打線裝置制造方法
【專利摘要】打線裝置，具備：基座(11)、使毛細(xì)管(15)相對于基座(11)在XYZ方向上移動(dòng)的接合頭(13)、導(dǎo)線洗凈用等離子體單元(30)；導(dǎo)線洗凈用等離子體單元(30)包含：中空的殼體(31a)、(31b)，以使內(nèi)壓高于大氣壓的方式導(dǎo)入惰性氣體；各孔(33a)、(33b)，以由導(dǎo)線(21)插通的方式分別設(shè)置于殼體(31a)、(31b)；等離子體用電極，設(shè)置于各孔(33a)、(33b)周緣的各殼體(31a)、(31b)的內(nèi)側(cè)；使導(dǎo)線(21)于在大氣未進(jìn)入至殼體(31a)、(31b)內(nèi)的狀態(tài)下產(chǎn)生的等離子體中通過，對導(dǎo)線(21)進(jìn)行洗凈。有效果地對打線裝置的接合中所使用的導(dǎo)線表面進(jìn)行洗凈。
【專利說明】打線裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有導(dǎo)線洗凈功能的打線裝置的構(gòu)造。
【背景技術(shù)】
[0002]大多使用利用金屬制導(dǎo)線將半導(dǎo)體芯片的電極與基板的電極之間予以連接的打線裝置。對于該等打線裝置而言，存在如下情形:若作為連接線的導(dǎo)線的表面氧化，則與電極的接合性會(huì)降低，導(dǎo)致接合強(qiáng)度、電氣特性等劣化。因此，在打線裝置中，大多使用表面不會(huì)氧化的金線將各電極之間予以連接。
[0003]然而，金線雖然接合特性優(yōu)異，但存在如下問題:價(jià)格高，且與銅等相比較，電氣特性低。因此，近年來，提出了使用銅線的打線裝置。對于使用銅線的打線裝置而言，需要使銅表面為潔凈狀態(tài)，以確保良好地接合于電極的連接狀態(tài)。因此，已提出有如下方法:在進(jìn)行接合前，使等離子體撞擊銅線表面，對該銅線表面進(jìn)行洗凈，將附著于導(dǎo)線表面的有機(jī)雜質(zhì)除去后，將還原性氣體或惰性氣體噴射至導(dǎo)線，抑制導(dǎo)線表面的氧化，將表面潔凈的導(dǎo)線供給至接合工具(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0004][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0005][專利文獻(xiàn)]
[0006][專利文獻(xiàn)I]日本特表2008-535251號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007][發(fā)明所欲解決的問題]
[0008]然而，當(dāng)欲于大氣壓的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體時(shí)，大多使用將高頻交流電壓施加至電極之間的方法，在該情形時(shí)，導(dǎo)致產(chǎn)生的等離子體溫度變高，被等離子體照射的導(dǎo)線達(dá)到高溫，從而存在如下情形，即，在導(dǎo)線受到冷卻期間，導(dǎo)線的表面氧化。另一方面，當(dāng)在減壓至大氣壓以下的環(huán)境中產(chǎn)生等離子體時(shí)，可以低電壓產(chǎn)生低溫等離子體。因此，在專利文獻(xiàn)I中提出有以下方法:在減壓至大氣壓以下的腔室中產(chǎn)生低溫等離子體，將該等離子體照射至導(dǎo)線，藉此，使等離子體照射對于導(dǎo)線的加熱作用減小。
[0009]然而，對于專利文獻(xiàn)I所揭示的減壓至大氣壓以下的腔室而言，在內(nèi)部殘留有少量的大氣，且于該少量的殘存大氣中含有氧。因此，在專利文獻(xiàn)I所揭示的減壓至大氣壓以下的腔室內(nèi)產(chǎn)生的等離子體為氧化性等離子體，其會(huì)于除去附著于導(dǎo)線表面的有機(jī)雜質(zhì)的同時(shí)，使導(dǎo)線表面氧化。因此，對于專利文獻(xiàn)I所揭示的現(xiàn)有技術(shù)而言，必需安裝補(bǔ)償裝置，以抑制導(dǎo)線表面的氧化，該補(bǔ)償裝置于藉由等離子體對導(dǎo)線進(jìn)行洗凈后，將還原性氣體或惰性氣體噴射至導(dǎo)線表面。
[0010]然而，在將還原性氣體或惰性氣體噴射至因被氧化性等離子體照射而氧化的導(dǎo)線的情形時(shí)，雖可冷卻導(dǎo)線，但難以使暫時(shí)氧化的導(dǎo)線表面的氧化狀態(tài)變?yōu)槲囱趸臓顟B(tài)，或難以除去形成于表面的氧化膜，最終會(huì)藉由表面已氧化的導(dǎo)線進(jìn)行接合，從而存在導(dǎo)線與電極的接合性不充分的情形。該問題對于表面易氧化的銅線而言表現(xiàn)得顯著。[0011]本發(fā)明的目的在于有效果地對打線裝置的接合過程中所使用的導(dǎo)線表面進(jìn)行洗凈。
[0012][解決問題的技術(shù)手段]
