單片晶圓蝕刻設(shè)備的制作方法
【專利摘要】提出了一種每次蝕刻一片晶圓的單片晶圓蝕刻設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明，所述單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠甚至在產(chǎn)生氣體(蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品)的情況下通過(guò)振動(dòng)所述晶圓來(lái)排放氣體，并且還可防止所述氣體吸附在所述晶圓的表面上。此外，由于所述單片晶圓蝕刻設(shè)備可對(duì)所述晶圓的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行直接加熱，所以甚至在由于蝕刻進(jìn)行的同時(shí)蝕刻溶劑從所述晶圓的中心朝向圓周方向移動(dòng)而導(dǎo)致蝕刻溫度從所述晶圓的中心朝向圓周方向逐漸增加的情況下，所述單片晶圓蝕刻設(shè)備可通過(guò)從圓周方向朝向所述晶圓的中心以溫度增加的方式進(jìn)行加熱來(lái)均衡地維持反應(yīng)溫度。因此所述單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠在所述晶圓的任何位置處維持均衡的蝕刻程度，并且還能夠提高平整度。
【專利說(shuō)明】單片晶圓蝕刻設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)涉及一種單片晶圓蝕刻設(shè)備，在該單片晶圓蝕刻設(shè)備中，被轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)的晶圓通過(guò)經(jīng)由噴嘴噴射的蝕刻溶劑來(lái)以每次一個(gè)的形式被蝕刻。
【背景技術(shù)】
[0002]通常進(jìn)行蝕刻加工是為了消除在晶圓的機(jī)械加工的過(guò)程中產(chǎn)生的損傷。
[0003]最近，半導(dǎo)體工業(yè)中已出現(xiàn)了增加晶圓的直徑以及增加集成密度和半導(dǎo)體裝置的圖案精細(xì)度的趨勢(shì)。批量式蝕刻設(shè)備不僅增加尺寸以便蝕刻大直徑晶圓，并且還增加對(duì)蝕刻溶劑的消耗。因此，每次對(duì)一個(gè)晶圓進(jìn)行加工的單片晶圓蝕刻設(shè)備已被廣泛地使用，以便有效地蝕刻大直徑晶圓。
[0004]在韓國(guó)專利申請(qǐng)2008-0019366，2008-7019037，和 2009-0002214 中公開(kāi)了典型的
單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，晶圓通過(guò)真空抽吸被固定在轉(zhuǎn)盤(pán)上并且蝕刻溶劑能夠隨著轉(zhuǎn)盤(pán)的旋轉(zhuǎn)從蝕刻噴嘴供給到晶圓的前表面或后表面上。此時(shí)，蝕刻噴嘴通過(guò)移動(dòng)機(jī)構(gòu)來(lái)移動(dòng)，并且滴落在晶圓的表面上的蝕刻溶劑由于轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)所伴隨的離心力而被散布在晶圓的整個(gè)表面上。
[0005]因此，對(duì)于典型的單片晶圓蝕刻設(shè)備而言，由于蝕刻溶劑覆蓋整個(gè)晶圓，所以所述蝕刻在晶圓的整個(gè)表面上進(jìn)行。因此，來(lái)自蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品的大量氣體不僅可被吸附在晶圓的表面上，并且所述氣體還可妨礙晶圓的表面與新供給的蝕刻溶劑發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)而可劣化晶圓的平整度。
[0006]同時(shí)，蝕刻反應(yīng)所引起的蝕刻程度可受溫度的急劇影響。但是，對(duì)于典型的單片晶圓蝕刻設(shè)備而言，供給在晶圓的中心處的蝕刻溶劑由于離心力而朝向晶圓的圓周方向移動(dòng)，并且隨著蝕刻溶劑和晶圓的表面之間的反應(yīng)被重復(fù)，蝕刻根據(jù)蝕刻溶劑的溫度的增加而朝向晶圓的圓周方向更為嚴(yán)重，進(jìn)而可劣化晶圓的平整度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]技術(shù)問(wèn)題
[0008]實(shí)施例提供了一種能夠去除氣體(蝕刻溶劑和晶圓表面之間的副產(chǎn)品)的單片晶圓蝕刻設(shè)備。
[0009]實(shí)施例還提供了一種單片晶圓蝕刻設(shè)備，所述單片晶圓蝕刻設(shè)備能夠均衡地維持蝕刻溶劑和晶圓的表面(不論晶圓的表面上的任何位置處)之間的反應(yīng)溫度。
[0010]解決方案
