半導(dǎo)體處理系統(tǒng)、半導(dǎo)體裝置的制造方法、裝置數(shù)據(jù)收集方法、控制程序及可讀存儲介質(zhì)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明旨在不僅高效地提取步驟的特征量而且即使在發(fā)生了步驟追加/刪除等的程式變更的情況下也準確且容易地提取步驟的特征量。本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)具有：半導(dǎo)體處理部(3)，其以設(shè)定處理條件來進行膜形成；裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部(4)，其收集來自半導(dǎo)體處理部(3)的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)解析部(5)，其基于與作為區(qū)間定義信息的條件定義文件一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，提取給定的特征量來進行數(shù)據(jù)解析，該區(qū)間定義信息針對半導(dǎo)體處理部(3)的處理程式上的多個步驟，分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間。
【專利說明】半導(dǎo)體處理系統(tǒng)、半導(dǎo)體裝置的制造方法、裝置數(shù)據(jù)收集方法、控制程序及可讀存儲介質(zhì)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及在基板上使各種膜成膜的半導(dǎo)體處理裝置中的多個處理步驟所組成的針對制程狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)、使用該系統(tǒng)的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法以及使用該方法并通過半導(dǎo)體處理裝置來制造半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法、描述用于使計算機執(zhí)行該裝置數(shù)據(jù)收集方法的各工序的處理過程的控制程序以及存放有該控制程序的計算機可讀的可讀存儲介質(zhì)。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在這種現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法中，根據(jù)獲取到數(shù)據(jù)的時刻，將所制造的半導(dǎo)體器件的成品率或電特性那樣的制品數(shù)據(jù)與CVD裝置的真空度或加熱器電力那樣的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)建立對應(yīng)來解析相關(guān)關(guān)系，并使用其解析結(jié)果來設(shè)定裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)的管理基準，或探明不良原因。
[0003]然而，在該裝置數(shù)據(jù)收集方法中，停留在針對例如溫度或氣體流量、內(nèi)部壓力、排氣線路的各種數(shù)據(jù)等人所著眼的特定的參數(shù)而能知曉適當(dāng)?shù)墓芾砘鶞实牡夭?，而關(guān)于應(yīng)該著眼哪些參數(shù)，憑借的是人的判斷。
[0004]為此，在專利文獻I中提出了如下手法:按每個步驟來對裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行特征量算出，并使用數(shù)據(jù)挖掘的手法，從而得到人未著眼的參數(shù)是否會對成品率造成影響的見解。
[0005]在該專利文獻I所公開的手法中，將在把制程的整體分割為多個步驟的情況下的各個步驟作為處理步驟，并提取這些處理步驟公共的制程狀態(tài)信息。對所提取出的制程狀態(tài)信息進行所設(shè)定的特征量處理。使用通過使關(guān)聯(lián)的單位對象品公共而被建立了對應(yīng)的制程特征量和檢查結(jié)果，來執(zhí)行基于數(shù)據(jù)挖掘的解析。由此，提出了創(chuàng)建能用于對象品的質(zhì)量的推測的模型。
[0006]先行技術(shù)文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻I JP特開2005-197323號公報
[0009]發(fā)明要解決的課題
[0010]但是，關(guān)于用在例如化合物半導(dǎo)體制造方法中的利用了有機氣體的MOCVD裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法，盡管在圖11中示出了一系列的步驟的一部分和管理數(shù)據(jù)數(shù)，但是步驟數(shù)或管理數(shù)據(jù)數(shù)龐大，例如存在溫度或氣體流量、內(nèi)部壓力、排氣線路的各種數(shù)據(jù)等的100參數(shù)XlOO步驟=10000數(shù)據(jù)的眾多的數(shù)據(jù)。如此，存在具有多至100步驟的處理步驟數(shù)、或100種類程度的制程狀態(tài)數(shù)據(jù)(參數(shù))。
[0011]如此，由于數(shù)據(jù)的組合龐大，因此盡管能分個進行各裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)(參數(shù))的確認，但難以進行包羅性的全部數(shù)據(jù)的確認。由此，在具有多個處理步驟或裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體處理裝置中從裝置輸出的數(shù)據(jù)數(shù)龐大，因此期望高效地提取特征量。[0012]另外，在進行性能改善等情況下，在頻繁地變更了處理條件時，要進行處理步驟的追加或刪除，因此存在不能檢測對于從裝置輸出的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)而言公共化了的處理步驟從而在期望的步驟的特征量算出中會產(chǎn)生錯誤等的問題。
[0013]針對以I秒為單位所輸出的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，按處理程式上的每個步驟來自動算出了特征量。如前所述，在有步驟的追加/刪除等的處理程式的變更的情況下，在后續(xù)的步驟中會發(fā)生偏離，因此會發(fā)生特征量的合計誤差等。例如，在步驟的一部分刪除的處理程式變更的情況下，如圖12所示，在作為圖11的每批的步驟08的特征量而對裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行平均值化來合計的情況下，圖11的每批的步驟08的特征量的收集偏離，結(jié)果每批的步驟09的特征量A被包含在內(nèi)進行了合計。故而，觀測到:圖11的每批的步驟08的特征量將急劇變化從而發(fā)生了異變。
