專利名稱：電熔絲的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)涉及被斷開(kāi)電連接的電熔絲。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體設(shè)備包括具有電熔絲的熔絲電流以設(shè)置冗余電路或調(diào)節(jié)電阻值(參見(jiàn)日本特開(kāi)平專利公布N0.2007-073576)。電熔絲由于過(guò)大電流的施加而熔融且斷裂。熔絲電路生成與電熔絲的狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的信號(hào)(具有低電阻值的未斷裂狀態(tài)或?qū)щ姞顟B(tài)或者具有高電阻值的斷裂狀態(tài)或非導(dǎo)電狀態(tài))。在電熔絲中，難以充分確保被熔融部分兩端之間的絕緣距離，即被熔融且彼此隔離的熔絲導(dǎo)體之間的距離。如果被熔融部分的絕緣距離不夠，則有可能發(fā)生所謂的重新熔合(glow-back)，由于重新熔合，電熔絲的兩個(gè)端子之間的電阻值會(huì)由于例如電遷移而隨時(shí)間逐漸降低。這可能會(huì)將電熔絲的被熔融部分變成導(dǎo)電狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一個(gè)方面，一種電熔絲包括被形成在絕緣材料的上表面上的導(dǎo)電材料。所述導(dǎo)電材料包括接線部分以及第一和第二端子部分，所述第一和第二端子部分被布置在接線部分的兩端，以使得接線部分位于 第一和第二端子部分之間。第一端子部分、接線部分和第二端子部分沿第一方向被排列。在與所述第一方向垂直的第二方向上，第一和第二端子部分分別具有比接線部分的寬度更大的寬度。該電熔絲包括薄膜，該薄膜包括暴露第一端子部分與第二端子部分之間的區(qū)域的開(kāi)口。所述薄膜被形成在所述接線部分的至少一部分上并且具有張應(yīng)力。根據(jù)本公開(kāi)的以上方面，可以抑制重新熔合的發(fā)生。


通過(guò)參考以下對(duì)當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的描述結(jié)合附圖，可以最佳地理解實(shí)施例及其目的和優(yōu)勢(shì)，在附圖中:圖1A是示意性地示出了電熔絲的平面視圖；圖1B是沿圖1A的線A-A的示意性剖視圖；圖1C是沿圖1A的線B-B的示意性剖視圖；圖1D是示意性地示出了諸如圖1A的電熔絲的覆蓋膜和保護(hù)膜之類的元件的平面視圖；圖2是示意性地示出了熔絲電路的一個(gè)示例的電路圖；圖3A是示意性地示出了圖1A的電熔絲的操作的剖視圖；圖3B是示意性地示出了對(duì)比示例的電熔絲的操作的剖視圖；圖4A是示出了圖1A的電熔絲的特性的圖；圖4B是示出了對(duì)比示例的電熔絲的特性的圖；以及
圖5A和5B是示意性地示出了其它電熔絲的平面視圖。詳細(xì)描沭以下將參考附圖描述一個(gè)實(shí)施例。附圖被提供以描述結(jié)構(gòu)而并不反映真實(shí)大小。如圖1A中所示,半導(dǎo)體器件10包括電熔絲11?？偟貋?lái)說(shuō)，電熔絲11包括導(dǎo)電材料22和形成在導(dǎo)電材料22上的覆蓋膜25。導(dǎo)電材料22例如是多晶硅薄膜。覆蓋膜例如是氮化硅薄膜。作為氮化硅薄膜，例如SiN或Si3N4可以被使用。圖1B示出了沿圖1A的線A-A的示意性剖視圖。圖1C示出了沿圖1A的線B-B的示意性剖視圖。如圖1B和IC所示,半導(dǎo)體器件10包括絕緣材料21。絕緣材料21例如可以是形成在接線層之間的層間絕緣膜，該絕緣膜通過(guò)硅局部氧化(LOCOS)或淺槽隔離(STI)被形成。導(dǎo)電材料22被形成在絕緣材料21的上表面上。如圖1A中所不,導(dǎo)電材料22包括接線部分22a、第一端子部分22b和第二端子部分22c。接線部分22a沿給定方向延伸(圖1A中的左右方向)并且被形成為從上面看時(shí)呈矩形。第一端子部分22b被耦接到接線部分22a的一端并且第二端子部分22c被耦接到接線部分22a的另一端。