Ptc熱敏電阻器及ptc熱敏電阻器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】提供一種使用了居里點(diǎn)較低而且可在室溫附近的較低溫度下動(dòng)作、且室溫電阻低、電阻溫度特性高的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的PTC熱敏電阻器。作為構(gòu)成PTC熱敏電阻器的半導(dǎo)體陶瓷，使用如下半導(dǎo)體陶瓷：含有鈣鈦礦型化合物、Mn、及半導(dǎo)體化劑，該鈣鈦礦型化合物包含Ba、Ti、Sr及Ca，且在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Sr的含有摩爾部a、Ca的含有摩爾部b是在20.0≤a≤22.5時(shí)，12.5≤b≤17.5，在22.5≤a≤25.0時(shí)，12.5≤b≤15.0，在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Mn的含有摩爾部c是0.030≤c≤0.045。
【專(zhuān)利說(shuō)明】PTC熱敏電阻器及PTC熱敏電阻器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及使用了具有正的電阻溫度特性的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的PTC (Positive Temperature Coeff icient,正溫度系數(shù))熱敏電阻器。
【背景技術(shù)】
[0002]作為具有正的電阻溫度特性的鈦酸鋇系的半導(dǎo)體陶瓷組合物,例如，已知有如專(zhuān)利文獻(xiàn)I所示的半導(dǎo)體陶瓷組合物。
[0003]該專(zhuān)利文獻(xiàn)I的半導(dǎo)體陶瓷組合物是以鈦酸鋇作為主成分的具有正的電阻溫度特性的組合物，且在將鈦酸鋇設(shè)為IOOmol的情況下，含有20~30mol的鈦酸鍶、0.05~0.20mol的鈦酸鈣，并且含有0.05~0.15mol的氧化錳、2.5~3.5mol的氧化硅、0.25~0.30mol的稀土類(lèi)元 素的氧化物。
[0004]該專(zhuān)利文獻(xiàn)I的半導(dǎo)體陶瓷組合物可適用于對(duì)如OA設(shè)備或馬達(dá)用過(guò)流保護(hù)元件那樣的較大的負(fù)荷可使用的低電阻且高耐電壓的PTC熱敏電阻器。
[0005]然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)I的半導(dǎo)體陶瓷組合物中，雖可獲得低電阻且高耐電壓的特性，但關(guān)于為了實(shí)現(xiàn)高精度的溫度檢測(cè)而作為過(guò)熱檢測(cè)用而謀求的PTC特性(關(guān)于電阻變化相對(duì)于溫度變化的大小的特性，且電阻變化相對(duì)于溫度變化越大則越佳)，存在未必能夠?qū)崿F(xiàn)充分的特性這樣的問(wèn)題點(diǎn)。
[0006]因此，在使用專(zhuān)利文獻(xiàn)I的半導(dǎo)體陶瓷組合物的情況下，實(shí)際情況是無(wú)法獲得具備期望的特性的過(guò)熱檢測(cè)用途的PTC熱敏電阻器。
[0007]先前技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0009]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2005-1971號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]發(fā)明所欲解決的問(wèn)題
[0011]本發(fā)明是解決所述課題的發(fā)明，其目的在于提供一種室溫電阻較低、且作為過(guò)熱檢測(cè)用而具有充分的PTC特性、可進(jìn)行室溫附近的過(guò)熱檢測(cè)的PTC熱敏電阻器。
[0012]解決問(wèn)題的技術(shù)手段
[0013]為了解決所述課題，本發(fā)明的PTC熱敏電阻器具備半導(dǎo)體陶瓷基體、與形成于所述半導(dǎo)體陶瓷基體的外表面的外部電極，其特征在于:
[0014]所述半導(dǎo)體陶瓷基體含有包含Ba、T1、Sr及Ca的鈣鈦礦型化合物、Mn及半導(dǎo)體化劑，
[0015]在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Sr的含有摩爾部a及Ca的含有摩爾部b滿足在20.0≤a≤22.5時(shí)，12.5≤b≤17.5，在22.5≤a≤25.0時(shí)，12.5 < b < 15.0,
[0016]在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Mn的含有摩爾部c是0.030 ^ C ^ 0.045。
[0017]另外，在本發(fā)明的PTC熱敏電阻器中，所述半導(dǎo)體陶瓷基體也可包括多個(gè)半導(dǎo)體陶瓷層、與多個(gè)內(nèi)部電極且是具有將所述半導(dǎo)體陶瓷層與所述內(nèi)部電極交替地層疊而成的層疊構(gòu)造部的層疊體。
[0018]根據(jù)所述構(gòu)成，可獲得室溫電阻較低、且作為過(guò)熱檢測(cè)用具有充分的PTC特性、可進(jìn)行室溫附近的過(guò)熱檢測(cè)的PTC熱敏電阻器。
