層疊體及層疊體的制造方法
層疊體及層疊體的制造方法
【專利摘要】一種層疊體(2)，具有：防反射結(jié)構(gòu)體(10)，其表面具有周期性的凹凸部(20)；以及透明導(dǎo)電膜(30)，其形成在凹凸部(20)上，其中，除最外側(cè)的凸部(21)以外的任意的凸部(21－1)與距任意的凸部(21－1)的距離的合計最短的6個凸部(21－2～21－7)配置為：(1)在6個凸部(21－2～21－7)中的4個凸部(21－2、21－3、21－5、21－6)的每一者與任意的凸部(21－1)之間存在有連結(jié)部(23)，該連結(jié)部(23)在比凸部(21)的頂點(21a)低且比凹部(22)的底點(22a)高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在6個凸部(21－2～21－7)中的剩余的兩個凸部(21－4、21－7)的每一者與任意的凸部(21－1)之間存在有凹部(22)。
【專利說明】層疊體及層疊體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊體及層疊體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，面向液晶顯示器(IXD)等顯示裝置、太陽能電池開發(fā)了一種表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體(例如，參照專利文獻I)。防反射結(jié)構(gòu)體是所謂的蛾眼(MothEye)型，凸部的間距為可見光的波長以下，因此能夠在較大的波長范圍內(nèi)減少光反射率并提高透光率。在該防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而成的層疊體被用于例如阻抗膜式、電容式的觸摸面板等。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻_4] 專利文獻
[0005]專利文獻1:國際公開第2011/027909號小冊子
【發(fā)明內(nèi)容】
_6] 發(fā)明要解決的問題
[0007]以往的防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部具有在平面上排列有多個錐狀的突起部的構(gòu)造。為了提高突起部的填充率，突起部呈六方格子狀地或四方格子狀地周期性配置。為了進一步提高突起部的填充率，有時配置為突起部的下部彼此重疊。
[0008]若突起部的下部彼此重疊，則凸部的頂點與凹部的底點之間的高低差變小，因此無法獲得充分的低反射率。
[0009]另外，為了獲得充分的低反射率，若將凸部的頂點與凹部的底點之間的高低差設(shè)定得較大，則突起部的側(cè)面變陡急，因此形成在突起部的側(cè)面上的透明導(dǎo)電膜的厚度易于變薄，有時導(dǎo)電性降低。因此，在以往的構(gòu)造中，難以同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0010]本發(fā)明是鑒于上述問題而做成的，其目的在于提供低反射性和高導(dǎo)電性優(yōu)異的層疊體及層疊體的制造方法。
[0011]用于解決問題的方案
[0012]為了解決上述目的，本發(fā)明的一技術(shù)方案的層疊體的特征在于，該層疊體具有:
[0013]防反射結(jié)構(gòu)體，其表面具有周期性的凹凸部；以及
[0014]透明導(dǎo)電膜，其形成在上述凹凸部上，
[0015]除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(I)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
[0016]而且，本發(fā)明的其他技術(shù)方案的層疊體的制造方法的特征在于，該層疊體的制造方法具有以下工序:
[0017]使用表面具有周期性的凹凸部的原模制造表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體的工序；以及
[0018]在上述防反射結(jié)構(gòu)體的上述凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜的工序，
[0019]在上述原模中，除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(I)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
[0020]發(fā)明的效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，提供低反射性、耐擦傷性以及高導(dǎo)電性優(yōu)異的層疊體及層疊體的制造方法。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1是表示本發(fā)明的第I實施方式的層疊體的一部分的立體圖。
[0023]圖2是表示圖1的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。
[0024]圖3是示意性表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其I)。
[0025]圖4是表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。
[0026]圖5是示意性表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其2)。
[0027]圖6是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其I)。
[0028]圖7是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其2)。
[0029]圖8是示意性表示圖6的原模的表面的凹凸的俯視圖。
[0030]圖9是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其3)。
[0031]圖10是表示本發(fā)明的第2實施方式的層疊體的一部分的立體圖。
[0032]圖11是表示圖10的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。
[0033]圖12是示意性表示圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖。
[0034]圖13是表示圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。
[0035]圖14是表示使用了層疊體的顯示裝置的一例的剖視圖。
[0036]圖15是表示使用了層疊體的照明裝置的一例的剖視圖。
[0037]圖16是表示使用了層疊體的太陽能電池的一例的剖視圖。
[0038]圖17是表示比較例I的分析模型的制作方法的說明圖。
[0039]圖18是表示實施例1和比較例I的表面電阻率的測量結(jié)果的圖。
[0040]圖19是表示實施例1和比較例I的反射率的測量結(jié)果的圖。
【具體實施方式】
[0041]以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】用于實施本發(fā)明的方式。在各個附圖中，對相同或?qū)?yīng)的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同或?qū)?yīng)的附圖標(biāo)記并省略說明。
[0042][第I實施方式]
[0043]圖1是表示本發(fā)明的第I實施方式的層疊體的一部分的立體圖。在圖1中，為了表現(xiàn)層置體的表面的凹凸，用細(xì)線表不等聞線。
[0044]層疊體2包括表面具有周期性的凹凸部20的防反射結(jié)構(gòu)體10和形成在凹凸部20上的透明導(dǎo)電膜30。透明導(dǎo)電膜30的表面形狀為模仿凹凸部20的形狀。在凹凸部20與透明導(dǎo)電膜30之間，為了降低阻力，也可以形成有未圖示的金屬膜。從透光率的觀點考慮，金屬膜的厚度也可以為IOnm以下。該層疊體2例如用于阻抗膜式、電容式的觸摸面板等。
[0045]圖2是表示圖1的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。在圖2中，為了表現(xiàn)防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸，用細(xì)線表示等高線。圖3是示意性表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其I)。圖3的㈧表示連結(jié)凸部的頂點的格子的排列，圖3的⑶表示圖3的(A)的一部分。在圖3中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表示凸部和連結(jié)部，用黑圓表示凸部的頂點，用白圓表示凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凸部的頂點的格子。圖4是表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。圖4的(A)表示沿著圖3的A — A線的截面上的凹凸，圖4的(B)表示沿著圖3的B— B線的截面上的凹凸，圖4的(C)表示沿著圖3的C一C線的截面上的凹凸，圖4的(D)表示沿著圖3的D — D線的截面上的凹凸。
[0046]防反射結(jié)構(gòu)體10是所謂的蛾眼型，如圖2所示，由基體12和形成在基體12上的樹脂層14構(gòu)成?；w12和樹脂層14也可以具有透光性。在樹脂層14的表面形成有周期性的凹凸部20。另外，防反射結(jié)構(gòu)體10也可以僅由樹脂層14構(gòu)成。
[0047]基體12形成為例如片狀、板狀或塊狀。基體12的材料并不特別限定，例如使用玻璃或塑料等。
[0048]作為玻璃，例如使用鈉鈣玻璃、無堿玻璃、石英玻璃等。作為玻璃的成形方法，例如使用浮法、熔融法等。
[0049]作為塑料，例如優(yōu)選為:聚甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸甲酯與其他(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯等這樣的乙烯基單體的共聚物等(甲基)丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯、二甘醇雙烯丙基碳酸酯(CR-39)等聚碳酸酯系樹脂；(溴化)雙酚A型的二(甲基)丙烯酸酯的均聚物和/或共聚物、(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的氨基甲酸酯改性單體的聚合物以及共聚物等這樣的熱固化性(甲基)丙烯酸系樹脂；聚酯，特別是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不飽和聚酯；丙烯腈-苯乙烯共聚物；聚氯乙烯；聚氨酯；環(huán)氧樹脂；聚芳酯；聚醚砜；聚醚酮；環(huán)烯烴聚合物(商品名:ART0N、ZE0N0R)等。另外，也能夠使用考慮了耐熱性的芳綸系樹脂。
[0050]樹脂層14是例如在基體12上涂敷熱固化性或光固化性的樹脂并進行固化而成的。在樹脂層14的表面形成有凹凸部20。
[0051]如圖2和圖3所示，凹凸部20具有凸部21、凹部22以及在比凸部21的頂點21a低且比凹部22的底點22a高的位置連結(jié)規(guī)定的凸部21彼此的連結(jié)部23。多個凸部21、多個凹部22以及多個連結(jié)部23 二維排列。
[0052]凸部21呈例如正六方格子狀、準(zhǔn)六方格子狀、正四方格子狀或者準(zhǔn)四方格子狀(在圖2和圖3中為正六方格子狀)地周期性配置。為了提高凸部21的填充率，優(yōu)選的是，凸部21呈六方格子狀地周期性配置。以下，說明凸部21呈六方格子狀地周期性配置的情況。另外，在第2實施方式中說明凸部21呈四方格子狀地周期性配置的情況。
[0053]如圖3所示，“呈正六方格子狀地周期性配置”是指在除最外側(cè)的凸部21以外的任意的凸部21 -1的周圍配置有距該任意的凸部21 -1的距離最短且相等的6個凸部21 -2?21 —7。6個凸部21 — 2?21 — 7的頂點以凸部21 — I的頂點為中心隔開60°間隔地等間距配置，構(gòu)成正六邊形狀的格子。[0054]“呈準(zhǔn)六方格子狀地周期性配置”是指呈以正六方格子為準(zhǔn)的形狀周期性配置。以正六方格子為準(zhǔn)的形狀是將正六邊形狀的格子向規(guī)定的方向拉伸后的形狀等使正六邊形狀的格子變形后的形狀。使正六邊形狀的格子變形后的形狀的格子也可以呈直線形狀、曲線形狀或蜿蜒形狀連續(xù)地排列。
[0055]在本實施方式中，如圖3所示，除最外側(cè)的凸部21以外的任意的凸部21 — I與距該凸部21 -1的距離的合計(和)最短的6個凸部21 — 2?21 — 7配置為滿足下述條件⑴和⑵。
[0056](I)在 6 個凸部 21 — 2 ?21 — 7 中的 4 個凸部 21 — 2、21 — 3、21 — 5、21 — 6
的每一者與凸部21 -1之間存在有連結(jié)部23。
[0057](2)在6個凸部21 — 2?21 — 7中的剩余的兩個凸部21 — 4、21 — 7的每一者與凸部21 -1之間存在有凹部22。
[0058]“距離”是指凸部21的頂點21a彼此之間的距離。在具有多個距離的合計最短的6個凸部的組合的情況下，對于所有的組合，上述條件⑴和(2)都成立。另外，在本實施方式中，距離的合計最短的6個凸部的組合僅為I個。
[0059]在上述條件(I)和(2)成立的情況下，沿著以圖3所示的任意的凸部21 — I為中心交叉的3個方向中的、兩個方向(Fl方向和F2方向)交替配置有凸部21與連結(jié)部23，沿著剩余的一個方向(F3方向)交替配置有凸部21與凹部22。在Fl方向、F2方向以及F3上隔開間隔排列的凸部21的間距Pl(參照圖4的㈧和圖4的(B))也可以設(shè)定為可見光的波長以下的長度。在與F3方向垂直的方向上隔開間隔排列的凸部21的間距P2(參照圖4的(C))大于間距P1。沿著與Fl方向平行的方向交替配置有凹部22與連結(jié)部23(參照圖3和圖4的(D))。
[0060]這樣，凸部21和凹部22交替配置的方向與凸部21和連結(jié)部23交替配置的方向不同。因此，能夠獨立地設(shè)計凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的高低差Hl (參照圖4的(B))和凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a(參照圖2)之間的高低差H2(參照圖4的(A))。因而，能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化。在此，連結(jié)部23的規(guī)定部分23a是凸部21的頂點21a彼此之間的最低的部分，且是凹部22的底點22a彼此之間的最聞的部分。