[0014]例如，盡管還考慮基于特定的閥動作等的模擬信號的0N/0FF來探測步驟的方法，但在頻繁地對閥的開閉進行反復(fù)的處理中不能正常進行期望的處理步驟的探測。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]本發(fā)明為了解決上述現(xiàn)有的問題而提出，其目的在于，提供不僅能高效地提取步驟的特征量而且即使在步驟追加/刪除等的處理程式中發(fā)生了變更的情況下也能準確且容易地提取步驟的特征量的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)、利用了該系統(tǒng)的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法以及利用了該方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法、描述用于使計算機執(zhí)行該裝置數(shù)據(jù)收集方法的各工序的處理過程的控制程序以及存放有該控制程序的計算機可讀的可讀存儲介質(zhì)。
[0016]用于解決課題的手段
[0017]本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)具有:半導(dǎo)體處理部，其以設(shè)定處理條件來進行膜形成；裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部，其收集來自該半導(dǎo)體處理部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)解析部，其基于與區(qū)間定義信息一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，提取給定的特征量來進行數(shù)據(jù)解析，所述區(qū)間定義信息針對該半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟，分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間，由此來達成上述目的。
[0018]另外，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)解析部具有:條件定義部，其預(yù)先準備有一個或多個所述區(qū)間定義信息；以及特征量算出部，其使用與來自所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行對照而一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)一致后的該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出所述特征量。
[0019]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的特征量算出部具有:區(qū)間定義信息參照單元，其參照由條件定義部準備的分個設(shè)定了合計區(qū)間的區(qū)間定義信息；一致檢測單元，其對該區(qū)間定義信息與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照，來檢測該區(qū)間定義信息的條件是否一致；以及特征量計算單元，其使用與該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照而條件一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)條件與該區(qū)間定義信息一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量。
[0020]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中能針對所述多個步驟當(dāng)中的給定的一個或多個步驟來進行區(qū)間定義。
[0021]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中能針對所述多個步驟當(dāng)中的一個步驟的一部分來進行區(qū)間定義。
[0022]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中針對從所述多個步驟當(dāng)中的一個步驟的一部分起的一個或多個步驟、與之接續(xù)的一個步驟的一部分，能跨多個步驟地進行區(qū)間定義。
[0023]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中針對所述多個步驟，能以多個重復(fù)步驟的數(shù)據(jù)合計來對該重復(fù)步驟的全部或一部分進行區(qū)間定義。
[0024]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中將在所述步驟的切換前后所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)發(fā)生變動的期間作為不包含于區(qū)間合計的偏移期間，并在步驟的中途能進行所述區(qū)間定義。
[0025]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的特征量算出部將所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)與由所述條件定義部預(yù)先準備的區(qū)間定義信息進行對照，來算出與該區(qū)間定義信息的內(nèi)容一致的條件下的至少給定范圍的特征量。
[0026]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的特征量算出部設(shè)置為:在算出基于區(qū)間合計的所述特征量的情況下能設(shè)定該特征量的容許值，能算出匹配于該特征量的容許值內(nèi)的特征量。
[0027]進而，優(yōu)選地，還具有:趨勢圖描畫部，其描畫以時間序列來表示所述特征量的變化的趨勢圖。
[0028]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的趨勢圖描畫部通過對進行了區(qū)間合計后的所述特征量進行每批的趨勢描畫，能基于所述趨勢圖的變化點來進行所述半導(dǎo)體處理部的早期異常檢測。
[0029]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)是對于氣體流量、壓力以及溫度等各種設(shè)定條件而由所述半導(dǎo)體處理部實際執(zhí)行并從該半導(dǎo)體處理部得到的各數(shù)據(jù)。
[0030]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的特征量是所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)的每批的平均值、中央值以及偏差3 σ當(dāng)中的至少任一者。
[0031]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的步驟是對所述處理程式內(nèi)的處理條件的切換進行表示的處理期間。