[0013]本發(fā)明的打線裝置具備:基體部；接合頭，使接合工具相對于基體部在XYZ方向上移動(dòng)；導(dǎo)線軸，安裝于基體部，且將導(dǎo)線供給至接合工具；以及導(dǎo)線洗凈用等離子體單元，配置于導(dǎo)線軸與接合工具之間；導(dǎo)線洗凈用等離子體單元包含:中空的殼體，以使內(nèi)壓高于大氣壓的方式導(dǎo)入有惰性氣體；各孔，以由導(dǎo)線插通的方式分別設(shè)置于相對向的各殼體壁；以及各電極，與各孔周緣的各殼體壁的內(nèi)面相對向地設(shè)置；且對各電極間通電，使導(dǎo)線于在大氣未進(jìn)入至上述殼體內(nèi)的各電極間的空間的狀態(tài)下產(chǎn)生的等離子體中通過，對導(dǎo)線進(jìn)行洗凈。
[0014]對于本發(fā)明的打線裝置而言，較佳為導(dǎo)線洗凈用等離子體單元安裝于接合頭；且較佳為包含至少2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件，安裝于基體部且將自導(dǎo)線軸供給的導(dǎo)線導(dǎo)引至直線方向；且較佳為導(dǎo)線洗凈用等離子體單元安裝于各導(dǎo)線導(dǎo)件之間的基體部；且亦較佳為殼體與各孔連通，且于各壁的外表面設(shè)置有由導(dǎo)線插通的各導(dǎo)管。
[0015]本發(fā)明的打線裝置包含基體部；接合頭，使接合工具相對于上述基體部在XYZ方向上移動(dòng)；導(dǎo)線軸，安裝于基體部上，且向接合工具供給導(dǎo)線；至少2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件，安裝于基體部且將自導(dǎo)線軸供給的導(dǎo)線導(dǎo)引至直線方向；所述打線裝置具備:洗凈等離子體單元，朝向各導(dǎo)線導(dǎo)件間的導(dǎo)線噴射洗凈用等離子體噴流；及還原等離子體單元，配置于洗凈等離子體單元的接合工具側(cè)，且進(jìn)一步于各導(dǎo)線導(dǎo)件間將還原用等離子體噴射至已被噴射洗凈用等離子體的導(dǎo)線噴射。
[0016]本發(fā)明的打線裝置包含:基體部；接合頭，使接合工具相對于基體部在XYZ方向上移動(dòng)；導(dǎo)線軸，安裝于基體部，且將導(dǎo)線供給至接合工具；所述打線裝置具備:洗凈等離子體單元，安裝于接合頭，且朝導(dǎo)線噴射洗凈用等離子體噴流；以及還原等離子體單元，安裝于洗凈等離子體單元的接合工具側(cè)的接合頭，且進(jìn)一步將還原用等離子體噴射至已被噴射洗凈用等離子體的導(dǎo)線。
[0017][發(fā)明的效果]
[0018]本發(fā)明具有如下效果，S卩，可有效果地對打線裝置的接合過程中所使用的導(dǎo)線表面進(jìn)行洗凈。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的打線裝置的構(gòu)成的說明圖。
[0020]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的打線裝置的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元的外觀的立體圖。
[0021]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的打線裝置的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元的內(nèi)部構(gòu)造的立體圖。
[0022]圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的打線裝置的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元的內(nèi)部構(gòu)造的立體剖面圖。
[0023]圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的打線裝置的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元的動(dòng)作的說明圖。[0024]圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的打線裝置的另一導(dǎo)線洗凈用等離子體單元的外觀的立體圖。
[0025]圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的打線裝置的另一導(dǎo)線洗凈用等離子體單元的動(dòng)作的說明圖。
[0026]圖8是表示本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的打線裝置的構(gòu)成的說明圖。
[0027]圖9是表示本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的打線裝置的構(gòu)成的說明圖。
