本發(fā)明涉及使用有機(jī)膜作為光電轉(zhuǎn)換膜的固態(tài)攝像裝置以及制造這種固態(tài)攝像裝置的方法。

背景技術(shù)：
目前提出了如下固態(tài)攝像裝置，該固態(tài)攝像裝置在透明像素電極與透明對(duì)向電極之間布置有由有機(jī)膜構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換膜。在透明對(duì)向電極上，設(shè)置有由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)層以用于阻隔水分、氣體等(例如，參見(jiàn)日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2006-245045(專利文獻(xiàn)1))。引用文獻(xiàn)列表專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)號(hào)2006-245045

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
專利文獻(xiàn)1中所描述的保護(hù)層能夠抑制水分與氣體(尤其是氧氣)從固態(tài)攝像裝置的上表面侵入。然而，在水分和氣體從諸如在切割芯片時(shí)形成的端面以及暴露結(jié)合墊(bondingpad)的開(kāi)口的側(cè)面等橫向侵入的情況下，難以通過(guò)使用專利文獻(xiàn)1中所說(shuō)明的保護(hù)層來(lái)預(yù)防這種侵入，并因此引起在由有機(jī)膜構(gòu)成的光電轉(zhuǎn)換膜的特性劣化的缺點(diǎn)。因此，期望提供能夠抑制水分與氣體從諸如芯片的端面以及結(jié)合墊上的開(kāi)口的側(cè)面等橫向侵入的固態(tài)攝像裝置，以及制造這種固態(tài)攝像裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置包括設(shè)置有有機(jī)膜的功能區(qū)域以及圍繞該功能區(qū)域的防護(hù)環(huán)。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置中，具有有機(jī)膜的功能區(qū)域被防護(hù)環(huán)圍繞。因此，通過(guò)防護(hù)環(huán)阻擋了可能從諸如芯片的端面以及結(jié)合墊上開(kāi)口的側(cè)面等橫向侵入的水分和氣體。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造固態(tài)攝像裝置的第一種方法包括下面的步驟(A)和(B)。(A)在半導(dǎo)體基底的主表面?zhèn)壬闲纬稍O(shè)置有有機(jī)膜的功能區(qū)域；以及(B)通過(guò)在所述功能區(qū)域的周圍層疊一層以上的金屬層來(lái)形成圍繞所述功能區(qū)域的防護(hù)環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造固態(tài)攝像裝置的第二種方法包括下面的步驟(A)和(B)。(A)在半導(dǎo)體基底的主表面?zhèn)壬闲纬稍O(shè)置有有機(jī)膜的功能區(qū)域，并且在所述功能區(qū)域的周圍形成絕緣膜；以及(B)通過(guò)在所述絕緣膜上設(shè)置凹槽并在所述凹槽內(nèi)部形成由金屬膜或氮化硅膜構(gòu)成的埋入層，來(lái)形成圍繞所述功能區(qū)域的防護(hù)環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造固態(tài)攝像裝置的第三種方法包括下面的步驟(A)和(B)。(A)在半導(dǎo)體基底的主表面?zhèn)壬闲纬稍O(shè)置有有機(jī)膜的功能區(qū)域，并且在所述功能區(qū)域周圍形成絕緣膜；以及(B)通過(guò)在所述絕緣膜上設(shè)置凹槽并在所述凹槽內(nèi)部包覆鈍化膜來(lái)形成圍繞所述功能區(qū)域的防護(hù)環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置，具有有機(jī)膜的功能區(qū)域被防護(hù)環(huán)圍繞。