[0061]為了高低差Hl與高低差H2的最優(yōu)化，首先，可以設(shè)定間距Pl的范圍。由于間距Pl如上所述設(shè)定為可見光的波長以下的長度，因此可以為例如400nm以下(優(yōu)選為300nm以下)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，間距Pl可以為例如50nm以上(優(yōu)選為IOOnm以上)。因而，間距Pl可以為50nm?400nm。
[0062]接著，設(shè)定凹凸部20的高寬比的范圍。凹凸部20的高寬比用凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的高低差Hl和凸部21的間距Pl之比H1/P1來表示。從防反射結(jié)構(gòu)體10的低反射性的觀點考慮，高寬比H1/P1例如為0.5以上(優(yōu)選為0.7以上，更優(yōu)選為I以上)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，高寬比H1/P1例如為4以下(優(yōu)選為3以下，更優(yōu)選為2以下)。另外，在凸部21的Fl方向上的間距、凸部21的F2方向上的間距以及凸部21的F3方向上的間距不同的情況下，用最短的間距求出高寬比。由于高寬比H1/P1為0.5?4，因此高低差Hl例如也可以為IOOnm?500nm。
[0063]接著，設(shè)定高低差Hl與高低差H2之比H2/H1。比H2/H1越大，連結(jié)部23的規(guī)定部分23a的高度越低，因此防反射結(jié)構(gòu)體10的低反射性越好。比H2/H1例如為0.1以上(優(yōu)選為0.2以上，更優(yōu)選為0.3以上)。另一方面，比H2/H1越小，后面詳細(xì)說明，在凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a之間，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜30的厚度越厚，因此電流越易于流動。比H2/H1例如為0.9以下(優(yōu)選為0.7以下，更優(yōu)選為0.5以下)。由于比H2/H1為0.1?0.9，因此高低差H2例如也可以為30nm?300nm。
[0064]在本實施方式中，由于能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化，因此能夠獨立地使高寬比H1/P1和比H2/H1最優(yōu)化，能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0065]間距P1、高低差H1、高低差H2等根據(jù)在透明導(dǎo)電膜30成膜之前利用原子力顯微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)拍攝的AFM圖像及其截面輪廓圖(7°口7 了 -1 >)來求出。
[0066]另外，在本實施方式中，沿著作為直線方向的Fl方向和F2方向交替排列有凸部21與連結(jié)部23，沿著作為直線方向的F3方向交替排列有凸部21與凹部22，但是只要上述條件(I)和(2)成立，本發(fā)明就不限定于此。例如，在將六邊形狀的格子排列為彎曲狀的情況下，也可以沿著規(guī)定的曲線方向交替排列有凸部21與連結(jié)部23。
[0067]另外，在本實施方式中，著眼于凸部21的配置，但是也可以著眼于凹部22的配置。
[0068]圖5是不意性表不圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其2)。圖5的
(A)表示連結(jié)凹部的底點的格子的排列，圖5的⑶表示圖5的㈧的一部分。在圖5中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表示凸部和連結(jié)部，用黑圓表示凸部的頂點，用白圓表示凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凹部的底點的格子。
[0069]如圖5所示，除最外側(cè)的凹部22以外的任意的凹部22 — I與距該凹部22 — I的距離的合計(和)最短的6個凹部22 — 2?22 — 7配置為滿足下述條件(3)和⑷。
[0070](3)在 6 個凹部 22 — 2 ?22 — 7 中的 4 個凹部 22 — 2、22 — 3、22 — 5、22 — 6的每一者與凹部22 -1之間存在有連結(jié)部23。
[0071](4)在6個凹部22 — 2?22 — 7中的剩余的兩個凹部22 — 4、22 — 7的每一者與凹部22 -1之間存在有凸部21。
[0072]“距離”是凹部22的底點22a彼此之間的距離。在具有多個距離的合計最短的6個凹部22的組合的情況下，對于所有的組合，上述條件(3)和⑷都成立。在本實施方式中，距離的合計最短的6個凹部22的組合僅為I個。
[0073]透明導(dǎo)電膜30形成在防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20上。透明導(dǎo)電膜30的表面形狀為模仿凹凸部20的形狀，與凹凸部20的表面形狀大致相同。
[0074]透明導(dǎo)電膜30的平均厚度越厚，透明導(dǎo)電膜30的導(dǎo)電性越高。若透明導(dǎo)電膜30的平均厚度過厚，則光的反射率有可能上升。透明導(dǎo)電膜30的平均厚度例如為IOnm?150nm,優(yōu)選為30nm?IOOnm,更優(yōu)選為50nm?80nm。
[0075]透明導(dǎo)電膜30的厚度在傾斜較緩的部分變厚，在傾斜較陡的部分變薄。透明導(dǎo)電膜30的厚度在凸部21的頂點21a最厚，在凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的部分最薄。
[0076]在凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間，高低差Hl (參照圖4的(B))越小，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜30的厚度越厚，因此電越易于流動。另一方面，若高低差Hl過小，則無法獲得充分的低反射性。[0077]另外，在連結(jié)部23的規(guī)定部分23a，與凸部21的頂點21a相同地傾斜較緩，因此透明導(dǎo)電膜30的厚度較厚。因此，電流易于沿著凸部21與連結(jié)部23交替排列的Fl方向和F2方向呈網(wǎng)狀流動。在凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a之間，高低差H2 (參照圖4的(A))越小(S卩，H2/H1越小)，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜30的厚度越厚，因此電流越易于流動。
[0078]在本實施方式中，如上所述，由于能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0079]作為透明導(dǎo)電膜30的材料，例如使用ITO(In2O3-SnC)2:銦錫氧化物)、SnO2(氧化錫)、IZO (In2O3-ZnO:銦鋅氧化物)、AZO (鋁摻雜氧化鋅)、FTO (氟摻雜氧化錫)、GZ0 (鎵摻
雜氧化鋅)等。
[0080]圖6和圖7是本發(fā)明的第I實施方式的層疊體的制造方法的說明圖(其I)和(其2)。圖6表示使用原模制作印模的第I工序，圖7表示使用印模制作防反射結(jié)構(gòu)體(即，仿形品)的第2工序。
[0081]層疊體的制造方法具有使用表面具有周期性的凹凸部60的原模50制造表面具有周期性的凹凸部20的防反射結(jié)構(gòu)體10的工序。該工序例如具有制作表面具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部80的印模70的第I工序和制作表面具有使印模70的凹凸部80的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部20的防反射結(jié)構(gòu)體10的第2工序。原模50能夠在第I工序中重復(fù)使用，印模70能夠在第2工序中重復(fù)使用。
[0082]第I工序例如具有準(zhǔn)備原模50的工序(參照圖6的(A))、在原模50的凹凸部60上形成金屬膜而制作印模70的工序(參照圖6的(B))以及從原模50上剝離印模70的工序(參照圖6的(C))。印模70的材料例如使用鎳(Ni)等。印模70是例如在原模50的凹凸部60上形成導(dǎo)電膜之后，利用電鑄法在導(dǎo)電膜上形成Ni等的金屬膜而成的。作為導(dǎo)電膜的形成方法，使用化學(xué)鍍、濺射、真空蒸鍍等PVD法。
[0083]第2工序具有例如在基體12上涂敷固化性樹脂的工序(參照圖7的(A))、在將印模70的凹凸部80按壓于涂敷層13的表面的狀態(tài)下使涂敷層13固化的工序(參照圖7的(B))以及從使涂敷層13固化而成的樹脂層14上剝離印模70的工序(參照圖7的(C))。固化性樹脂例如使用熱固化性樹脂或光固化性樹脂。作為固化性樹脂的涂敷方法，例如使用旋轉(zhuǎn)涂敷法、擠壓式涂敷法、噴墨法等通常的方法。
[0084]這樣，制造出防反射結(jié)構(gòu)體10。由于防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)兩次后的形狀，因此該凹凸部20具有與原模50的凹凸部60大致相同的形狀、大致相同的尺寸。
[0085]圖8是不意性表不圖6的原模的表面的凹凸的俯視圖。圖8的(A)表不連結(jié)凸部的頂點的格子的排列，圖8的(B)表示圖8的(A)的一部分。在圖8中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表不凸部和連結(jié)部，用黑圓表不凸部的頂點，用白圓表不凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凸部的頂點的格子。
[0086]如圖8所示，原模50的凹凸部60與防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20相同地具有凸部61、凹部62以及在比凸部61的頂點61a低且比凹部62的底點62a高的位置連結(jié)規(guī)定的凸部61彼此的連結(jié)部63。多個凸部61、多個凹部62以及多個連結(jié)部63 二維排列。
[0087]凸部61呈例如正六方格子狀地、準(zhǔn)六方格子狀地、正四方格子狀地或者準(zhǔn)四方格子狀地(在本實施方式中為正六方格子狀地)周期性配置。為了提高凸部61的填充率，優(yōu)選的是，凸部61呈六方格子狀地周期性配置。
[0088]在凸部61呈正六方格子狀地周期性配置的情況下，在除最外側(cè)的凸部61以外的任意的凸部61 -1的周圍配置有距該任意的凸部61 -1的距離最短且相等的6個凸部61 — 2?61 — 7。6個凸部61 — 2?61 — 7的頂點以凸部61 — I的頂點為中心以60°間隔地等間距配置，構(gòu)成正六邊形狀的格子。
[0089]在本實施方式中，如圖8所示，除最外側(cè)的凸部61以外的任意的凸部61 — I與距該凸部61 -1的距離的合計(和)最短的6個凸部61 — 2?61 — 7配置為滿足下述條件(5)和⑶。
[0090](5)在 6 個凸部 61 — 2 ?61 — 7 中的 4 個凸部 61 — 2、61 — 3、61 — 5、61 — 6
的每一者與凸部61 -1之間存在有連結(jié)部63。
[0091](6)在6個凸部61 — 2?61 — 7中的剩余的兩個凸部61 — 4、61 — 7的每一者與凸部61 -1之間存在有凹部62。
[0092]另外，在本實施方式中，距離的合計最短的6個凸部的組合僅為I個。
[0093]在上述條件(5)和(6)成立的情況下，沿著以圖8所示的任意的凸部61 — I為中心交叉的3個方向中的、兩個方向(Fl方向和F2方向)交替配置有凸部61與連結(jié)部63，沿著剩余的一個方向(F3方向)交替配置有凸部61與凹部62。沿著與Fl方向平行的方向交替配置有凹部62與連結(jié)部63。
[0094]這樣，在原模50中，凸部61和凹部62交替配置的方向與凸部61和連結(jié)部63交替配置的方向不同。因此,能夠獨立地設(shè)計凸部61的頂點61a與凹部62的底點62a之間的高低差和凸部61的頂點61a與連結(jié)部63的規(guī)定部分(與防反射結(jié)構(gòu)體10的連結(jié)部23的規(guī)定部分23a對應(yīng)的部分)之間的高低差。因而，在圖2?圖5所示的防反射結(jié)構(gòu)體10中能夠獨立地設(shè)計凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的高低差Hl和凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a之間的高低差H2。因而，能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與耐擦傷性。
[0095]另外，在本實施方式中，防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)兩次后的形狀，但是只要具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)一次以上的形狀即可，也可以在將原模50的凹凸部60按壓于涂敷層13 (參照圖7)的表面的狀態(tài)下使涂敷層13固化。與反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印的次數(shù)無關(guān)地、防反射結(jié)構(gòu)體10的凸部21滿足上述條件(I)和(2)，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與耐擦傷性。
[0096]層疊體的制造方法還具有在防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20上形成透明導(dǎo)電膜30的未圖示的工序。作為透明導(dǎo)電膜30的成膜方法，例如使用熱CVD、等離子CVD、光CVD等CVD法(化學(xué)蒸鍍法)、真空蒸鍍、等離子蒸鍍、濺射等PVD法(物理蒸鍍法)。
[0097]圖9是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其3)。圖9表不制造原|旲的工序。
