選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，至少包括以下步驟：1）晶片預(yù)清洗；2）將預(yù)清洗后的晶片裝入反應(yīng)腔，通入氫氣并將晶片加熱到預(yù)設(shè)溫度，使氫氣與晶片表面的自然氧化層發(fā)生反應(yīng)以去除所述自然氧化層；3）緊接著將氯化氫氣體噴到晶片表面，使氯化氫與晶片表面的金屬雜質(zhì)反應(yīng)以溶解所述金屬雜質(zhì)；4）將反應(yīng)腔抽真空以去除多余的氫氣、氯化氫以及前兩步中反應(yīng)后的雜質(zhì)；5）將晶片溫度調(diào)整到鍺硅外延生長(zhǎng)溫度并往所述反應(yīng)腔內(nèi)通入氫氣載氣和氯化氫選擇氣體。本發(fā)明的晶片預(yù)處理方法利用現(xiàn)有設(shè)備中的氯化氫氣路，氯化氫處理發(fā)生于反應(yīng)腔內(nèi)，處理時(shí)間短，工藝簡(jiǎn)單，能大大提高晶片的潔凈度，保證后續(xù)鍺硅外延層的質(zhì)量。
【專利說明】選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，涉及一種晶片預(yù)處理方法，特別是涉及一種選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]根據(jù)摩爾定律:集成電路特征尺寸每18個(gè)月將減小30%，集成度增加一倍，產(chǎn)品性價(jià)比增加一倍。在先進(jìn)CMOS中，傳統(tǒng)靠減薄柵氧化層厚度的方法已經(jīng)不能滿足器件的需求。取而代之的是利用高介電常數(shù)的材料來減小產(chǎn)品的電學(xué)厚度，利用應(yīng)力技術(shù)來增強(qiáng)載流子的遷移率，利用超低溫離子植入技術(shù)和利用激光退火技術(shù)來實(shí)現(xiàn)超淺結(jié)的需要等等一系列新工藝和新材料的運(yùn)用。其中應(yīng)力增強(qiáng)方法中最重要的就是在P型半導(dǎo)體的源/漏區(qū)用選擇性外延生長(zhǎng)的鍺化硅代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硅。因?yàn)殒N的原子半徑比硅要大，當(dāng)鍺摻入硅中后，源漏區(qū)會(huì)產(chǎn)生張應(yīng)力，對(duì)溝道而言，則會(huì)受到壓應(yīng)力的影響。PMOS的空穴在壓應(yīng)力的作用下，遷移速率會(huì)大大加快，從而提高了器件性能。
[0003]外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)一層與襯底具有相同晶格排列的材料，根據(jù)生長(zhǎng)方法分為非選擇性外延和選擇性外延。非選擇性外延也稱全外延，而選擇性外延生長(zhǎng)是指在襯底上限定的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行的外延生長(zhǎng)。鍺硅外延是硅和鍺通過共價(jià)鍵結(jié)合形成的半導(dǎo)體化合物，是鍺、硅兩種元素?zé)o限互溶的替位式固溶體。在鍺硅的選擇性外延生長(zhǎng)中通常用氯化氫(HCl)氣體作為選擇氣體，硅源中氯原子(或HCI)的數(shù)目越多，選擇性越好，這是因?yàn)槁瓤梢砸种圃跉庀嘀泻脱谀颖砻嫣幊珊耍然瘹溥x擇氣體流量越大，選擇性就會(huì)越好，但是生長(zhǎng)速率就會(huì)變慢，影響生產(chǎn)線的產(chǎn)能，因此，HCI氣體的量要控制在保證足夠選擇性的基礎(chǔ)上，盡量減小它的流量。
[0004]鍺硅的外延生長(zhǎng)時(shí)，晶片的清潔度非常重要，若晶片的清潔度達(dá)不到要求，會(huì)嚴(yán)重影響后續(xù)外延鍺硅的質(zhì)量，如導(dǎo)致位錯(cuò)和應(yīng)力釋放，從而影響做在外延層上的器件特性。所以在進(jìn)入反應(yīng)之前，晶片需經(jīng)過一道清洗的工藝，主要是去除晶片表面的微粒以及晶片刻蝕槽內(nèi)表面的自然氧化層，使需要生長(zhǎng)鍺硅的地方硅晶格整齊而有序的排列。通常經(jīng)過這道清洗工藝后，產(chǎn)品需要馬上進(jìn)入選擇性外延反應(yīng)腔生長(zhǎng)鍺硅，中間的間隔越短越好，一般要控制在一小時(shí)以內(nèi)。晶片進(jìn)入反應(yīng)腔后也首先需要經(jīng)過一個(gè)氫氣高溫烘烤過程，因?yàn)殡m然經(jīng)過了上一道清洗工藝，但晶片上仍會(huì)殘留少許雜質(zhì)，并且在晶片進(jìn)入反應(yīng)腔之前刻蝕槽內(nèi)表面也會(huì)形成自然氧化層，并可能受到二次污染。氫氣高溫烘烤能去除刻蝕槽內(nèi)表面的自然氧化層和晶片上的部分雜質(zhì)，并且氫氣烘烤的溫度越高，晶片表面越干凈。