因此，能夠抑制水分與氣體從諸如芯片的端面以及結(jié)合墊上開(kāi)口的側(cè)面等橫向侵入。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造固態(tài)攝像裝置的第一種方法，通過(guò)在功能區(qū)域周圍層疊一層以上的金屬層來(lái)形成圍繞功能區(qū)域的防護(hù)環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造固態(tài)攝像裝置的第二種方法，通過(guò)在功能區(qū)域周圍的絕緣膜上設(shè)置凹槽并在凹槽內(nèi)部形成由金屬膜或氮化硅膜構(gòu)成的埋入層來(lái)形成圍繞功能區(qū)域的防護(hù)環(huán)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造固態(tài)攝像裝置的第三種方法，通過(guò)在功能區(qū)域周圍的絕緣膜上設(shè)置凹槽并在凹槽內(nèi)部包覆鈍化膜來(lái)形成圍繞功能區(qū)域的防護(hù)環(huán)。因此，能夠容易地制造上述的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置。附圖說(shuō)明圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造的示意性平面圖。圖2是圖1所示的固態(tài)攝像裝置的沿線II-II的剖面視圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造的剖面視圖。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造的剖面視圖。圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造的剖面視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造的剖面視圖。圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造的剖面視圖。圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的構(gòu)造的剖面視圖。圖9是示出了圖2所示的固態(tài)攝像裝置的變形例的剖面視圖。圖10是示出了圖1所示的固態(tài)攝像裝置的另一變形例的示意性平面圖。具體實(shí)施方式在下文中，參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的一些實(shí)施例。注意，以下面給出的順序來(lái)提供說(shuō)明。1.第一實(shí)施例(將第一防護(hù)環(huán)設(shè)置在圍繞功能區(qū)域并且不包括開(kāi)口的區(qū)域處的示例，以及通過(guò)在功能區(qū)域周圍層疊一層以上的金屬層來(lái)形成防護(hù)環(huán)的示例)2.第二實(shí)施例(通過(guò)在功能區(qū)域周圍的絕緣膜上設(shè)置凹槽并在凹槽內(nèi)形成由金屬膜或氮化硅膜構(gòu)成的埋入層來(lái)形成防護(hù)環(huán)的示例)3.第三實(shí)施例(通過(guò)在功能區(qū)域周圍的絕緣膜上設(shè)置凹槽并在凹槽內(nèi)部包覆鈍化膜來(lái)形成防護(hù)環(huán)的示例)4.第四實(shí)施例(設(shè)置圍繞開(kāi)口的第二防護(hù)環(huán)以及沿芯片的外周的第三防護(hù)環(huán)的示例)5.第五實(shí)施例(將所有的第一防護(hù)環(huán)、第二防護(hù)環(huán)以及第三防護(hù)環(huán)組合地使用的示例)6.第六實(shí)施例(將第二防護(hù)環(huán)設(shè)置成跨越多個(gè)開(kāi)口的示例)7.第七實(shí)施例(下部透明電極與結(jié)合墊之間的連接構(gòu)造的示例)8.變形例1.第一實(shí)施例圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的芯片(即，固態(tài)攝像裝置)的平面構(gòu)造。