[0032]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法一邊根據(jù)在利用了半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置的制造時至少求出的特征量來進行異常檢測并反饋給所述半導(dǎo)體處理部以變更處理條件的設(shè)定，一邊制造半導(dǎo)體裝置，由此來達成上述目的。
[0033]本發(fā)明的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法具有:數(shù)據(jù)解析工序，在由裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部從以設(shè)定處理條件進行膜形成的半導(dǎo)體處理部所收集的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)當(dāng)中，數(shù)據(jù)解析部基于與區(qū)間定義信息一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來提取給定的特征量進行數(shù)據(jù)解析，該區(qū)間定義信息對于該半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間，由此來達成上述目的。另外，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法中的數(shù)據(jù)解析工序具有:特征量算出工序，在條件定義部中預(yù)先準備一個或多個所述區(qū)間定義信息，特征量算出部使用與來自所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行對照而一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)一致后的該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出所述特征量。
[0034]進而，優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法中的特征量算出工序具有:區(qū)間定義信息參照工序，區(qū)間定義信息參照單元參照由條件定義部準備的分個設(shè)定了合計區(qū)間的區(qū)間定義信息；一致檢測工序，一致檢測單元對參照的該區(qū)間定義信息與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照來檢測該區(qū)間定義信息的條件是否一致；以及特征量計算工序，特征量計算單元使用與該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照而條件一致后的該區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)條件與該區(qū)間定義信息一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量。
[0035]進而，優(yōu)選地，在本發(fā)明的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法中的特征量算出工序后，具有:趨勢圖描畫工序，趨勢圖描畫部將每個區(qū)間的批單位的所述特征量在時間序列上作為趨勢圖來可視化。
[0036]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法如本發(fā)明的上述那樣，由此來達成上述目的。
[0037]本發(fā)明的控制程序記錄有用于使計算機執(zhí)行本發(fā)明的上述裝置數(shù)據(jù)收集方法的各工序的處理過程，由此來達成上述目的。
[0038]本發(fā)明的可讀記錄介質(zhì)是存放有本發(fā)明的上述控制程序的計算機可讀的介質(zhì)，由此來達成上述目的。
[0039]基于上述構(gòu)成，以下，說明本發(fā)明的作用。
[0040]在本發(fā)明中，具有:半導(dǎo)體處理部，其以設(shè)定處理條件來進行膜形成；裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部，其收集來自該半導(dǎo)體處理部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)解析部，其基于與區(qū)間定義信息一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，提取給定的特征量來進行數(shù)據(jù)解析，所述區(qū)間定義信息針對該半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟，分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間。
[0041]由此，由于另外單獨設(shè)置了區(qū)間定義信息，該區(qū)間定義信息針對半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟而分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間，因此即使在有步驟追加/刪除等的程式變更的情況下，也能分別從多個步驟進行數(shù)據(jù)收集并將它們進行組合，能在高效地提取步驟的特征量的同時，準確且容易地提取步驟的特征量。
[0042]發(fā)明效果
[0043]基于以上，根據(jù)本發(fā)明，由于另外單獨設(shè)置了區(qū)間定義信息，該區(qū)間定義信息對于半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間，因此即使在有步驟追加/刪除等的程式變更的情況下，也能分別從多個步驟進行數(shù)據(jù)收集并將它們進行組合，能在高效地提取步驟的特征量的同時，準確且容易地提取步驟的特征量?？傊ㄟ^針對在頻繁地進行步驟的追加或變更等情況下的裝置處理數(shù)據(jù)來進行與裝置步驟不同的合計區(qū)間定義，作為公共化后的區(qū)間，能準確且容易地進行特征量算出。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0044]圖1是表示本發(fā)明的實施方式I中的半導(dǎo)體處理裝置的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集構(gòu)成例的框圖。
[0045]圖2是示意地表示圖1的合計區(qū)間定義文件的圖。
[0046]圖3是表示從圖1的半導(dǎo)體處理部輸出的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)的一例的圖。
[0047]圖4是示意地表示針對各步驟的裝置數(shù)據(jù)數(shù)的裝置數(shù)據(jù)特征量算出原理圖。[0048]圖5是表示區(qū)間合計條件定義文件的一例的圖。
[0049]圖6是表示由圖1的趨勢圖描畫部描畫的壓力基線(base)的趨勢圖例的圖。
[0050]圖7是示意地表示圖1的半導(dǎo)體處理部的概略構(gòu)成例的圖。
