半導(dǎo)體組件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種包括精密且工序缺陷低的穿過布線的制造半導(dǎo)體組件的方法，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件制造半導(dǎo)體組件的方法包括如下步驟：準(zhǔn)備導(dǎo)電部件的步驟；去除導(dǎo)電部件的一部分而形成平面部和從平面部突出的突出部的步驟；配置導(dǎo)電部件和半導(dǎo)體芯片，并形成密封半導(dǎo)體芯片和導(dǎo)電部件的密封部件的步驟；使導(dǎo)電部件的突出部從密封部件露出而形成穿過布線的步驟；形成將穿過布線和半導(dǎo)體芯片電連接的再布線圖案層的步驟；以及形成與再布線圖案層電連接的外部連接部件的步驟。
【專利說明】半導(dǎo)體組件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的技術(shù)思想涉及一種半導(dǎo)體組件，更詳細(xì)而言，涉及一種包括穿過布線的半導(dǎo)體組件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，半導(dǎo)體元件隨著工序技術(shù)的微細(xì)化和功能的多樣化，芯片尺寸減小，且伴隨輸出、輸入端子數(shù)量的增加，電極焊盤間距逐漸微細(xì)化，隨著各種功能的融合化的加速化，將各種元件集成于一個(gè)封裝內(nèi)的系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)逐漸興起。并且，系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)中，為了將動(dòng)作間噪音最小化并提高信號(hào)速度，逐漸變更為能夠維持較短的信號(hào)距離的三維層疊技術(shù)方式。另一方面，為了應(yīng)對(duì)這種技術(shù)的改善要求的同時(shí)，為了控制產(chǎn)品價(jià)格上升且為了提高生產(chǎn)率、降低制造成本，導(dǎo)入了包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體組件。
[0003]在現(xiàn)有的封裝中層疊多個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況下，為了相互連接上側(cè)半導(dǎo)體芯片和下側(cè)半導(dǎo)體芯片，通常在形成下側(cè)半導(dǎo)體芯片的扇出式封裝之后，在封裝模型上通過激光鉆頭等形成通孔，在所述通孔中填充導(dǎo)電性物質(zhì)來形成穿過布線。但存在難以精密地形成封裝模型上的通孔且難以在所述通孔中致密地填充導(dǎo)電性物質(zhì)的局限性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明的技術(shù)思想所要完成的技術(shù)課題為提供一種包括精密且工序缺陷低的穿過布線的制造半導(dǎo)體組件的方法。
[0006]( 二 )技術(shù)方案
[0007]用于實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)課題的本發(fā)明的技術(shù)思想的制造半導(dǎo)體組件的方法，其包括如下步驟:準(zhǔn)備導(dǎo)電部件的步驟；去除所述導(dǎo)電部件的一部分而形成平面部和從所述平面部突出的突出部的步驟；配置所述導(dǎo)電部件和半導(dǎo)體芯片，并形成密封所述半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)電部件的密封部件的步驟；使所述導(dǎo)電部件的所述突出部從所述密封部件露出而形成穿過布線的步驟；形成將所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片電連接的再布線圖案層；以及形成與所述再布線圖案層電連接的外部連接部件的步驟。
[0008]用于解決上述技術(shù)課題的本發(fā)明的技術(shù)思想的半導(dǎo)體組件，其包括:穿過布線，利用去除導(dǎo)電部件的一部分而形成的突出部來形成；半導(dǎo)體芯片，位于所述穿過布線之間，并且與所述穿過布線電連接；再布線圖案層，位于所述半導(dǎo)體芯片上，并且將所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片電連接；以及外部連接部件，與所述再布線圖案層電連接。
[0009]用于實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)課題的本發(fā)明的技術(shù)思想的堆疊式封裝，包括:下部半導(dǎo)體組件，其包括下部穿過布線、下部半導(dǎo)體芯片、下部再布線圖案層、下部外部連接部件，所述下部穿過布線利用去除第一導(dǎo)電部件的一部分而形成的突出部來形成，所述下部半導(dǎo)體芯片位于所述下部穿過布線之間，并且與所述下部穿過布線電連接，所述下部再布線圖案層位于所述下部半導(dǎo)體芯片上，并且將所述下部穿過布線和所述下部半導(dǎo)體芯片電連接，所述下部外部連接部件與所述下部再布線圖案層電連接；以及上部半導(dǎo)體組件，其包括上部穿過布線、上部半導(dǎo)體芯片、上部再布線圖案層及上部外部連接部件，所述上部穿過布線利用去除第二導(dǎo)電部件的一部分而形成的突出部來形成，所述上部半導(dǎo)體芯片位于所述上部穿過布線之間，并且與所述上部穿過布線電連接，所述上部再布線圖案層位于所述上部半導(dǎo)體芯片上，并且將所述上部穿過布線和所述上部半導(dǎo)體芯片電連接，所述上部外部連接部件與所述上部再布線圖案層電連接，其中，所述上部半導(dǎo)體組件位于所述下部半導(dǎo)體組件的上側(cè)，所述下部半導(dǎo)體組件的所述下部外部連接部件與所述上部半導(dǎo)體組件的所述上部穿過布線電連接。