[0019]另外，本發(fā)明的PTC熱敏電阻器優(yōu)選是用作過(guò)熱檢測(cè)元件。
[0020]通過(guò)將本發(fā)明的PTC熱敏電阻器用作過(guò)熱檢測(cè)元件，可提供能夠切實(shí)地進(jìn)行室溫附近的過(guò)熱檢測(cè)的PTC熱敏電阻器。
[0021]另外，本發(fā)明的PTC熱敏電阻器的制造方法中，該P(yáng)TC熱敏電阻器包括半導(dǎo)體陶瓷基體、與形成于所述半導(dǎo)體陶瓷基體的外表面的外部電極，該P(yáng)TC熱敏電阻器的制造方法的特征在于包括:
[0022]制作未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體的步驟A ；
[0023]煅燒所述未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體來(lái)獲得半導(dǎo)體陶瓷基體的步驟B ;及 [0024]在所述半導(dǎo)體陶瓷基體的外表面形成外部電極的步驟C，
[0025]其中，所述未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體含有包含Ba、T1、Sr及Ca的鈣鈦礦型化合物、Mn、及半導(dǎo)體化劑，
[0026]在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Sr的含有摩爾部a及Ca的含有摩爾部b滿足在20.0≤a≤22.5時(shí)，12.5≤b≤17.5，在22.5≤a≤25.0時(shí)，12.5 ≤ b ≤ 15.0,
[0027]在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Mn的含有摩爾部c是0.030 ≤ c ≤0.045。
[0028]另外，在本發(fā)明的PTC熱敏電阻器的制造方法中，所述步驟A中制作的未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體也可包括多個(gè)半導(dǎo)體陶瓷生片、與多個(gè)未煅燒內(nèi)部電極圖案，且是具有將所述半導(dǎo)體陶瓷生片與所述未煅燒內(nèi)部電極圖案交替地層疊而成的層疊構(gòu)造部的未煅燒層疊體。
[0029]根據(jù)所述構(gòu)成，可獲得室溫電阻較低、且作為過(guò)熱檢測(cè)用具有充分的PTC特性、可進(jìn)行室溫附近的過(guò)熱檢測(cè)的PTC熱敏電阻器。
[0030]發(fā)明效果
[0031]根據(jù)本發(fā)明的PTC熱敏電阻器，在使用有不含鉛的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的PTC熱敏電阻器中，可實(shí)現(xiàn)先前難以實(shí)現(xiàn)的室溫電阻較低、且作為過(guò)熱檢測(cè)用具有充分的PTC特性、進(jìn)行室溫附近的過(guò)熱檢測(cè)。
[0032]此外，所謂使用了 PTC熱敏電阻器的過(guò)熱檢測(cè)，是指利用PTC熱敏電阻器的電阻值自特定的溫度起急劇增大的性質(zhì)，在電路的溫度到達(dá)特定溫度的情形(至作為異常事態(tài)的過(guò)熱狀態(tài)的情形)時(shí)檢測(cè)出過(guò)熱，所謂過(guò)熱防止用PTC熱敏電阻器，是指利用電阻的急劇上升來(lái)實(shí)現(xiàn)遮斷電路的功能的PTC熱敏電阻器。
[0033]本發(fā)明的PTC熱敏電阻器中，由于用作為具有正的電阻溫度特性的熱敏電阻器基體的半導(dǎo)體陶瓷在室溫附近的電阻較低、可進(jìn)行低溫動(dòng)作、且電阻溫度特性也優(yōu)異，故而可較佳地用作例如個(gè)人計(jì)算機(jī)等的保護(hù)元件。[0034]另外，根據(jù)本發(fā)明的PTC熱敏電阻器的制造方法，在使用了不含鉛的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的PTC熱敏電阻器中，可高效地制造先前難以實(shí)現(xiàn)的室溫電阻較低、且作為過(guò)熱檢測(cè)用具有充分的PTC特性的PTC熱敏電阻器。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的PTC熱敏電阻器的構(gòu)成的立體圖。
[0036]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的另一 PTC熱敏電阻器(層疊型的PTC熱敏電阻器)的構(gòu)成的剖面圖。
[0037]圖3是表示使用有本發(fā)明的PTC熱敏電阻器的溫度檢測(cè)(過(guò)熱檢測(cè))電路的圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0038]以下，表示本發(fā)明的實(shí)施方式，并進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的特征的處。
[0039][實(shí)施方式I]
[0040]圖1是表示本發(fā)明的PTC熱敏電阻器(正特性熱敏電阻器)的立體圖。
[0041]該P(yáng)TC熱敏電阻器I在半導(dǎo)體陶瓷基體(具有正的電阻溫度特性的熱敏電阻器基體)2的正面及背面設(shè)置有一對(duì)電極3a、3b。