[0028]圖10是表示本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的打線裝置的等離子體單元的構(gòu)成的說明圖。
[0029]圖11是表示本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)的打線裝置的構(gòu)成的說明圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下，一面參照圖式，一面對本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。如圖1所示，本實(shí)施形態(tài)的打線裝置100具備:作為基體部的基座11 ;XY平臺(tái)12，安裝于基座11上，且其上表面在XY方向上移動(dòng)；接合頭13，安裝于XY平臺(tái)12的上表面上；以及接合臂14，藉由設(shè)置于接合頭13內(nèi)部的Z方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使安裝于前端的接合工具即毛細(xì)管15移動(dòng)于Z方向。亦即，接合頭13藉由XY平臺(tái)12與安裝于內(nèi)部的Z方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使接合臂14移動(dòng)于Z方向，藉此，可使毛細(xì)管15在XYZ方向上移動(dòng)。又，在打線裝置100的基座11上安裝有接合臺(tái)16，該接合臺(tái)16對安裝有進(jìn)行打線的半導(dǎo)體模具46的基板47進(jìn)行抽吸固定。再者，圖1中，打線裝置100的上下方向?yàn)閆方向，自接合臺(tái)16朝向接合頭13的方向?yàn)閅方向，與YZ面垂直的方向?yàn)閄方向。
[0031]在固定于基座11的上部框體Ila上安裝有導(dǎo)線軸20與導(dǎo)流構(gòu)件19，上述導(dǎo)線軸20將導(dǎo)線21供給至毛細(xì)管15，上述導(dǎo)流構(gòu)件19將自導(dǎo)線軸20拉出的導(dǎo)線21的輸送方向轉(zhuǎn)換為Z方向。又，在上部框體Ila上安裝有2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件17、18，該2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件17、18于Z方向上呈直線狀地對輸送方向已被導(dǎo)流構(gòu)件19變更為Z方向的導(dǎo)線21進(jìn)行引導(dǎo)。在2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件17、18之間安裝有對導(dǎo)線21的表面進(jìn)行洗凈的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30。如圖1所示，導(dǎo)線21是以貫通在設(shè)置于導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30的孔33a、33b中的方式，插通于導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30。導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30是安裝于基座11上所固定的上部框體11a。用以產(chǎn)生洗凈用等離子體的氣體入口管34、與供給等離子體產(chǎn)生用直流脈沖電源的直流脈沖電源裝置45連接于導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30。
[0032]自導(dǎo)線軸20拉出的導(dǎo)線21于2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件17、18之間，幾乎不在XY方向上移動(dòng)，但于配置于下側(cè)的導(dǎo)線導(dǎo)件18與毛細(xì)管15之間，隨著接合頭13及毛細(xì)管15的移動(dòng)，如圖1所示的一點(diǎn)鎖線般在XY方向上移動(dòng)。導(dǎo)線21插通于毛細(xì)管15，且藉由毛細(xì)管15的前端而接合于半導(dǎo)體模具46或基板47的各電極上。
[0033]如圖2、圖3所示，導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30組合有陶瓷制的上半殼體31a與下半殼體31b，在各殼體31a、31b上下的壁31c、31d分別設(shè)置有導(dǎo)線21所貫通的孔33a、33b。又，在各殼體31a、31b上設(shè)置有連接著來自直流脈沖電源裝置45的電線的電極35a、35b。如圖3所示，在各殼體31a、31b的內(nèi)側(cè)形成有凹部36a、36b，該凹部36a、36b在組合各殼體31a、31b時(shí)，在內(nèi)部形成圖4所示的中空部36c，凸座37a、37b在孔33a、33b的周圍突出，該凸座37a、37b于內(nèi)部埋入有圓環(huán)狀等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b。凸座37a、37b的前端面39a、39b低于各殼體31a、31b的對接面，且是以如下方式構(gòu)成，S卩，當(dāng)使各殼體31a、31b對接時(shí)，在各凸座37a、37b的各前端面39a、39b之間形成空間。