[0011]在一個(gè)實(shí)施例中，一種單片晶圓蝕刻設(shè)備包括:轉(zhuǎn)盤(pán)，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓，并且所述轉(zhuǎn)盤(pán)的直徑小于所述晶圓的直徑；噴嘴，所述噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤(pán)上的晶圓上；使所述轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置；以及振動(dòng)裝置，所述振動(dòng)裝置在蝕刻溶劑從所述噴嘴噴射期間振動(dòng)所述轉(zhuǎn)盤(pán)。
[0012]所述單片晶圓蝕刻設(shè)備可進(jìn)一步包括加熱裝置，所述加熱裝置在蝕刻溶劑從所述噴嘴噴射期間對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行加熱。
[0013]所述加熱裝置可包括:供熱基體，所述供熱基體具有在所述轉(zhuǎn)盤(pán)上的分隔開(kāi)的區(qū)域；多個(gè)電力電纜，所述多個(gè)電力電纜將電力傳輸?shù)剿龉峄w的各個(gè)區(qū)域；以及供電單元，所述供電單元將電力供給至所述電力電纜。
[0014]所述供熱基體可包括多個(gè)供熱區(qū)域，所述多個(gè)供熱區(qū)域從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心沿著圓周方向分隔開(kāi)并且從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心朝向圓周方向以溫度降低的方式運(yùn)轉(zhuǎn)。
[0015]所述振動(dòng)裝置可以是被包含在驅(qū)動(dòng)裝置中的振蕩器。
[0016]所述振動(dòng)裝置可以是被包含在所述轉(zhuǎn)盤(pán)和所述晶圓之間的石英振動(dòng)器，或所述振動(dòng)裝置可以是石英振動(dòng)器，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有安裝到其上的晶圓。
[0017]在另一實(shí)施例中，一種單片晶圓蝕刻設(shè)備包括:轉(zhuǎn)盤(pán)，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓；噴嘴，所述噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤(pán)上的晶圓上；使所述轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置；供熱基體，所述供熱基體被包含在所述轉(zhuǎn)盤(pán)上并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行加熱；以及振蕩器，所述振蕩器被包含在所述驅(qū)動(dòng)裝置中并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)進(jìn)行振蕩。
[0018]所述供熱基體可包括多個(gè)供熱區(qū)域，所述多個(gè)供熱區(qū)域從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心沿著圓周方向分隔開(kāi)并且從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心朝向圓周方向以溫度降低的方式運(yùn)轉(zhuǎn)。
[0019]所述振蕩器可與所述噴嘴和所述供熱基體相關(guān)聯(lián)。
[0020]在另一實(shí)施例中，一種單片晶圓蝕刻設(shè)備包括:轉(zhuǎn)盤(pán)，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓，并且所述轉(zhuǎn)盤(pán)的直徑小于所述晶圓的直徑；噴嘴，所述噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤(pán)上的晶圓上；使所述轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置；供熱基體，所述供熱基體被包含在所述轉(zhuǎn)盤(pán)上并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行加熱；以及振動(dòng)器，所述振動(dòng)器被包含在所述供熱基體中并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)進(jìn)行振動(dòng)。