圖2示出了圖1所示的固態(tài)攝像裝置的沿II-II線的剖面構(gòu)造。固態(tài)攝像裝置1用于諸如照相機(jī)之類的電子設(shè)備，并且在矩形芯片10的中央具有執(zhí)行光電轉(zhuǎn)換的功能區(qū)域(光電轉(zhuǎn)換區(qū)域)11。在功能區(qū)域11處，設(shè)置有作為光電轉(zhuǎn)換膜的有機(jī)膜11A，并且多個(gè)像素布置成矩陣模式，其中每個(gè)像素由具有該有機(jī)膜11A的固態(tài)攝像元件構(gòu)成。在功能區(qū)域11的周圍的外圍區(qū)域12中，以圍繞功能區(qū)域11的方式布置有多個(gè)結(jié)合墊13。在這些結(jié)合墊13中的每者上設(shè)置有開(kāi)口14。有機(jī)膜11A由有機(jī)光電轉(zhuǎn)換膜構(gòu)成。執(zhí)行綠色波長(zhǎng)的光的光電轉(zhuǎn)換的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換膜可由包括例如羅丹明類顏料(rhodamine-basedpigment)、部花青類顏料(melacyanine-basedpigment)以及二羥基喹啉并吖啶(quinacridone)等的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成。執(zhí)行紅色波長(zhǎng)的光的光電轉(zhuǎn)換的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換膜可由包括例如酞化青染料類顏料(phthalocyanine-basedpigment)的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成。執(zhí)行藍(lán)色波長(zhǎng)的光的光電轉(zhuǎn)換的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換膜可由包括例如香豆素類顏料(coumarine-basedpigment)、三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinolinealuminum(Alq3))以及部花青類顏料(melacyanine-basedpigment)等的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成。有機(jī)膜11A設(shè)置在下部透明電極(像素電極)11B與上部透明電極(對(duì)向電極)11C之間。下部透明電極11B相對(duì)于功能區(qū)域11內(nèi)部的多個(gè)像素中的每者被分割。圖2示出了對(duì)應(yīng)于三個(gè)像素的下部透明電極11B。然而，自然地，可以視情況任意設(shè)定像素的數(shù)量。下部透明電極11B經(jīng)由圖中未示出的配線與結(jié)合墊13連接。通過(guò)選取第七實(shí)施例中的示例來(lái)說(shuō)明下部透明電極11B與結(jié)合墊13之間的連接。上部透明電極11C是功能區(qū)域11內(nèi)的所有的多個(gè)像素的公共電極。下部透明電極11B以及上部透明電極11C中的每者可以由諸如ITO(銦錫氧化物)之類的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。功能區(qū)域11設(shè)置在諸如硅(Si)基底之類的半導(dǎo)體基底21的主表面(光入射面)側(cè)。在功能區(qū)域11的周邊區(qū)域(側(cè)邊以及下側(cè))中，設(shè)置有均由氧化硅(SiO2)膜構(gòu)成的絕緣膜22A、22B以及22C(以下統(tǒng)稱絕緣膜22)。芯片10的上表面(更具體地，功能區(qū)域11的上表面以及絕緣膜22的上表面)的整個(gè)區(qū)域被鈍化膜30覆蓋。鈍化膜30具有用于防止水分和氣體從芯片10的上表面侵入功能區(qū)域11的保護(hù)膜的功能，并且期望地，鈍化膜30可由不能透過(guò)水分和氧氣的材料膜構(gòu)成。具體而言，鈍化膜30期望地可由氮化硅膜、氮氧化硅膜或氧化鋁膜構(gòu)成?？