[0034]在各殼體3la、3Ib的處于設(shè)置有各孔33a、33b的側(cè)的相反側(cè)的端部，分別設(shè)置有半圓形剖面的凹處39。若組合各殼體31a、31b,則該半圓形剖面的凹處39形成安裝氣體入口管34的圓筒形孔。又，在連接氣體入口管34的凹處39附近的凹部36a、36b配置有突起38a、38b，該突起38a、38b用以使自氣體入口管34流入的氣體于圖4所示的中空部36c中均等地流動(dòng)。
[0035]一面參照圖4，一面對已組合以上述方式構(gòu)成的上半殼體31a與下半殼體31b的狀態(tài)的構(gòu)成進(jìn)行說明。若以使各凹部36a、36b相向的方式,使上半殼體31a與下半殼體31b重疊，則各殼體31a、31b周圍的對接面會(huì)彼此密接，且于內(nèi)部形成中空部36c。又，各凸座37a、37b的各前端面39a、39b的高度低于各殼體31a、31b的對接面的高度，因此，在組合各殼體31a、31b的情形時(shí),會(huì)在各前端面39a、39b之間形成空間50。各殼體31a、31b的設(shè)置有壁的各孔33a、33b是設(shè)置于如下位置，當(dāng)組合各殼體31a、31b時(shí)，上述各孔33a、33b于該位置相向，各凸座37a、37b形成為與各孔33a、33b同心的形狀，因此，各凸座37a、37b的各前端面39a、39b亦處于彼此相向的位置。
[0036]突起38a、38b的高度為與各殼體31a、31b的對接面的高度相同的高度，因此，若使各殼體31a、31b對接，則各殼體31a、31b的前端面會(huì)彼此密接，如圖4的箭頭所示，使自氣體入口管34流入的氣體自各殼體31a、31b的兩側(cè)流入至中空部36c，從而使中空部36c中的氣流均一。
[0037]如圖4所示，埋入至各殼體31a、31b的壁31c、31d中的電極35a、35b的一部分自各殼體31a、31b的各壁31c、31d的表面露出。而且，各電極35a、35b與埋入至各凸座37a、37b中的各等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b之間是藉由埋入至各壁31c、31d中的連接線42a、42b連接。
[0038]參照圖5對以上述方式構(gòu)成的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30的動(dòng)作進(jìn)行說明。如圖1所示，導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30固定于上部框體11a，導(dǎo)線21貫通于各孔33a、33b且自上朝下延伸。等離子體生成用氣體如圖5所示的箭頭a，自圖1所示的氣體入口管34流入至中空部36c。氣體例如為氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w。又,等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b是藉由連接線42a、42b而連接于直流脈沖電源裝置45。首先，在對等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b通電前，氣體自中空部36c流經(jīng)凸座37a、37b周圍，且自各凸座37a、37b的各前端面39a、39b的外周側(cè)朝內(nèi)側(cè)的孔33a、33b水平地流動(dòng)，經(jīng)由孔33a、33b分別朝上下方向流出。因此，中空部36c的壓力成為稍高于大氣壓的壓力，大氣不會(huì)自各孔33a、33b進(jìn)入至中空部36c，導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30的中空部36c保持為充滿惰性氣體的惰性氣體環(huán)境。
[0039]而且，若自直流脈沖電源裝置45供給的直流脈沖電力對各等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b通電，則會(huì)于凸座37a、37b的前端面39a、39b之間的空間50內(nèi)產(chǎn)生等離子體。等離子體是在圓環(huán)狀的等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b之間產(chǎn)生，然后，沿著惰性氣流流入至孔33a、33b的中心部，在各孔33a、33b中朝上下流動(dòng)。其間產(chǎn)生的等離子體于空間50及各孔33a、33b的內(nèi)部，撞擊貫通于各孔33a、33b且上下延伸的導(dǎo)線21的表面，除去該導(dǎo)線21表面的異物例如有機(jī)雜質(zhì)。在等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b之間產(chǎn)生的等離子體的壽命非常短，其于產(chǎn)生之后，在未自各孔33a、33b流出至外部之前消失，并恢復(fù)為原先的惰性氣體。繼而，由等離子體恢復(fù)成的惰性氣體如圖5所示的箭頭b所示，自各孔33a、33b朝外部排出。