[0005]但是在外延鍺硅之前，晶片已經(jīng)經(jīng)過數(shù)道工藝，在晶片上已形成若干器件，部分器件并不耐高溫，因此氫氣烘烤溫度不能過高，導(dǎo)致外延鍺硅前晶片上的潔凈度不夠，容易使外延的鍺硅形成缺陷。請(qǐng)參閱圖1，顯示為現(xiàn)有技術(shù)中晶片經(jīng)過預(yù)清洗并在反應(yīng)腔內(nèi)經(jīng)過800°C氫氣烘烤后刻蝕槽內(nèi)外延鍺硅顯示位錯(cuò)的透射電鏡圖，圖中低鍺鍺硅2中圓圈標(biāo)注處的黑斑現(xiàn)象即為位錯(cuò)I。以上結(jié)果說明現(xiàn)有技術(shù)中選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅前的氫氣烘烤不能保證晶片的清潔度，容易導(dǎo)致外延的鍺硅出現(xiàn)位錯(cuò)和應(yīng)力釋放，從而影響做在外延層上的器件特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅前的氫氣烘烤不能保證晶片的清潔度，容易導(dǎo)致外延的鍺硅出現(xiàn)位錯(cuò)和應(yīng)力釋放，從而影響做在外延層上的器件特性的問題。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，所述晶片預(yù)處理方法至少包括以下步驟:
[0008]I)晶片預(yù)清洗；
[0009]2)將預(yù)清洗后的晶片裝入反應(yīng)腔，通入氫氣并將晶片加熱到預(yù)設(shè)溫度，使氫氣與晶片表面的自然氧化層發(fā)生反應(yīng)以去除所述自然氧化層；
[0010]3)緊接著將氯化氫氣體噴到晶片表面，使氯化氫與晶片表面的金屬雜質(zhì)反應(yīng)以溶解所述金屬雜質(zhì)；
[0011]4)將反應(yīng)腔抽真空以去除多余的氫氣、氯化氫以及所述步驟2)、3)中反應(yīng)后的雜質(zhì)；
[0012]5)將晶片溫度調(diào)整到鍺硅外延生長(zhǎng)溫度并往所述反應(yīng)腔內(nèi)通入氫氣載氣和氯化氫選擇氣體。
[0013]可選地，所述步驟I)中，所述預(yù)清洗包括氫氟酸清洗的步驟。
[0014]可選地，所述步驟2)中，所述預(yù)設(shè)溫度的范圍是65(T850 °C，通入氫氣后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)范圍是5~780 torr，氫氣反應(yīng)時(shí)間為10-100 S。
[0015]可選地，所述步驟2)中通入氫氣后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)范圍是55(T650 torr。
[0016]可選地，所述步驟3)中，噴氯化氫氣體時(shí)，氯化氫流量范圍是3(T200 sccm，噴氯化氫氣體的時(shí)間為10-100 S，噴氯化氫氣體時(shí)晶片溫度保持在50(T850 °C。
[0017]可選地，噴氯化氫氣體時(shí)，氯化氫流量范圍是5(T80 sccm.[0018]可選地，所述步驟4)中，抽真空后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)為0-30 torr。