[0098]層疊體的制造方法還可以具有制造原模50的工序。該工序例如包含在基體51 (參照圖6和圖7)上形成抗蝕膜52的工序、在抗蝕膜52的表面曝光光強度沿第I方向(Gl方向)發(fā)生變化的第I干涉條紋的工序(參照圖9的(A))、在抗蝕膜52的表面曝光光強度沿與第I方向交叉的第2方向(G2方向)發(fā)生變化的第2干涉條紋的工序(參照圖9的(B))以及在第I干涉條紋及第2干涉條紋曝光之后使抗蝕膜52顯影的工序。
[0099]基體51 (參照圖6和圖7)形成為例如片狀、板狀、塊狀或輥狀?；w51的材料并不特別限定，例如使用硅、石英玻璃、鈉玻璃、無堿玻璃等。
[0100]作為抗蝕膜52的材料，使用通常的材料，也能夠使用負(fù)型、正型中的任一者。根據(jù)抗蝕膜52的材料選定顯影液。
[0101]第I干涉條紋利用二光束干涉曝光法形成。利用第I干涉條紋感光的多個感光部53在第I方向(Gl方向)上隔開間隔地排列。作為干涉波的光源，使用He — Cd激光(波長325nm)等通常的激光振湯器。
[0102]在使抗蝕膜52旋轉(zhuǎn)之后，第2干涉條紋與第I干涉條紋相同地利用二光束干涉曝光法形成。利用第I干涉條紋感光的多個感光部54在第2方向(G2方向)上隔開間隔地排列。
[0103]另外，在本實施方式中，第I干涉條紋的曝光與第2干涉條紋的曝光單獨進行，但是也可以同時進行。
[0104]在第I干涉條紋及第2干涉條紋曝光之后進行抗蝕膜52的顯影。通過使抗蝕膜52顯影，能夠獲得表面具有周期性的凹凸部60的樹脂層56(參照圖6的(A))。
[0105]在抗蝕膜52為負(fù)型的情況下，越是強烈地進行感光的部分，在顯影后越容易剩余。因此，感光部53與感光部54之間的交叉部分55在顯影后成為凸部61。凸部61朝向頂點61a形成為前端變細(xì)狀。感光部53、54的除交叉部分55以外的部分在顯影后成為連結(jié)部63。
[0106]另外，在抗蝕膜52為正型的情況下，越是強烈地進行感光的部分，越容易通過顯影而被去除。因此，感光部53與感光部54之間的交叉部分55在顯影后成為凹部62。凹部62朝向底點62a形成為前端變細(xì)狀。感光部53、54的除交叉部分55以外的部分在顯影后成為連結(jié)部63。
[0107]這樣，制作出原模50。在第I方向與第2方向所成的角度Θ為60°的情況下，凸部61呈正六方格子狀地周期性配置。另外，在第I方向與第2方向所成的角度Θ為90°的情況下，凸部61呈正四方格子狀地周期性配置。
[0108]另外，本實施方式的原模50通過利用二光束干涉曝光法在抗蝕膜52上曝光干涉條紋來進行制作，但是原模50的制作方法并不特別限定。例如，也可以利用光刻法、電子束(EB)描繪法、激光描繪法等在基體51的表面上形成凹凸部60。
[0109][第2實施方式]
[0110]圖10是表示本發(fā)明的第2實施方式的層疊體的一部分的立體圖。在圖10中，為了表現(xiàn)層疊體的表面的凹凸，用細(xì)線表示等高線。
[0111]層疊體102與圖2所示的層疊體2相同地包括表面具有周期性的凹凸部120的防反射結(jié)構(gòu)體110和形成在凹凸部120上的透明導(dǎo)電膜130。透明導(dǎo)電膜130的表面形狀為模仿凹凸部120的形狀。在凹凸部120與透明導(dǎo)電膜130之間，為了降低阻力，也可以形成有未圖示的金屬膜。
[0112]防反射結(jié)構(gòu)體110是所謂的蛾眼型，例如，與圖2所示的防反射結(jié)構(gòu)體10相同地由基體112和形成在基體112上的樹脂層114構(gòu)成。在樹脂層114的表面形成有周期性的凹凸部120。另外，防反射結(jié)構(gòu)體110也可以僅由樹脂層114構(gòu)成。[0113]圖11是表示本發(fā)明的第2實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。在圖11中，為了表現(xiàn)防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸，用細(xì)線表不等聞線。圖12是不意性表不圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖。圖12的(A)表示連結(jié)凸部的頂點的格子的排列，圖12的(B)表示圖11的㈧的一部分。在圖11中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表示凸部和連結(jié)部，用黑圓表示凸部的頂點，用白圓表示凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凸部的頂點彼此的格子。圖13是表示圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。圖13的(A)表示沿著圖12的A — A線的截面上的凹凸，圖13的(B)表示沿著圖12的B — B線的截面上的凹凸，圖13的(C)表示沿著圖12的C —C線的截面上的凹凸。
[0114]防反射結(jié)構(gòu)體110是所謂的蛾眼型，如圖11所示，與第I實施方式相同地由基體112和形成在基體112上的樹脂層114構(gòu)成。在樹脂層114的表面形成有周期性的凹凸部120。
[0115]凹凸部120具有凸部121、凹部122以及在比凸部121的頂點121a低且比凹部122的底點122a高的位置連結(jié)規(guī)定的凸部121彼此的連結(jié)部123。多個凸部121、多個凹部122以及多個連結(jié)部123 二維排列。
[0116]凸部121呈例如正四方格子狀地周期性配置。如圖12所示，“呈正四方格子狀地周期性配置”是指在除最外側(cè)的凹部122以外的任意的凹部122的周圍配置有距該任意的凹部122的距離最短且相等的4個凸部121。4個凸部121的頂點121a以凹部122的底點122a為中心以90°間隔地等間距配置，構(gòu)成正四邊形狀的格子。
[0117]另外，凸部121也可以呈準(zhǔn)四方格子狀地周期性配置?！俺蕼?zhǔn)四方格子狀地周期性配置”是指呈以正四方格子為準(zhǔn)的形狀周期性配置。以正四方格子為準(zhǔn)的形狀是將正四邊形狀的格子向規(guī)定的方向拉伸后的形狀等使正四邊形狀的格子變形后的形狀。使正四邊形狀的格子變形后的形狀的格子也可以呈直線形狀、曲線形狀或蜿蜒形狀連續(xù)地排列。
[0118]在本實施方式中，如圖12所示，除最外側(cè)的凸部121以外的任意的凸部121 — I與距該凸部121 -1的距離的合計(和)最短的6個凸部(例如凸部121 — 2?121 — 7)配置為滿足下述條件(7)和(8)。
[0119](7)在 6 個凸部 121 — 2 ?121 — 7 中的 4 個凸部 121 — 2,121 — 3,121 — 5、121 - 6的每一者與凸部121 -1之間存在有連結(jié)部123。
[0120](8)在6個凸部121 — 2?121 — 7中的剩余的兩個凸部121 — 4,121 — 7的每一者與凸部121 -1之間存在有凹部122。
[0121]“距離”是指凸部121的頂點121a彼此之間的距離。在具有多個距離的合計最短的6個凸部的組合的情況下，對于所有的組合，上述條件(7)和(8)都成立。在本實施方式中，距凸部121 -1的距離最短且相等的凸部有4個，距凸部121 -1的距離第二短且相等的凸部有4個，因此距凸部121 -1的距離的合計最短的6個凸部的組合有6個。對于所有的6個組合，上述條件(7)和⑶都成立。
[0122]在上述條件(7)和⑶成立的情況下，沿著以圖12所示的任意的凸部121 — I為中心交叉的3個方向中的、兩個方向(Jl方向和J2方向)交替配置有凸部121與連結(jié)部123，沿著剩余的一個方向(J3方向)交替配置有凸部121與凹部122。在Jl方向和J2方向上隔開間隔排列的凸部121的間距Pll (參照圖13的(A))也可以設(shè)定為可見光的波長以下的長度。在J3方向上隔開間隔排列的凸部121的間距P12(參照圖13的(B))大于間距P11。沿著與Jl方向平行的方向交替配置有凹部122與連結(jié)部123 (參照圖12和圖13的(C))。
[0123]這樣，凸部121和凹部122交替配置的方向與凸部121和連結(jié)部123交替配置的方向不同。因此，能夠獨立地設(shè)計凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間的高低差Hll (參照圖13的(B))和凸部121的頂點121a與連結(jié)部123的規(guī)定部分123a(參照圖11)之間的高低差H12(參照圖13的(A))。因而，能夠獨立地使高低差HlI與高低差H12最優(yōu)化。在此，連結(jié)部123的規(guī)定部分123a是凸部121的頂點121a彼此之間的最低的部分，是凹部122的底點122a彼此之間的最高的部分。
[0124]為了高低差Hll與高低差H12的最優(yōu)化，首先，可以設(shè)定間距Pll的范圍。由于間距Pll如上所述設(shè)定為可見光的波長以下的長度，因此可以為例如400nm以下(優(yōu)選為300nm以下)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，間距Pll可以為例如50nm以上(優(yōu)選為IOOnm以上)。因而，間距Pll可以為50nm?400nm。
[0125]接著，設(shè)定凹凸部120的高寬比的范圍。凹凸部120的高寬比用凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間的高低差Hll和凸部121的間距Pll之比H11/P11來表示。從防反射結(jié)構(gòu)體110的低反射性的觀點考慮，高寬比H11/P11例如為0.5以上(優(yōu)選為0.7以上，更優(yōu)選為I以上)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，高寬比H11/P11例如為4以下(優(yōu)選為3以下，更優(yōu)選為2以下)。另外，在凸部121的Jl方向上的間距與凸部121的J2方向上的間距不同的情況下，用最短的間距求出高寬比。由于高寬比H11/P11為0.5?4，因此高低差Hll例如可以為IOOnm?500nm。
[0126]接著，設(shè)定高低差Hll與高低差H12之比H12/H11。比H12/H11越大，連結(jié)部123的規(guī)定部分123a的高度越低，因此防反射結(jié)構(gòu)體110的低反射性越好。比H12/H11例如為
0.1以上(優(yōu)選為0.2以上，更優(yōu)選為0.3以上)。另一方面，比H12/H11越小，后面詳細(xì)說明，在凸部121的頂點121a與連結(jié)部123的規(guī)定部分123a之間，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜130的厚度越厚，因此電流越易于流動。比H12/H11例如為0.9以下(優(yōu)選為0.7以下，更優(yōu)選為0.5以下)。由于比H12/H11為0.1?0.9，因此高低差H12例如可以為30nm?300nm。
[0127]在本實施方式中，由于能夠獨立地使高低差Hll與高低差H12最優(yōu)化，因此能夠獨立地使高寬比H11/P11和比H12/H11最優(yōu)化，能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0128]另外，在本實施方式中，沿著作為直線方向的Jl方向和J2方向交替排列有凸部121與連結(jié)部123，沿著作為直線方向的J3方向交替排列有凸部121與凹部122，但是只要上述條件(7)和(8)成立，本發(fā)明就不限定于此。例如，在將四邊形狀的格子排列為彎曲狀的情況下，也可以沿著規(guī)定的曲線方向交替排列有凸部121與連結(jié)部123。
[0129]另外，在本實施方式中，著眼于凸部121的配置，但是與第I實施方式相同地也可以著眼于凹部122的配置。
[0130]透明導(dǎo)電膜130形成在防反射結(jié)構(gòu)體110的凹凸部120上。透明導(dǎo)電膜130的表面形狀為模仿凹凸部120的形狀，與凹凸部120的表面形狀大致相同。
[0131]透明導(dǎo)電膜130的平均厚度例如為IOnm?80nm。平均厚度小于IOnm時,無法充分地獲得導(dǎo)電性。另外，若平均厚度超過80nm，則透明導(dǎo)電膜130的表面形狀難以成為模仿凹凸部120的形狀。
[0132]透明導(dǎo)電膜130的厚度在傾斜較緩的部分變厚，在傾斜較陡的部分變薄。透明導(dǎo)電膜130的厚度在凸部121的頂點121a最厚，在凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間的部分最薄。
[0133]在凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間，高低差Hll (參照圖13的
(B))越小，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜130的厚度越厚，因此電越易于流動。另一方面，若高低差Hll過小，則無法獲得充分的低反射性。
[0134]另外，在連結(jié)部123的規(guī)定部分123a，與凸部121的頂點121a相同地傾斜較緩，因此透明導(dǎo)電膜130的厚度較厚。因此，電流易于沿著凸部121與連結(jié)部123交替排列的Jl方向和J2方向呈網(wǎng)狀流動。在凸部121的頂點121a與連結(jié)部123的規(guī)定部分123a之間，高低差H12(參照圖13的(A))越小(即，H12/H11越小)，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜130的厚度越厚，因此電流越易于流動。
[0135]在本實施方式中，如上所述，由于能夠獨立地使高低差Hll與高低差H12最優(yōu)化，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0136]作為透明導(dǎo)電膜130的材料，例如使用ΙΤ0(Ιη203 — SnO2:銦錫氧化物)、SnO2 (氧化錫)、IZO (In2O3 - ZnO:銦鋅氧化物)、AZO (摻鋁氧化鋅)、FTO (摻氟氧化錫)、GZO (摻鎵
氧化鋅)等。
[0137]上述結(jié)構(gòu)的層疊體102的制造方法與第I實施方式的層疊體2的制造方法相同，因此省略說明。
[0138]以上，說明了本發(fā)明的第I實施方式及第2實施方式，但是本發(fā)明并不限制于上述實施方式。在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下能夠?qū)ι鲜鰧嵤┓绞绞┘痈鞣N變形、替換。