蛇x地，鈍化膜30期望地可由通過(guò)層疊氮化硅膜、氮氧化硅膜或氧化鋁膜而形成的層疊膜構(gòu)成。另一方面，通過(guò)切割來(lái)形成芯片10的四個(gè)端面10A，并且絕緣膜22等的切割面暴露于端面上。另外，在圖1所示的開(kāi)口14的側(cè)面上也同樣暴露了絕緣膜22的切割面。相應(yīng)地，固態(tài)攝像裝置1具有圍繞功能區(qū)域11的防護(hù)環(huán)40。更具體地，防護(hù)環(huán)40由不能透過(guò)水和氧氣的材料膜構(gòu)成。因此，在固態(tài)攝像裝置1中，能夠阻擋水分和氣體從諸如芯片10的端面10A以及從結(jié)合墊13上的開(kāi)口14的側(cè)面等橫向侵入的任何路徑，并且能夠防止水分與氣體侵入到功能區(qū)域11。期望地，防護(hù)環(huán)40的平面形狀可以包括設(shè)置在圍繞功能區(qū)域11且不包括開(kāi)口14的區(qū)域處的第一防護(hù)環(huán)41。換言之，第一防護(hù)環(huán)41期望地可以布置在功能區(qū)域11的外側(cè)以及開(kāi)口14的內(nèi)側(cè)。這是因?yàn)楫?dāng)開(kāi)口14被置于由第一防護(hù)環(huán)41所圍繞的區(qū)域內(nèi)時(shí)，可能形成從開(kāi)口14的側(cè)面到達(dá)功能區(qū)域11的水分與氣體的侵入路徑。更具體地，如圖1所示，第一防護(hù)環(huán)41沿著功能區(qū)域11的可見(jiàn)外輪廓線布置成不包括開(kāi)口14。注意，防護(hù)環(huán)40的平面形狀并不限于圖1所示的矩形，并且根據(jù)功能區(qū)域11與開(kāi)口14的形狀和布置，防護(hù)環(huán)40可以具有多種形式。防護(hù)環(huán)40的平面形狀的可能示例可以包括多邊形、圓形、橢圓形、諸如帶有圓角的矩形等其他包括曲線的形狀以及其他未定義的形狀。期望地，防護(hù)環(huán)40的剖面構(gòu)造可以具有如下構(gòu)造，在該構(gòu)造中，在半導(dǎo)體基底21的主表面?zhèn)壬?，一層以上的金屬層層疊在功能區(qū)域11周圍。更具體地，例如，如圖2所示，防護(hù)環(huán)40可以具有通過(guò)垂直層疊四層金屬層(這四層金屬層從半導(dǎo)體基底21起依次包括第一金屬塞40A、第一金屬線40B、第二金屬塞40C以及第二金屬線40D)而形成的構(gòu)造。可以通過(guò)如下方式來(lái)形成這些金屬層：利用諸如用于實(shí)現(xiàn)下部透明電極11B與半導(dǎo)體基底21之間的連接的塞(圖中未示出)之類的原本就設(shè)置在固態(tài)攝像裝置1上的已有金屬配線層以及用于向下部透明電極11B和上部透明電極11C施加電壓的配線(圖中未示出)，并與已有金屬配線層同樣地在相同的層上使用相同的處理。期望地，構(gòu)成防護(hù)環(huán)40的每個(gè)金屬層可以例如由鋁、鎢、鈦、鉬、鉭或銅構(gòu)成，或者由鋁、鎢、鈦、鉬、鉭或銅的合金膜構(gòu)成，或者由鋁、鎢、鈦、鉬、鉭或銅的含硅金屬膜或含氧金屬膜構(gòu)成。上述的含硅金屬膜的示例可以包括含硅的鋁(AlSi)、硅化鎢(WSix)以及硅化鈦(TiSix)。上述含氧金屬膜的示例可以包括氧化鋁(Al2O3)膜。期望地，構(gòu)成防護(hù)環(huán)40的最下部金屬層(即，圖2中的第一金屬塞40A)可與半導(dǎo)體基底21相連接。這是因?yàn)槟軌虮厝坏刈钃跛值鹊那秩搿Ｆ谕?，鈍化膜30可直接包覆在構(gòu)成防護(hù)環(huán)40(即，圖2中的第二金屬線40D)的最上部金屬層的正上方。這是因?yàn)楫?dāng)諸如絕緣膜22之類的氧化硅膜置于鈍化膜30與防護(hù)環(huán)40之間時(shí)，可以經(jīng)由此氧化硅膜形成水分等的侵入路徑。注意，如果防護(hù)環(huán)40由與有機(jī)膜11A位于相同的層上的至少一層構(gòu)成(在有機(jī)膜11A旁邊緊挨著)，那么能夠防止水分和氣體侵入有機(jī)膜11A。然而，如上所述，期望地，防護(hù)環(huán)40可具有通過(guò)層疊一層以上的金屬層而成的構(gòu)造。