[0042]該P(yáng)TC熱敏電阻器例如可經(jīng)過(guò)如下步驟等而制造:
[0043](a)制作未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體；
[0044](b)煅燒未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體，獲得如圖1所示那樣的半導(dǎo)體陶瓷基體2 ；
[0045](c)在半導(dǎo)體陶瓷基體2的正面及背面形成一對(duì)電極3a、3b。
[0046]構(gòu)成半導(dǎo)體陶瓷基體的陶瓷材料是含有包含Ba、T1、Sr及Ca的鈣鈦礦型化合物、Mn及半導(dǎo)體化劑的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷。
[0047]以下，對(duì)于構(gòu)成半導(dǎo)體陶瓷基體的陶瓷材料(以BaTiO3作為基本組成的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷)的各成分，與本發(fā)明的作用一起說(shuō)明含有比率限定的根據(jù)。
[0048]作為上述PTC熱敏電阻器的構(gòu)成材料的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷(以下，也僅稱(chēng)為“半導(dǎo)體陶瓷”)的主成分為鈣鈦礦型化合物是可通過(guò)例如XRD (X-ray diffraction, X射線衍射)等方法而確認(rèn)。
[0049]另外，關(guān)于鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷中的各元素的含有比，可熔解半導(dǎo)體陶瓷煅燒體并通過(guò)例如ICP(Inductively Coupled Plasma,感應(yīng)稱(chēng)合等離子)(發(fā)射光譜等離子分析法)進(jìn)行定量分析。
[0050]Sr是為了使鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的居里點(diǎn)向低溫側(cè)轉(zhuǎn)移而添加的。若其含量在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑(在該實(shí)施方式中為Er)的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Sr的含有摩爾部少于20.0(20.0mol% )，則即便調(diào)整與其他成分的關(guān)系，居里點(diǎn)的低溫化也不充分，從而不適在室溫附近的動(dòng)作。另外，若Sr的含有摩爾部超過(guò)25.0(25.0mol % )，則即便調(diào)整與其他成分的關(guān)系也產(chǎn)生明顯的比電阻增加。
[0051]Ca是為了控制鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的粒徑而添加的。若在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑(在該實(shí)施方式中為Er)的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Ca的含有摩爾部少于12.5(12.5mol% )，則即便調(diào)整與其他成分的關(guān)系也未表現(xiàn)作為本發(fā)明的效果之一的利用Ca的受體效果的電阻-溫度特性的改善。另外，若Ca的含有摩爾部超過(guò)17.5(17.5mol%),則即便調(diào)整與其他成分的關(guān)系也產(chǎn)生明顯的比電阻的增加。
[0052]稀土類(lèi)元素是主要作為半導(dǎo)體化劑而添加的，用以實(shí)現(xiàn)鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的低電阻化。其含量是因半導(dǎo)體化元素的種類(lèi)或者其他Sr或Ca元素等的含量而受到影響，大多情況下，若在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑(在該實(shí)施方式中為Er)的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的半導(dǎo)體化劑的含有摩爾部超過(guò)1.0(1.0mol%)，則產(chǎn)生明顯的比電阻(specificresistance:電阻率)的增加。
[0053]Mn元素是主要作為受體而添加的，用以改善鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的電阻-溫度特性。若在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Mn的含有摩爾部少于0.03(0.03mol% )，則電阻-溫度特性的改善并不明顯。另外，若Mn的含有摩爾部超過(guò)0.045(0.045mol% )，則產(chǎn)生明顯的比電阻的增加。
[0054]本發(fā)明取得上述效果的原因在于如下原因等:
[0055](a)根據(jù)離子半徑的關(guān)系，本來(lái)理應(yīng)置換Ba元素存在的位置的Ca元素置換Ti元素存在的位置，由此，由其電價(jià)平衡表現(xiàn)受體效果；及
[0056](b)通過(guò)進(jìn)行意圖詳細(xì)調(diào)整晶格常數(shù)的組成的設(shè)計(jì)，而形成均能夠以Ca元素自我控制地對(duì)Ba元素存在的位置與Ti元素存在的位置的哪一者進(jìn)行置換的區(qū)域，由此，抑制室溫下的電阻的明顯上升。
[0057]構(gòu)成半導(dǎo)體陶瓷基體2的半導(dǎo)體陶瓷是使用所述鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷并通過(guò)以下說(shuō)明的方法制作而成。
[0058]另外，電極3a、3b是在半導(dǎo)體陶瓷基體2的正面及背面兩主面上形成Ni層后，在Ni層的上進(jìn)而形成Ag層作為最外電極層的2層構(gòu)造的電極。
[0059]以下，對(duì)該P(yáng)TC熱敏電阻器的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
`[0060]首先，準(zhǔn)備以下原料作為半導(dǎo)體陶瓷基體2用的鈦酸鋇系半導(dǎo)體陶瓷的原料。
[0061]準(zhǔn)備BaC03、TiO2, SrCO3> CaCO3作為主成分原料，并且準(zhǔn)備Er2O3作為半導(dǎo)體化劑。
[0062]其中，作為半導(dǎo)體化劑，也可使用選自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土類(lèi)元素、或者Sb、Nb、Ta、W、Bi等5價(jià)元素的至少一種元素的氧化物來(lái)代替 Er (Er2O3)。
[0063]進(jìn)而，分別準(zhǔn)備MnCO3 (電阻-溫度系數(shù)改良劑)、SiO2 (燒結(jié)助劑)作為其他添加物。
[0064]以表1A~表1E所示的所期望的比例調(diào)合所述各原料，在聚乙烯制坩堝內(nèi)與純水及氧化鋯球一起進(jìn)行濕式粉碎混合，獲得混合物漿料。
[0065]繼而，在將所獲得的混合物漿料脫水、干燥后，以1200°C進(jìn)行預(yù)燒。
[0066]其后，混合粘合劑進(jìn)行造粒，使用所獲得的造粒粒子進(jìn)行利用單軸壓機(jī)的成形，獲得厚度2mm、直徑14mm的圓板狀的成形體。
[0067]繼而，將所獲得的成形體配置于包含以A1203、SiO2, ZrO作為主成分的材料構(gòu)成的匣缽(saggar)，在大氣中以1350°C煅燒(正式煅燒)2小時(shí)，由此，獲得半導(dǎo)體陶瓷基體(具有正的電阻溫度特性的熱敏電阻器基體)。
[0068]然后,在該半導(dǎo)體陶瓷基體的正面及背面形成一對(duì)電極(N1-Ag電極)3a、3b。
[0069]此外，N1-Ag電極3a、3b是經(jīng)由如下步驟而形成:在形成Ni層作為歐姆電極層后，在Ni層上進(jìn)而形成Ag層作為最外電極層。[0070]使用萬(wàn)用表(Agilent公司制造的334401A)對(duì)以上述方式制作的各試樣(PTC熱敏電阻器)測(cè)定室溫(25°C)下的電壓施加時(shí)的電流值，算出比電阻(P25V)。
[0071]繼而，一面在將所述各試樣放入恒溫槽的狀態(tài)下使溫度自20°C起變至250°C，一面同樣地算出比電阻，求出電阻-溫度曲線。然后，根據(jù)電阻-溫度曲線，求出比電阻成為室溫(25°C)下的比電阻的2倍的溫度(2倍點(diǎn))。此外，所謂2倍點(diǎn)是開(kāi)始表現(xiàn)PTC特性的相轉(zhuǎn)移溫度，且表示大致接近居里點(diǎn)的值。
[0072]另外，根據(jù)電阻-溫度曲線，分別求出比電阻成為室溫(25°C)處的比電阻的10倍(Rl)、100倍(R2)的溫度Tl、T2，基于下述計(jì)算式計(jì)算電阻-溫度系數(shù)α 并以此作為指標(biāo)。
[0073]α 10_10(| = {InlO X (LogR2 — LogRl) / (T2 — Tl) X 100)
[0074]進(jìn)而，通常比電阻是依指數(shù)函數(shù)變化，越是高比電阻的材料則電阻-溫度系數(shù)也越大,故而將{a K1-Kic/Log (Ρ2α)}數(shù)值化作為更高精度的電阻-溫度系數(shù)，此也成為指標(biāo)。
[0075]此外，對(duì)于各試樣，熔解正式煅燒前的造粒粒子及正式煅燒后的半導(dǎo)體陶瓷基體并進(jìn)行ICP分析，結(jié)果確認(rèn)了與表1A~表1E所示的組成大致相同。
[0076]此外，通過(guò)變更作為施主的Er的添加量而使材料(半導(dǎo)體陶瓷基體)的比電阻值較大變動(dòng)，因此，為了實(shí)現(xiàn)同一基準(zhǔn)下的比較而評(píng)價(jià)施主量不同的各種樣品，在比電阻顯示最小值的Er量(Er_Pmin)的試樣中進(jìn)行特性的比較。
[0077]將對(duì)于所述各試樣的測(cè)定結(jié)果不于表1A、表1B、表1C、表1D、表1E。
[0078]此外，在表1A~表1E中，Ba的摩爾部是在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑(在該實(shí)施方式中為Er)的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Ba的含有摩爾部的值。