[0051]圖8(a)?⑷分別是表示由圖1的趨勢圖描畫部53描畫的基板溫度基線的趨勢圖例的圖，(a)是表示每批的LED的光強度的成品率變化的圖，(b)是表示每批的熱輻射溫度TpyiO的變化的圖，(C)是表示每批的熱電偶溫度TC的變化的圖，(d)是表示每批的加熱器電流值Ip的變化的圖。
[0052]圖9是用于說明圖1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中的裝置數(shù)據(jù)收集方法的流程圖。
[0053]圖10是示意地表示合計區(qū)間B的每批的特征量的圖。
[0054]圖11是示意地表示針對現(xiàn)有的各步驟的裝置數(shù)據(jù)數(shù)的裝置數(shù)據(jù)特征量算出原理圖。
[0055]圖12是示意地表示圖11的步驟08的每批的特征量的圖。
[0056]符號說明
[0057]I半導(dǎo)體處理系統(tǒng)
[0058]2處理條件設(shè)定部
[0059]3半導(dǎo)體處理部(半導(dǎo)體處理裝置)
[0060]4裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部
[0061]5數(shù)據(jù)解析部
[0062]51條件定義部
[0063]52特征量算出部
[0064]53趨勢圖描畫部
【具體實施方式】
[0065]以下，參照附圖來詳細說明本發(fā)明的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的裝置數(shù)據(jù)收集方法以及利用了該方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法的實施方式I。
[0066](實施方式I)
[0067]圖1是表示本發(fā)明的實施方式I中的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集構(gòu)成例的框圖。
[0068]在圖1中，本實施方式I的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)I具有:處理條件設(shè)定部2,其對處理程式上的一系列的各步驟等的處理條件進行設(shè)定；半導(dǎo)體處理部3，其以所設(shè)定的處理條件重復(fù)給定膜形成(例如外延生長層或多重阱層等的膜形成等)來制造半導(dǎo)體裝置；裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4，其為了質(zhì)量管理以及成品率提高而收集來自半導(dǎo)體處理部3的期望的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)解析部5，其基于收集到的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來進行期望的數(shù)據(jù)解析。由這些處理條件設(shè)定部2以及半導(dǎo)體處理部3來構(gòu)成了半導(dǎo)體處理裝置。另外，裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)是指，將對于氣體流量、處理室壓力、加熱器溫度等各種設(shè)定條件實際執(zhí)行后的值例如以I秒為單位進行采樣，在處理完成時一并作為日志文件而輸出的數(shù)據(jù)。
[0069]總之，本實施方式I的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)I至少具有:半導(dǎo)體處理部3，其以設(shè)定處理條件來進行膜形成；裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4，其收集來自半導(dǎo)體處理部3的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)解析部5，其基于與作為區(qū)間定義信息的條件定義文件(區(qū)間定義文件；不僅是區(qū)間定義，還能設(shè)定特征量的范圍)一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來提取特征量進行數(shù)據(jù)解析，該區(qū)間定義信息對于處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間。
[0070]數(shù)據(jù)解析部5具有:條件定義部51，其預(yù)先準備能與處理條件中所設(shè)定的處理步驟名或步驟號(No)另行任意地進行步驟定義以及區(qū)間定義的圖2的條件定義文件；特征量算出部52，其使用與裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行對照而一致后的條件定義文件來變換成公共的步驟，在此基礎(chǔ)上算出特征量；以及趨勢圖描畫部53，其基于所算出的特征量來描畫用于數(shù)據(jù)解析的趨勢圖(以批為單位，給定特征量的變化在時間序列上一目了然的圖)。通過將其趨勢圖與涉及其特征量的解析數(shù)據(jù)進行對比，能加進膜厚過薄等的預(yù)測探討并實時地反饋給半導(dǎo)體處理部3的條件設(shè)定。還能以趨勢圖進行可視化并在批間進行比較。
[0071]特征量算出部52具有:區(qū)間定義信息參照單元，其參照由條件定義部51準備的分別設(shè)定了合計區(qū)間的區(qū)間定義信息；一致檢測單元，其將作為區(qū)間定義信息的條件定義文件與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照來檢測條件定義文件的條件是否一致；以及特征量計算單元，其使用與裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照而條件一致后的條件定義文件來變換成公共的步驟，再根據(jù)條件與條件定義文件一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量。
[0072]若從處理程式上的一系列的多個步驟中刪除步驟或新加入步驟，則在其后的步驟中會發(fā)生偏離，但此時通過另外預(yù)先準備圖2那樣的固有的條件定義文件，不僅能高效地提取步驟的特征量，而且即使在有步驟追加/刪除等的處理程式的變更的情況下，也能準確且容易地提取步驟的特征量。
[0073]在此，進行術(shù)語的簡單的說明?！安襟E”是表示處理程式內(nèi)的條件的切換的處理期間?！安襟E名”是指，n-GaN層、Well層、Barrier層等，在處理程式內(nèi)對步驟的狀態(tài)進行評論顯示的名稱?！昂嫌媴^(qū)間”是指，針對特征量算出，能與步驟另行任意定義的區(qū)間?！皡^(qū)間定義”是指，對合計區(qū)間的條件進行了定義。圖2的條件定義文件中的“計數(shù)”是指，在重復(fù)處理同一條件的情況下的循環(huán)次數(shù)。后述的“偏移”是指，將步驟切換前后的數(shù)據(jù)等不穩(wěn)定的期間不包含在特征量的算出中的期間的設(shè)定。