構(gòu)成絕緣膜22的氧化硅膜易于使水分等從中透過(guò)，并且因此防護(hù)環(huán)40的層疊結(jié)構(gòu)能夠必然地抑制水分等經(jīng)由絕緣膜22傳播。此外，防護(hù)環(huán)40的層疊結(jié)構(gòu)能夠減小芯片10的上表面上的凹凸不平(unevenness)或水平差(leveldifference)，并且能夠促進(jìn)隨后的制造過(guò)程(平坦化膜的形成以及片上透鏡和濾色器的形成)。例如，能夠以下面的方式來(lái)制造固態(tài)攝像裝置1。首先，在半導(dǎo)體基底21上形成由上述材料制成的絕緣膜22A。在絕緣膜22A上設(shè)置開(kāi)口，并且在上述開(kāi)口內(nèi)形成與防護(hù)環(huán)40的最下部層相對(duì)應(yīng)的第一金屬塞40A。同時(shí)，如果需要，可形成未在圖中示出的金屬塞或金屬線。接著，在絕緣膜22A上形成由上述材料制成的絕緣膜22B。在絕緣膜22B上設(shè)置有開(kāi)口，并且在第一金屬塞40A上堆疊與防護(hù)環(huán)40的第二層的相對(duì)應(yīng)第一金屬線40B。同時(shí)，如果需要，可形成未在圖中示出的金屬塞或金屬線。隨后，在絕緣膜22B上形成由上述材料制成的下部透明電極11B。其后，在下部透明電極11B的間隙以及周邊區(qū)域處形成由上述材料制成的絕緣膜22C。在絕緣膜22C上設(shè)置開(kāi)口，并且在第一金屬線40B上堆疊與防護(hù)環(huán)40的第三層相對(duì)應(yīng)的第二金屬塞40C。同時(shí)，如果需要，可形成未在圖中示出的金屬塞或金屬線。其后，在下部透明電極11B上形成有機(jī)膜11A以及上部透明電極11C。以這種方式，形成了具有下部透明電極11B、上部透明電極11C以及設(shè)置于兩個(gè)電極中間的有機(jī)膜11A的功能區(qū)域11。此外，在第二金屬塞40C上堆疊與防護(hù)環(huán)40的最上層相對(duì)應(yīng)的第二金屬線40D。以這種方式，在功能區(qū)域11的周圍形成了堆疊有四層金屬層的防護(hù)環(huán)40。同時(shí)，如果需要，可形成未在圖中示出的金屬塞或金屬線。然后，在功能區(qū)域11的上表面以及絕緣膜22的上表面的整個(gè)區(qū)域上形成由上述材料制成的鈍化膜30。此時(shí)，鈍化膜30期望地可以包覆在構(gòu)成防護(hù)環(huán)的最上部金屬層(即，圖2中的第二金屬線40D)的正上方。此外，在功能區(qū)域11周圍形成未在圖中示出的結(jié)合墊13。將開(kāi)口14設(shè)置在半導(dǎo)體基底21或絕緣膜22上的均面向結(jié)合墊13的位置處，并且每個(gè)結(jié)合墊13在開(kāi)口14的底部暴露。到現(xiàn)在為止所說(shuō)明的這些步驟完成了圖1和圖2所示的固態(tài)攝像裝置1。在固態(tài)攝像裝置1中，在光入射到有機(jī)膜11A中時(shí)，產(chǎn)生電荷。將預(yù)設(shè)的電壓施加到下部透明電極11B與上部透明電極11C之間，并且在下部透明電極11B上通過(guò)由該電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)來(lái)收集信號(hào)電荷，信號(hào)電荷進(jìn)一步被傳輸?shù)轿丛趫D中示出的電荷輸出部，并然后經(jīng)由未在圖中示出的多層式配線以及結(jié)合墊13被輸出到芯片10的外部。這里，以圍繞具有有機(jī)膜11A的功能區(qū)域11的方式來(lái)設(shè)置防護(hù)環(huán)40。防護(hù)環(huán)40包括設(shè)置在圍繞功能區(qū)域11但不包括開(kāi)口14的區(qū)域處的第一防護(hù)環(huán)41。通過(guò)第一防護(hù)環(huán)41的使用，阻斷了水分與氣體從芯片10的端面10A以及結(jié)合墊13上的開(kāi)口14的側(cè)面經(jīng)由絕緣膜22等可從橫向到達(dá)功能區(qū)域11的侵入路徑。因此，防護(hù)環(huán)40阻擋了任何可能從諸如芯片10的端面10A以及結(jié)合墊13上的開(kāi)口14的側(cè)面橫向侵入的水分與氣體，以抑制有機(jī)膜11A在特性上的劣化。