[0040]如以上的說明，本實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30是在大氣未進(jìn)入至各殼體31a、31b內(nèi)的空間50的狀態(tài)下產(chǎn)生等離子體，因此，所產(chǎn)生的等離子體不會(huì)變成氧化等離子體。因此，可不使導(dǎo)線21的表面氧化而進(jìn)行洗凈。因此，無需如專利文獻(xiàn)I所記載安裝補(bǔ)償裝置等，可利用簡單的裝置有效果地對導(dǎo)線21的表面進(jìn)行洗凈，上述補(bǔ)償裝置等利用等離子體將附著于導(dǎo)線表面的有機(jī)雜質(zhì)除去后，將還原性氣體或惰性氣體噴射至導(dǎo)線，從而抑制導(dǎo)線表面的氧化。
[0041]在以上說明的實(shí)施形態(tài)中，說明了導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30配置于2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件17、18之間，導(dǎo)線導(dǎo)件17、18之間的導(dǎo)線21貫通于各孔33a、33b，但只要安裝于基座11上所固定的上部框體11a，則亦可不配置于導(dǎo)線導(dǎo)件17、18之間。
[0042]其次，一面參照圖6、圖7，一面對本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。對與參照圖1至圖5而說明的實(shí)施形態(tài)相同的部分標(biāo)注相同符號(hào)并省略說明。如圖6所示，在本實(shí)施形態(tài)中，將各導(dǎo)管32a、32b安裝于各殼體31a、31b的各壁31c、31d的外表面，上述各導(dǎo)管32a、32b與設(shè)置于上半殼體31a、下半殼體31b的各孔33a、33b連通,且由導(dǎo)線21插通。
[0043]例如，根據(jù)導(dǎo)線21的污濁狀況，存在需要藉由更強(qiáng)力的等離子體對導(dǎo)線21進(jìn)行洗凈的情形。在該情形時(shí)，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生的等離子體溫度變高，對于參照圖1至圖5而說明的實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30而言，自各孔33a、33b流出的惰性氣體的溫度高，自下側(cè)的孔33b朝下送出的洗凈后的導(dǎo)線21于表面溫度高的狀態(tài)下，于孔33b的外側(cè)與大氣發(fā)生接觸。在該情形時(shí)，根據(jù)導(dǎo)線21的表面溫度，存在如下情形:導(dǎo)線21的表面因大氣中所含的氧而氧化，導(dǎo)致接合質(zhì)量下降。
[0044]因此，在本實(shí)施形態(tài)中，如圖7所示，藉由安裝各導(dǎo)管32a、32b，在等離子體產(chǎn)生用電極41a、41b之間產(chǎn)生的等離子體在各孔33a、33b中恢復(fù)為原先的惰性氣體后，在各導(dǎo)管32a、32b中流動(dòng)期間，自各導(dǎo)管32a、32b的外表面受到冷卻。因此，插通于各導(dǎo)管32a、32b中的導(dǎo)線21的溫度亦下降至如下溫度為止，該溫度是在導(dǎo)線21自各導(dǎo)管32a、32b的出口向外伸出時(shí)，不會(huì)使其表面氧化的溫度。藉此，即便當(dāng)根據(jù)導(dǎo)線21的污濁狀態(tài)，使用溫度高的等離子體對導(dǎo)線21的表面進(jìn)行洗凈時(shí)，亦可不使洗凈后的導(dǎo)線21的表面氧化而將該導(dǎo)線21輸送至毛細(xì)管15，且可提高接合品質(zhì)。
[0045]在以上說明的各實(shí)施形態(tài)中，說明了導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30安裝于基座11上所固定的上部框體11a，但亦可如圖8所示安裝于接合頭13。在該情形時(shí)，可于更靠近毛細(xì)管15的位置，對導(dǎo)線21進(jìn)行洗凈，因此可更有效果地對導(dǎo)線21進(jìn)行洗凈。又，當(dāng)以上述方式將導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30安裝于接合頭13時(shí)，對于各孔33a、33b的大小而言，亦可形成如下程度的大小的孔，該程度是指可將隨著如圖8所示的接合頭13移動(dòng)于XY方向而產(chǎn)生的導(dǎo)線21的振動(dòng)予以吸收的程度。