[0074]總之，針對從半導(dǎo)體處理部3側(cè)輸出的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，在條件定義部51中預(yù)先準備多個能與依次進行的處理程式中所設(shè)定的步驟名或步驟No另外任意進行步驟定義以及區(qū)間定義的條件定義文件。使用將與從半導(dǎo)體處理部3側(cè)輸入的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行對照而一致后的條件定義文件而由特征量算出部52變換成公共區(qū)間，再根據(jù)與條件定義文件一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出其特征量(平均值、中央值以及偏差3 σ等的值)。由此，即使針對從半導(dǎo)體處理部3輸出的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)的處理步驟不同的情況，也能作為公共的步驟來進行數(shù)據(jù)收集。
[0075]條件定義部51針對處理程式中所設(shè)定的步驟，在處理時間短的多個重復(fù)處理步驟的數(shù)據(jù)合計中增大采樣時間范圍，因此能任意地對多個處理步驟進行分組(跨步驟間)，進行步驟定義以及區(qū)間定義。
[0076]條件定義部51設(shè)為針對多個步驟當(dāng)中的給定的一個或多個步驟能進行區(qū)間定義。另外，條件定義部51設(shè)為針對多個步驟當(dāng)中的一個步驟的一部分的必要之處能進行區(qū)間定義。進而，條件定義部51設(shè)為:針對多個步驟，在多個重復(fù)步驟的數(shù)據(jù)合計中能對重復(fù)步驟的全部或一部分進行區(qū)間定義。[0077]條件定義部51在算出基于區(qū)間合計的平均值等的統(tǒng)計量的情況下，在處理步驟的切換前后，裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)發(fā)生變動。任意地設(shè)定不包含在區(qū)間合計中的時間來進行步驟定義以及區(qū)間定義。作為區(qū)間定義，設(shè)能在步驟的中途進行設(shè)定。
[0078]特征量算出部52針對從裝置側(cè)轉(zhuǎn)發(fā)來的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，與由條件定義部51預(yù)先準備的區(qū)間定義信息(條件定義文件)進行對照，以與區(qū)間定義一致的條件來對特征量的按區(qū)間信息提取，例如設(shè)定壓力、氣體流量以及加熱器溫度的各給定范圍的數(shù)據(jù)的平均值或中央值、3σ的值等自動地進行計算處理。總之，特征量算出部52將裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)與由條件定義部51預(yù)先準備的區(qū)間定義信息進行對照，來算出與區(qū)間定義信息的內(nèi)容一致的條件下的至少給定范圍的特征量。
[0079]特征量算出部52在算出基于區(qū)間合計的平均值等的特征量的情況下，在步驟的切換之際，處理室內(nèi)的壓力變動或氣體流量、加熱器溫度發(fā)生變動，由此關(guān)聯(lián)的參數(shù)發(fā)生變化，因此為了算出區(qū)間內(nèi)的準確的特征量，能任意地設(shè)定處理室內(nèi)的壓力、氣體流量、加熱器溫度的容許值。總之，特征量算出部52在算出基于區(qū)間合計的特征量之際能設(shè)定特征量的容許值，能算出匹配于特征量的容許值內(nèi)的特征量。
[0080]趨勢圖描畫部53通過對經(jīng)區(qū)間合計后的特征量進行趨勢描畫，來進行裝置的早期異常檢測。通過進行該每批的時間序列的特征量的趨勢圖與發(fā)光波長以及發(fā)光強度數(shù)據(jù)或驅(qū)動電流數(shù)據(jù)的給定的測試結(jié)果的相關(guān)分析，來進行成品率檢測。早期異常檢測只要將到異常狀態(tài)的中途經(jīng)過的閾值與異常檢測用的閾值(基準值)一起準備，則能自動檢測。
[0081]圖3是表示裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4從圖1的半導(dǎo)體處理部3收集的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)的一例的圖。
[0082]如圖3所示，裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4從半導(dǎo)體處理部3對在通過步驟21、22的循環(huán)處理來形成2種類的層被多次重復(fù)交替形成的LED的多重量子阱層的情況下的各處理條件(處理室壓力或氣體流量以及加熱器溫度等)的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)收集。關(guān)于各裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，每I批的每I秒的處理室壓力或氣體流量以及加熱器溫度等的大量的各種裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)從半導(dǎo)體處理部3被輸入至裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4。作為步驟21、22的重復(fù)的循環(huán)處理，對構(gòu)成LED的發(fā)光層的多重量子阱層予以形成，但在設(shè)為給定膜厚的情況下與關(guān)于處理室壓力或氣體流量以及加熱器溫度等需要到哪種程度的閾值進行比較。
[0083]圖4是示意地表示針對各步驟的裝置數(shù)據(jù)數(shù)的裝置數(shù)據(jù)特征量算出原理圖。圖5是表示由圖1的條件定義部51設(shè)定的區(qū)間合計的條件定義文件的一例的圖。
[0084]如圖4以及圖5所示，示出了針對處理程式上的各步驟的處理狀態(tài)數(shù)據(jù)數(shù)，即使在中途追加或刪除步驟，也能通過設(shè)定合計區(qū)間并對它們進行拼接，從而合計出期望的數(shù)據(jù)。例如能以合計區(qū)間A或合計區(qū)間B這樣的解釋來進行數(shù)據(jù)合計，能提取其特征量來進行趨勢描畫。
[0085]在合計區(qū)間A中，跨2個步驟，在步驟2的10秒后設(shè)定開始時間，并設(shè)定為在下一步驟3的5秒前結(jié)束。在合計區(qū)間B中，包含步驟8的切換前后的步驟7，9的一部分而開始時間為步驟7的Tl = 15秒后且結(jié)束時間為步驟9的T2 = 15秒前地設(shè)定了偏移期間。這是由于，在步驟切換時數(shù)據(jù)紊亂，因此通過偏移期間的設(shè)定來設(shè)定從合計除外的時間，從數(shù)據(jù)穩(wěn)定的時間點起收集數(shù)據(jù)。例如若為合計區(qū)間B，則偏移時間為步驟7的Tl = 15秒，步驟9的T2 = 15秒，若為合計區(qū)間A，則偏移時間為步驟2的10秒，步驟3的5秒。[0086]另外，在合計區(qū)間C中，處理壓力為90至110毫巴，在合計區(qū)間D中，氣體流量的氣體A為每單位時間895至905cc，在合計區(qū)間F中，處理壓力為攝氏730至750度時，還包含其他的數(shù)據(jù)來開始數(shù)據(jù)收集?？傊?，在各合計區(qū)間中，能設(shè)定壓力設(shè)定、氣體流量、加熱器溫度和它們的各范圍，從半導(dǎo)體處理部3對滿足各范圍的一定條件的值進行數(shù)據(jù)收集。在合計區(qū)間E中開始時間為循環(huán)2，結(jié)束時間為循環(huán)5，例如在全循環(huán)為20的情況下，從第2個循環(huán)起開始數(shù)據(jù)收集并在第5個循環(huán)結(jié)束數(shù)據(jù)收集?？傊?，將第2個至第5個的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)取出來。
