù)直到解收斂在一組優(yōu)選的λ來選擇優(yōu)選的EWMA λ。所述組優(yōu)選的λ接著輸入(反饋)到APC模型中，其中其用以從前進的測得參數(shù)計算經(jīng)修訂過程控制。
[0013]應了解，前述一股描述及以下詳細描述兩者僅僅為示范性及解釋性的，且不必限制如所主張的本發(fā)明。并入并構成所述說明書的一部分的【專利附圖】
【附圖說明】本發(fā)明的實施例，且連同一股描述用以解釋本發(fā)明的原理。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]參考附圖可更好地了解本發(fā)明的許多優(yōu)點，其中:
[0015]圖1為具有反饋參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)的集成電路制造過程的框圖。
[0016]圖2為在所述集成電路制造過程中在晶片上具有計量目標的IC圖案的概念說明。
[0017]圖3為在所述集成電路制造過程中外加到晶片上的連續(xù)層的概念說明。
[0018]圖4為在所述集成電路制造過程中確定所述連續(xù)層中的覆蓋誤差的概念說明。
[0019]圖5為說明用于監(jiān)視所述集成電路制造過程中的反饋控制過程的邏輯流程圖。
[0020]圖6為說明用于顯示統(tǒng)計參數(shù)并實施所述集成電路制造過程中的反饋控制過程的過程的邏輯流程圖。[0021]圖7為計算并顯示統(tǒng)計參數(shù)用于監(jiān)視所述集成電路制造過程中的反饋控制過程的概念框圖。
[0022]圖8為計算并顯示趨勢及背景松弛情境用于監(jiān)視集成電路制造過程的概念框圖。
[0023]圖9為計算對模型化參數(shù)的調整以實施集成電路制造過程的反饋控制的概念框圖。
【具體實施方式】
[0024]現(xiàn)在將詳細參考在附圖中予以說明的所揭示的標的物。本發(fā)明可具體實施于一種用于監(jiān)視并控制例如光刻集成電路制造過程等制造過程中的反饋控制的系統(tǒng)及方法中。光刻系統(tǒng)中的過程控制參數(shù)包含(但不限于)通過在給定晶片(例如，硅晶片)上操作的光刻掃描儀或步進器所施加的平移、旋轉、放大、劑量及焦距。使用覆蓋誤差測量以計算反饋控制過程中使用的測得參數(shù)。這些預期校正經(jīng)統(tǒng)計上分析并使用以確定經(jīng)精煉過程控制參數(shù)，以實施通過掃描儀或步進器施加的過程控制參數(shù)的反饋控制。實際上通過掃描儀或步進器對特定層施加的過程控制變量在本發(fā)明中稱為“所施加過程控制參數(shù)”，對過程控制參數(shù)的預期校正通常稱為“測得參數(shù)”，而“經(jīng)精煉過程控制變量”指代由掃描儀或步進器對下一層使用的經(jīng)修改過程控制參數(shù)。
[0025]所描述的反饋控制過程由于以下事實而復雜化:通過計量系統(tǒng)測量的覆蓋誤差及因此經(jīng)計算以補償測得覆蓋誤差(測得參數(shù))的對過程控制參數(shù)的預期改變并非通過用于層的單個一組值表示。相反地，對不同層之間的每一增量，針對每一計量目標確定一組覆蓋誤差。繼而，過程模型匯總并統(tǒng)計上分析所述覆蓋誤差以基于由計量系統(tǒng)提供的覆蓋誤差確定對過程控制參數(shù)(即，下一連續(xù)層的每一過程控制參數(shù)的單個調整值)的復合調整值(測得參數(shù))。接著使用所述測得參數(shù)以實時或接近實時計算經(jīng)修訂過程控制參數(shù)(例如，經(jīng)修訂平移、旋轉、放大、劑量及焦距參數(shù))以控制掃描儀或步進器?？蓪?、個別晶片或個別晶片的連續(xù)層反復地執(zhí)行此過程。
[0026]如上所述，給定過程層中使用的過程控制參數(shù)通常稱為“所施加(使用)過程控制參數(shù)”，而旨在補償由計量系統(tǒng)供應的覆蓋誤差的對所述參數(shù)的改變一股稱為“測得參數(shù)”。在此說明書中稱為“經(jīng)精煉過程控制參數(shù)”的經(jīng)校正過程控制參數(shù)可被計算為所施加過程控制參數(shù)加上或減去測得參數(shù)(對所施加過程控制參數(shù)的校正)。然而，此相關性由于以下事實而復雜化:用以計算測得參數(shù)的覆蓋誤差可在X維及I維中且在晶片的不同層之間變化。一個控制參數(shù)的改變還可影響其它參數(shù)的測得值，從而導致所述參數(shù)之間的協(xié)方差。所述過程控制參數(shù)還趨向于在不同批次之間(即，隨著時間或過程數(shù)量)漂移且還可響應于工具磨損及改變的環(huán)境狀況而變化。因此，實時或接近實時地尋找對過程控制參數(shù)的最佳調整是不能期望完全消除在一批接一批制造IC裝置時的全部覆蓋誤差的復雜任務。
[0027]為滿足此挑戰(zhàn)，已開發(fā)出APC系統(tǒng)以從所施加過程控制參數(shù)及測得參數(shù)中計算經(jīng)精煉過程控制參數(shù)，且實時或接近真實地反饋所述經(jīng)精煉過程控制參數(shù)。例如，可以反饋控制方案在連續(xù)批次、晶片或個別晶片層之間精煉所述過程控制參數(shù)。在此過程期間，單個一組經(jīng)精煉過程控制參數(shù)通常由APC系統(tǒng)計算并用于IC制造過程中的每一連續(xù)批次、晶片或層。本發(fā)明是針對用于監(jiān)視并控制IC裝置制造中使用的反饋控制參數(shù)的方法及系統(tǒng)。