[0021]所述供熱基體可包括多個(gè)供熱區(qū)域，所述多個(gè)供熱區(qū)域從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心沿著圓周方向分隔開(kāi)并且從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心朝向圓周方向以溫度降低的方式運(yùn)轉(zhuǎn)。
[0022]所述振動(dòng)器可與所述噴嘴和所述供熱基體相關(guān)聯(lián)。
[0023]有益效果
[0024]因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備包括對(duì)其上安裝有晶圓的轉(zhuǎn)盤(pán)進(jìn)行振動(dòng)的振動(dòng)裝置，所以甚至在產(chǎn)生氣體(蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品)的情況下，該單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅可以通過(guò)振動(dòng)所述晶圓來(lái)排放所述氣體，而且還可防止所述氣體吸附在所述晶圓的表面上，并在甚至連續(xù)供給蝕刻溶劑的情況下通過(guò)允許平穩(wěn)地進(jìn)行與所述晶圓的表面的反應(yīng)來(lái)提高平整度。
[0025]此外，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備包括對(duì)其上安裝有晶圓的轉(zhuǎn)盤(pán)的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱裝置，所以甚至在由于蝕刻進(jìn)行的同時(shí)蝕刻溶劑從所述晶圓的中心朝向圓周方向移動(dòng)而導(dǎo)致蝕刻溫度從所述晶圓的中心朝向圓周方向逐漸增加的情況下，所述單片晶圓蝕刻設(shè)備可通過(guò)從圓周方向朝向所述晶圓的中心以溫度增加的方式進(jìn)行加熱來(lái)均衡地維持反應(yīng)溫度。根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠在所述晶圓的任何位置處維持均衡的蝕刻程度，并且還能夠提高平整度。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0026]圖1和圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第一實(shí)施例；
[0027]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的加熱裝置的一個(gè)示例；
[0028]圖4示出了運(yùn)行根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第一實(shí)施例的過(guò)程期間的氣體排放現(xiàn)象；
[0029]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第二實(shí)施例；以及
[0030]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第三實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0031]在下文中，將參考附圖詳細(xì)地說(shuō)明所述實(shí)施例。但是本發(fā)明能夠以多種不同的方式實(shí)施并且不應(yīng)理解為受限于文中陳述的實(shí)施例；通過(guò)添加、修改和變化可容易地得到包括在另一變形的發(fā)明中或落入本公開(kāi)的精神和范圍之內(nèi)的替代性實(shí)施例。
[0032]圖1和圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第一實(shí)施例，并且圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的加熱裝置的一個(gè)示例。
[0033]如圖1和圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的一個(gè)示例中可包括其上安裝有晶圓I的轉(zhuǎn)盤(pán)110、旋轉(zhuǎn)所述轉(zhuǎn)盤(pán)110的驅(qū)動(dòng)裝置120、將蝕刻溶劑噴射到安裝在所述轉(zhuǎn)盤(pán)110上的晶圓I的表面上的噴射裝置130、對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)110進(jìn)行加熱的加熱裝置140以及振動(dòng)所述轉(zhuǎn)盤(pán)110的振動(dòng)器150。