[0010](三)有益效果
[0011]本發(fā)明的技術(shù)思想的半導(dǎo)體組件，與現(xiàn)有的填充通孔來形成穿過布線的情況相t匕，預(yù)先從導(dǎo)電部件形成突出部，利用所述突出部形成穿過布線，因此能夠提供精密且工序缺陷低的穿過布線。
[0012]并且，不要求用于形成所述穿過布線的在密封部件上進(jìn)行通孔形成工序和用導(dǎo)電物填充所述通孔的填充工序，因此制造工序變得簡單，能夠提供產(chǎn)率增加、工序費(fèi)用減少的效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視圖。
[0014]圖2是沿著A-A線切割本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的半導(dǎo)體組件的剖視圖。
[0015]圖3至圖15是按照工序步驟表示制造本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的半導(dǎo)體組件100的制造方法的剖視圖。
[0016]圖16是表示層疊多個(gè)圖1的半導(dǎo)體組件的堆疊式封裝的剖視圖。
[0017]圖17是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視圖。
[0018]圖18是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的剖視圖。
[0019]圖19是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件的俯視圖。
[0020]圖20是沿著B-B線切割本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖19的半導(dǎo)體組件的剖視圖。
[0021]圖21是沿著C-C線切割本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖19的半導(dǎo)體組件的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的實(shí)施例是為了向該【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員更完整地說明本發(fā)明的技術(shù)思想而提供的，以下實(shí)施例可以變更為多種其他方式，本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍并不限定于以下實(shí)施例，而是，這些實(shí)施例使本發(fā)明的公開內(nèi)容更充實(shí)、完整，是為了向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整地傳達(dá)本發(fā)明的技術(shù)思想而提供的。如本說明書中所使用的術(shù)語“和/或”包括相應(yīng)列舉的項(xiàng)目中任意一個(gè)和一個(gè)以上的所有組合。相同符號(hào)始終意味著相同的要件。并且，附圖中的各種要件和區(qū)域是概略描繪。因此，本發(fā)明的技術(shù)思想并不受附圖中繪出的相對(duì)的大小或間隔的限制。
[0023]圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件100的俯視圖。圖2是沿著A-A線切割本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的半導(dǎo)體組件100的剖視圖。
[0024]參照?qǐng)D1和圖2，半導(dǎo)體組件100包括穿過布線110、半導(dǎo)體芯片120、密封部件130、再布線圖案層140及外部連接部件150。
[0025]半導(dǎo)體芯片120可以位于中央，穿過布線110位于半導(dǎo)體芯片120的外角。半導(dǎo)體芯片120可以為存儲(chǔ)器芯片或邏輯芯片。這種存儲(chǔ)器芯片例如可以包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、閃存(f lash)、相變化存儲(chǔ)器(PRAM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)、鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)或非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)。這種邏輯芯片可以為控制存儲(chǔ)器芯片的控制器。
[0026]密封部件130能夠密封半導(dǎo)體芯片120。半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122可以從密封部件130露出。密封部件130可以包括絕緣物，例如可以包括環(huán)氧模塑化合物(epoxy mold compound, EMC)。