[0028]在本發(fā)明的一個方面中，計算、正規(guī)化并在一組共同軸上繪制統(tǒng)計參數(shù)以一目了然地比較測得參數(shù)與過程控制參數(shù)以促進疑難參數(shù)的檢測。參數(shù)趨勢及背景松弛情境還以圖表方式進行比較。例如EWMAX的反饋控制參數(shù)可經(jīng)確定并用作反饋參數(shù)以用于精煉基于測得參數(shù)計算對過程控制參數(shù)的調整的APC模型。
[0029]一股參考圖1到9，根據(jù)本發(fā)明描述用于監(jiān)視并控制制造過程的反饋控制過程的系統(tǒng)及方法。本發(fā)明的特定實例是針對光刻集成電路制造過程。將明白，這僅僅為本發(fā)明的一個潛在實施例，其說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例但并未將本發(fā)明限于此特定實施例。
[0030]圖1為制造系統(tǒng)10及具有反饋參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15的相關聯(lián)的過程的框圖。圖1進一步說明特定實施例，其為用于由硅晶片制造集成電路的光刻系統(tǒng)。系統(tǒng)10包含在襯底上操作的過程工具12。在所述特定光刻實例中，所述過程工具可為通過一系列層外加集成電路圖案到硅晶片上的光刻掃描儀或步進器。當所述過程工具在襯底上操作時，其使用若干可調整控制參數(shù)。在所述特定光刻實例中，所述可調整過程控制參數(shù)包含以下各項中的一者或一者以上:晶片跨掃描儀或步進器的平移速率、晶片相對于掃描儀或步進器的旋轉角度、通過掃描儀或步進器施加于晶片的輻射的劑量、通過掃描儀或步進器到晶片上的源圖案(標線片)的放大，及通過掃描儀或步進器到晶片上的源圖案的焦距(平移、旋轉、劑量、放大及焦距)。
[0031]系統(tǒng)10還包含確定與襯底相關聯(lián)的物理測量的測量系統(tǒng)13。在所述特定光刻實例中，所述測量系統(tǒng)可包含適合用于測量與制造過程的連續(xù)過程層的計量目標相關聯(lián)的物
理覆蓋誤差的計量系統(tǒng)。
[0032]系統(tǒng)10進一步包含基于由測量系統(tǒng)13 (計量系統(tǒng)18)提供的物理測量計算測得參數(shù)的過程模型14。在所述特定光刻實例中，過程模型14可基于由系統(tǒng)10的計量系統(tǒng)18量化的測得覆蓋誤差確定潛在過程工具校正(測得參數(shù))。
[0033]系統(tǒng)10進一步包含通過自動化反饋過程控制方案自動地調整過程控制參數(shù)的參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15。在所述特定光刻實例中，參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15已知為先進過程控制(APC)系統(tǒng)，其對IC制造過程實施自動反饋控制。在進一步方面中，參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15包含參數(shù)數(shù)據(jù)庫16。參數(shù)數(shù)據(jù)庫16可包含反饋控制過程中使用的過程控制數(shù)據(jù)。在特定光刻實例中，APC數(shù)據(jù)庫包含在由掃描儀或步進器操作的多個晶片批次上編譯的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)精煉過程控制參數(shù)。
[0034]根據(jù)本發(fā)明，參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15還可確定并呈現(xiàn)(S卩，繪制)統(tǒng)計參數(shù)以顯示于用戶站17的圖形用戶接口上。在所述特定光刻實例中，第一組統(tǒng)計參數(shù)可包含測得參數(shù)的正規(guī)化平均數(shù)及偏差(即，m+n*sigma)。第二組統(tǒng)計參數(shù)可包含經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的偏差(即，n*sigma)。這些統(tǒng)計參數(shù)可由用戶通過用戶站17指定。分析數(shù)據(jù)集中指定的特定過程控制參數(shù)包含掃描儀或步進器過程控制變量(例如平移、旋轉、放大、劑量及焦距)中的一者或一者以上。通過用戶對選定分析數(shù)據(jù)集指定的過程控制參數(shù)及/或測得參數(shù)優(yōu)選地經(jīng)正規(guī)化并顯示在共同軸上。特定來說，可通過呈平均數(shù)的百分比及百分比誤差的表達式或例如nm的共同單位正規(guī)化所述參數(shù)。額外的統(tǒng)計參數(shù)可包含在襯底的多個群組(例如多個連續(xù)的硅晶片批次)上延伸的參數(shù)趨勢及背景松弛圖表。
[0035]比較所述統(tǒng)計參數(shù)的圖表通過用戶站17的圖形用戶接口以方便的格式顯示，允許用戶有效地觀察并比較所述統(tǒng)計參數(shù)，借此促進基于所述統(tǒng)計參數(shù)識別疑難參數(shù)及相關聯(lián)的校正動作。用戶站17還可用以輸入經(jīng)配置以控制參數(shù)監(jiān)視過程的用戶數(shù)據(jù)。在所述特定光刻實例中，用戶輸入可包含分析數(shù)據(jù)集的選擇，其為用于監(jiān)視及潛在反饋控制的過程控制參數(shù)及/或相關聯(lián)的測得參數(shù)(平移、旋轉、放大、劑量及焦距)的選擇。所述用戶輸入還可包含用于顯示參數(shù)趨勢(例如，將包含于參數(shù)趨勢圖表中的特定晶片批次)的定義及用于確定并繪制背景松弛情境(例如，將以圖表方式分析的特定背景情境，例如由同一掃描儀或步進器制造的IC裝置、從同一層計算的測得參數(shù)、在放大或焦距設定下計算的測得參數(shù)等等)的背景松弛數(shù)據(jù)。