[0079]另外，表1A~表1E中的Ti的摩爾部是在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Ti的含有摩爾部的值。
[0080]另外，表1A~表1E中的Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑(在該實(shí)施方式中為Er)的各自的摩爾部是在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑(在該實(shí)施方式中為Er)的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑(在該實(shí)施方式中為Er)的含有摩爾部的值。
[0081]另外，表1A~表1E中的Mn的摩爾部是在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Mn的含有摩爾部的值。
[0082]此外，由于試樣為高電阻，故而無(wú)法測(cè)定電阻-溫度特性，另外，作為其結(jié)果，對(duì)于無(wú)法求出l>1Q_1(l(l/L0g(P2a)}的試樣，在項(xiàng)目欄中記載
[0083]另外，在表1A、表1B、表1C、表1D、表1E中，對(duì)試樣編號(hào)標(biāo)注的試樣是不具備本發(fā)明要件的比較例的試樣。
[0084][表1A]
[0085]
【權(quán)利要求】
1.一種PTC熱敏電阻器，其包括半導(dǎo)體陶瓷基體和形成于所述半導(dǎo)體陶瓷基體的外表面的外部電極，所述PTC熱敏電阻器的特征在于: 所述半導(dǎo)體陶瓷基體含有鈣鈦礦型化合物、Mn及半導(dǎo)體化劑，該鈣鈦礦型化合物包含Ba、T1、Sr 及 Ca， 在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Sr的含有摩爾部a及Ca的含有摩爾部b滿足在20.0≤a≤22.5時(shí)，12.5≤b≤17.5 ;在22.5≤a≤25.0時(shí)，12.5 ≤ b ≤ 15.0, 在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Mn的含有摩爾部c滿足0.030 ≤ c ≤ 0.045。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PTC熱敏電阻器，其中， 所述半導(dǎo)體陶瓷基體具備多個(gè)半導(dǎo)體陶瓷層與多個(gè)內(nèi)部電極，且是具有將所述半導(dǎo)體陶瓷層與所述內(nèi)部電極交替地層疊而成的層疊構(gòu)造部的層疊體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的PTC熱敏電阻器，其用作過(guò)熱檢測(cè)元件。
4.一種PTC熱敏電阻器的制造方法，該P(yáng)TC熱敏電阻器具備半導(dǎo)體陶瓷基體、與形成于所述半導(dǎo)體陶瓷基體的外表面的外部電極，所述PTC熱敏電阻器的制造方法的特征在于， 包括: 制作未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體的步驟A ； 煅燒所述未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體來(lái)獲得半導(dǎo)體陶瓷基體的步驟B ;及 在所述半導(dǎo)體陶瓷基體的外表面形成外部電極的步驟C， 其中， 所述未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體含有鈣鈦礦型化合物、Mn及半導(dǎo)體化劑，該鈣鈦礦型化合物包含Ba、T1、Sr及Ca， 在將Ba、Sr、Ca及半導(dǎo)體化劑的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Sr的含有摩爾部a及Ca的含有摩爾部b滿足在20.0≤a≤22.5時(shí)，12.5≤b≤17.5，在22.5≤a≤25.0時(shí)，12.5 ≤ b ≤ 15.0, 且在將Ti及Mn的合計(jì)含有摩爾部設(shè)為100時(shí)的Mn的含有摩爾部c滿足0.030 ≤ c ≤ 0.045。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的PTC熱敏電阻器的制造方法，其中， 所述步驟A中所制作的未煅燒半導(dǎo)體陶瓷基體具有多個(gè)半導(dǎo)體陶瓷生片和多個(gè)未煅燒內(nèi)部電極圖案，且是具有將所述半導(dǎo)體陶瓷生片與所述未煅燒內(nèi)部電極圖案交替地層疊而成的層疊構(gòu)造部的未煅燒層疊體。
【文檔編號(hào)】H01C7/02GK103889926SQ201280051963
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年10月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月1日
【發(fā)明者】松永達(dá)也 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所