[0019]如上所述，本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，具有以下有益效果:晶片放入反應(yīng)腔后，在氫氣處理之后還包括一個(gè)氯化氫處理的步驟，氫氣處理能夠和晶片表面的自然氧化層反應(yīng)達(dá)到去除所述自然氧化層的目的，氯化氫和前一步氫氣處理產(chǎn)生的產(chǎn)物水結(jié)合形成鹽酸，能夠溶解晶片上的金屬雜質(zhì)和其它雜質(zhì)，溶解的雜質(zhì)在隨后的抽真空過程中隨氫氣、氯化氫氣體一同排到反應(yīng)腔外。由于后續(xù)的外延鍺硅工藝中需要通入氯化氫選擇氣體，本發(fā)明的晶片預(yù)處理方法利用現(xiàn)有設(shè)備中的氯化氫氣路，不用額外增設(shè)氣路，并且后續(xù)的外延鍺硅工藝之前原本也包括抽真空的步驟，本發(fā)明的晶片預(yù)處理方法中的抽真空步驟不是額外增加的。本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法在氫氣處理步驟之后緊接著將氯化氫氣體噴到晶片表面，時(shí)間持續(xù)1(T100S，工藝簡(jiǎn)單，卻能大大提高晶片的潔凈度，保證后續(xù)鍺硅外延層的質(zhì)量，使做在外延層上的器件具有較好的特性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中晶片經(jīng)過預(yù)清洗并在反應(yīng)腔內(nèi)經(jīng)過800°C氫氣烘烤后刻蝕槽內(nèi)外延鍺硅顯示位錯(cuò)的透射電鏡圖。
[0021]圖2本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法的流程圖。
[0022]圖3顯示為經(jīng)過本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法后刻蝕槽內(nèi)外延鍺硅的透射電鏡圖。
[0023]元件標(biāo)號(hào)說明
[0024]I位錯(cuò)
[0025]2低鍺鍺硅
[0026]3聞錯(cuò)錯(cuò)娃
[0027]4硅
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下通過特定的具體實(shí)例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
[0029]請(qǐng)參閱2至圖3。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0030]首先請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法包括以下步驟:
[0031 ] 步驟S1:晶片預(yù)清洗；
[0032]外延鍺硅前晶片的預(yù)清洗的目的主要是清除晶片表面的雜質(zhì)顆粒以及氧化硅，為外延層的生長(zhǎng)提供良好的基礎(chǔ)，通常包括氫氟酸清洗的步驟。本實(shí)施例中，采用RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法進(jìn)行預(yù)清洗，主要是依靠溶劑、酸、表面活性劑和水，在不破壞晶圓表面特征的情況下通過噴射、凈化、氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污染。
[0033]步驟S2:將預(yù)清洗后的晶片裝入反應(yīng)腔，通入氫氣并將晶片加熱到預(yù)設(shè)溫度，使氫氣與晶片表面的自然氧化層發(fā)生反應(yīng)以去除所述自然氧化層；
[0034]具體的，所述預(yù)設(shè)溫度的范圍是65(T850 °C，通入氫氣后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)范圍是5~780 torr，氫氣在預(yù)設(shè)溫度下與晶片上刻蝕槽內(nèi)表面的氧化硅反應(yīng)，產(chǎn)生水汽揮發(fā)掉，從而可有效去除氧化層。具體的，氫氣反應(yīng)時(shí)間為10-100 S。本實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)溫度為800 °C，氫氣反應(yīng)時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)范圍是550~650 torr，并優(yōu)選為600 torr。
[0035]步驟S3:緊接著將氯化氫氣體噴到晶片表面，使氯化氫與晶片表面的金屬雜質(zhì)反應(yīng)以溶解所述金屬雜質(zhì)；