[0036]用戶站17還可用以計算用于輸入到參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15中的特定反饋控制參數(shù)。在所述特定光刻實例中，反饋控制參數(shù)可包含EWMA加權參數(shù)(在所建立的EWMA辭典中稱為“λ”)，其可通過確定產生最低的差指數(shù)的一組λ的反復分析過程而選擇。特定來說，可通過反復地計算從候選λ組及一組連續(xù)更新的歷史的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)(隨時間發(fā)生)計算的虛擬經(jīng)修訂過程控制參數(shù)所對應的差指數(shù)直到解收斂在一組優(yōu)選的入來選擇優(yōu)選的EWMA λ。所述組優(yōu)選的λ接著輸入(反饋)到APC模型中，其中其用以從前進的測得參數(shù)計算經(jīng)修訂過程控制。
[0037]雖然剩余的描述將僅指代所述特定光刻實例，但是所屬領域的技術人員將了解如何使通過此實例說明的本發(fā)明的技術很快地調適為其它反饋控制制造過程。圖2為硅晶片
20、將掃描到所述晶片上的IC圖案22及安置在晶片20的各個層過程層中的計量目標(其用于監(jiān)視并實施IC制造過程的反饋控制)的概念說明。本文應注意，可在本發(fā)明的背景中實施此項技術中已知的任何覆蓋計量測量過程。為描述的方便，調出兩個計量目標:位置(XI,Yl)處的計量目標24a及位置(X2,Y2)處的計量目標24b。將了解,數(shù)個計量目標經(jīng)定義于不同位置處的IC圖案的每個二維層上(X維及y維)，其通過光刻過程中的一系列層而放下。
[0038]圖3為半導體晶片上制造的集成電路裝置中的三個連續(xù)過程層30a到30c的概念說明。圖4為確定所述集成電路制造過程中的覆蓋誤差的概念說明。每一層包含類似的計量目標，正常情況下其位置在不同層之間變化。然而，不同層的計量目標之間的所要對準是已知的，且可隨著若干層經(jīng)處理而用以監(jiān)視并校正不同批次之間、不同晶片之間或不同層之間的IC制造過程。通過計量系統(tǒng)確定的覆蓋誤差因此表示連續(xù)層中的兩個或兩個以上計量標記之間的相對錯位。
[0039]為說明幾個簡單實例，圖3在第一層A上調出兩個計量目標:層A中的位置(Xla，Yla)處的計量目標24a_l,及層A中的位置(X2a, Y2a)處的計量目標24a_2。類似地，圖3在第二層B上調出兩個計量目標:層B中的位置(Xlb，Ylb)處的計量目標24b-l，及層B中的位置(X2b，Y2b)處的計量目標24b-2;且在第三層C上調出兩個計量目標:層C中的位置(Xlc，Ylc)處的計量目標24c-l，及層C中的位置(X2c，Y2c)處的計量目標24c_2。圖4調出表示層A中的計量目標24a-l與層B中的計量目標24b_l之間的位置錯位的覆蓋誤差42a。類似地,覆蓋誤差42b表示層A中的計量目標24a_2與層B中的計量目標24b_2之間的位置錯位。覆蓋誤差42c表示層B中的計量目標24b-l與層C中的計量目標24c-l之間的位置錯位；且覆蓋誤差42d表示層B中的計量目標24b-2與層C中的計量目標24c-2之間的位置錯位。以此方式，可對通過一系列過程層在晶片上制造的每一集成電路計算覆蓋誤差的完整矩陣。
[0040]此外，隨時間測得的覆蓋誤差(例如，通過多個晶片批次表示)經(jīng)計算、存儲于參數(shù)數(shù)據(jù)庫中并用于分析及控制。對應的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)也經(jīng)計算、存儲于參數(shù)數(shù)據(jù)庫中并用于分析及控制。這提供對歷史數(shù)據(jù)以及實時數(shù)據(jù)或接近實時數(shù)據(jù)的存取以用于過程控制分析且用于通過相關聯(lián)的反饋控制參數(shù)(例如，EWMAA )建立并修改過程控制參數(shù)。特定來說，通過掃描儀或步進器施加的實際參數(shù)(例如，平移、旋轉、放大、劑量及焦距)可通過改變自回歸、多變量反饋控制方案中的加權參數(shù)(例如，EWMAX )的規(guī)格來間接地控制，所述加權參數(shù)用以加權測得參數(shù)及/或覆蓋誤差、反映交叉相關性并將經(jīng)加權分量匯總到所述測得參數(shù)中，從而反映對過程控制參數(shù)的復合調難
iF.0
[0041]圖5為說明例程50的邏輯流程圖，例程50提供用于監(jiān)視集成電路制造過程中的反饋控制過程的過程的一個說明性實例。以下描述還將涉及圖1中所示的系統(tǒng)組件。在步驟52中，APC系統(tǒng)15 (例如)從用戶站17通過適當?shù)膱D形用戶接口接收分析數(shù)據(jù)集的定義、參數(shù)趨勢定義及/或背景松弛情境定義。步驟52后續(xù)接著步驟54，其中過程工具(光刻掃描儀或步進器)12使用一組所施加過程控制參數(shù)以將IC圖案的第一層掃描到硅晶片上。所施加過程控制參數(shù)包含以下各項中的至少一者:晶片跨掃描儀或步進器的平移速率、晶片相對于掃描儀或步進器的旋轉角度、通過掃描儀或步進器施加于晶片的輻射的劑量、通過掃描儀或步進器的源圖案(標線片)的放大，及通過掃描儀或步進器到晶片上的源圖案的焦距。所述分析數(shù)據(jù)集包含經(jīng)選擇以監(jiān)視并潛在用于反饋控制的這些過程控制參數(shù)中的一者或一者以上。