[0034]轉(zhuǎn)盤(pán)110為圓板狀，其中，所述轉(zhuǎn)盤(pán)110的直徑小于晶圓的直徑以便除了利于對(duì)晶圓的真空抽吸之外還能夠使得滴落在所述晶圓上的蝕刻溶劑可易于被分散。此外，轉(zhuǎn)盤(pán)110包括位于其上表面的中心處的支托部111，振動(dòng)器150可被安裝在所述支托部111中。此時(shí)，轉(zhuǎn)盤(pán)110被連接至產(chǎn)生真空力的真空供給單元112以便通過(guò)真空來(lái)固定所述晶圓1，并且在所述真空供給單元112和所述晶圓的中心之間進(jìn)行連接的真空路徑112h被包括。晶圓I可被安裝在轉(zhuǎn)盤(pán)110上或穩(wěn)固地布置在所述轉(zhuǎn)盤(pán)110的支托部111上。
[0035]驅(qū)動(dòng)裝置120包括連接至轉(zhuǎn)盤(pán)110的下表面的中心的旋轉(zhuǎn)軸121、為旋轉(zhuǎn)軸121提供動(dòng)力的電動(dòng)機(jī)122以及在旋轉(zhuǎn)軸121和電動(dòng)機(jī)122之間傳遞動(dòng)力的帶輪和皮帶123。此時(shí)，電動(dòng)機(jī)122和旋轉(zhuǎn)軸121可直接相互連接。但是由于下文中將說(shuō)明的加熱裝置140以及真空路徑112h和真空供給單元112通過(guò)旋轉(zhuǎn)軸121引入，所述電動(dòng)機(jī)122和所述旋轉(zhuǎn)軸121可以以動(dòng)力通過(guò)分開(kāi)的帶輪和皮帶123傳遞的方式被連接。
[0036]噴射裝置130可包括噴嘴131、移動(dòng)機(jī)構(gòu)132、蝕刻溶劑供給單元133以及引導(dǎo)部134a 和 134b ο
[0037]具體來(lái)說(shuō)，噴嘴131被配置為與轉(zhuǎn)盤(pán)110的中心的上側(cè)具有一預(yù)定的間距，并且被構(gòu)造為能夠?qū)⑽g刻溶劑噴射到晶圓I的表面的中心上。此時(shí)，可通過(guò)包括單獨(dú)的控制器來(lái)控制所述噴嘴131，所述單獨(dú)的控制器調(diào)節(jié)噴射角或調(diào)節(jié)離開(kāi)晶圓I的高度或控制是否噴射蝕刻溶劑。噴嘴131可被構(gòu)造為除了蝕刻溶劑之外還能夠噴射洗滌劑，并且同樣地，所述噴嘴131可被構(gòu)造為調(diào)節(jié)噴射角度、離開(kāi)晶圓的高度以及是否噴射所述洗滌劑。
[0038]此外，移動(dòng)機(jī)構(gòu)132可被連接以將存儲(chǔ)在蝕刻溶劑供給單元133中的蝕刻溶劑噴射至噴嘴131，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)132可控制在晶圓I的表面上移動(dòng)的噴嘴131并且可通過(guò)包括單獨(dú)的控制器來(lái)控制所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)132。
[0039]此外，可包括便于與轉(zhuǎn)盤(pán)110分隔開(kāi)的蝕刻溶劑供給單元133并且所述溶劑供給單元133被構(gòu)造為根據(jù)晶圓I的類型將其它的蝕刻溶劑存儲(chǔ)在其中。
[0040]此外，包括多個(gè)圍繞轉(zhuǎn)盤(pán)110的引導(dǎo)部134a和134b，并且所述多個(gè)引導(dǎo)部134a和134b可防止噴射到晶圓I的表面上的蝕刻溶劑由于轉(zhuǎn)盤(pán)110上的晶圓I的旋轉(zhuǎn)所伴隨的離心力而被噴射到其周圍的環(huán)境中。
[0041]加熱裝置140通過(guò)使用具有高的傳熱效率的傳導(dǎo)方法來(lái)對(duì)晶圓I進(jìn)行加熱，所述加熱裝置140可將晶圓I的各個(gè)區(qū)域加熱至不同的溫度，并且可包括供熱基體141a、141b、141c、141d 和 141e、電力電纜 142a、142b、142c、142d 和 142e 以及供電單元 143。
[0042]供熱基體141a、141b、141c、141d和141e可由多環(huán)板狀的供熱區(qū)域形成，所述供熱區(qū)域具有沿圓周方向分隔開(kāi)的區(qū)域。此時(shí)，供熱基體141a、141b、141c、141d和141e可由具有不同電阻值的材料形成，以便從圓周方向朝向中心以溫度增高的方式來(lái)加熱晶圓(即使在施加到其上的電能相同的情況下)。供熱基體141a、141b、141c、141d和141e可被分別連接至用于各區(qū)域的電力電纜142a、142b、142c、142d和142e，并且可從供電單元143接收電能。同時(shí)，在供熱基體141a、141b、141c、141d和141e由具有相同電阻值的材料形成的情況下，從供電單元143供給至電力電纜142a、142b、142c、142d和142e的電能(即，供給至供熱基體141a、141b、141c、141d和141e的各區(qū)域的電能)可被控制以便控制用于供熱基體141a、141b、141c、141d和141e的各區(qū)域的溫度。