如上所述，在本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例中，具有有機(jī)膜11A的功能區(qū)域11被防護(hù)環(huán)40圍繞，并由此能夠抑制水分與氣體從諸如芯片10的端面10A以及結(jié)合墊13上的開(kāi)口14等的側(cè)面橫向侵入。此外，以如下方式來(lái)構(gòu)造防護(hù)環(huán)40，即，在功能區(qū)域11周圍層疊一層以上的金屬層(金屬塞40A和40C以及金屬線40B和40D)，并因此能夠通過(guò)利用原本就設(shè)置在固態(tài)攝像裝置1上的已有金屬配線層來(lái)形成防護(hù)環(huán)40，并且能夠容易地制造根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置1。注意，在本發(fā)明的上述實(shí)施例中，作為防護(hù)環(huán)40的剖面構(gòu)造，對(duì)如下情況進(jìn)行了說(shuō)明：使用兩層的金屬塞40A以及40C將兩層的金屬線40B和40D連接到半導(dǎo)體基底21。然而，自然地，構(gòu)成防護(hù)環(huán)40的金屬層的數(shù)目可以根據(jù)設(shè)置在固態(tài)攝像裝置1上的金屬配線層的數(shù)目改變。此外，并不一定必須使用所有的設(shè)置在固態(tài)攝像裝置1上的金屬塞和金屬配線層來(lái)構(gòu)造防護(hù)環(huán)40，并且能夠使用任意配線層來(lái)構(gòu)造防護(hù)環(huán)40。2.第二實(shí)施例圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置的剖面構(gòu)造。固態(tài)攝像裝置1A在防護(hù)環(huán)40的剖面構(gòu)造上不同于根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)攝像裝置1。更具體地，防護(hù)環(huán)40由埋入到凹槽23(其設(shè)置在絕緣膜22上)內(nèi)的埋入層40E構(gòu)成。通過(guò)以這種方式設(shè)置用作防護(hù)環(huán)40的埋入層40E，能夠不受任何限制地設(shè)定埋入層40E的材料以及厚度。特別地，這對(duì)于僅通過(guò)由諸如ITO之類的不具有抑制水分和氣體的滲透的功能的材料制成的透明電極層來(lái)形成配線層的情況可能更適合。期望地，構(gòu)成防護(hù)環(huán)40的埋入層40E可以由金屬膜或氮化硅膜構(gòu)成。此外，金屬膜期望地可以例如由鋁、鎢、鈦、鉬、鉭或銅構(gòu)成，或者由鋁、鎢、鈦、鉬、鉭或銅的合金膜構(gòu)成，或者由鋁、鎢、鈦、鉬、鉭或銅的含硅金屬膜或含氧金屬膜構(gòu)成。上述含硅金屬膜的示例可以包括含硅的鋁(AlSi)、硅化鎢(WSix)以及硅化鈦(TiSix)。上述含氧金屬膜的示例可以包括氧化鋁(Al2O3)膜。期望地，凹槽23可到達(dá)半導(dǎo)體基底21。原因在于，這能夠必然地阻擋水分等的侵入。期望地，鈍化膜30可以直接地包覆在構(gòu)成防護(hù)環(huán)40的埋入層40E的正上方。這是因?yàn)楫?dāng)諸如絕緣層22之類的氧化硅膜設(shè)置在鈍化膜30與埋入層40E之間時(shí)，可以經(jīng)由此氧化硅膜形成水分等的侵入路徑。例如，能夠以下面的方式來(lái)制造固態(tài)攝像裝置1A。首先，在半導(dǎo)體基底21上形成均由上述材料制成的絕緣膜22A以及絕緣膜22B。同時(shí)，如果需要，可形成未在圖中示出的金屬塞或金屬線。隨后，在絕緣膜22B上形成由上述材料制成的下部透明電極11B。其后，在下部透明電極11B的間隙及周邊區(qū)域處形成由上述材料制成的絕緣膜22C。其后，在下部透明電極11B上形成有機(jī)膜11A以及上部透明電極11C。以這種方式，形成了具有下部透明電極11B以及上部透明電極11C以及在這兩個(gè)電極之間設(shè)置的有機(jī)膜11A的功能區(qū)域11。在形成功能區(qū)域11之后，在包覆鈍化膜30之前在絕緣膜22上設(shè)置凹槽23，并且將由上述材料制成的埋入層40E埋入到凹槽23的內(nèi)部。以這種方式，在功能區(qū)域11周...