[0027]穿過布線110可以位于穿過密封部件130的位置。穿過布線110能夠通過再布線圖案層140與半導(dǎo)體芯片120電連接。S卩，穿過布線110能夠通過再布線圖案144與半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122電連接。如參照以下的圖3至圖15所說明，穿過布線110能夠利用從導(dǎo)電部件111 (參照?qǐng)D4)形成的突出部113(參照?qǐng)D4)來形成。從密封部件130露出的穿過布線110可以具有與密封部件130的表面135相比凹陷的表面115。
[0028]本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片120通過密封部件130密封，相反，穿過布線110從密封部件130露出，因此半導(dǎo)體芯片120的高度可小于穿過布線110的高度。
[0029]第一絕緣層142、再布線圖案144及第二絕緣層146能夠構(gòu)成再布線圖案層140。再布線圖案144可以被第一絕緣層142和第二絕緣層146包圍。再布線圖案144可以包括導(dǎo)電物，例如可以包括金屬，可以包括銅、銅合金、鋁或鋁合金。再布線圖案144能夠?qū)Π雽?dǎo)體芯片120進(jìn)行再布線。因此，再布線圖案144能夠?qū)雽?dǎo)體芯片120的輸出、輸入端子微細(xì)化，并且能夠增加所述輸出、輸入端子的數(shù)量。并且，通過再布線圖案144，半導(dǎo)體組件100能夠具有扇出式結(jié)構(gòu)。
[0030]并且，再布線圖案層140可以由預(yù)先制造的結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，這種結(jié)構(gòu)體通過壓接、粘結(jié)、回流等方式粘結(jié)在半導(dǎo)體芯片120和密封部件130上的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0031]外部連接部件150能夠與再布線圖案144電連接，因此能夠與半導(dǎo)體芯片120和/或穿過布線110電連接。外部連接部件150能夠使半導(dǎo)體芯片120與外部裝置電連接。外部連接部件150可以與穿過布線110垂直地位于相同的位置。因此，如參照以下的圖16所說明，一個(gè)半導(dǎo)體組件的外部連接部件150能夠與另一個(gè)半導(dǎo)體組件的穿過布線相互接觸而進(jìn)行電連接。外部連接部件150可以位于半導(dǎo)體芯片120的外圍。但是，這僅僅是例示，本發(fā)明的技術(shù)思想并不限定于此，外部連接部件150位于與半導(dǎo)體芯片120重疊的位置的情況也可以屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。外部連接部件150例如可以為錫球。
[0032]圖3至圖15是按照工序步驟表示制造本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的半導(dǎo)體組件100的制造方法的剖視圖。
[0033]參照?qǐng)D3，準(zhǔn)備導(dǎo)電部件111。導(dǎo)電部件111可以具有平板形狀。導(dǎo)電部件111可以包括導(dǎo)電性物質(zhì)，例如可以包括金屬。導(dǎo)電部件111例如可以包括銅、銅合金、鋁或鋁合金。
[0034]參照?qǐng)D4，去除導(dǎo)電部件111的一部分而形成平面部112和從平面部112突出的突出部113?？梢詫⑺龉ば蚍Q為半蝕刻(half etching)工序，但并不限定于突出部113的高度與平面部112的高度相同的情況。突出部113的高度可以具有與在后續(xù)的工序中形成的穿過布線110(參照?qǐng)D7)相同的高度或比其略高的高度。對(duì)平面部112的高度可進(jìn)行多種變更，為了后續(xù)的去除工序，越薄越優(yōu)選，但為了防止導(dǎo)電部件111的撓曲現(xiàn)象等，可以具有一定的厚度。這種形成突出部113的工序可以利用光刻和蝕刻工序去除導(dǎo)電部件111的一部分來實(shí)施。作為代替方案，可以利用沖壓裝置，通過將導(dǎo)電部件111壓接在包括規(guī)定形狀的模型上的沖壓加工來形成突出部113。通過突出部113形成的凹陷區(qū)域114可以位于導(dǎo)電部件111的中央。凹陷區(qū)域114可以具有大于半導(dǎo)體芯片120(參照?qǐng)D5)的面積，以在凹陷區(qū)域114容納半導(dǎo)體芯片120(參照?qǐng)D5)。在形成突出部113之后，為了去除不需要的殘留物，還可以實(shí)施清洗工序。
[0035]參照?qǐng)D5，將半導(dǎo)體芯片120粘合在第一載體基板119上。例如半導(dǎo)體芯片120可以利用第一粘結(jié)部件118粘合在第一載體基板119上。半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122可以面向第一載體基板119，且能夠與第一粘結(jié)部件118接觸。第一載體基板119可以包括娃(silicon)、玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、塑料(plastic)或聚合物(polymer)。第一粘結(jié)部件118可以為液態(tài)粘結(jié)劑或粘結(jié)膠帶。半導(dǎo)體芯片120可以為存儲(chǔ)器芯片或邏輯芯片。半導(dǎo)體芯片120可以包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片，或者包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片。