[0046]參照圖9、圖10對本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。對與參照圖1至圖8而說明的部分相同的部分標(biāo)注相同符號(hào)并省略說明。如圖9所示，代替參照圖1而說明的實(shí)施形態(tài)的導(dǎo)線洗凈用等離子體單元30，本實(shí)施形態(tài)具備:洗凈等離子體單元60，朝導(dǎo)線導(dǎo)件17、18之間的導(dǎo)線21噴射洗凈用等離子體噴流；以及還原等離子體單元70，配置于洗凈等離子體單元60的毛細(xì)管側(cè)，且于各導(dǎo)線導(dǎo)件17、18之間，進(jìn)一步將還原用等離子體噴射至已被噴射洗凈等離子體的導(dǎo)線21。如圖9所示，惰性氣體即氬氣作為洗凈等離子體用氣體而供給至洗凈等離子體單元60，氬氣與氫氣的混合氣體作為還原等離子體用氣體而供給至還原等離子體單元70。
[0047]如圖10所示，各等離子體單元60、70具備:腔室61、71，其安裝有氣體入口 63、73，該氣體入口 63、73將自洗凈等離子體用氣體的氬氣槽56供給的氬氣或自還原等離子體用氣體的氬氣與氫氣的混合氣體槽57供給的混合氣體導(dǎo)入；自腔室61、71伸出的圓筒形等離子體噴嘴62、72 ;中 心電極66、76，配置于等離子體噴嘴62、72的中心；圓筒形外部電極65、75，配置于等離子體噴嘴62、72的外部；以及殼體64、74，覆蓋外部電極65、75的外部。中心電極66、76藉由接地線67、77而接地，外部電極65、75經(jīng)由線圈68、78、整合裝置69、79而連接于高頻電源裝置55。
[0048]自氣體入口 63、73導(dǎo)入至腔室61、71的氬氣或混合氣體藉由施加至中心電極66、76與外部電極65、75之間的高頻電力而變成洗凈用等離子體或還原用等離子體，并自等離子體噴嘴62、72的前端噴射。
[0049]如圖9所示，洗凈等離子體單元60朝導(dǎo)線21噴出洗凈用等離子體，除去附著于導(dǎo)線21表面的有機(jī)物等異物。洗凈等離子體單元60于大氣開放狀態(tài)下使洗凈用等離子體氣體等離子體化，因此成為氧化等離子體。因此，可效率地自導(dǎo)線21的表面除去異物，但會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線21的表面氧化。導(dǎo)線21被洗凈等離子體單元60噴射洗凈用等離子體后，被朝下方向輸送，并被還原等離子體單元70噴射還原用等離子體。還原用等離子體是使氬氣與氫氣的混合氣體成為等離子體所得者，其具有使導(dǎo)線21的表面還原的作用。因此，若被噴射還原用等離子體，則導(dǎo)線21表面的氧化膜或氧化物會(huì)被除去，導(dǎo)線21的表面變得潔凈，該導(dǎo)線21被輸送至毛細(xì)管15。如此，本實(shí)施形態(tài)是將導(dǎo)線21表面的異物除去后進(jìn)行還原，因此可使導(dǎo)線21的表面成為無異物及氧化膜或氧化物的潔凈的表面，故而可提高接合質(zhì)量。
[0050]一面參照圖11，一面對本發(fā)明的另一實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。在本實(shí)施形態(tài)中，將參照圖9的實(shí)施形態(tài)的洗凈等離子體單元60與還原等離子體單元70安裝于接合頭13。本實(shí)施形態(tài)產(chǎn)生與從前參照圖9所說明的實(shí)施形態(tài)相同的效果。
[0051]本發(fā)明并非限定于以上所說明的實(shí)施型態(tài)，而包含了由權(quán)利要求的范圍所規(guī)定的本發(fā)明的技術(shù)范圍乃至未從本質(zhì)偏離的所有變更及修正。
[0052]【符號(hào)說明】
[0053]11 基座
[0054]Ila 上部框體
[0055]12 XY 平臺(tái)
[0056]13 接合頭
[0057]14 接合臂
[0058]15 毛細(xì)管
[0059]16 接合臺(tái)
[0060]17、18 導(dǎo)線導(dǎo)件
[0061]19 導(dǎo)流構(gòu)件
[0062]20 導(dǎo)線軸
[0063]21 導(dǎo)線[0064]30 導(dǎo)線洗凈用等離子體單元
[0065]31a 半殼體
[0066]31b 下半殼體
[0067]31c、31d 壁
[0068]32a、32b 導(dǎo)管
[0069]33a、33b 孔
[0070]34 氣體入口管
[0071]35a、35b 電極
[0072]36a、36b 凹部
[0073]36c 中空部
[0074]37a、37b 凸座
[0075]38a、38b 突起
[0076]39 處