[0043]振動(dòng)器150為圓板狀并且被穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤(pán)110上以便被包括在晶圓I和供熱基體141a、141b、141c、141d以及141e之間，并且能夠供電的單獨(dú)供電單元(未示出)可被連接到所述振動(dòng)器150上。此時(shí)，振動(dòng)器150用于振動(dòng)晶圓I以便排放由于蝕刻溶劑和晶圓I的表面之間在蝕刻過(guò)程中的反應(yīng)所產(chǎn)生的氣體。因此，振動(dòng)器150可被操作為在蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生振動(dòng)，并且可被控制為在蝕刻溶劑從噴嘴131被噴射的期間或加熱裝置140運(yùn)行的期間進(jìn)行振動(dòng)。
[0044]振動(dòng)器150可由多種材料(例如石英或藍(lán)寶石)形成，并且可使用石英振動(dòng)器。通過(guò)連接薄片兩側(cè)上的電極來(lái)形成石英振動(dòng)器150，所述薄片通過(guò)相對(duì)于石英的晶軸沿特定的方向?qū)κ⑦M(jìn)行切割來(lái)制備，并且所述石英振動(dòng)器150被操作為通過(guò)電致伸縮效果(基于施加的電壓)所引起的外加的變形力來(lái)進(jìn)行振動(dòng)。雖然由于蝕刻溶劑和晶圓I的表面之間在蝕刻過(guò)程環(huán)境中的反應(yīng)而使得溫度發(fā)生變化，但是石英振動(dòng)器150可被使用在蝕刻過(guò)程環(huán)境中，這是因?yàn)槭⒄駝?dòng)器150對(duì)于溫度變化而言是穩(wěn)定的。
[0045]同時(shí)，如上構(gòu)造的單片晶圓蝕刻設(shè)備的示例的運(yùn)行過(guò)程將在下文中進(jìn)行說(shuō)明。
[0046]首先，當(dāng)真空供給單元112運(yùn)行時(shí)，真空狀態(tài)通過(guò)真空路徑112h維持并且與真空路徑112h接觸的晶圓I被吸附至振動(dòng)器150。
[0047]隨后，當(dāng)電動(dòng)機(jī)122運(yùn)行時(shí)，隨著動(dòng)力通過(guò)皮帶123的傳遞，使得旋轉(zhuǎn)軸121和轉(zhuǎn)盤(pán)110旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而使得晶圓I旋轉(zhuǎn)。此外，當(dāng)蝕刻溶劑供給單元133運(yùn)行時(shí)，蝕刻過(guò)程被執(zhí)行，同時(shí)蝕刻溶劑通過(guò)噴嘴131被噴射到晶圓I的表面上。此時(shí)，蝕刻在蝕刻溶劑與晶圓I的表面發(fā)生反應(yīng)時(shí)被執(zhí)行，蝕刻反應(yīng)發(fā)生的同時(shí)蝕刻溶劑還隨著晶圓I的旋轉(zhuǎn)而從中心朝向圓周方向移動(dòng)，并且蝕刻溶劑的溫度隨著蝕刻反應(yīng)的進(jìn)一步進(jìn)行而增加。
[0048]當(dāng)供電單元143在蝕刻過(guò)程期間運(yùn)行的情況下，供熱基體141a、141b、141c、141d以及141e的各個(gè)區(qū)域可被加熱至不同的溫度，并且可從圓周方向朝著中心以溫度增高的方式來(lái)加熱晶圓。因此，可從中心朝向圓周方向以溫度增高的方式來(lái)維持蝕刻溶劑。但是，因?yàn)楣峄w141a、141b、141c、141d以及141e可從圓周朝向中心維持溫度增高，由于蝕刻溶劑和供熱基體141a、141b、141c、141d以及141e使得所述整個(gè)晶圓I的蝕刻反應(yīng)能夠以統(tǒng)一的溫度進(jìn)行，進(jìn)而可在整個(gè)晶圓I上維持均勻的平整度。
[0049]圖4示出了運(yùn)行根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第一實(shí)施例的過(guò)程期間的氣體排放現(xiàn)象。
[0050]在進(jìn)行如上所述的蝕刻過(guò)程期間，氣體可作為蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品產(chǎn)生以停留在蝕刻溶劑中或可附著至晶圓I的表面(如圖4所示)。此時(shí)，當(dāng)振動(dòng)器150運(yùn)行時(shí)，蝕刻反應(yīng)產(chǎn)生的氣體3可隨著由于振動(dòng)引起的氣體移動(dòng)而從蝕刻溶液2中逸出或可與晶圓I的表面脫離。因此，由于停留在晶圓I上的氣體可被移除，所以新供給的蝕刻溶劑2可與晶圓I的表面發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)而可增加平整度。