[0087]如此，合計區(qū)間既可以跨多個步驟，也可以僅從一個步驟中進行數(shù)據(jù)收集，進而，既可以從一個步驟的一部分需要之處進行數(shù)據(jù)收集，也可以分別從多個步驟中進行數(shù)據(jù)收集來將它們進行組合。
[0088]圖6是表示由圖1的趨勢圖描畫部53描畫的壓力基線的趨勢圖例的圖。
[0089]如圖6的趨勢圖所示，針對時間序列的日期時間的裝置數(shù)據(jù)，例如裝置排氣側(cè)的壓力，從12月10日起到12月13日為止間的各每批的時間序列數(shù)據(jù)中存在大的變化點。這是由于在其前日存在有維護，因此裝置排氣側(cè)的壓力對外延生長造成影響。因此，通過周期性進行的維護，在處理室內(nèi)暫時對大氣開放，因此在裝置排氣壓力臨時變?yōu)榱烁叩膲毫χ岛?，通過運轉(zhuǎn)裝置從而正常值下降。維護后可知，裝置排氣側(cè)的壓力變動至此。
[0090]圖7是示意地表示圖1的半導(dǎo)體處理部3的概略構(gòu)成例的圖。圖8(a)?圖8(d)分別是表示由圖1的趨勢圖描畫部53描畫的基板溫度基線的趨勢圖例的圖，(a)是表示每批的LED的光強度的成品率變化的圖，(b)是表示每批的熱輻射溫度Tpyix)的變化的圖，(c)是表示每批的熱電偶溫度TC的變化的圖，(d)是表示每批的加熱器電流值Ip的變化的圖。
[0091]如圖7所示，晶圓基板11搭載于半導(dǎo)體處理部3的基臺12上，從上方起通過輻射溫度計來對輻射熱進行計測，從而測量了基板11的輻射溫度Tpyro。在基臺12內(nèi)內(nèi)置有熱電偶13，由此計測了晶圓基板11正下方的基臺12內(nèi)的熱電偶溫度TC。進而，在晶圓基板11下的基臺12內(nèi)設(shè)置有加熱器14，由此，能經(jīng)由基臺12來提升或者降低晶圓基板11的溫度。計測了對該加熱器14的電流值Ip。
[0092]在圖8(a)中每批的LED的光強度的成品率變化了的情況下，在圖8(b)中熱輻射溫度TpyiO未變化，但在圖8(c)以及圖8(d)中加熱器電流值Ip增加且熱電偶溫度TC也上升。由此認為LED的光強度的成品率發(fā)生了變化。
[0093]圖9是用于說明圖1的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)I的裝置數(shù)據(jù)收集方法的流程圖。
[0094]如圖9所示，在處理SI中從半導(dǎo)體處理部3向裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4文件輸出裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)。
[0095]接下來，在處理S2中，特征量算出部52對由條件定義部51準備的執(zhí)行了步驟定義以及區(qū)間定義的條件定義文件進行參照。
[0096]接下來，在下一處理S3中，特征量算出部52對參照條件定義文件與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照并檢測文件的條件是否一致，并等到文件的條件一致為止。
[0097]接著，在處理S4中按區(qū)間來算出全部特征量。特征量算出部52使用與裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照而條件一致后的條件定義文件來變換成公共的步驟，再根據(jù)條件與條件定義文件一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出其平均值、其中央值或3 σ的值(偏差)等來作為特征量。
[0098]其后，在處理S5中，趨勢圖描畫部53如圖10所示，將在處理S4中求得的特征量以批為單位進行數(shù)據(jù)整理，并存儲至給定的數(shù)據(jù)庫。
[0099]進而，在處理S6中，趨勢圖描畫部53將在處理S5中求得的每個區(qū)間的批單位的特征量按圖6所示時間序列進行趨勢圖化而可視化。
[0100]接下來，在處理S7中使用趨勢圖來進行異常檢測。在進行了異常檢測的情況下停止半導(dǎo)體處理部4。即使不進行異常檢測，也為了成品率提高來預(yù)測異常檢測并實時地反饋給半導(dǎo)體處理部4的條件設(shè)定(處理S8)。
[0101]其后，在處理S9中判定處理是否已結(jié)束。若在處理S9中處理未結(jié)束(否)，則返回至處理SI的文件輸出處理。另外，若在處理S9中處理已結(jié)束(是)，則結(jié)束全部的處理。
[0102]總之，本實施方式I的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法具有:數(shù)據(jù)解析工序，基于在起動時從ROM內(nèi)讀入RAM內(nèi)的控制程序以及其數(shù)據(jù)，由裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4從以設(shè)定處理條件來進行膜形成的半導(dǎo)體處理部3收集的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)當(dāng)中，數(shù)據(jù)解析部5基于與對半導(dǎo)體處理部3的處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間的區(qū)間定義信息一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來提取給定的特征量進行數(shù)據(jù)解析。
[0103]該裝置數(shù)據(jù)收集方法的數(shù)據(jù)解析工序具有:在條件定義部51中預(yù)先準備一個或多個區(qū)間定義信息，特征量算出部52使用與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行對照而一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量的特征量計算工序；以及趨勢圖描畫部53在時間序列上將每個區(qū)間的批單位的特征量作為趨勢圖進行可視化的趨勢圖描畫工序。
[0104]該裝置數(shù)據(jù)收集方法的特征量算出工序具有:區(qū)間定義信息參照單元對由條件定義部51準備的作為分別設(shè)定了合計區(qū)間的區(qū)間定義信息的條件定義文件(區(qū)間定義文件)進行參照的區(qū)間定義信息參照工序；一致檢測單元對區(qū)間定義信息與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照來檢測區(qū)間定義信息的條件是否一致的一致檢測工序；以及特征量計算單元使用與裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照而條件一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)條件與區(qū)間定義信息一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量的特征量算出工序。