[0042]步驟54后續(xù)接著步驟56，其中過程工具(光刻掃描儀或步進器)12使用一組所施加過程控制參數(shù)以將IC圖案的后續(xù)層掃描到硅晶片上。現(xiàn)在存在兩層，可確定與所述兩個過程層相關聯(lián)的覆蓋誤差(參見圖2到4)。步驟56后續(xù)接著步驟58，其中測量系統(tǒng)13(計量系統(tǒng)18)確定所述掃描層之間的覆蓋誤差。步驟58后續(xù)接著步驟60，其中過程模型(例如，統(tǒng)計過程控制模型)14基于所述覆蓋誤差確定測得參數(shù)。所述測得參數(shù)表示對過程工具12的潛在校正(S卩，過程控制參數(shù)，例如平移、旋轉、劑量、放大及焦距)以抵消所述覆蓋誤差。此時，所述測得參數(shù)并不反映對過程控制參數(shù)的總體調整，而是反映對在每一計量目標位置處計算的過程控制參數(shù)的潛在校正。因此，步驟60后續(xù)接著步驟62，其中參數(shù)監(jiān)視及控制系統(tǒng)15 (APC系統(tǒng))基于所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)、這些項的歷史值及/或覆蓋誤差及自回歸、多變量反饋控制方案中的反饋控制參數(shù)(EWMAX)計算對所述過程控制參數(shù)的總體調整。
[0043]這些調整反映在經(jīng)修訂過程控制參數(shù)中，所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)平常自動地供應給掃描儀或步進器以用于掃描正制造的晶片的下一個連續(xù)層。然而，本發(fā)明提供機會以在制造過程中的任何時刻監(jiān)視過程控制參數(shù)及測得參數(shù)且潛在地修訂所述反饋控制參數(shù)?？筛鶕?jù)(例如)若干層之間、晶片之間或晶片批次之間的經(jīng)編程邏輯實施模型精煉。此外，可在由被告知統(tǒng)計監(jiān)視數(shù)據(jù)及相關聯(lián)的圖表、趨勢、背景松弛情境及反饋控制參數(shù)優(yōu)化的系統(tǒng)工程師確定的任何其它時間按需要實施模型精煉。
[0044]為說明APC系統(tǒng)的模型精煉特征，步驟62后續(xù)接著步驟64，其中APC系統(tǒng)確定其是否已經(jīng)配置以更新層之間的APC模型。如果APC系統(tǒng)已經(jīng)配置以更新層之間的APC模型，那么從步驟64后續(xù)接著“是”分支到例程80以用于模型分析及潛在精煉。參考圖6更詳細地描述例程80。如果APC系統(tǒng)未經(jīng)配置以更新層之間的APC模型，那么從步驟64后續(xù)接著“否”分支到步驟66，其中APC系統(tǒng)確定對當前晶片的掃描過程是否已完成(即，對當前晶片已施加全部層)。如果對當前晶片的掃描過程未完成，那么從步驟66后續(xù)接著“否”分支到步驟56，其中掃描儀或步進器此時使用經(jīng)精煉過程控制參數(shù)施加另一層。
[0045]如果對當前晶片的掃描過程已完成，那么從步驟66后續(xù)接著“是”分支到步驟68，其中APC系統(tǒng)確定其是否已經(jīng)配置以更新晶片之間的APC模型。如果APC系統(tǒng)已經(jīng)配置以更新晶片之間的APC模型，那么從步驟64后續(xù)接著“是”分支到例程80以用于模型分析及潛在精煉。另一方面，如果APC系統(tǒng)未經(jīng)配置以更新晶片之間的APC模型，那么從步驟68后續(xù)接著“否”分支到步驟70，其中APC系統(tǒng)確定對當前的晶片批次的掃描過程是否已完成(即，已對當前晶片批次中的最后的晶片施加全部層)。如果對當前晶片批次的掃描過程未完成，那么從步驟70后續(xù)接著“否”分支到步驟74，其中提供新的晶片給掃描儀或步進器。步驟74后續(xù)接著步驟54，其中掃描儀或步進器施加第一層于所述新的晶片。
[0046]如果對當前晶片批次的掃描過程已完成，那么從步驟70后續(xù)接著“是”分支到步驟72，其中APC系統(tǒng)確定其是否已經(jīng)配置以更新晶片批次之間的APC模型。如果APC系統(tǒng)已經(jīng)配置以更新晶片批次之間的APC模型，那么從步驟72后續(xù)接著“是”分支到例程80以用于模型分析及潛在精煉。另一方面，如果APC系統(tǒng)未經(jīng)配置以更新晶片批次之間的APC模型，那么從步驟72后續(xù)接著“否”分支到步驟76，其中起始新的晶片批次，且在步驟74中提供所述新的批次中的第一晶片給掃描儀或步進器。接著，步驟74后續(xù)接著步驟54，其中掃描儀或步進器施加所述第一層于所述新的批次中的新的晶六。
[0047]雖然上文描述用于自動模型精煉的程序，但是還應了解，所述系統(tǒng)允許技術人員連續(xù)監(jiān)視制造過程且接著選擇在任何適當時間實施模型精煉。APC系統(tǒng)還可實施這些技術的組合，其中在進行中的基礎上使用自動模型更新，以自動地反映反饋控制過程中的測得覆蓋誤差，同時還響應于(例如)技術人員通過監(jiān)視由所述APC計算并繪制且顯示在用戶站上的統(tǒng)計參數(shù)識別疑難過程控制而允許按需要在不同時間的用戶控制的模型精煉。