[0139]例如，層疊體也可以在防反射結(jié)構(gòu)體的背面(與形成有蛾眼型的凹凸部的面相對的面)具有低反射處理層。低反射處理層具有透光性。低反射處理層既可以通過光的干涉作用使反射率降低，也可以通過光的吸收使反射率降低。低反射處理層由有機物和/或無機物形成。低反射處理層的形成方法使用PVD法、CVD法等干式涂敷、擠壓式涂敷法、噴涂法、噴墨法、旋轉(zhuǎn)涂敷法等濕式涂敷。在防反射結(jié)構(gòu)體被用于觸摸面板的情況下，也可以是低反射處理層配置于外側(cè)，蛾眼型的凹凸部配置于內(nèi)側(cè)。
[0140]另外，層疊體也可以在透明導(dǎo)電膜上具有保護層。保護層具有透光性。保護層吸收透明導(dǎo)電膜的凹凸，使層疊體的表面平滑化。保護層由有機物和/或無機物形成。保護層也可以是例如由SiO2等形成的電介質(zhì)層。
[0141]另外，上述實施方式的凸部朝向頂點為前端變細(xì)狀，但是凸部也可以具有平坦的頂部。在該情況下，權(quán)利要求書中的“距離”是凸部的頂部的中心點彼此之間的距離。同樣地上述實施方式的凹部朝向底點為前端變細(xì)狀，但是凹部也可以具有平坦的底部。
[0142]接著，與圖14?圖16 —起說明上述實施方式中的層疊體的應(yīng)用例。
[0143]圖14是表示使用了層疊體的顯示裝置的一例的剖視圖。在圖14中，顯示裝置140具有層疊金屬電極層141、例如由有機發(fā)光二極管(OLED:0rganic Light Emitting Diode)或有機電致發(fā)光(0EL:Organic Electro-Luminescence)器件形成的發(fā)光層142、透明電極層143以及例如由玻璃等形成的透明基板144而成的結(jié)構(gòu)。透明電極層143能夠由例如圖1所示的層疊體2或圖10所示的層疊體102形成。通過在透明電極層143中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使透明基板144與透明電極層143之間的界面上的反射減少，光的取出效率提高，因此能夠提高顯示裝置140的發(fā)光效率。[0144]圖15是表示使用了層疊體的照明裝置的一例的剖視圖。在圖15中，照明裝置150具有層疊金屬電極層151、例如由OLED或OEL器件形成的發(fā)光層152、透明電極層153以及例如由玻璃等形成的透明基板154而成的結(jié)構(gòu)。透明電極層153能夠由例如圖1所示的層疊體2或圖10所示的層疊體102形成。通過在透明電極層153中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使透明基板154與透明電極層153之間的界面上的反射減少，光的取出效率提高，因此能夠提高照明裝置150的發(fā)光效率。
[0145]圖16是表示使用了層疊體的太陽能電池的一例的剖視圖。在圖16中，太陽能電池160具有層疊金屬電極層161、例如由P型硅形成的P型半導(dǎo)體層162 — 1、例如由N型硅形成的N型半導(dǎo)體層162 - 2、透明電極層163以及例如由玻璃等形成的透明基板164而成的結(jié)構(gòu)。P型半導(dǎo)體層162 — I和N型半導(dǎo)體層162 — 2是發(fā)電層的一例。透明電極層163能夠由例如圖1所示的層疊體2或圖10所示的層疊體102形成。通過在透明電極層163中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使透明基板164與透明電極層163之間的界面上的反射減少，光的取入效率提高，因此能夠提高太陽能電池160的發(fā)電效率。
[0146]另外，作為太陽光發(fā)電裝置的一例的太陽能電池板(未圖示)具有例如如圖16所示那樣例如呈矩陣狀配置了多個太陽能電池160的結(jié)構(gòu)。在該情況下，通過在各個太陽能電池160的透明電極層163中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使各個太陽能電池160的透明基板164與透明電極層163之間的界面上的反射減少，各個太陽能電池160光的取入效率提聞，因此能夠提聞太陽能電池板的發(fā)電效率。
[0147]實施例
[0148]以下，利用實施例等具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不由這些例子限定。
[0149][實施例1]
[0150]在實施例1中，利用圖6、圖7及圖9所示的方法制作表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體，在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部的凸部呈正六方格子狀地周期性配置。
[0151]在作為基體的玻璃基板上形成由丙烯酸類樹脂構(gòu)成的抗蝕膜，在抗蝕膜上曝光兩次干涉條紋之后，使抗蝕膜顯影而制作出印模的原模。干涉條紋的光源使用ArF準(zhǔn)分子激光(工々7 — > 一 V )(波長193nm)，第I次的干涉條紋與第2次的干涉條紋之間的交叉角度設(shè)為了 60°。制作出的原模在表面上具有凹凸部。
[0152]在利用AFM(Seiko Instruments公司制、L-trace)測量原模的凹凸部的尺寸形狀時，凸部的頂點與凹部的底點之間的高低差為250nm，凸部的頂點與連結(jié)部之間的高低差為125nm,凸部的頂點的最短間距為250nm。
[0153]利用電鑄法在原模的凹凸部上形成Ni層，從原模上剝離Ni層而制作出印模。利用AMF測量印模的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在印模的表面上形成有使原模的凹凸部反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的形狀的凹凸部。
[0154]利用旋轉(zhuǎn)涂敷法在作為基體的雙軸拉伸PET薄膜上涂敷光固化性的丙烯酸類樹月旨，在將印模的凹凸部按壓于涂敷層的表面的狀態(tài)下照射UV光，使涂敷層固化而制作出防反射結(jié)構(gòu)體。利用AFM測量使涂敷層UV固化而成的樹脂層的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在樹脂層的表面上形成有使印模的凹凸部的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部。樹脂層的凹凸部具有與原模的凹凸部大致相同的尺寸形狀，Hl (參照圖4的(A)) = 250nm, H2(參照圖4的(B))=125nm, Pl (參照圖 4 的(A)和(B)) = 250nm。
[0155]在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。透明導(dǎo)電膜使用了利用真空濺射法成膜的ITO膜(平均厚度20nm、40nm、60nm)。平均厚度是指當(dāng)在凹凸部上成膜時、在沒有凹凸構(gòu)造的平坦的平板部分的表面上成膜而形成的透明導(dǎo)電膜的厚度。
[0156]層疊體的透明導(dǎo)電膜側(cè)的表面阻力利用非接觸導(dǎo)電率計(DelcomInstruments, Inc.公司制、717Conductance Monitor)來測量。將測量的結(jié)果表不在圖18中。在圖18中，橫軸是透明導(dǎo)電膜的厚度(nm)，縱軸是表面電阻率(Ω/ □)。
[0157]向透明導(dǎo)電膜(平均厚度60nm)的表面照射可見光時的反射率利用分光光度機(日本分光公司制、ARM-500N)來測量。將測量的結(jié)果表示在圖19中。在圖19中，橫軸是入射光的波長(nm)，縱軸是反射率)。另外，在圖19中，LI表示實施例1的測量結(jié)果，Lll表示后述的比較例I的測量結(jié)果。
[0158][比較例I]
[0159]在比較例I中，制作表面具有以往的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體，在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部的凸部呈正六方格子狀地周期性配置。
[0160]在作為基體的硅基板上形成由丙烯酸類樹脂構(gòu)成的抗蝕膜，在利用EB描繪裝置曝光之后，使抗蝕膜顯影而制作出印模的原模。制作出的原模在表面具有凹凸部，如圖17所示，該凹凸部是在平面92上排列有許多錐狀的突起部94 (在圖17中僅圖示了 5個)的構(gòu)造。
[0161]各個突起部94是對圓錐臺的頂面與側(cè)面之間的角部圓滑地進行倒角后的部分，具有由球面的一部分構(gòu)成的頂端部。突起部94的下部彼此局部重疊，以使得相鄰的3個突起部94的底面94a的外周在平面92上交叉于一點。
[0162]在利用AFM(Seiko Instruments公司制、L_trace)測量原模的凹凸部的尺寸形狀時，突起部94的高度H21為450nm，突起部94的頂點94b的間距P21為300nm。
[0163]利用電鑄法在原模的凹凸部上形成Ni層，從原模上剝離Ni層而制作出印模。利用AFM測量印模的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在印模的表面上形成有使原模的凹凸部反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的形狀的凹凸部。
[0164]利用旋轉(zhuǎn)涂敷法在作為基體的玻璃基板上涂敷UV固化性的丙烯酸類樹脂，在將印模的凹凸部按壓于涂敷層的表面的狀態(tài)下照射UV光，使涂敷層固化而制作出防反射結(jié)構(gòu)體。利用AFM測量使涂敷層UV固化而成的樹脂層的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在樹脂層的表面上形成有使印模的凹凸部的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部。樹脂層的凹凸部具有與原模的凹凸部大致相同的尺寸形狀，H21 = 450nm, P21 = 300nm。
[0165]在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。透明導(dǎo)電膜使用了利用真空濺射法成膜的ITO膜(平均厚度20nm、40nm、60nm)。
[0166]與實施例1相同地測量層疊體的表面電阻率和反射率(透明導(dǎo)電膜的平均厚度60nm)。將測量的結(jié)果表示在圖18和圖19中。
[0167]根據(jù)圖18和圖19可知，實施例1的構(gòu)造與比較例I的構(gòu)造不同，實施例1的構(gòu)造具有低反射性和高導(dǎo)電性兩者。在比較例I中，反射結(jié)構(gòu)體的凸部未滿足上述條件(I)和
(2)，表面電阻率較高。這是因為，在比較例I中，在防反射結(jié)構(gòu)體的凸部彼此之間，傾斜陡急O(jiān)
[0168]產(chǎn)業(yè)h的可利用件
[0169]本發(fā)明適合于能夠在例如顯示裝置、照明裝置、太陽能電池、太陽能電池板等中使用的層疊體及層疊體的制造方法。
[0170]本申請是基于2011年12月8日向日本特許廳提出申請的特愿2011 — 269060的申請，并要求該申請的優(yōu)先權(quán)，通過參照而包含該申請的全部內(nèi)容。
[0171]附圖標(biāo)記說明
[0172]2層疊體；10防反射結(jié)構(gòu)體；20凹凸部；21凸部；21a頂點；22凹部；22a底點；23連結(jié)部；30透明導(dǎo)電膜；50原模；51基體；52抗蝕膜；53、54感光部。
【權(quán)利要求】
1.一種層疊體，其特征在于，該層疊體具有: 防反射結(jié)構(gòu)體，其表面具有周期性的凹凸部；以及 透明導(dǎo)電膜，其形成在上述凹凸部上， 除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(1)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體,其中， 沿著以上述任意的凸部為中心交叉的3個方向中的兩個方向交替配置有上述凸部與上述連結(jié)部，沿著剩余的一個方向交替配置有上述凸部與上述凹部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中， 上述凸部呈正六方格子狀周期性配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中， 上述凸部呈正四方格子狀周期性配置。
5.一種顯示裝置，其中， 該顯示裝置具有層疊金屬電極層、發(fā)光層、透明電極層以及透明基板而成的結(jié)構(gòu)， 上述透明電極層由權(quán)利要求1至4中任一項所述的層疊體形成。
6.一種照明裝置，其中， 該照明裝置具有層疊金屬電極層、發(fā)光層、透明電極層以及透明基板而成的結(jié)構(gòu)， 上述透明電極層由權(quán)利要求1至4中任一項所述的層疊體形成。
7.一種太陽能電池，其中， 該太陽能電池具有層疊金屬電極層、發(fā)電層、透明電極層以及透明基板而成的結(jié)構(gòu)， 上述透明電極層由權(quán)利要求1至4中任一項所述的層疊體形成。
8.一種層疊體的制造方法，其特征在于，該層疊體的制造方法具有以下工序: 使用表面具有周期性的凹凸部的原模制造表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體的工序；以及 在上述防反射結(jié)構(gòu)體的上述凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜的工序， 在上述原模中，除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(I)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體的制造方法，其中， 沿著以上述任意的凸部為中心交叉的3個方向中的兩個方向交替配置有上述凸部與上述連結(jié)部，沿著剩余的一個方向交替配置有上述凸部與上述凹部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的層疊體的制造方法，其中， 該層疊體的制造方法還具有制造上述原模的工序， 該工序包括以下工序: 在基體上形成抗蝕膜的工序； 在該抗蝕膜的表面上曝光光強度沿著第I方向發(fā)生變化的第I干涉條紋的工序；在該抗蝕膜的表面上曝光光強度沿著與上述第I方向交叉的第2方向發(fā)生變化的第2干涉條紋的工序；以及 在上述第I干涉條紋及上述第2干涉條紋曝光之后使上述抗蝕膜顯影的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊體的制造方法，其中， 上述第I方向與上述第2方向所成的角度為60°。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的 層疊體的制造方法，其中， 上述第I方向與上述第2方向所成的角度為90°。
【文檔編號】H01L31/04GK103988097SQ201280060435