[0036] 由于在所述步驟S2中氫氣反應(yīng)的溫度不是太高(65(T850 °C)，晶片上還有部分雜質(zhì)未能徹底除去，會(huì)影響后續(xù)外延鍺硅的質(zhì)量。因此本發(fā)明的方法利用現(xiàn)有設(shè)備中的氯化氫氣路，在氫氣反應(yīng)時(shí)間過后緊接著在晶片表面噴氯化氫氣體，并且噴氯化氫氣體時(shí)晶片溫度保持在50(T850 °C。氯化氫氣體能與所述步驟S2中氫氣與氧化硅反應(yīng)后的產(chǎn)物水汽結(jié)合，生成鹽酸，鹽酸與金屬發(fā)生反應(yīng)生成氯化物，從而將晶片表面的金屬顆粒溶解而去除，鹽酸還能夠溶解晶片表面的部分其它雜質(zhì)。具體的，噴氯化氫氣體時(shí)，氯化氫流量范圍是3(T200 sccm，噴氯化氫氣體的持續(xù)時(shí)間為10-100 S。本實(shí)施例中，噴氯化氫氣體時(shí)，氯化氫流量范圍是5(T80 sccm，并優(yōu)選為58 sccm。本發(fā)明的氯化氫處理去除雜質(zhì)的方法不同于一般的在化學(xué)槽內(nèi)清洗的方法，本發(fā)明的氯化氫處理過程位于反應(yīng)腔內(nèi)，在氯化氫處理之后晶片無需取出，避免了二次污染。并且本發(fā)明的氯化氫處理過程簡(jiǎn)單，利用現(xiàn)有設(shè)備中的氯化氫氣路，氯化氫處理時(shí)間短，工藝簡(jiǎn)單。
[0037]步驟S4:將反應(yīng)腔抽真空以去除多余的氫氣、氯化氫以及前兩步中反應(yīng)后的雜質(zhì)；
[0038]由于外延鍺硅時(shí)反應(yīng)腔內(nèi)所需壓強(qiáng)較小，在常規(guī)的氫氣烘烤過程之后會(huì)有一個(gè)抽真空的步驟。本發(fā)明的預(yù)處理方法在氯化氫氣體處理后并沒有額外增加步驟，而是利用原有工藝體系中的抽真空步驟，將反應(yīng)腔內(nèi)多余的氫氣、氯化氫以及前兩步中反應(yīng)后的雜質(zhì)去除。具體的，抽真空后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)為0-30 torr。
[0039]步驟S5:將晶片溫度調(diào)整到鍺硅外延生長(zhǎng)溫度并往所述反應(yīng)腔內(nèi)通入氫氣載氣和氯化氫選擇氣體。
[0040]在以上步驟S1、S2、S3及S4之后，晶片的潔凈度已達(dá)到要求，此時(shí)將晶片溫度調(diào)整到鍺硅外延生長(zhǎng)溫度，通常鍺硅外延生長(zhǎng)溫度范圍為60(T700 °C，本實(shí)施例中，鍺硅外延生長(zhǎng)溫度設(shè)為620 °C。然后往反應(yīng)腔內(nèi)通入氫氣載氣和氯化氫選擇氣體。
[0041]至此，即可引入硅源、鍺源及摻雜源，開始鍺硅的外延生長(zhǎng)。完成外延生長(zhǎng)后，往反應(yīng)腔內(nèi)吹入氫氣以去除硅原料和摻雜劑，并冷卻到室溫，最后取出硅片。為了觀察鍺硅生長(zhǎng)過程中是否有位錯(cuò)，產(chǎn)品需要切片，并通過透射電子顯微鏡觀察切面形貌，如鍺硅層顏色單一且原子排列有序，則質(zhì)量 比較好；如有黑斑等異?，F(xiàn)象，則可能發(fā)生位錯(cuò)，工藝需要進(jìn)行調(diào)整。
[0042]請(qǐng)參閱圖3，顯示為經(jīng)過本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法后刻蝕槽內(nèi)外延鍺硅的透射電鏡圖。如圖所示，鉆石型刻蝕槽內(nèi)自下而上分別為低鍺鍺硅2、高鍺鍺硅3及硅4。所述低鍺鍺硅2是為了后續(xù)的高鍺鍺硅3有一個(gè)適應(yīng)過程。從圖3中可以看到，無論是低鍺鍺硅2還是高鍺鍺硅3均顏色單一，沒有黑斑等異?，F(xiàn)象，即沒有位錯(cuò)的發(fā)生。本實(shí)施例中，通過后續(xù)的退火，鍺硅層上的應(yīng)力可轉(zhuǎn)移到其上的硅層上，形成應(yīng)變硅。而如背景部分所述，無氯化氫處理步驟的常規(guī)預(yù)處理方法在外延生長(zhǎng)低鍺鍺硅2時(shí)就出現(xiàn)了位錯(cuò)。由此可見，本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法能夠獲得更高的晶片清潔度，使晶片上能選擇性外延生長(zhǎng)高質(zhì)量的鍺硅。