[0048]圖6為說明用于顯示統(tǒng)計參數(shù)并實施集成電路制造過程中的反饋控制過程的例程80的邏輯流程圖。可通過APC系統(tǒng)15、用戶站17及在某種程度上連同所述用戶站的技術人員操作一起實施例程80。圖7到9進一步說明例程80的某些步驟，且因此將結合例程80的以下描述予以描述。
[0049]在跟隨圖5的步驟64、68及72后面的步驟82中，APC系統(tǒng)15對分析數(shù)據(jù)集確定并繪制第一組統(tǒng)計參數(shù)且在用戶站17上顯示圖表。步驟82后續(xù)接著步驟84，其中APC系統(tǒng)15對所述分析數(shù)據(jù)集確定并繪制第二組統(tǒng)計參數(shù)并在用戶站17上顯示圖表。圖7為用于計算并顯示所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)以監(jiān)視集成電路制造過程中的反饋控制過程的步驟82的概念框圖。APC系統(tǒng)15使用由用戶通過用戶站17選擇的分析數(shù)據(jù)集來定義將包含于所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的過程控制參數(shù)及/或測得參數(shù)(框104)。APC系統(tǒng)15從由APC系統(tǒng)維護的參數(shù)數(shù)據(jù)庫16獲得所施加過程控制參數(shù)(框106)、測得參數(shù)(框108)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)(框110)。將這些項轉換為正規(guī)化值(框112)，例如平均數(shù)的百分比(對過程控制參數(shù))及百分比誤差(對測得參數(shù))或測量的共同單位，例如nm。APC系統(tǒng)還計算經(jīng)正規(guī)化的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)的平均數(shù)及偏差(例如，n*sigma，其中“η”為用戶定義參數(shù)(例如3)，且sigma表示標準偏差)(框 114)。[0050]APC系統(tǒng)接著點繪所述第一組統(tǒng)計參數(shù)(框116)，在此實例中，條形圖展示分析數(shù)據(jù)集中的測得參數(shù)的平均數(shù)加上偏差(m+n*sigma)，其中針對共同軸上的每一測量值各自展示單獨的“X”及“y”值。正規(guī)化條形圖值以使得以共同尺度顯示平均數(shù)及偏差的相對大小，這允許其得以一目了然地觀察及比較。APC系統(tǒng)還點繪所述第二組統(tǒng)計參數(shù)(框118)，在此實例中，條形圖展示分析數(shù)據(jù)集中的經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的偏差(n*sigma)，其中再次針對共同軸上的每一過程控制參數(shù)各自展示單獨的“X”及“y”值。還正規(guī)化這些條形圖值以使得以共同尺度顯示偏差的相對大小，從而允許其得以一目了然地觀察及比較。
[0051]上文描述的統(tǒng)計分析可用以識別過程模型中的疑難過程控制參數(shù)及/或疑難模型化參數(shù)。例如，不穩(wěn)定的參數(shù)為APC系統(tǒng)的疑難參數(shù)的一個實例。與穩(wěn)定的參數(shù)比較，不穩(wěn)定的參數(shù)可展示大的分布形狀(隨時間的大的偏差)。顯示展示經(jīng)精煉過程控制參數(shù)的比較偏差的條形圖(每一條形表示n*sigma)允許技術人員容易地識別疑難過程控制參數(shù)。為促進所述比較，通過(例如)將全部單位轉換為平均數(shù)百分比(對過程控制參數(shù))、百分比誤差(對測得參數(shù))或例如nm的標準單位來正規(guī)化在所述條形圖上彼此比較的值。正規(guī)化所比較的值允許其一目了然地彼此直接比較。
[0052]返回到圖6，步驟84后續(xù)接著步驟86，其中APC系統(tǒng)確定并繪制分析數(shù)據(jù)集的參數(shù)趨勢。步驟86后續(xù)接著步驟88，其中APC系統(tǒng)確定并繪制所述分析數(shù)據(jù)集的背景松弛情境。圖8為計算并顯示用于監(jiān)視集成電路制造過程的趨勢及背景松弛情境的概念框圖。APC系統(tǒng)從用戶站17連同來自參數(shù)數(shù)據(jù)庫16的所施加過程控制參數(shù)(框122)、測得參數(shù)(框124)及經(jīng)精煉過程控制參數(shù)(框126) —起獲得分析數(shù)據(jù)集選擇(框120)。APC系統(tǒng)還從用戶站17獲得趨勢定義數(shù)據(jù)(例如，包含于參數(shù)趨勢圖表中的晶片批次)(框120)。APC系統(tǒng)接著在共同軸上對所指定的晶片批次繪制所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)精煉過程控制(框130)?？?30展示說明性過程控制參數(shù)的一目了然的比較。將了解，可對分析數(shù)據(jù)集中的每一過程控制參數(shù)計算類似參數(shù)趨勢圖表，且按需要在單個顯示圖像上單獨顯示并以各種組合來組合以促進對所述分析數(shù)據(jù)集中的過程控制參數(shù)的參數(shù)趨勢的一目了然的比較。