[0036]接著，將導(dǎo)電部件111粘合在第一載體基板119上。此時(shí),將導(dǎo)電部件111翻轉(zhuǎn)并粘合在第一載體基板119上。突出部113可以面向第一載體基板119，能夠與第一粘結(jié)部件118接觸且粘合在第一載體基板119。導(dǎo)電部件111的突出部113可以位于包圍半導(dǎo)體芯片120的位置。半導(dǎo)體芯片120可以位于導(dǎo)電部件111的凹陷區(qū)域114內(nèi)。突出部113可以以相同的數(shù)量位于半導(dǎo)體芯片120的兩側(cè)。但是，這僅僅是例示，本發(fā)明并不限定于此。例如，突出部113還可以僅位于半導(dǎo)體芯片120的一側(cè)，或者以不同的數(shù)量位于半導(dǎo)體芯片120的兩側(cè)。并且，示出了三個(gè)突出部113以半導(dǎo)體芯片120為中心位于兩側(cè)，但這僅僅是例示，本發(fā)明并不限定于此。即，可以為各種數(shù)量的突出部113以半導(dǎo)體芯片120為中心位于兩側(cè)。
[0037]參照?qǐng)D6，形成密封半導(dǎo)體芯片120和導(dǎo)電部件111的密封部件130。并且，密封部件130可以填充導(dǎo)電部件111的突出部113之間，且可以填充半導(dǎo)體芯片120與導(dǎo)電部件111之間。并且，密封部件130可以覆蓋導(dǎo)電部件111。密封部件130可以包括絕緣物，例如可以包括環(huán)氧模塑化合物。形成密封部件130的步驟可以通過一個(gè)步驟實(shí)施，或者通過多個(gè)步驟實(shí)施。
[0038]例如，密封部件130通過多個(gè)步驟形成的情況如下。形成填充導(dǎo)電部件111的突出部113之間的第一密封部件131，接著，形成覆蓋導(dǎo)電部件111的第二密封部件132，由此能夠形成密封部件130。第一密封部件131可以填充半導(dǎo)體芯片120與導(dǎo)電部件111之間。圖6中，將第一密封部件131和第二密封部件132以用點(diǎn)線分離的方式示出。
[0039]參照?qǐng)D7，去除密封部件130的一部分和導(dǎo)電部件111的平面部112，使導(dǎo)電部件111的突出部113從密封部件130露出。所述露出的導(dǎo)電部件111的突出部113形成穿過布線110。所述穿過布線110可以為娃通孔(through silicon via, TSV)或基板通孔(through substrate via, TSV)。穿過布線110可以包括銅、銅合金、招或招合金。所述去除工序可以利用拋光、回蝕或機(jī)械化學(xué)拋光(mechanical chemical polishing, CMP)來實(shí)施。在實(shí)施所述去除工序之后，能夠通過密封部件130密封半導(dǎo)體芯片120。這種情況下，穿過布線110的高度可大于半導(dǎo)體芯片120的高度。作為代替方案，半導(dǎo)體芯片120的上表面從密封部件130露出的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。這種情況下，穿過布線110的高度可以與半導(dǎo)體芯片120的高度相同。在形成穿過布線110之后，為了去除不需要的殘留物，還可以實(shí)施清洗工序。
[0040]參照?qǐng)D8，去除第一載體基板119和第一粘結(jié)部件118。由此，能夠形成包括穿過布線110、半導(dǎo)體芯片120及密封部件130的結(jié)構(gòu)體137。并且，半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122可以從密封部件130露出。并且，穿過布線110的上側(cè)和下側(cè)可以從密封部件130露出。
[0041]參照?qǐng)D9，以半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122露出的方式，將由穿過布線110、半導(dǎo)體芯片120及密封部件130構(gòu)成的結(jié)構(gòu)體137粘合在第二載體基板139上。SP，以第二載體基板139位于與半導(dǎo)體芯片焊盤122的反向位置的方式，將結(jié)構(gòu)體137粘合在第二載體基板139上。例如，結(jié)構(gòu)體137能夠利用第二粘結(jié)部件138粘合在第二載體基板139上。第二載體基板139可以包括硅、玻璃、陶瓷、塑料或聚合物。第一載體基板119和第二載體基板139可以包括相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。第一粘結(jié)部件118可以為液態(tài)粘結(jié)劑或粘結(jié)膠帶。第一粘結(jié)部件118和第二粘結(jié)部件138可以包括相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。