[0043]綜上所述，本發(fā)明的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法包括在反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行氯化氫處理的步驟，能夠在氫氣處理去除氧化層之后進(jìn)一步溶解金屬等雜質(zhì)，溶解的雜質(zhì)在隨后的抽真空過程中隨氫氣、氯化氫氣體一同排到反應(yīng)腔外，進(jìn)一步提高晶片的潔凈度。本發(fā)明的氯化氫處理去除雜質(zhì)的步驟不同于一般的在化學(xué)槽內(nèi)清洗的方法，而是位于反應(yīng)腔內(nèi)，在氯化氫處理之后晶片無需取出，避免了再次污染。本發(fā)明的晶片預(yù)處理方法利用現(xiàn)有設(shè)備中的氯化氫氣路，不用額外增設(shè)氣路，本發(fā)明的晶片預(yù)處理方法中的抽真空步驟也不是額外增加的，氯化氫處理時(shí)間短，工藝簡(jiǎn)單，能大大提高晶片的潔凈度，保證后續(xù)鍺硅外延層的質(zhì)量，使做在外延層上的器件具有較好的特性。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。[0044]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，其特征在于，所述晶片預(yù)處理方法至少包括以下步驟: 1)晶片預(yù)清洗； 2)將預(yù)清洗后的晶片裝入反應(yīng)腔，通入氫氣并將晶片加熱到預(yù)設(shè)溫度，使氫氣與晶片表面的自然氧化層發(fā)生反應(yīng)以去除所述自然氧化層； 3)緊接著將氯化氫氣體噴到晶片表面，使氯化氫與晶片表面的金屬雜質(zhì)反應(yīng)以溶解所述金屬雜質(zhì)； 4)將反應(yīng)腔抽真空以去除多余的氫氣、氯化氫以及所述步驟2)、3)中反應(yīng)后的雜質(zhì)； 5)將晶片溫度調(diào)整到鍺硅外延生長(zhǎng)溫度并往所述反應(yīng)腔內(nèi)通入氫氣載氣和氯化氫選擇氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，其特征在于:所述步驟I)中，所述預(yù)清洗包括氫氟酸清洗的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，其特征在于:所述步驟2)中，所述預(yù)設(shè)溫度的范圍是65(T850 °C，通入氫氣后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)范圍是5~780 torr，氫氣反應(yīng)時(shí)間為10~100 S。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，其特征在于:所述步驟2)中通入氫氣后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)范圍是55(T650 torr。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，其特征在于:所述步驟3)中，噴氯化氫氣體時(shí)，氯化氫流量范圍是3(T200 sccm，噴氯化氫氣體的時(shí)間為10-100 s，噴氯化氫氣體時(shí)晶片溫度保持在500~850 °C。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，其特征在于:噴氯化氫氣體時(shí)，氯化氫流量范圍是5(T80 sccm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的選擇性外延生長(zhǎng)鍺硅的晶片預(yù)處理方法，其特征在于:所述步驟4)中，抽真空后反應(yīng)腔內(nèi)的氣體壓強(qiáng)為0-30 torr。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103928294SQ201310014766
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年1月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月15日
【發(fā)明者】林靜 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司