[0053]APC系統(tǒng)還從用戶站17獲得背景松弛定義數(shù)據(jù)(例如，在背景松弛優(yōu)化圖表中松弛的參數(shù))(框120)。APC系統(tǒng)接著根據(jù)背景松弛情境在共同軸上繪制經(jīng)精煉過程控制參數(shù)(框132)。框132展示一個說明性過程控制參數(shù)與一個背景松弛情境的一目了然的比較。將了解，可對分析數(shù)據(jù)集中的每一過程控制參數(shù)及對每一背景松弛情境計算類似背景松弛圖表?？砂葱枰趩蝹€顯示圖像上單獨顯示并以各種組合來組合這些圖表以促進背景松弛情境的一目了然的比較。
[0054]一股描述，背景松弛可以是用以在全部歷史晶片批次中選擇用于計算APC反饋的晶片群組或晶片層的規(guī)則。通常存在通過背景松弛分析的兩個主要方面。第一方面為識別將用以從全部歷史批次選擇將包含于APC反饋控制參數(shù)(EWMAX)的計算中的歷史批次的特定組件。為說明幾個極為簡單的實例，用以選擇晶片群組的背景松弛準則可為“暴露于同一掃描儀或步進器的批次”、“同一層”、“特定日期內”等等。通常通過背景松弛分析的第二方面是如何加權將用于計算APC反饋控制參數(shù)的各種批次、晶片或層。通?；趬勖蚱渌尘皡?shù)使數(shù)據(jù)折扣的各種加權方案可被選擇作為設計挑選的事項。一旦已識別出用于計算反饋控制參數(shù)的批次、晶片或層，則可確定一組優(yōu)選的反饋控制參數(shù)(參見圖9及隨附描述)。通過背景松弛可考慮額外的方面，例如當不存在匹配于所定義的背景松弛規(guī)則的歷史批次時排除若干組件、排除已知含有疑難參數(shù)的數(shù)據(jù)等等。
[0055]返回到圖6，提供模型精煉的一種可能的途徑以說明此過程。步驟88后續(xù)接著步驟90，其中APC系統(tǒng)按需要通過(例如)經(jīng)編程邏輯及/或用戶指令確定是否精煉基于測得參數(shù)計算用以調整過程控制參數(shù)的反饋控制參數(shù)的APC模型。如果未要求APC模型精煉，那么從步驟90后續(xù)接著“否”分支到返回步驟92，其中所述過程返回到圖5中的步驟52以接收另一分析數(shù)據(jù)集選擇。如果要求APC模型精煉，那么從步驟90后續(xù)接著“是”分支到返回步驟94，其中對由APC模型使用的EWMA算法計算優(yōu)選的λ以從測得參數(shù)計算對過程控制參數(shù)的反饋調整。步驟94后續(xù)接著步驟96，其中在由APC模型使用的EWMA算法中更新λ以計算反饋調整。步驟96后續(xù)接著所述返回步驟92，其中所述過程返回到圖5中的步驟52以接收另一分析數(shù)據(jù)集選擇。
[0056]圖9為用于計算對反饋控制參數(shù)(在此實例中，EWMA加權參數(shù))的調整以實施集成電路制造過程的反饋控制的步驟94的概念框圖。一股描述，指數(shù)加權移動平均(EWMA)為施加指數(shù)地降低的加權因子的無限脈沖響應濾波器的類型。對每一較舊的基準點的加權指數(shù)地降低，且從未達到零。參數(shù)“ λ ”表示加權降低程度，介于O與I之間的恒定平滑因子。圖9說明其中使用來自參數(shù)數(shù)據(jù)庫16的歷史過程控制參數(shù)及測得參數(shù)數(shù)據(jù)集分析多個候選λ組的過程。定義差指數(shù)以匯總使用候選λ組與歷史數(shù)據(jù)中的實際數(shù)據(jù)計算的經(jīng)精煉過程控制參數(shù)之間計算的誤差。接著選擇產生最低的差指數(shù)的候選λ組以用于精煉APC模型。更特定來說，可通過反復地計算從候選λ組及一組連續(xù)更新的歷史的過程控制參數(shù)及測得參數(shù)(隨時間發(fā)生)計算的虛擬經(jīng)修訂過程控制參數(shù)所對應的差指數(shù)直到解收斂在一組優(yōu)選的λ來選擇優(yōu)選的EWMA λ。所述組優(yōu)選的λ接著輸入(反饋)到APC模型中，其中其用以從前進的測得參數(shù)計算經(jīng)修訂過程控制。
[0057]本發(fā)明可由調適或重配置當前存在的系統(tǒng)組成(但不要求由其組成)?；蛘?，可提供具體實施本發(fā)明的原始設備。
[0058]本文描述的全部方法可包含在存儲媒體中存儲所述方法實施例的一個或一個以上步驟的結果。所述結果可包含本文描述的結果中的任一者，且可以此項技術中已知的任何方式存儲。所述存儲媒體可包含本文描述的任何存儲媒體或此項技術中已知的任何其它適當?shù)拇鎯γ襟w。在存儲所述結果之后，所述結果可在所述存儲媒體中存取且由本文描述的方法或系統(tǒng)實施例中的任一者使用、經(jīng)格式化以向用戶顯示、由另一軟件模塊、方法或系統(tǒng)使用等等。此外，可“永久地”、“半永久地”、暫時地或在某一段時間存儲所述結果。例如，所述存儲媒體可為隨機存取存儲器(RAM)，且所述結果無需無限期地保存在所述存儲媒體中。
[0059]本文描述的裝置及/或過程的至少一部分可經(jīng)由合理的實驗量集成到數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中。所屬領域的技術人員將認識到，典型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)一股包含以下各項中的一者或一者以上:系統(tǒng)單元外殼、視頻顯示裝置、例如易失性及非易失性存儲器的存儲器、例如微處理器及數(shù)字信號處理器的處理器、例如操作系統(tǒng)、驅動器、圖形用戶接口及應用程序的計算實體、例如觸摸墊或屏幕的一個或一個以上互動裝置，及/或包含反饋回路及控制電機(例如，用于感測位置及/或速度的反饋；用于移動及/或調整組件及/或數(shù)量的控制電機)的控制系統(tǒng)?？衫美缤ǔＴ跀?shù)據(jù)計算/通信及/或網(wǎng)絡計算/通信系統(tǒng)中發(fā)現(xiàn)的任何適當?shù)纳逃媒M件來實施典型的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