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2012年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月8日
【發(fā)明者】坂本寬, 池田康宏, 一色真誠, 海田由里子 申請人:旭硝子株式會社
【專利摘要】一種層疊體(2)，具有：防反射結(jié)構(gòu)體(10)，其表面具有周期性的凹凸部(20)；以及透明導(dǎo)電膜(30)，其形成在凹凸部(20)上，其中，除最外側(cè)的凸部(21)以外的任意的凸部(21－1)與距任意的凸部(21－1)的距離的合計最短的6個凸部(21－2～21－7)配置為：(1)在6個凸部(21－2～21－7)中的4個凸部(21－2、21－3、21－5、21－6)的每一者與任意的凸部(21－1)之間存在有連結(jié)部(23)，該連結(jié)部(23)在比凸部(21)的頂點(21a)低且比凹部(22)的底點(22a)高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在6個凸部(21－2～21－7)中的剩余的兩個凸部(21－4、21－7)的每一者與任意的凸部(21－1)之間存在有凹部(22)。
【專利說明】層疊體及層疊體的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及層疊體及層疊體的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，面向液晶顯示器(IXD)等顯示裝置、太陽能電池開發(fā)了一種表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體(例如，參照專利文獻I)。防反射結(jié)構(gòu)體是所謂的蛾眼(MothEye)型，凸部的間距為可見光的波長以下，因此能夠在較大的波長范圍內(nèi)減少光反射率并提高透光率。在該防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而成的層疊體被用于例如阻抗膜式、電容式的觸摸面板等。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻_4] 專利文獻
[0005]專利文獻1:國際公開第2011/027909號小冊子
【發(fā)明內(nèi)容】
_6] 發(fā)明要解決的問題
[0007]以往的防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部具有在平面上排列有多個錐狀的突起部的構(gòu)造。為了提高突起部的填充率，突起部呈六方格子狀地或四方格子狀地周期性配置。為了進一步提高突起部的填充率，有時配置為突起部的下部彼此重疊。
[0008]若突起部的下部彼此重疊，則凸部的頂點與凹部的底點之間的高低差變小，因此無法獲得充分的低反射率。
[0009]另外，為了獲得充分的低反射率，若將凸部的頂點與凹部的底點之間的高低差設(shè)定得較大，則突起部的側(cè)面變陡急，因此形成在突起部的側(cè)面上的透明導(dǎo)電膜的厚度易于變薄，有時導(dǎo)電性降低。因此，在以往的構(gòu)造中，難以同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0010]本發(fā)明是鑒于上述問題而做成的，其目的在于提供低反射性和高導(dǎo)電性優(yōu)異的層疊體及層疊體的制造方法。
[0011]用于解決問題的方案
[0012]為了解決上述目的，本發(fā)明的一技術(shù)方案的層疊體的特征在于，該層疊體具有:
[0013]防反射結(jié)構(gòu)體，其表面具有周期性的凹凸部；以及
[0014]透明導(dǎo)電膜，其形成在上述凹凸部上，
[0015]除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(I)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
[0016]而且，本發(fā)明的其他技術(shù)方案的層疊體的制造方法的特征在于，該層疊體的制造方法具有以下工序:
[0017]使用表面具有周期性的凹凸部的原模制造表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體的工序；以及
[0018]在上述防反射結(jié)構(gòu)體的上述凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜的工序，
[0019]在上述原模中，除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(I)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
[0020]發(fā)明的效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明，提供低反射性、耐擦傷性以及高導(dǎo)電性優(yōu)異的層疊體及層疊體的制造方法。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1是表示本發(fā)明的第I實施方式的層疊體的一部分的立體圖。
[0023]圖2是表示圖1的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。
[0024]圖3是示意性表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其I)。
[0025]圖4是表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。
[0026]圖5是示意性表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其2)。
[0027]圖6是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其I)。
[0028]圖7是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其2)。
[0029]圖8是示意性表示圖6的原模的表面的凹凸的俯視圖。
[0030]圖9是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其3)。
[0031]圖10是表示本發(fā)明的第2實施方式的層疊體的一部分的立體圖。
[0032]圖11是表示圖10的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。
[0033]圖12是示意性表示圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖。
[0034]圖13是表示圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。
[0035]圖14是表示使用了層疊體的顯示裝置的一例的剖視圖。
[0036]圖15是表示使用了層疊體的照明裝置的一例的剖視圖。
[0037]圖16是表示使用了層疊體的太陽能電池的一例的剖視圖。
[0038]圖17是表示比較例I的分析模型的制作方法的說明圖。
[0039]圖18是表示實施例1和比較例I的表面電阻率的測量結(jié)果的圖。
[0040]圖19是表示實施例1和比較例I的反射率的測量結(jié)果的圖。
【具體實施方式】
[0041]以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】用于實施本發(fā)明的方式。在各個附圖中，對相同或?qū)?yīng)的結(jié)構(gòu)標(biāo)注相同或?qū)?yīng)的附圖標(biāo)記并省略說明。
[0042][第I實施方式]
[0043]圖1是表示本發(fā)明的第I實施方式的層疊體的一部分的立體圖。在圖1中，為了表現(xiàn)層置體的表面的凹凸，用細(xì)線表不等聞線。
[0044]層疊體2包括表面具有周期性的凹凸部20的防反射結(jié)構(gòu)體10和形成在凹凸部20上的透明導(dǎo)電膜30。透明導(dǎo)電膜30的表面形狀為模仿凹凸部20的形狀。在凹凸部20與透明導(dǎo)電膜30之間，為了降低阻力，也可以形成有未圖示的金屬膜。從透光率的觀點考慮，金屬膜的厚度也可以為IOnm以下。該層疊體2例如用于阻抗膜式、電容式的觸摸面板等。
[0045]圖2是表示圖1的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。在圖2中，為了表現(xiàn)防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸，用細(xì)線表示等高線。圖3是示意性表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其I)。圖3的㈧表示連結(jié)凸部的頂點的格子的排列，圖3的⑶表示圖3的(A)的一部分。在圖3中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表示凸部和連結(jié)部，用黑圓表示凸部的頂點，用白圓表示凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凸部的頂點的格子。圖4是表示圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。圖4的(A)表示沿著圖3的A — A線的截面上的凹凸，圖4的(B)表示沿著圖3的B— B線的截面上的凹凸，圖4的(C)表示沿著圖3的C一C線的截面上的凹凸，圖4的(D)表示沿著圖3的D — D線的截面上的凹凸。
[0046]防反射結(jié)構(gòu)體10是所謂的蛾眼型，如圖2所示，由基體12和形成在基體12上的樹脂層14構(gòu)成?；w12和樹脂層14也可以具有透光性。在樹脂層14的表面形成有周期性的凹凸部20。另外，防反射結(jié)構(gòu)體10也可以僅由樹脂層14構(gòu)成。
[0047]基體12形成為例如片狀、板狀或塊狀。基體12的材料并不特別限定，例如使用玻璃或塑料等。
[0048]作為玻璃，例如使用鈉鈣玻璃、無堿玻璃、石英玻璃等。作為玻璃的成形方法，例如使用浮法、熔融法等。
[0049]作為塑料，例如優(yōu)選為:聚甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸甲酯與其他(甲基)丙烯酸烷基酯、苯乙烯等這樣的乙烯基單體的共聚物等(甲基)丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯、二甘醇雙烯丙基碳酸酯(CR-39)等聚碳酸酯系樹脂；(溴化)雙酚A型的二(甲基)丙烯酸酯的均聚物和/或共聚物、(溴化)雙酚A單(甲基)丙烯酸酯的氨基甲酸酯改性單體的聚合物以及共聚物等這樣的熱固化性(甲基)丙烯酸系樹脂；聚酯，特別是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不飽和聚酯；丙烯腈-苯乙烯共聚物；聚氯乙烯；聚氨酯；環(huán)氧樹脂；聚芳酯；聚醚砜；聚醚酮；環(huán)烯烴聚合物(商品名:ART0N、ZE0N0R)等。另外，也能夠使用考慮了耐熱性的芳綸系樹脂。
[0050]樹脂層14是例如在基體12上涂敷熱固化性或光固化性的樹脂并進行固化而成的。在樹脂層14的表面形成有凹凸部20。
[0051]如圖2和圖3所示，凹凸部20具有凸部21、凹部22以及在比凸部21的頂點21a低且比凹部22的底點22a高的位置連結(jié)規(guī)定的凸部21彼此的連結(jié)部23。多個凸部21、多個凹部22以及多個連結(jié)部23 二維排列。
[0052]凸部21呈例如正六方格子狀、準(zhǔn)六方格子狀、正四方格子狀或者準(zhǔn)四方格子狀(在圖2和圖3中為正六方格子狀)地周期性配置。為了提高凸部21的填充率，優(yōu)選的是，凸部21呈六方格子狀地周期性配置。以下，說明凸部21呈六方格子狀地周期性配置的情況。另外，在第2實施方式中說明凸部21呈四方格子狀地周期性配置的情況。
[0053]如圖3所示，“呈正六方格子狀地周期性配置”是指在除最外側(cè)的凸部21以外的任意的凸部21 -1的周圍配置有距該任意的凸部21 -1的距離最短且相等的6個凸部21 -2?21 —7。6個凸部21 — 2?21 — 7的頂點以凸部21 — I的頂點為中心隔開60°間隔地等間距配置，構(gòu)成正六邊形狀的格子。[0054]“呈準(zhǔn)六方格子狀地周期性配置”是指呈以正六方格子為準(zhǔn)的形狀周期性配置。以正六方格子為準(zhǔn)的形狀是將正六邊形狀的格子向規(guī)定的方向拉伸后的形狀等使正六邊形狀的格子變形后的形狀。使正六邊形狀的格子變形后的形狀的格子也可以呈直線形狀、曲線形狀或蜿蜒形狀連續(xù)地排列。
[0055]在本實施方式中，如圖3所示，除最外側(cè)的凸部21以外的任意的凸部21 — I與距該凸部21 -1的距離的合計(和)最短的6個凸部21 — 2?21 — 7配置為滿足下述條件⑴和⑵。
[0056](I)在 6 個凸部 21 — 2 ?21 — 7 中的 4 個凸部 21 — 2、21 — 3、21 — 5、21 — 6
的每一者與凸部21 -1之間存在有連結(jié)部23。
[0057](2)在6個凸部21 — 2?21 — 7中的剩余的兩個凸部21 — 4、21 — 7的每一者與凸部21 -1之間存在有凹部22。
[0058]“距離”是指凸部21的頂點21a彼此之間的距離。在具有多個距離的合計最短的6個凸部的組合的情況下，對于所有的組合，上述條件⑴和(2)都成立。另外，在本實施方式中，距離的合計最短的6個凸部的組合僅為I個。
[0059]在上述條件(I)和(2)成立的情況下，沿著以圖3所示的任意的凸部21 — I為中心交叉的3個方向中的、兩個方向(Fl方向和F2方向)交替配置有凸部21與連結(jié)部23，沿著剩余的一個方向(F3方向)交替配置有凸部21與凹部22。在Fl方向、F2方向以及F3上隔開間隔排列的凸部21的間距Pl(參照圖4的㈧和圖4的(B))也可以設(shè)定為可見光的波長以下的長度。在與F3方向垂直的方向上隔開間隔排列的凸部21的間距P2(參照圖4的(C))大于間距P1。沿著與Fl方向平行的方向交替配置有凹部22與連結(jié)部23(參照圖3和圖4的(D))。
[0060]這樣，凸部21和凹部22交替配置的方向與凸部21和連結(jié)部23交替配置的方向不同。因此，能夠獨立地設(shè)計凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的高低差Hl (參照圖4的(B))和凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a(參照圖2)之間的高低差H2(參照圖4的(A))。因而，能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化。在此，連結(jié)部23的規(guī)定部分23a是凸部21的頂點21a彼此之間的最低的部分，且是凹部22的底點22a彼此之間的最聞的部分。