[0042]參照?qǐng)D10至圖12，形成將穿過布線110和半導(dǎo)體芯片120電連接的再布線圖案層140。
[0043]參照?qǐng)D10，在結(jié)構(gòu)體137上形成第一絕緣層142。具體而言，在穿過布線110和半導(dǎo)體芯片120上形成第一絕緣層142。接著，去除第一絕緣層142的一部分而形成使穿過布線110露出的第一開口部141，和使半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122露出的第二開口部143。第一絕緣層142可以包括絕緣物，例如可以包括氧化物、氮化物或環(huán)氧模塑化合物坐寸ο
[0044]參照?qǐng)D11，在第一絕緣層142上形成將穿過布線110和半導(dǎo)體芯片120的半導(dǎo)體芯片焊盤122電連接的再布線圖案144。再布線圖案144能夠填充第一開口部141，由此，再布線圖案144能夠與穿過布線110電連接。并且，再布線圖案144能夠填充第二開口部143，由此，再布線圖案144能夠與半導(dǎo)體芯片焊盤122電連接。再布線圖案144可以包括導(dǎo)電物，例如可以包括金屬，可以包括銅、銅合金、鋁或鋁合金。再布線圖案144可以利用蒸鍍、鍍金等各種方法來形成。再布線圖案144可以對(duì)半導(dǎo)體芯片120進(jìn)行再布線。再布線圖案144能夠與外部連接部件150 (參照?qǐng)D13)電連接。由此，再布線圖案144能夠?qū)雽?dǎo)體芯片120的輸出、輸入端子微細(xì)化，并且，能夠增加所述輸出、輸入端子的數(shù)量。并且，通過再布線圖案144，半導(dǎo)體組件100能夠具有扇出式結(jié)構(gòu)。
[0045]參照?qǐng)D12，在再布線圖案144上形成第二絕緣層146。接著，去除第二絕緣層146的一部分而形成使再布線圖案144的一部分露出的第三開口部145。第二絕緣層146可以包括絕緣物，例如可以包括氧化物、氮化物或環(huán)氧模塑化合物等。第一絕緣層142和第二絕緣層146可以包括相同的物質(zhì)，或者包括互不相同的物質(zhì)。第一絕緣層142、再布線圖案144及第二絕緣層146能夠構(gòu)成再布線圖案層140。
[0046]并且，再布線圖案層140可以由預(yù)先制造的結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，這種結(jié)構(gòu)體通過壓接、粘結(jié)、回流等方式粘結(jié)在半導(dǎo)體芯片120和密封部件130的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0047]參照?qǐng)D13，粘合與再布線圖案144電連接的外部連接部件150。外部連接部件150可以粘合在露出的再布線圖案144上。外部連接部件150可以包括導(dǎo)電物，例如可以包括金屬。外部連接部件150可以為錫球。
[0048]參照?qǐng)D14，去除第二載體基板139和第二粘結(jié)部件138。由此，能夠使穿過布線110從密封部件130露出。在該步驟，可以完成制造半導(dǎo)體組件的工序。
[0049]參照?qǐng)D15，去除露出的穿過布線110的一部分，形成具有與密封部件130的表面135相比凹陷的表面115的穿過布線110。所述去除穿過布線110的一部分的步驟可以利用濕法蝕刻來實(shí)施。通過所述濕法蝕刻，可以對(duì)穿過布線110的表面進(jìn)行清洗。由此，完成圖1的半導(dǎo)體組件100。
[0050]圖16是表示層疊多個(gè)圖1的半導(dǎo)體組件100的堆疊式封裝(Package-On-Package，POP) 1000的剖視圖。對(duì)于本實(shí)施例的堆疊式封裝1000，省略與對(duì)上述實(shí)施例的半導(dǎo)體組件100的說明重復(fù)的說明。
[0051]參照?qǐng)D16，堆疊式封裝1000中，垂直地層疊有半導(dǎo)體組件100A、100B、100C。具體而言，半導(dǎo)體組件100B位于半導(dǎo)體組件100A上，半導(dǎo)體組件100C位于半導(dǎo)體組件100B上。并且，形成層疊兩個(gè)半導(dǎo)體組件的堆疊式封裝的技術(shù)，和形成層疊更多數(shù)量的半導(dǎo)體組件的堆疊式封裝的技術(shù)也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0052]半導(dǎo)體組件100A的外部連接部件150A可以與半導(dǎo)體組件100B的穿過布線IlOB電連接。為了這種連接，如參照?qǐng)D15所說明，穿過布線IlOB可以具有凹陷的表面115(參照?qǐng)D15)，外部連接部件150A能夠通過密封部件130B并排和/或固定。
[0053]半導(dǎo)體組件100B的外部連接部件150B能夠與半導(dǎo)體組件100C的穿過布線IlOC電連接。為了這種連接，穿過布線I1c可以具有凹陷的表面115(參照?qǐng)D15)，外部連接部件150B可以通過密封部件130C并排和/或固定。
[0054]半導(dǎo)體組件100C的外部連接部件150C能夠與外部基板(未圖示)等外部裝置電連接。
[0055]以下，對(duì)半導(dǎo)體組件100A、100B、100C的電連接關(guān)系進(jìn)行說明。