[0060]應相信，將通過前述描述了解本發(fā)明及許多其附加優(yōu)點，且應明白，可在不脫離所揭示的標的物或不犧牲全部其材料優(yōu)點的情況下在組件的形式、構造及布置上做出各種改變。所描述的形式僅僅為解釋性的，且所附權利要求書旨在涵蓋且包含此類改變。
【權利要求】
1.一種用于監(jiān)視反饋過程控制系統(tǒng)的方法，其包括以下步驟: 接收與調整半導體裝置處理線的半導體晶片過程工具相關聯(lián)的多個所施加過程控制參數(shù)； 測量半導體晶片的多個計量目標位置處的覆蓋誤差； 基于所述測得覆蓋誤差確定一組測得參數(shù)； 通過比較所述所施加過程控制參數(shù)與所述測得參數(shù)確定一組經(jīng)修訂過程控制參數(shù)； 確定與所述測得參數(shù)相關聯(lián)的第一組統(tǒng)計參數(shù)及與所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)相關聯(lián)的第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者；及 顯示所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述過程工具包括光刻掃描儀及光刻步進器中的至少一者。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括計算并顯示說明所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者的圖表的步驟。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括所述測得參數(shù)的平均數(shù)及偏差中的至少一者。
5.根據(jù)權利要 求1所述的方法，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的至少一偏差。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述測得參數(shù)的正規(guī)化平均數(shù)加上偏差值。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的偏差值。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的所述偏差值包括n*sigma值,其中sigma表示標準偏差。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述所施加過程控制參數(shù)包括平移參數(shù)、旋轉參數(shù)、放大參數(shù)、劑量參數(shù)及焦距參數(shù)中的至少一者。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括顯示在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括顯示比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述所施加過程控制參數(shù)、所述測得參數(shù)及所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括顯示基于背景松弛而比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的反復的圖表的步驟。
13.根據(jù)權利要求1所述的方法，其進一步包括以下步驟: 確定一組自回歸加權參數(shù)；及 基于所述自回歸加權參數(shù)及在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述測得參數(shù)確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)。
14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其進一步包括通過反復地計算導致差指數(shù)值的所述加權參數(shù)來確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)的步驟。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)包括EWMAλ值。