[0077]39a、39b 前端面
[0078]41a,41b等離子體產(chǎn)生用電極
[0079]42a,42b 連接線
[0080]45 直流脈沖電源裝置
[0081]46 半導(dǎo)體模具
[0082]47 基板
[0083]50空間
[0084]55 高頻電源裝置
[0085]56 IS 氣槽
[0086]57 混合氣體槽
[0087]60 洗凈等離子體單元
[0088]61、71 腔室
[0089]62,72 等離子體噴嘴
[0090]63、73 氣體入口
[0091]64、74 殼體
[0092]65、75 外部電極
[0093]66、76 中心電極
[0094]67、77 接地線
[0095]68、78 線圈
[0096]69、79 整合裝置
[0097]70 還原等離子體單元
[0098]100 打線裝置
【權(quán)利要求】
1.一種打線裝置，其特征在于，具備: 基體部; 接合頭，使接合工具相對于所述基體部在XYZ方向上移動(dòng)； 導(dǎo)線軸，安裝于所述基體部，且將導(dǎo)線供給至所述接合工具；以及 導(dǎo)線洗凈用等離子體單元，配置于所述導(dǎo)線軸與所述接合工具之間； 所述導(dǎo)線洗凈用等離子體單元包含: 中空的殼體，以使內(nèi)壓高于大氣壓的方式導(dǎo)入惰性氣體； 各孔，以由所述導(dǎo)線插通的方式分別設(shè)置于相對向的各殼體壁；以及 各電極，與所述各孔周緣的所述各殼體壁的內(nèi)面相對向地設(shè)置； 對所述各電極間通電，使所述導(dǎo)線于在大氣未進(jìn)入至所述殼體內(nèi)的所述各電極間的空間的狀態(tài)下產(chǎn)生的等離子體中通過，對所述導(dǎo)線進(jìn)行洗凈。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的打線裝置，其特征在于，所述導(dǎo)線洗凈用等離子體單元是安裝于所述接合頭。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的打線裝置，其特征在于，包含至少2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件，安裝于所述基體部且將自所述導(dǎo)線軸供給的所述導(dǎo)線導(dǎo)引至直線方向； 所述導(dǎo)線洗凈用等離子體單元是安裝于各導(dǎo)線導(dǎo)件之間的所述基體部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的打線裝置，其特征在于，所述殼體與所述各孔連通，且于所述各壁的外表面設(shè)置有由所述導(dǎo)線插通的各導(dǎo)管。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的打線裝置，其特征在于，所述殼體與所述各孔連通，且于所述各壁的外表面設(shè)置有由所述導(dǎo)線插通的各導(dǎo)管。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的打線裝置，其特征在于，所述殼體與所述各孔連通，且于所述各壁的外表面設(shè)置有由所述導(dǎo)線插通的各導(dǎo)管。
7.一種打線裝置，包含: 基體部; 接合頭，使接合工具相對于所述基體部在XYZ方向上移動(dòng)； 導(dǎo)線軸，安裝于所述基體部，且將導(dǎo)線供給至所述接合工具； 至少2個(gè)導(dǎo)線導(dǎo)件，安裝于所述基體部且將自所述導(dǎo)線軸供給的所述導(dǎo)線導(dǎo)引至直線方向，所述打線裝置的特征在于具備: 洗凈等離子體單元，朝所述各導(dǎo)線導(dǎo)件之間的所述導(dǎo)線噴射洗凈用等離子體噴流；以及 還原等離子體單元，配置于所述洗凈等離子體單元的接合工具側(cè)，于所述各導(dǎo)線導(dǎo)件之間，進(jìn)一步將還原用等離子體噴射至已被噴射所述洗凈用等離子體的所述導(dǎo)線。
8.一種打線裝置，包含: 基體部; 接合頭，使接合工具相對于所述基體部在XYZ方向上移動(dòng)；以及導(dǎo)線軸，安裝于所述基體部，且將導(dǎo)線供給至所述接合工具，所述打線裝置的特征在于具備: 洗凈等離子體單元，安裝于所述接合頭，且朝所述導(dǎo)線噴射洗凈用等離子體噴流；以及 還原等離子體單元，安裝于所述洗凈等離子體單元的接合工具側(cè)的所述接合頭，且進(jìn)一步將 還原用等離子體噴射至已被噴射所述洗凈用等離子體的所述導(dǎo)線。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK103999204SQ201280062256
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2012年9月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月7日
【發(fā)明者】前田徹 申請人:株式會(huì)社新川