[0051]同時(shí)，在單片晶圓蝕刻設(shè)備的示例中，可包括轉(zhuǎn)盤(pán)110以便在包括如圖1所示的加熱裝置140的情況下安裝所述加熱裝置140。但是，加熱裝置140可被省略。在加熱裝置140被省略的情況下，不可包括轉(zhuǎn)盤(pán)110，并且如圖6所示，不僅所述晶圓I可被安裝到振動(dòng)器210本體上，并且所述振動(dòng)器210可被構(gòu)造為替代轉(zhuǎn)盤(pán)以便在旋轉(zhuǎn)期間進(jìn)行真空抽吸。
[0052]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第二實(shí)施例。
[0053]如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第二實(shí)施例可被構(gòu)造為包括其上穩(wěn)固地布置有晶圓的轉(zhuǎn)盤(pán)110、旋轉(zhuǎn)所述轉(zhuǎn)盤(pán)110的驅(qū)動(dòng)裝置120、將蝕刻溶劑噴射到安裝在轉(zhuǎn)盤(pán)110上的晶圓I的表面上的噴射裝置130、對(duì)安裝在轉(zhuǎn)盤(pán)110上的晶圓I的各區(qū)域進(jìn)行直接加熱的加熱裝置140以及振蕩所述轉(zhuǎn)盤(pán)110的振蕩器160。此時(shí)，由于轉(zhuǎn)盤(pán)110、驅(qū)動(dòng)裝置120、噴射裝置130以及加熱裝置140按照與單片晶圓蝕刻設(shè)備的第一實(shí)施例相同的方式構(gòu)造，所以省略了對(duì)它們的詳細(xì)說(shuō)明。
[0054]振蕩器160可被連接至旋轉(zhuǎn)軸121的下部以便對(duì)旋轉(zhuǎn)軸121進(jìn)行直接振蕩。振蕩器160可被連接至電動(dòng)機(jī)122或?yàn)樾D(zhuǎn)軸121提供動(dòng)力的皮帶123以便對(duì)旋轉(zhuǎn)軸121進(jìn)行間接地振蕩。此時(shí)，振蕩器160是將旋轉(zhuǎn)力轉(zhuǎn)換為沿豎直方向的運(yùn)動(dòng)的裝置，并且由于振蕩器160可具有不同的構(gòu)造，所以其構(gòu)造是非限制性的。
[0055]具體來(lái)說(shuō)，如果旋轉(zhuǎn)軸121的旋轉(zhuǎn)中心以傾斜狀態(tài)或變化的狀態(tài)振動(dòng)，可在蝕刻溶劑被噴射到晶圓I的表面上時(shí)影響噴射角和噴射高度，進(jìn)而使得不能確保晶圓I的質(zhì)量。因此，為了確保晶圓I的蝕刻質(zhì)量，振蕩器160僅可沿豎直方向振動(dòng)并且同時(shí)維持旋轉(zhuǎn)軸121的中心處于豎直狀態(tài)。此時(shí)，振蕩器160還被控制為在蝕刻過(guò)程期間進(jìn)行振蕩并且可被運(yùn)轉(zhuǎn)為以便與噴嘴131或加熱裝置140相關(guān)聯(lián)。
[0056]由于如上構(gòu)造的單片晶圓蝕刻設(shè)備的第二實(shí)施例以與其第一實(shí)施例的方式相同的方式運(yùn)行，所以其細(xì)節(jié)的說(shuō)明將被省略。
[0057]工業(yè)應(yīng)用性
[0058]由于晶圓能夠通過(guò)使用蝕刻溶劑以每次一個(gè)的方式進(jìn)行蝕刻，所以本實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用。
【權(quán)利要求】
1.一種單片晶圓蝕刻設(shè)備，包括: 轉(zhuǎn)盤(pán)，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓，并且所述轉(zhuǎn)盤(pán)的直徑小于所述晶圓的直徑； 噴嘴，所述噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤(pán)上的晶圓上； 使所述轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置；以及 振動(dòng)裝置，所述振動(dòng)裝置在蝕刻溶劑從所述噴嘴噴射期間振動(dòng)所述轉(zhuǎn)盤(pán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，進(jìn)一步包括加熱裝置，所述加熱裝置在蝕刻溶劑從所述噴嘴噴射期間對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行加熱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述加熱裝置包括: 供熱基體，所述供熱基體具有在所述轉(zhuǎn)盤(pán)上的分隔開(kāi)的區(qū)域； 多個(gè)電力電纜，所述多個(gè)電力電纜將電力傳輸?shù)剿龉峄w的各個(gè)區(qū)域；以及 