[0061]為了高低差Hl與高低差H2的最優(yōu)化，首先，可以設(shè)定間距Pl的范圍。由于間距Pl如上所述設(shè)定為可見光的波長以下的長度，因此可以為例如400nm以下(優(yōu)選為300nm以下)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，間距Pl可以為例如50nm以上(優(yōu)選為IOOnm以上)。因而，間距Pl可以為50nm?400nm。
[0062]接著，設(shè)定凹凸部20的高寬比的范圍。凹凸部20的高寬比用凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的高低差Hl和凸部21的間距Pl之比H1/P1來表示。從防反射結(jié)構(gòu)體10的低反射性的觀點考慮，高寬比H1/P1例如為0.5以上(優(yōu)選為0.7以上，更優(yōu)選為I以上)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，高寬比H1/P1例如為4以下(優(yōu)選為3以下，更優(yōu)選為2以下)。另外，在凸部21的Fl方向上的間距、凸部21的F2方向上的間距以及凸部21的F3方向上的間距不同的情況下，用最短的間距求出高寬比。由于高寬比H1/P1為0.5?4，因此高低差Hl例如也可以為IOOnm?500nm。
[0063]接著，設(shè)定高低差Hl與高低差H2之比H2/H1。比H2/H1越大，連結(jié)部23的規(guī)定部分23a的高度越低，因此防反射結(jié)構(gòu)體10的低反射性越好。比H2/H1例如為0.1以上(優(yōu)選為0.2以上，更優(yōu)選為0.3以上)。另一方面，比H2/H1越小，后面詳細(xì)說明，在凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a之間，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜30的厚度越厚，因此電流越易于流動。比H2/H1例如為0.9以下(優(yōu)選為0.7以下，更優(yōu)選為0.5以下)。由于比H2/H1為0.1?0.9，因此高低差H2例如也可以為30nm?300nm。
[0064]在本實施方式中，由于能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化，因此能夠獨立地使高寬比H1/P1和比H2/H1最優(yōu)化，能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0065]間距P1、高低差H1、高低差H2等根據(jù)在透明導(dǎo)電膜30成膜之前利用原子力顯微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)拍攝的AFM圖像及其截面輪廓圖(7°口7 了 -1 >)來求出。
[0066]另外，在本實施方式中，沿著作為直線方向的Fl方向和F2方向交替排列有凸部21與連結(jié)部23，沿著作為直線方向的F3方向交替排列有凸部21與凹部22，但是只要上述條件(I)和(2)成立，本發(fā)明就不限定于此。例如，在將六邊形狀的格子排列為彎曲狀的情況下，也可以沿著規(guī)定的曲線方向交替排列有凸部21與連結(jié)部23。
[0067]另外，在本實施方式中，著眼于凸部21的配置，但是也可以著眼于凹部22的配置。
[0068]圖5是不意性表不圖2的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖(其2)。圖5的
(A)表示連結(jié)凹部的底點的格子的排列，圖5的⑶表示圖5的㈧的一部分。在圖5中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表示凸部和連結(jié)部，用黑圓表示凸部的頂點，用白圓表示凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凹部的底點的格子。
[0069]如圖5所示，除最外側(cè)的凹部22以外的任意的凹部22 — I與距該凹部22 — I的距離的合計(和)最短的6個凹部22 — 2?22 — 7配置為滿足下述條件(3)和⑷。
[0070](3)在 6 個凹部 22 — 2 ?22 — 7 中的 4 個凹部 22 — 2、22 — 3、22 — 5、22 — 6的每一者與凹部22 -1之間存在有連結(jié)部23。
[0071](4)在6個凹部22 — 2?22 — 7中的剩余的兩個凹部22 — 4、22 — 7的每一者與凹部22 -1之間存在有凸部21。
[0072]“距離”是凹部22的底點22a彼此之間的距離。在具有多個距離的合計最短的6個凹部22的組合的情況下，對于所有的組合，上述條件(3)和⑷都成立。在本實施方式中，距離的合計最短的6個凹部22的組合僅為I個。
[0073]透明導(dǎo)電膜30形成在防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20上。透明導(dǎo)電膜30的表面形狀為模仿凹凸部20的形狀，與凹凸部20的表面形狀大致相同。
[0074]透明導(dǎo)電膜30的平均厚度越厚，透明導(dǎo)電膜30的導(dǎo)電性越高。若透明導(dǎo)電膜30的平均厚度過厚，則光的反射率有可能上升。透明導(dǎo)電膜30的平均厚度例如為IOnm?150nm,優(yōu)選為30nm?IOOnm,更優(yōu)選為50nm?80nm。
[0075]透明導(dǎo)電膜30的厚度在傾斜較緩的部分變厚，在傾斜較陡的部分變薄。透明導(dǎo)電膜30的厚度在凸部21的頂點21a最厚，在凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的部分最薄。
[0076]在凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間，高低差Hl (參照圖4的(B))越小，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜30的厚度越厚，因此電越易于流動。另一方面，若高低差Hl過小，則無法獲得充分的低反射性。[0077]另外，在連結(jié)部23的規(guī)定部分23a，與凸部21的頂點21a相同地傾斜較緩，因此透明導(dǎo)電膜30的厚度較厚。因此，電流易于沿著凸部21與連結(jié)部23交替排列的Fl方向和F2方向呈網(wǎng)狀流動。在凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a之間，高低差H2 (參照圖4的(A))越小(S卩，H2/H1越小)，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜30的厚度越厚，因此電流越易于流動。
[0078]在本實施方式中，如上所述，由于能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0079]作為透明導(dǎo)電膜30的材料，例如使用ITO(In2O3-SnC)2:銦錫氧化物)、SnO2(氧化錫)、IZO (In2O3-ZnO:銦鋅氧化物)、AZO (鋁摻雜氧化鋅)、FTO (氟摻雜氧化錫)、GZ0 (鎵摻
雜氧化鋅)等。
[0080]圖6和圖7是本發(fā)明的第I實施方式的層疊體的制造方法的說明圖(其I)和(其2)。圖6表示使用原模制作印模的第I工序，圖7表示使用印模制作防反射結(jié)構(gòu)體(即，仿形品)的第2工序。
[0081]層疊體的制造方法具有使用表面具有周期性的凹凸部60的原模50制造表面具有周期性的凹凸部20的防反射結(jié)構(gòu)體10的工序。該工序例如具有制作表面具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部80的印模70的第I工序和制作表面具有使印模70的凹凸部80的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部20的防反射結(jié)構(gòu)體10的第2工序。原模50能夠在第I工序中重復(fù)使用，印模70能夠在第2工序中重復(fù)使用。
[0082]第I工序例如具有準(zhǔn)備原模50的工序(參照圖6的(A))、在原模50的凹凸部60上形成金屬膜而制作印模70的工序(參照圖6的(B))以及從原模50上剝離印模70的工序(參照圖6的(C))。印模70的材料例如使用鎳(Ni)等。印模70是例如在原模50的凹凸部60上形成導(dǎo)電膜之后，利用電鑄法在導(dǎo)電膜上形成Ni等的金屬膜而成的。作為導(dǎo)電膜的形成方法，使用化學(xué)鍍、濺射、真空蒸鍍等PVD法。
[0083]第2工序具有例如在基體12上涂敷固化性樹脂的工序(參照圖7的(A))、在將印模70的凹凸部80按壓于涂敷層13的表面的狀態(tài)下使涂敷層13固化的工序(參照圖7的(B))以及從使涂敷層13固化而成的樹脂層14上剝離印模70的工序(參照圖7的(C))。固化性樹脂例如使用熱固化性樹脂或光固化性樹脂。作為固化性樹脂的涂敷方法，例如使用旋轉(zhuǎn)涂敷法、擠壓式涂敷法、噴墨法等通常的方法。
[0084]這樣，制造出防反射結(jié)構(gòu)體10。由于防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)兩次后的形狀，因此該凹凸部20具有與原模50的凹凸部60大致相同的形狀、大致相同的尺寸。
[0085]圖8是不意性表不圖6的原模的表面的凹凸的俯視圖。圖8的(A)表不連結(jié)凸部的頂點的格子的排列，圖8的(B)表示圖8的(A)的一部分。在圖8中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表不凸部和連結(jié)部，用黑圓表不凸部的頂點，用白圓表不凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凸部的頂點的格子。
[0086]如圖8所示，原模50的凹凸部60與防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20相同地具有凸部61、凹部62以及在比凸部61的頂點61a低且比凹部62的底點62a高的位置連結(jié)規(guī)定的凸部61彼此的連結(jié)部63。多個凸部61、多個凹部62以及多個連結(jié)部63 二維排列。
[0087]凸部61呈例如正六方格子狀地、準(zhǔn)六方格子狀地、正四方格子狀地或者準(zhǔn)四方格子狀地(在本實施方式中為正六方格子狀地)周期性配置。為了提高凸部61的填充率，優(yōu)選的是，凸部61呈六方格子狀地周期性配置。
[0088]在凸部61呈正六方格子狀地周期性配置的情況下，在除最外側(cè)的凸部61以外的任意的凸部61 -1的周圍配置有距該任意的凸部61 -1的距離最短且相等的6個凸部61 — 2?61 — 7。6個凸部61 — 2?61 — 7的頂點以凸部61 — I的頂點為中心以60°間隔地等間距配置，構(gòu)成正六邊形狀的格子。
[0089]在本實施方式中，如圖8所示，除最外側(cè)的凸部61以外的任意的凸部61 — I與距該凸部61 -1的距離的合計(和)最短的6個凸部61 — 2?61 — 7配置為滿足下述條件(5)和⑶。
[0090](5)在 6 個凸部 61 — 2 ?61 — 7 中的 4 個凸部 61 — 2、61 — 3、61 — 5、61 — 6
的每一者與凸部61 -1之間存在有連結(jié)部63。
[0091](6)在6個凸部61 — 2?61 — 7中的剩余的兩個凸部61 — 4、61 — 7的每一者與凸部61 -1之間存在有凹部62。
[0092]另外，在本實施方式中，距離的合計最短的6個凸部的組合僅為I個。
[0093]在上述條件(5)和(6)成立的情況下，沿著以圖8所示的任意的凸部61 — I為中心交叉的3個方向中的、兩個方向(Fl方向和F2方向)交替配置有凸部61與連結(jié)部63，沿著剩余的一個方向(F3方向)交替配置有凸部61與凹部62。沿著與Fl方向平行的方向交替配置有凹部62與連結(jié)部63。
[0094]這樣，在原模50中，凸部61和凹部62交替配置的方向與凸部61和連結(jié)部63交替配置的方向不同。因此,能夠獨立地設(shè)計凸部61的頂點61a與凹部62的底點62a之間的高低差和凸部61的頂點61a與連結(jié)部63的規(guī)定部分(與防反射結(jié)構(gòu)體10的連結(jié)部23的規(guī)定部分23a對應(yīng)的部分)之間的高低差。因而，在圖2?圖5所示的防反射結(jié)構(gòu)體10中能夠獨立地設(shè)計凸部21的頂點21a與凹部22的底點22a之間的高低差Hl和凸部21的頂點21a與連結(jié)部23的規(guī)定部分23a之間的高低差H2。因而，能夠獨立地使高低差Hl與高低差H2最優(yōu)化，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與耐擦傷性。
[0095]另外，在本實施方式中，防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)兩次后的形狀，但是只要具有使原模50的凹凸部60的形狀反轉(zhuǎn)一次以上的形狀即可，也可以在將原模50的凹凸部60按壓于涂敷層13 (參照圖7)的表面的狀態(tài)下使涂敷層13固化。與反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印的次數(shù)無關(guān)地、防反射結(jié)構(gòu)體10的凸部21滿足上述條件(I)和(2)，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與耐擦傷性。
[0096]層疊體的制造方法還具有在防反射結(jié)構(gòu)體10的凹凸部20上形成透明導(dǎo)電膜30的未圖示的工序。作為透明導(dǎo)電膜30的成膜方法，例如使用熱CVD、等離子CVD、光CVD等CVD法(化學(xué)蒸鍍法)、真空蒸鍍、等離子蒸鍍、濺射等PVD法(物理蒸鍍法)。
[0097]圖9是本發(fā)明的第I實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的制造方法的說明圖(其3)。圖9表不制造原|旲的工序。