[0105]設(shè)置有:記錄有用于使計算機執(zhí)行該裝置數(shù)據(jù)收集方法的各工序的處理過程的控制程序、以及存放有該控制程序的計算機可讀的可讀存儲介質(zhì)。
[0106]作為可讀記錄介質(zhì)的R0M，除了硬盤之外，還可以由形態(tài)自由的光盤、光磁盤、磁盤以及IC存儲器等構(gòu)成。盡管該控制程序及其數(shù)據(jù)等被存儲于R0M，但該控制程序及其數(shù)據(jù)也可以從其他的可讀記錄介質(zhì)或者經(jīng)由無線、有線或互聯(lián)網(wǎng)等下載至R0M4。
[0107]能一邊根據(jù)在利用了本實施方式I的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)I的半導(dǎo)體裝置的制造時至少求出的特征量來進行異常檢測并反饋給半導(dǎo)體處理部3來變更處理條件設(shè)定，一邊制造半導(dǎo)體裝置。
[0108]因此，具有:以設(shè)定處理條件進行膜形成的半導(dǎo)體處理部3 ;對來自半導(dǎo)體處理部3的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行收集的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部4 ；以及基于與作為對半導(dǎo)體處理部3的處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間的區(qū)間定義信息的條件定義文件一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來提取給定的特征量進行數(shù)據(jù)解析的數(shù)據(jù)解析部5。[0109]由此，由于另外單獨設(shè)置了作為對于半導(dǎo)體處理部3的處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間的區(qū)間定義信息的條件定義文件，因此即使在有步驟追加/刪除等的程式變更的情況下，也能從多個步驟中進行數(shù)據(jù)收集并將它們進行組合，不僅能高效地提取步驟的特征量，而且即使在有步驟追加/刪除等的程式變更的情況下，也能準確且容易地提取步驟的特征量。
[0110]如上所述，盡管使用本發(fā)明的優(yōu)選實施方式I來例示了本發(fā)明，但本發(fā)明不應(yīng)解釋為局限于該實施方式I。本發(fā)明被理解為僅應(yīng)該根據(jù)權(quán)利要求的范圍來解釋其范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員被理解為根據(jù)本發(fā)明的具體的優(yōu)選實施方式I的記載，基于本發(fā)明的記載以及技術(shù)常識，能夠?qū)嵤┑刃У姆秶?。本說明書中引用的專利、專利申請以及文獻被理解為，其內(nèi)容自身與具體記載于本說明書中的同樣，該內(nèi)容應(yīng)該作為對本說明書的參考而被援引。
[0111]工業(yè)實用性
[0112]本發(fā)明在針對在基板上使各種膜成膜的半導(dǎo)體處理裝置中的多個處理步驟所組成的制程狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)、利用該系統(tǒng)的半導(dǎo)體處理裝置的裝置數(shù)據(jù)收集方法以及、利用該方法并通過半導(dǎo)體處理裝置來制造半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體裝置的制造方法、對用于使計算機執(zhí)行該裝置數(shù)據(jù)收集方法的各工序的處理過程進行了描述的控制程序以及存放有該控制程序的計算機可讀的可讀存儲介質(zhì)的領(lǐng)域中，另外單獨設(shè)置了對半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間的區(qū)間定義信息，因此即使在有步驟追加/刪除等的程式變更的情況下，也能分別從多個步驟中進行數(shù)據(jù)收集并將它們進行組合，不僅能高效地提取步驟的特征量，而且能準確且容易地提取步驟的特征量?？傊?，針對步驟的追加或變更等頻繁進行的情況下的裝置處理數(shù)據(jù)進行與裝置步驟不同的合計區(qū)間定義，從而能作為公共化了的區(qū)間而準確且容易地進行特征量算出。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，具有: 半導(dǎo)體處理部，其以設(shè)定處理條件來進行膜形成；裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部，其收集來自該半導(dǎo)體處理部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)；以及數(shù)據(jù)解析部，其基于與區(qū)間定義信息一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)，提取給定的特征量來進行數(shù)據(jù)解析，所述區(qū)間定義信息針對該半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟，分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述數(shù)據(jù)解析部具有:條件定義部，其預(yù)先準備了一個或多個所述區(qū)間定義信息；以及特征量算出部，其使用與來自所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行對照而一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)一致后的該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出所述特征量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述特征量算出部具有: 區(qū)間定義信息參照單元，其參照由條件定義部準備的分別設(shè)定了合計區(qū)間的區(qū)間定義信息； 一致檢測單元，其對該區(qū)間定義信息與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照，來檢測該區(qū)間定義信息的條件是否一致；以及 特征量計算單元，其使用與該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照而條件一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)條件與該區(qū)間定義信息一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中能針對所述多個步驟當(dāng)中的給定的一個或多個步驟來進行區(qū)間定義。