供電單元，所述供電單元將電力供給至所述電力電纜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述供熱基體包括多個(gè)供熱區(qū)域，所述多個(gè)供熱區(qū)域從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心沿著圓周方向分隔開(kāi)并且從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心朝向圓周方向以溫度降低的方式 運(yùn)轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述振動(dòng)裝置是被包含在所述驅(qū)動(dòng)裝置中的振蕩器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述振動(dòng)裝置是被包含在所述轉(zhuǎn)盤(pán)和所述晶圓之間的石英振動(dòng)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述振動(dòng)裝置是石英振動(dòng)器，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有安裝到其上的晶圓。
8.一種單片晶圓蝕刻設(shè)備，包括: 轉(zhuǎn)盤(pán)，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓； 噴嘴，所述噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤(pán)上的晶圓上； 使所述轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置； 供熱基體，所述供熱基體被包含在所述轉(zhuǎn)盤(pán)上并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行加熱；以及 振蕩器，所述振蕩器被包含在所述驅(qū)動(dòng)裝置中并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)進(jìn)行振蕩。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述供熱基體包括多個(gè)供熱區(qū)域，所述多個(gè)供熱區(qū)域從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心沿著圓周方向分隔開(kāi)并且從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心朝向圓周方向以溫度降低的方式運(yùn)轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述振蕩器與所述噴嘴和所述供熱基體相關(guān)聯(lián)。
11.一種單片晶圓蝕刻設(shè)備，包括: 轉(zhuǎn)盤(pán)，所述轉(zhuǎn)盤(pán)具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓，并且所述轉(zhuǎn)盤(pán)的直徑小于所述晶圓的直徑； 噴嘴，所述噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤(pán)上的晶圓上； 使所述轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置； 供熱基體，所述供熱基體被包含在所述轉(zhuǎn)盤(pán)上并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行加熱；以及 振動(dòng)器，所述振動(dòng)器被包含在所述供熱基體中并且對(duì)所述轉(zhuǎn)盤(pán)進(jìn)行振動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述供熱基體包括多個(gè)供熱區(qū)域，所述多個(gè)供熱區(qū)域從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心沿著圓周方向分隔開(kāi)并且從所述轉(zhuǎn)盤(pán)的中心朝向圓周方向以溫度降低的方式運(yùn)轉(zhuǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的單片晶圓蝕刻設(shè)備，其中，所述振動(dòng)器與所述噴嘴和所述供熱基體相 關(guān)聯(lián)。
【文檔編號(hào)】H01L21/306GK103999197SQ201280061973
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2012年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月16日
【發(fā)明者】李在桓, 崔恩碩 申請(qǐng)人:Lg矽得榮株式會(huì)社