[0098]層疊體的制造方法還可以具有制造原模50的工序。該工序例如包含在基體51 (參照圖6和圖7)上形成抗蝕膜52的工序、在抗蝕膜52的表面曝光光強度沿第I方向(Gl方向)發(fā)生變化的第I干涉條紋的工序(參照圖9的(A))、在抗蝕膜52的表面曝光光強度沿與第I方向交叉的第2方向(G2方向)發(fā)生變化的第2干涉條紋的工序(參照圖9的(B))以及在第I干涉條紋及第2干涉條紋曝光之后使抗蝕膜52顯影的工序。
[0099]基體51 (參照圖6和圖7)形成為例如片狀、板狀、塊狀或輥狀?；w51的材料并不特別限定，例如使用硅、石英玻璃、鈉玻璃、無堿玻璃等。
[0100]作為抗蝕膜52的材料，使用通常的材料，也能夠使用負(fù)型、正型中的任一者。根據(jù)抗蝕膜52的材料選定顯影液。
[0101]第I干涉條紋利用二光束干涉曝光法形成。利用第I干涉條紋感光的多個感光部53在第I方向(Gl方向)上隔開間隔地排列。作為干涉波的光源，使用He — Cd激光(波長325nm)等通常的激光振湯器。
[0102]在使抗蝕膜52旋轉(zhuǎn)之后，第2干涉條紋與第I干涉條紋相同地利用二光束干涉曝光法形成。利用第I干涉條紋感光的多個感光部54在第2方向(G2方向)上隔開間隔地排列。
[0103]另外，在本實施方式中，第I干涉條紋的曝光與第2干涉條紋的曝光單獨進行，但是也可以同時進行。
[0104]在第I干涉條紋及第2干涉條紋曝光之后進行抗蝕膜52的顯影。通過使抗蝕膜52顯影，能夠獲得表面具有周期性的凹凸部60的樹脂層56(參照圖6的(A))。
[0105]在抗蝕膜52為負(fù)型的情況下，越是強烈地進行感光的部分，在顯影后越容易剩余。因此，感光部53與感光部54之間的交叉部分55在顯影后成為凸部61。凸部61朝向頂點61a形成為前端變細(xì)狀。感光部53、54的除交叉部分55以外的部分在顯影后成為連結(jié)部63。
[0106]另外，在抗蝕膜52為正型的情況下，越是強烈地進行感光的部分，越容易通過顯影而被去除。因此，感光部53與感光部54之間的交叉部分55在顯影后成為凹部62。凹部62朝向底點62a形成為前端變細(xì)狀。感光部53、54的除交叉部分55以外的部分在顯影后成為連結(jié)部63。
[0107]這樣，制作出原模50。在第I方向與第2方向所成的角度Θ為60°的情況下，凸部61呈正六方格子狀地周期性配置。另外，在第I方向與第2方向所成的角度Θ為90°的情況下，凸部61呈正四方格子狀地周期性配置。
[0108]另外，本實施方式的原模50通過利用二光束干涉曝光法在抗蝕膜52上曝光干涉條紋來進行制作，但是原模50的制作方法并不特別限定。例如，也可以利用光刻法、電子束(EB)描繪法、激光描繪法等在基體51的表面上形成凹凸部60。
[0109][第2實施方式]
[0110]圖10是表示本發(fā)明的第2實施方式的層疊體的一部分的立體圖。在圖10中，為了表現(xiàn)層疊體的表面的凹凸，用細(xì)線表示等高線。
[0111]層疊體102與圖2所示的層疊體2相同地包括表面具有周期性的凹凸部120的防反射結(jié)構(gòu)體110和形成在凹凸部120上的透明導(dǎo)電膜130。透明導(dǎo)電膜130的表面形狀為模仿凹凸部120的形狀。在凹凸部120與透明導(dǎo)電膜130之間，為了降低阻力，也可以形成有未圖示的金屬膜。
[0112]防反射結(jié)構(gòu)體110是所謂的蛾眼型，例如，與圖2所示的防反射結(jié)構(gòu)體10相同地由基體112和形成在基體112上的樹脂層114構(gòu)成。在樹脂層114的表面形成有周期性的凹凸部120。另外，防反射結(jié)構(gòu)體110也可以僅由樹脂層114構(gòu)成。[0113]圖11是表示本發(fā)明的第2實施方式的防反射結(jié)構(gòu)體的立體圖。在圖11中，為了表現(xiàn)防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸，用細(xì)線表不等聞線。圖12是不意性表不圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的俯視圖。圖12的(A)表示連結(jié)凸部的頂點的格子的排列，圖12的(B)表示圖11的㈧的一部分。在圖11中，為了易于觀察附圖，用不同的點圖案表示凸部和連結(jié)部，用黑圓表示凸部的頂點，用白圓表示凹部的底點，用粗線表示連結(jié)凸部的頂點彼此的格子。圖13是表示圖11的防反射結(jié)構(gòu)體的表面的凹凸的圖。圖13的(A)表示沿著圖12的A — A線的截面上的凹凸，圖13的(B)表示沿著圖12的B — B線的截面上的凹凸，圖13的(C)表示沿著圖12的C —C線的截面上的凹凸。
[0114]防反射結(jié)構(gòu)體110是所謂的蛾眼型，如圖11所示，與第I實施方式相同地由基體112和形成在基體112上的樹脂層114構(gòu)成。在樹脂層114的表面形成有周期性的凹凸部120。
[0115]凹凸部120具有凸部121、凹部122以及在比凸部121的頂點121a低且比凹部122的底點122a高的位置連結(jié)規(guī)定的凸部121彼此的連結(jié)部123。多個凸部121、多個凹部122以及多個連結(jié)部123 二維排列。
[0116]凸部121呈例如正四方格子狀地周期性配置。如圖12所示，“呈正四方格子狀地周期性配置”是指在除最外側(cè)的凹部122以外的任意的凹部122的周圍配置有距該任意的凹部122的距離最短且相等的4個凸部121。4個凸部121的頂點121a以凹部122的底點122a為中心以90°間隔地等間距配置，構(gòu)成正四邊形狀的格子。
[0117]另外，凸部121也可以呈準(zhǔn)四方格子狀地周期性配置?！俺蕼?zhǔn)四方格子狀地周期性配置”是指呈以正四方格子為準(zhǔn)的形狀周期性配置。以正四方格子為準(zhǔn)的形狀是將正四邊形狀的格子向規(guī)定的方向拉伸后的形狀等使正四邊形狀的格子變形后的形狀。使正四邊形狀的格子變形后的形狀的格子也可以呈直線形狀、曲線形狀或蜿蜒形狀連續(xù)地排列。
[0118]在本實施方式中，如圖12所示，除最外側(cè)的凸部121以外的任意的凸部121 — I與距該凸部121 -1的距離的合計(和)最短的6個凸部(例如凸部121 — 2?121 — 7)配置為滿足下述條件(7)和(8)。
[0119](7)在 6 個凸部 121 — 2 ?121 — 7 中的 4 個凸部 121 — 2,121 — 3,121 — 5、121 - 6的每一者與凸部121 -1之間存在有連結(jié)部123。
[0120](8)在6個凸部121 — 2?121 — 7中的剩余的兩個凸部121 — 4,121 — 7的每一者與凸部121 -1之間存在有凹部122。
[0121]“距離”是指凸部121的頂點121a彼此之間的距離。在具有多個距離的合計最短的6個凸部的組合的情況下，對于所有的組合，上述條件(7)和(8)都成立。在本實施方式中，距凸部121 -1的距離最短且相等的凸部有4個，距凸部121 -1的距離第二短且相等的凸部有4個，因此距凸部121 -1的距離的合計最短的6個凸部的組合有6個。對于所有的6個組合，上述條件(7)和⑶都成立。
[0122]在上述條件(7)和⑶成立的情況下，沿著以圖12所示的任意的凸部121 — I為中心交叉的3個方向中的、兩個方向(Jl方向和J2方向)交替配置有凸部121與連結(jié)部123，沿著剩余的一個方向(J3方向)交替配置有凸部121與凹部122。在Jl方向和J2方向上隔開間隔排列的凸部121的間距Pll (參照圖13的(A))也可以設(shè)定為可見光的波長以下的長度。在J3方向上隔開間隔排列的凸部121的間距P12(參照圖13的(B))大于間距P11。沿著與Jl方向平行的方向交替配置有凹部122與連結(jié)部123 (參照圖12和圖13的(C))。
[0123]這樣，凸部121和凹部122交替配置的方向與凸部121和連結(jié)部123交替配置的方向不同。因此，能夠獨立地設(shè)計凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間的高低差Hll (參照圖13的(B))和凸部121的頂點121a與連結(jié)部123的規(guī)定部分123a(參照圖11)之間的高低差H12(參照圖13的(A))。因而，能夠獨立地使高低差HlI與高低差H12最優(yōu)化。在此，連結(jié)部123的規(guī)定部分123a是凸部121的頂點121a彼此之間的最低的部分，是凹部122的底點122a彼此之間的最高的部分。
[0124]為了高低差Hll與高低差H12的最優(yōu)化，首先，可以設(shè)定間距Pll的范圍。由于間距Pll如上所述設(shè)定為可見光的波長以下的長度，因此可以為例如400nm以下(優(yōu)選為300nm以下)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，間距Pll可以為例如50nm以上(優(yōu)選為IOOnm以上)。因而，間距Pll可以為50nm?400nm。
[0125]接著，設(shè)定凹凸部120的高寬比的范圍。凹凸部120的高寬比用凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間的高低差Hll和凸部121的間距Pll之比H11/P11來表示。從防反射結(jié)構(gòu)體110的低反射性的觀點考慮，高寬比H11/P11例如為0.5以上(優(yōu)選為0.7以上，更優(yōu)選為I以上)。另外，從生產(chǎn)率的觀點考慮，高寬比H11/P11例如為4以下(優(yōu)選為3以下，更優(yōu)選為2以下)。另外，在凸部121的Jl方向上的間距與凸部121的J2方向上的間距不同的情況下，用最短的間距求出高寬比。由于高寬比H11/P11為0.5?4，因此高低差Hll例如可以為IOOnm?500nm。
[0126]接著，設(shè)定高低差Hll與高低差H12之比H12/H11。比H12/H11越大，連結(jié)部123的規(guī)定部分123a的高度越低，因此防反射結(jié)構(gòu)體110的低反射性越好。比H12/H11例如為
0.1以上(優(yōu)選為0.2以上，更優(yōu)選為0.3以上)。另一方面，比H12/H11越小，后面詳細(xì)說明，在凸部121的頂點121a與連結(jié)部123的規(guī)定部分123a之間，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜130的厚度越厚，因此電流越易于流動。比H12/H11例如為0.9以下(優(yōu)選為0.7以下，更優(yōu)選為0.5以下)。由于比H12/H11為0.1?0.9，因此高低差H12例如可以為30nm?300nm。
[0127]在本實施方式中，由于能夠獨立地使高低差Hll與高低差H12最優(yōu)化，因此能夠獨立地使高寬比H11/P11和比H12/H11最優(yōu)化，能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0128]另外，在本實施方式中，沿著作為直線方向的Jl方向和J2方向交替排列有凸部121與連結(jié)部123，沿著作為直線方向的J3方向交替排列有凸部121與凹部122，但是只要上述條件(7)和(8)成立，本發(fā)明就不限定于此。例如，在將四邊形狀的格子排列為彎曲狀的情況下，也可以沿著規(guī)定的曲線方向交替排列有凸部121與連結(jié)部123。
[0129]另外，在本實施方式中，著眼于凸部121的配置，但是與第I實施方式相同地也可以著眼于凹部122的配置。
[0130]透明導(dǎo)電膜130形成在防反射結(jié)構(gòu)體110的凹凸部120上。透明導(dǎo)電膜130的表面形狀為模仿凹凸部120的形狀，與凹凸部120的表面形狀大致相同。
[0131]透明導(dǎo)電膜130的平均厚度例如為IOnm?80nm。平均厚度小于IOnm時,無法充分地獲得導(dǎo)電性。另外，若平均厚度超過80nm，則透明導(dǎo)電膜130的表面形狀難以成為模仿凹凸部120的形狀。
[0132]透明導(dǎo)電膜130的厚度在傾斜較緩的部分變厚，在傾斜較陡的部分變薄。透明導(dǎo)電膜130的厚度在凸部121的頂點121a最厚，在凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間的部分最薄。
[0133]在凸部121的頂點121a與凹部122的底點122a之間，高低差Hll (參照圖13的
(B))越小，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜130的厚度越厚，因此電越易于流動。另一方面，若高低差Hll過小，則無法獲得充分的低反射性。
[0134]另外，在連結(jié)部123的規(guī)定部分123a，與凸部121的頂點121a相同地傾斜較緩，因此透明導(dǎo)電膜130的厚度較厚。因此，電流易于沿著凸部121與連結(jié)部123交替排列的Jl方向和J2方向呈網(wǎng)狀流動。在凸部121的頂點121a與連結(jié)部123的規(guī)定部分123a之間，高低差H12(參照圖13的(A))越小(即，H12/H11越小)，傾斜越緩，透明導(dǎo)電膜130的厚度越厚，因此電流越易于流動。
[0135]在本實施方式中，如上所述，由于能夠獨立地使高低差Hll與高低差H12最優(yōu)化，因此能夠同時實現(xiàn)低反射性與高導(dǎo)電性。
[0136]作為透明導(dǎo)電膜130的材料，例如使用ΙΤ0(Ιη203 — SnO2:銦錫氧化物)、SnO2 (氧化錫)、IZO (In2O3 - ZnO:銦鋅氧化物)、AZO (摻鋁氧化鋅)、FTO (摻氟氧化錫)、GZO (摻鎵
氧化鋅)等。
[0137]上述結(jié)構(gòu)的層疊體102的制造方法與第I實施方式的層疊體2的制造方法相同，因此省略說明。
[0138]以上，說明了本發(fā)明的第I實施方式及第2實施方式，但是本發(fā)明并不限制于上述實施方式。在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下能夠?qū)ι鲜鰧嵤┓绞绞┘痈鞣N變形、替換。
[0139]例如，層疊體也可以在防反射結(jié)構(gòu)體的背面(與形成有蛾眼型的凹凸部的面相對的面)具有低反射處理層。低反射處理層具有透光性。低反射處理層既可以通過光的干涉作用使反射率降低，也可以通過光的吸收使反射率降低。低反射處理層由有機物和/或無機物形成。低反射處理層的形成方法使用PVD法、CVD法等干式涂敷、擠壓式涂敷法、噴涂法、噴墨法、旋轉(zhuǎn)涂敷法等濕式涂敷。在防反射結(jié)構(gòu)體被用于觸摸面板的情況下，也可以是低反射處理層配置于外側(cè)，蛾眼型的凹凸部配置于內(nèi)側(cè)。
[0140]另外，層疊體也可以在透明導(dǎo)電膜上具有保護層。保護層具有透光性。保護層吸收透明導(dǎo)電膜的凹凸，使層疊體的表面平滑化。保護層由有機物和/或無機物形成。保護層也可以是例如由SiO2等形成的電介質(zhì)層。