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中能針對所述多個步驟當(dāng)中的一個步驟的一部分來進行區(qū)間定義。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中針對從所述多個步驟當(dāng)中的一個步驟的一部分起的一個或多個步驟、與之接續(xù)的一個步驟的一部分，能跨多個步驟地進行區(qū)間定義。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中針對所述多個步驟，能以多個重復(fù)步驟的數(shù)據(jù)合計來對該重復(fù)步驟的全部或一部分進行區(qū)間定義。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述條件定義部設(shè)置為:在所述區(qū)間定義信息中將在所述步驟的切換前后所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)發(fā)生變動的期間作為不包含于區(qū)間合計的偏移期間，并在步驟的中途能進行所述區(qū)間定義。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述特征量算出部將所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)與由所述條件定義部預(yù)先準備的區(qū)間定義信息進行對照，來算出與該區(qū)間定義信息的內(nèi)容一致的條件下的至少給定范圍的特征量。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述特征量算出部設(shè)置為:在算出基于區(qū)間合計的所述特征量的情況下能設(shè)定該特征量的容許值，并能算出匹配于該特征量的容許值內(nèi)的特征量。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述半導(dǎo)體處理系統(tǒng)還具有:趨勢圖描畫部，其描畫以時間序列來表示所述特征量的變化的趨勢圖。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述趨勢圖描畫部通過對進行了區(qū)間合計后的所述特征量進行每批的趨勢描畫，能基于所述趨勢圖的變化點來進行所述半導(dǎo)體處理部的早期異常檢測。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)是對于氣體流量、壓力以及溫度等各種設(shè)定條件而由所述半導(dǎo)體處理部實際執(zhí)行并從該半導(dǎo)體處理部得到的各數(shù)據(jù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述特征量是所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)的每批的平均值、中央值以及偏差3 σ當(dāng)中的至少任一者O
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)，其中， 所述步驟是對所述處理程式內(nèi)的處理條件的切換進行表示的處理期間。
16.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在根據(jù)在利用了權(quán)利要求1~3以及13~15中任一項所述的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置的制造時至少求出的特征量來進行異常檢測并反饋給所述半導(dǎo)體處理部以變更處理條件的設(shè)定的同時，制造半導(dǎo)體裝置。
17.一種裝置數(shù)據(jù)收集方法，具有:數(shù)據(jù)解析工序，在由裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部從以設(shè)定處理條件進行膜形成的半導(dǎo)體處理部所收集的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)當(dāng)中，數(shù)據(jù)解析部基于與區(qū)間定義信息一致的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來提取給定的特征量進行數(shù)據(jù)解析，該區(qū)間定義信息對于該半導(dǎo)體處理部的處理程式上的多個步驟分別設(shè)定了一個或多個合計區(qū)間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置數(shù)據(jù)收集方法，其中， 所述數(shù)據(jù)解析工序 具有:特征量算出工序，在條件定義部中預(yù)先準備一個或多個所述區(qū)間定義信息，特征量算出部使用與來自所述裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行對照而一致后的區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)一致后的該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出所述特征量。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置數(shù)據(jù)收集方法，其中， 所述特征量算出工序具有: 區(qū)間定義信息參照工序，區(qū)間定義信息參照單元參照由條件定義部準備的分別設(shè)定了合計區(qū)間的區(qū)間定義信息； 一致檢測工序，一致檢測單元對參照的該區(qū)間定義信息與來自裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)收集部的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照來檢測該區(qū)間定義信息的條件是否一致；以及 特征量計算工序，特征量計算單元使用與該裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)進行條件對照而條件一致后的該區(qū)間定義信息來變換成公共的步驟，再根據(jù)條件與該區(qū)間定義信息一致后的裝置狀態(tài)數(shù)據(jù)來算出特征量。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的裝置數(shù)據(jù)收集方法，其中，在所述特征量算出工序后，具有:趨勢圖描畫工序，趨勢圖描畫部將每個區(qū)間的批單位的所述特征量在時間序列上作為趨勢圖來可視化。
21.—種控制程序，記錄有用于使計算機執(zhí)行權(quán)利要求17~20中任一項所述的裝置數(shù)據(jù)收集方法的各工序的處理過程。
22.—種計 算機可讀的可讀存儲介質(zhì)，存放有權(quán)利要求21所述的控制程序。
【文檔編號】H01L21/02GK104011833SQ201280064511
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月17日
【發(fā)明者】尾藤史好 申請人:夏普株式會社