[0056]半導(dǎo)體組件100A的半導(dǎo)體芯片120A能夠通過再布線圖案144A及穿過布線IlOA與外部裝置電連接。并且，半導(dǎo)體組件100A的半導(dǎo)體芯片120A能夠通過再布線圖案144A、外部連接部件150A、穿過布線110B、再布線圖案144B、外部連接部件150B、穿過布線110C、再布線圖案144C及外部連接部件150C與外部裝置電連接。
[0057]半導(dǎo)體組件100A的半導(dǎo)體芯片120A能夠通過再布線圖案144A、外部連接部件150A、穿過布線IlOB及再布線圖案144B與半導(dǎo)體組件100B的半導(dǎo)體芯片120B電連接。
[0058]半導(dǎo)體組件100A的半導(dǎo)體芯片120A能夠通過再布線圖案144A、外部連接部件150A、穿過布線110B、再布線圖案144B、外部連接部件150B、穿過布線IlOC及再布線圖案144C與半導(dǎo)體組件100C的半導(dǎo)體芯片120C電連接。
[0059]半導(dǎo)體組件100B的半導(dǎo)體芯片120B能夠通過再布線圖案144B、穿過布線110B、外部連接部件150A、再布線圖案144A及穿過布線IlOA與外部裝置電連接。并且，半導(dǎo)體組件100B的半導(dǎo)體芯片120B能夠通過再布線圖案144B、外部連接部件150B、穿過布線110C、再布線圖案144C及外部連接部件150C與外部裝置電連接。
[0060]半導(dǎo)體組件100B的半導(dǎo)體芯片120B能夠通過再布線圖案144B、外部連接部件150B、穿過布線IlOC及再布線圖案144C與半導(dǎo)體組件100C的半導(dǎo)體芯片120C電連接。
[0061]半導(dǎo)體組件100C的半導(dǎo)體芯片120C能夠通過再布線圖案144C、穿過布線110C、外部連接部件150B、再布線圖案144B、穿過布線110B、外部連接部件150A、再布線圖案144A及穿過布線IlOA與外部裝置電連接。并且，半導(dǎo)體組件100C的半導(dǎo)體芯片120C能夠通過再布線圖案144C和外部連接部件150C與外部裝置電連接。
[0062]圖17是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件200的剖視圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件200是變更上述實(shí)施例的半導(dǎo)體組件中的一部分結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件，因此，省略重復(fù)說明。
[0063]參照?qǐng)D17，半導(dǎo)體組件200包括穿過布線110、半導(dǎo)體芯片120、密封部件230、再布線圖案層140及外部連接部件150。半導(dǎo)體芯片120的側(cè)面被密封部件230包圍，相反，半導(dǎo)體芯片120的表面從密封部件230露出。這種結(jié)構(gòu)如參照?qǐng)D7所說明，可以通過在去除密封部件的一部分和導(dǎo)電部件的平面部的工序中以半導(dǎo)體芯片120的表面露出的方式實(shí)施工序來實(shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片120的高度可以與穿過布線110的高度相同。并且，當(dāng)穿過布線110具有相比密封部件230凹陷的表面的情況下，半導(dǎo)體芯片120的高度可大于穿過布線110的高度。
[0064]圖18是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件300的剖視圖。本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件300是變更上述實(shí)施例的半導(dǎo)體組件中的一部分結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件，因此省略重復(fù)說明。
[0065]參照?qǐng)D18，半導(dǎo)體組件300包括穿過布線110、第一半導(dǎo)體芯片320a、第二半導(dǎo)體芯片320b、密封部件130、再布線圖案層140及外部連接部件150。第一半導(dǎo)體芯片320a和第二半導(dǎo)體芯片320b可以與圖1的半導(dǎo)體芯片120類似地與再布線圖案層140電連接。第一半導(dǎo)體芯片320a和第二半導(dǎo)體芯片320b可以具有相同的大小，或者具有互不相同的大小。第一半導(dǎo)體芯片320a和第二半導(dǎo)體芯片320b可以為存儲(chǔ)器芯片或邏輯芯片。并且，第一半導(dǎo)體芯片320a和第二半導(dǎo)體芯片320b可以為具有相同功能的同種產(chǎn)品，或者是具有不同功能的異種產(chǎn)品。例如，第一半導(dǎo)體芯片320a可以為邏輯芯片，第二半導(dǎo)體芯片320b是存儲(chǔ)器芯片，或者也可以相反。半導(dǎo)體組件100能夠構(gòu)成系統(tǒng)芯片(system on chip, SOC)或系統(tǒng)級(jí)封裝(system in package, SIP)。