[0141]另外，上述實施方式的凸部朝向頂點為前端變細(xì)狀，但是凸部也可以具有平坦的頂部。在該情況下，權(quán)利要求書中的“距離”是凸部的頂部的中心點彼此之間的距離。同樣地上述實施方式的凹部朝向底點為前端變細(xì)狀，但是凹部也可以具有平坦的底部。
[0142]接著，與圖14?圖16 —起說明上述實施方式中的層疊體的應(yīng)用例。
[0143]圖14是表示使用了層疊體的顯示裝置的一例的剖視圖。在圖14中，顯示裝置140具有層疊金屬電極層141、例如由有機發(fā)光二極管(OLED:0rganic Light Emitting Diode)或有機電致發(fā)光(0EL:Organic Electro-Luminescence)器件形成的發(fā)光層142、透明電極層143以及例如由玻璃等形成的透明基板144而成的結(jié)構(gòu)。透明電極層143能夠由例如圖1所示的層疊體2或圖10所示的層疊體102形成。通過在透明電極層143中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使透明基板144與透明電極層143之間的界面上的反射減少，光的取出效率提高，因此能夠提高顯示裝置140的發(fā)光效率。[0144]圖15是表示使用了層疊體的照明裝置的一例的剖視圖。在圖15中，照明裝置150具有層疊金屬電極層151、例如由OLED或OEL器件形成的發(fā)光層152、透明電極層153以及例如由玻璃等形成的透明基板154而成的結(jié)構(gòu)。透明電極層153能夠由例如圖1所示的層疊體2或圖10所示的層疊體102形成。通過在透明電極層153中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使透明基板154與透明電極層153之間的界面上的反射減少，光的取出效率提高，因此能夠提高照明裝置150的發(fā)光效率。
[0145]圖16是表示使用了層疊體的太陽能電池的一例的剖視圖。在圖16中，太陽能電池160具有層疊金屬電極層161、例如由P型硅形成的P型半導(dǎo)體層162 — 1、例如由N型硅形成的N型半導(dǎo)體層162 - 2、透明電極層163以及例如由玻璃等形成的透明基板164而成的結(jié)構(gòu)。P型半導(dǎo)體層162 — I和N型半導(dǎo)體層162 — 2是發(fā)電層的一例。透明電極層163能夠由例如圖1所示的層疊體2或圖10所示的層疊體102形成。通過在透明電極層163中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使透明基板164與透明電極層163之間的界面上的反射減少，光的取入效率提高，因此能夠提高太陽能電池160的發(fā)電效率。
[0146]另外，作為太陽光發(fā)電裝置的一例的太陽能電池板(未圖示)具有例如如圖16所示那樣例如呈矩陣狀配置了多個太陽能電池160的結(jié)構(gòu)。在該情況下，通過在各個太陽能電池160的透明電極層163中使用層疊體2或?qū)盈B體102的結(jié)構(gòu)，從而使各個太陽能電池160的透明基板164與透明電極層163之間的界面上的反射減少，各個太陽能電池160光的取入效率提聞，因此能夠提聞太陽能電池板的發(fā)電效率。
[0147]實施例
[0148]以下，利用實施例等具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明并不由這些例子限定。
[0149][實施例1]
[0150]在實施例1中，利用圖6、圖7及圖9所示的方法制作表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體，在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部的凸部呈正六方格子狀地周期性配置。
[0151]在作為基體的玻璃基板上形成由丙烯酸類樹脂構(gòu)成的抗蝕膜，在抗蝕膜上曝光兩次干涉條紋之后，使抗蝕膜顯影而制作出印模的原模。干涉條紋的光源使用ArF準(zhǔn)分子激光(工々7 — > 一 V )(波長193nm)，第I次的干涉條紋與第2次的干涉條紋之間的交叉角度設(shè)為了 60°。制作出的原模在表面上具有凹凸部。
[0152]在利用AFM(Seiko Instruments公司制、L-trace)測量原模的凹凸部的尺寸形狀時，凸部的頂點與凹部的底點之間的高低差為250nm，凸部的頂點與連結(jié)部之間的高低差為125nm,凸部的頂點的最短間距為250nm。
[0153]利用電鑄法在原模的凹凸部上形成Ni層，從原模上剝離Ni層而制作出印模。利用AMF測量印模的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在印模的表面上形成有使原模的凹凸部反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的形狀的凹凸部。
[0154]利用旋轉(zhuǎn)涂敷法在作為基體的雙軸拉伸PET薄膜上涂敷光固化性的丙烯酸類樹月旨，在將印模的凹凸部按壓于涂敷層的表面的狀態(tài)下照射UV光，使涂敷層固化而制作出防反射結(jié)構(gòu)體。利用AFM測量使涂敷層UV固化而成的樹脂層的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在樹脂層的表面上形成有使印模的凹凸部的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部。樹脂層的凹凸部具有與原模的凹凸部大致相同的尺寸形狀，Hl (參照圖4的(A)) = 250nm, H2(參照圖4的(B))=125nm, Pl (參照圖 4 的(A)和(B)) = 250nm。
[0155]在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。透明導(dǎo)電膜使用了利用真空濺射法成膜的ITO膜(平均厚度20nm、40nm、60nm)。平均厚度是指當(dāng)在凹凸部上成膜時、在沒有凹凸構(gòu)造的平坦的平板部分的表面上成膜而形成的透明導(dǎo)電膜的厚度。
[0156]層疊體的透明導(dǎo)電膜側(cè)的表面阻力利用非接觸導(dǎo)電率計(DelcomInstruments, Inc.公司制、717Conductance Monitor)來測量。將測量的結(jié)果表不在圖18中。在圖18中，橫軸是透明導(dǎo)電膜的厚度(nm)，縱軸是表面電阻率(Ω/ □)。
[0157]向透明導(dǎo)電膜(平均厚度60nm)的表面照射可見光時的反射率利用分光光度機(日本分光公司制、ARM-500N)來測量。將測量的結(jié)果表示在圖19中。在圖19中，橫軸是入射光的波長(nm)，縱軸是反射率)。另外，在圖19中，LI表示實施例1的測量結(jié)果，Lll表示后述的比較例I的測量結(jié)果。
[0158][比較例I]
[0159]在比較例I中，制作表面具有以往的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體，在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部的凸部呈正六方格子狀地周期性配置。
[0160]在作為基體的硅基板上形成由丙烯酸類樹脂構(gòu)成的抗蝕膜，在利用EB描繪裝置曝光之后，使抗蝕膜顯影而制作出印模的原模。制作出的原模在表面具有凹凸部，如圖17所示，該凹凸部是在平面92上排列有許多錐狀的突起部94 (在圖17中僅圖示了 5個)的構(gòu)造。
[0161]各個突起部94是對圓錐臺的頂面與側(cè)面之間的角部圓滑地進行倒角后的部分，具有由球面的一部分構(gòu)成的頂端部。突起部94的下部彼此局部重疊，以使得相鄰的3個突起部94的底面94a的外周在平面92上交叉于一點。
[0162]在利用AFM(Seiko Instruments公司制、L_trace)測量原模的凹凸部的尺寸形狀時，突起部94的高度H21為450nm，突起部94的頂點94b的間距P21為300nm。
[0163]利用電鑄法在原模的凹凸部上形成Ni層，從原模上剝離Ni層而制作出印模。利用AFM測量印模的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在印模的表面上形成有使原模的凹凸部反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的形狀的凹凸部。
[0164]利用旋轉(zhuǎn)涂敷法在作為基體的玻璃基板上涂敷UV固化性的丙烯酸類樹脂，在將印模的凹凸部按壓于涂敷層的表面的狀態(tài)下照射UV光，使涂敷層固化而制作出防反射結(jié)構(gòu)體。利用AFM測量使涂敷層UV固化而成的樹脂層的表面的尺寸形狀的結(jié)果，在樹脂層的表面上形成有使印模的凹凸部的形狀反轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)印后的凹凸部。樹脂層的凹凸部具有與原模的凹凸部大致相同的尺寸形狀，H21 = 450nm, P21 = 300nm。
[0165]在防反射結(jié)構(gòu)體的凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜而制作出層疊體。透明導(dǎo)電膜使用了利用真空濺射法成膜的ITO膜(平均厚度20nm、40nm、60nm)。
[0166]與實施例1相同地測量層疊體的表面電阻率和反射率(透明導(dǎo)電膜的平均厚度60nm)。將測量的結(jié)果表示在圖18和圖19中。
[0167]根據(jù)圖18和圖19可知，實施例1的構(gòu)造與比較例I的構(gòu)造不同，實施例1的構(gòu)造具有低反射性和高導(dǎo)電性兩者。在比較例I中，反射結(jié)構(gòu)體的凸部未滿足上述條件(I)和
(2)，表面電阻率較高。這是因為，在比較例I中，在防反射結(jié)構(gòu)體的凸部彼此之間，傾斜陡急O(jiān)
[0168]產(chǎn)業(yè)h的可利用件
[0169]本發(fā)明適合于能夠在例如顯示裝置、照明裝置、太陽能電池、太陽能電池板等中使用的層疊體及層疊體的制造方法。
[0170]本申請是基于2011年12月8日向日本特許廳提出申請的特愿2011 — 269060的申請，并要求該申請的優(yōu)先權(quán)，通過參照而包含該申請的全部內(nèi)容。
[0171]附圖標(biāo)記說明
[0172]2層疊體；10防反射結(jié)構(gòu)體；20凹凸部；21凸部；21a頂點；22凹部；22a底點；23連結(jié)部；30透明導(dǎo)電膜；50原模；51基體；52抗蝕膜；53、54感光部。
【權(quán)利要求】
1.一種層疊體，其特征在于，該層疊體具有: 防反射結(jié)構(gòu)體，其表面具有周期性的凹凸部；以及 透明導(dǎo)電膜，其形成在上述凹凸部上， 除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(1)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體,其中， 沿著以上述任意的凸部為中心交叉的3個方向中的兩個方向交替配置有上述凸部與上述連結(jié)部，沿著剩余的一個方向交替配置有上述凸部與上述凹部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中， 上述凸部呈正六方格子狀周期性配置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中， 上述凸部呈正四方格子狀周期性配置。
5.一種顯示裝置，其中， 該顯示裝置具有層疊金屬電極層、發(fā)光層、透明電極層以及透明基板而成的結(jié)構(gòu)， 上述透明電極層由權(quán)利要求1至4中任一項所述的層疊體形成。
6.一種照明裝置，其中， 該照明裝置具有層疊金屬電極層、發(fā)光層、透明電極層以及透明基板而成的結(jié)構(gòu)， 上述透明電極層由權(quán)利要求1至4中任一項所述的層疊體形成。
7.一種太陽能電池，其中， 該太陽能電池具有層疊金屬電極層、發(fā)電層、透明電極層以及透明基板而成的結(jié)構(gòu)， 上述透明電極層由權(quán)利要求1至4中任一項所述的層疊體形成。
8.一種層疊體的制造方法，其特征在于，該層疊體的制造方法具有以下工序: 使用表面具有周期性的凹凸部的原模制造表面具有周期性的凹凸部的防反射結(jié)構(gòu)體的工序；以及 在上述防反射結(jié)構(gòu)體的上述凹凸部上形成透明導(dǎo)電膜的工序， 在上述原模中，除最外側(cè)的凸部以外的任意的凸部與距該任意的凸部的距離的合計最短的6個凸部配置為:(I)在該6個凸部中的4個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有連結(jié)部，該連結(jié)部在比凸部的頂點低且比凹部的底點高的位置將凸部彼此連結(jié)，(2)在該6個凸部中的剩余的兩個上述凸部的每一者與上述任意的凸部之間存在有凹部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊體的制造方法，其中， 沿著以上述任意的凸部為中心交叉的3個方向中的兩個方向交替配置有上述凸部與上述連結(jié)部，沿著剩余的一個方向交替配置有上述凸部與上述凹部。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的層疊體的制造方法，其中， 該層疊體的制造方法還具有制造上述原模的工序， 該工序包括以下工序: 在基體上形成抗蝕膜的工序； 在該抗蝕膜的表面上曝光光強度沿著第I方向發(fā)生變化的第I干涉條紋的工序；在該抗蝕膜的表面上曝光光強度沿著與上述第I方向交叉的第2方向發(fā)生變化的第2干涉條紋的工序；以及 在上述第I干涉條紋及上述第2干涉條紋曝光之后使上述抗蝕膜顯影的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊體的制造方法，其中， 上述第I方向與上述第2方向所成的角度為60°。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的 層疊體的制造方法，其中， 上述第I方向與上述第2方向所成的角度為90°。
【文檔編號】H01L31/04GK103988097SQ201280060435
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2012年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月8日
【發(fā)明者】坂本寬, 池田康宏, 一色真誠, 海田由里子 申請人:旭硝子株式會社
相關(guān)技術(shù)
網(wǎng)友詢問留言
已有0條留言
- 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊！
1