16.一種非暫時性計算機可讀存儲媒體，其具有計算機可執(zhí)行指令用于使計算機控制的設備執(zhí)行用于監(jiān)視反饋過程控制系統(tǒng)的方法，所述方法包括以下步驟: 接收與調整半導體裝置處理線的半導體晶片過程工具相關聯(lián)的多個所施加過程控制參數(shù)； 測量半導體晶片的多個計量目標位置處的覆蓋誤差； 基于所述測得覆蓋誤差確定一組測得參數(shù)，所述測得參數(shù)指示用于校正所述覆蓋誤差的對所述所施加過程控制參數(shù)的改變； 基于所述所施加過程控制參數(shù)及所述測得參數(shù)確定一組經(jīng)修訂過程控制參數(shù)； 確定與所述測得參數(shù)相關聯(lián)的第一組統(tǒng)計參數(shù)及與所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)相關聯(lián)的第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者；及 顯示所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者。
17.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述過程工具包括光刻掃描儀及光刻步進器中的至少一者。
18.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括計算并顯示說明所述第一組統(tǒng)計參數(shù)及所述第二組統(tǒng)計參數(shù)中的至少一者的圖表的步驟。
19.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括所述測得參數(shù)的平均數(shù)及偏差中的至少一者。
20.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的至少一偏差。
21.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第一組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述測得參數(shù)的正規(guī)化平均數(shù)加上偏差值。
22.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述第二組統(tǒng)計參數(shù)包括圖表，所述圖表包括在一組共同軸上并排顯示的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的偏差值。
23.根據(jù)權利要求22所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的所述偏差值包括n*sigma值,其中sigma表示標準偏差。
24.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述所施加過程控制參數(shù)包括平移參數(shù)、旋轉參數(shù)、放大參數(shù)、劑量參數(shù)及焦距參數(shù)中的至少一者。
25.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括顯示在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所施加過程控制參數(shù)、測得參數(shù)及經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
26.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括顯示比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述所施加過程控制參數(shù)、所述測得參數(shù)及所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的圖表的步驟。
27.根據(jù)權利要求16所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括顯示基于背景松弛而比較在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述經(jīng)修訂過程控制參數(shù)的反復的圖表的步驟。
28.根據(jù)權利要求16的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括以下步驟: 確定一組自回歸加權參數(shù)；及 基于所述自回 歸加權參數(shù)及在連續(xù)的晶片批次上發(fā)生的所述測得參數(shù)確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)。
29.根據(jù)權利要求28所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其進一步包括通過反復地計算導致差指數(shù)值的所述加權參數(shù)來確定所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)的步驟。
30.根據(jù)權利要求29所述的非暫時性計算機可讀存儲媒體，其中所述經(jīng)修訂反饋控制參數(shù)包括EWMA λ值。
【文檔編號】H01L21/66GK103843124SQ201280048731
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年8月30日 優(yōu)先權日:2011年9月1日
【發(fā)明者】崔東燮, 戴維·天 申請人:科磊股份有限公司
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