[0066]圖18中示出第一半導(dǎo)體芯片320a和第二半導(dǎo)體芯片320b平面排列的情況，但垂直層疊的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。并且，在圖18的半導(dǎo)體組件300上融合圖17的半導(dǎo)體組件200的技術(shù)特征的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0067]圖19是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體組件400的俯視圖。圖20是沿著B-B線切割本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖19的半導(dǎo)體組件400的剖視圖。圖21是沿著C-C線切割本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖19的半導(dǎo)體組件400的剖視圖。
[0068]本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件400是變更上述實(shí)施例的半導(dǎo)體組件中的一部分結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件，因此，省略重復(fù)說明。
[0069]參照?qǐng)D19至圖21，半導(dǎo)體組件400包括穿過布線110、半導(dǎo)體芯片120、密封部件130、再布線圖案層140及外部連接部件150。
[0070]與參照?qǐng)D1和圖2說明的半導(dǎo)體組件100不同，本實(shí)施例的半導(dǎo)體組件400中，半導(dǎo)體芯片120位于偏靠一側(cè)的位置。g卩，以半導(dǎo)體芯片120為基準(zhǔn)，外部連接部件150位于三側(cè)，相反，一側(cè)則沒有外部連接部件150。由此，在沒有外部連接部件150的所述一側(cè)也沒有穿過布線110。本實(shí)施例是對(duì)半導(dǎo)體芯片120與外部連接部件150之間的位置關(guān)系進(jìn)行例示的實(shí)施例，多種變更它們之間的位置關(guān)系的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。并且，在圖20的半導(dǎo)體組件400上融合圖17的半導(dǎo)體組件200和/或圖18的半導(dǎo)體組件300的技術(shù)特征的情況也屬于本發(fā)明的技術(shù)思想。
[0071]以上說明的本發(fā)明的技術(shù)思想并不限定于前述的實(shí)施例和附圖，對(duì)于本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員能夠明確，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)可以實(shí)施各種替換、變形及變更。
[0072]工業(yè)實(shí)用性
[0073]利用本發(fā)明，能夠在半導(dǎo)體組件中提供一種精密且工序缺陷率較低的穿過布線。
【權(quán)利要求】
1.一種制造半導(dǎo)體組件的方法，其包括如下步驟: 準(zhǔn)備導(dǎo)電部件的步驟； 去除所述導(dǎo)電部件的一部分而形成平面部和從所述平面部突出的突出部的步驟； 配置所述導(dǎo)電部件和半導(dǎo)體芯片，并形成密封所述半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)電部件的密封部件的步驟； 使所述導(dǎo)電部件的所述突出部從所述密封部件露出而形成穿過布線的步驟； 形成將所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片電連接的再布線圖案層的步驟；以及 形成與所述再布線圖案層電連接的外部連接部件的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 配置所述導(dǎo)電部件和半導(dǎo)體芯片的步驟還包括將所述導(dǎo)電部件和所述半導(dǎo)體芯片粘合在第一載體基板上的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在形成所述穿過布線的步驟和形成所述再布線圖案層的步驟之間還包括如下步驟: 去除所述第一載體基板的步驟；以及 以所述半導(dǎo)體芯片的所述半導(dǎo)體芯片焊盤露出的方式，將所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片粘合在第二載體基板上的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在實(shí)施形成與所述再布線圖案層電連接的外部連接部件的步驟之后，還包括如下步驟: 去除所述第二載體基板而使所述穿過布線從所述密封部件露出的步驟；以及去除所述露出的穿過布線的一部分而形成穿過布線的步驟，所述穿過布線具有與所述密封部件的表面相比凹陷的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成具有與所述密封部件的表面相比凹陷的表面的穿過布線的步驟利用濕法蝕刻來實(shí)施。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 在實(shí)施形成所述突出部的步驟之后，還包括為了去除不需要的殘留物，對(duì)形成有所述突出部的所述導(dǎo)電部件進(jìn)行清洗的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 將所述導(dǎo)電部件和半導(dǎo)體芯片粘合在第一載體基板上的步驟包括如下步驟: 將所述半導(dǎo)體芯片粘合在所述第一載體基板上的步驟；以及 以所述導(dǎo)電部件的所述突出部包圍所述半導(dǎo)體芯片的方式，將所述導(dǎo)電部件粘合在所述第一載體基板上的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成密封所述半導(dǎo)體芯片和所述導(dǎo)電部件的密封部件的步驟包括如下步驟: 形成填充所述導(dǎo)電部件的所述突出部之間的第一密封部件的步驟；以及 形成覆蓋所述導(dǎo)電部件的第二密封部件的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 使所述導(dǎo)電部件的所述突出部從所述密封部件露出而形成穿過布線的步驟包括利用拋光、回蝕或機(jī)械化學(xué)拋光來去除所述密封部件的一部分和所述導(dǎo)電部件的所述平面部的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 使所述導(dǎo)電部件的所述突出部從所述密封部件露出而形成穿過布線的步驟還包括如下步驟: 在實(shí)施利用拋光、回蝕或機(jī)械化學(xué)拋光去除所述密封部件的一部分和所述導(dǎo)電部件的所述平面部的步驟之后， 為了去除不需要的殘留物，對(duì)所述穿過布線進(jìn)行清洗的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于，形成將所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片電連接的再布線圖案層的步驟包括如下步驟: 在所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片上形成使所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片焊盤露出的第一絕緣層的步驟； 在所述第一絕緣層上形成將所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片焊盤電連接的再布線圖案的步驟；以及在所述再布線圖案上形成使所述再布線圖案的一部分露出的第二絕緣層的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成所述突出部的步驟中，利用光刻和蝕刻工序去除所述導(dǎo)電部件的一部分而形成所述關(guān)出部。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體組件的方法，其特征在于， 形成所述突出部的步驟中，沖壓加工所述導(dǎo)電部件來形成所述突出部。
14.一種半導(dǎo)體組件，其包括: 穿過布線，利用去除導(dǎo)電部件的一部分而形成的突出部來形成； 半導(dǎo)體芯片，位于所述穿過布線之間，并且與所述穿過布線電連接； 再布線圖案層，位于所述半導(dǎo)體芯片上，并且將所述穿過布線和所述半導(dǎo)體芯片電連接；以及 外部連接部件，與所述再布線圖案層電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述穿過布線的高度大于所述半導(dǎo)體芯片的高度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述穿過布線的高度與所述半導(dǎo)體芯片的高度相同。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述穿過布線的高度小于所述半導(dǎo)體芯片的高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于， 所述穿過布線位于所述半導(dǎo)體芯片的至少一側(cè)。
20.一種堆疊式封裝，其包括:下部半導(dǎo)體組件，其包括下部穿過布線、下部半導(dǎo)體芯片、下部再布線圖案層及下部外部連接部件，所述下部穿過布線利用去除第一導(dǎo)電部件的一部分而形成的突出部來形成，所述下部半導(dǎo)體芯片位于所述下部穿過布線之間，并且與所述下部穿過布線電連接，所述下部再布線圖案層位于所述下部半導(dǎo)體芯片上，并且將所述下部穿過布線和所述下部半導(dǎo)體芯片電連接，所述下部外部連接部件與所述下部再布線圖案層電連接；以及 上部半導(dǎo)體組件，其包括上部穿過布線、上部半導(dǎo)體芯片、上部再布線圖案層及上部外部連接部件，所述上部穿過布線利用去除第二導(dǎo)電部件的一部分而形成的突出部來形成，所述上部半導(dǎo)體芯片位于所述上部穿過布線之間，并且與所述上部穿過布線電連接，所述上部再布線圖案層位于所述上部半導(dǎo)體芯片上，并且將所述上部穿過布線和所述上部半導(dǎo)體芯片電連接，所述上部外部連接部件與所述上部再布線圖案層電連接， 其中，所述上部半導(dǎo)體組件位于所述下部半導(dǎo)體組件的上側(cè)， 所述下部半導(dǎo)體組件的所述下部外部連接部件與所述上部半導(dǎo)體組件的所述上部穿過布線電連接。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK104205313SQ201280072192
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】蘇賽賢, 蕭元甄, 王傳偉, 蘇孝文, 陳浩洋 申請(qǐng)人:Nepes 株式會(huì)社