即，第一和第二端子部分22b和22c被布置在接線部分22a的兩端以使得接線部分22a位于第一和第二端子部分22b和22c之間。下面，為了便于理解，第一端子部分22b、接線部分22a和第二端子部分22c被排列的方向(圖1A中的左右方向)被稱為第一 方向。另外，與第一方向垂直的方向(圖1A中的上下方向)被稱為第二方向。第一和第二端子部分22b和22c分別被形成為從上面看時(shí)呈現(xiàn)矩形。在第二方向上，第一和第二端子部分22b和22c分別具有比接線部分22a的寬度更大的寬度。在包括接線部分22a和端子部分22b和22c的電熔絲11中，當(dāng)用于斷開(kāi)連接的電壓被施加給導(dǎo)電材料22時(shí)，熱被集中產(chǎn)生在接線部分22a處。多個(gè)接線被耦接到端子部分22b和22c中的每一個(gè)上。這些接線可以例如用鎢(W)制成。耦接到端子部分22b和22c的接線被耦接到形成在層間絕緣膜27上的接線。如圖1B和IC中所示，絕緣膜23以覆蓋導(dǎo)電材料22的上表面和側(cè)表面的方式被形成。絕緣膜23可以是例如氧化硅薄膜(SiO2)。絕緣膜24被形成在絕緣膜23上。絕緣膜24覆蓋絕緣材料21的上表面。絕緣膜24可以是例如氧化硅薄膜(SiO2)。覆蓋膜25被形成在絕緣膜24上。覆蓋膜25被布置在接線部分22a上面。在本實(shí)施例中，覆蓋膜25覆蓋接線部分22a的一部分。例如，如圖1A中所示，覆蓋膜25覆蓋接線部分22a的中間部分。覆蓋膜25可以是例如氮化硅薄膜。作為氮化硅薄膜，例如SiN或Si3N4可以被使用。氮化硅薄膜與氧化硅薄膜相比具有更高張應(yīng)力的特點(diǎn)。出現(xiàn)在覆蓋膜25上的張應(yīng)力沿朝著絕緣材料21的方向被施加給接線部分22a。即，出現(xiàn)在覆蓋膜25上的張應(yīng)力用作朝絕緣材料21的方向按壓接線部分22a的力(按壓力)。如圖1B中所示，保護(hù)膜26被形成在端子部分22b和22c上。保護(hù)膜26可以是例如氮化硅薄膜。作為氮化硅薄膜，例如SiN或Si3N4可以被使用。例如，覆蓋膜25和保護(hù)膜26可以是由相同材料制成的氮化硅薄膜。換言之，覆蓋膜可以被看作保護(hù)膜26的一部分。如圖1D中所示，保護(hù)膜26包括暴露第一端子部分22b與第二端子部分22c之間的區(qū)域的開(kāi)口 26a。圖1D中所示的開(kāi)口 26a的形狀和大小只是一個(gè)示例，并且可以是任何其它形狀和大小。在本實(shí)施例中，開(kāi)口 26a具有與包括接線部分22a的矩形區(qū)域相對(duì)應(yīng)的大小。例如，開(kāi)口 26a被形成為暴露接線部分22a以及與接線部分22a的兩邊相鄰的側(cè)邊區(qū)域(在第一方向上沿接線部分22a延伸的端子部分22b和22c之間的區(qū)域)。在本實(shí)施例中，覆蓋膜26被形成在開(kāi)口 26a內(nèi)。在圖1D中，為了便于理解覆蓋膜25和保護(hù)膜26相對(duì)于導(dǎo)電材料22的位置關(guān)系，導(dǎo)電材料22用虛線來(lái)表示。此外，為了便于理解覆蓋膜25和保護(hù)膜26相對(duì)于接線部分22a的位置關(guān)系，它們相應(yīng)的末端部分被彼此偏離。層間絕緣膜27被形成在保護(hù)膜26上。層間絕緣膜27覆蓋絕緣膜24、覆蓋膜25和保護(hù)膜26。層間絕緣膜27具有上表面，該上表面例如通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)而被弄平以形成上接線層(未示出)。按上述方式形成的電熔絲11被用在例如圖2中所示的熔絲電路30中。熔絲電路30包括電熔絲11、緩沖器電路31、預(yù)驅(qū)動(dòng)器32和斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33。電熔絲11具有被耦接到端子34的第一端子和被耦接到斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33的第二端子。在正常操作中(當(dāng)半導(dǎo)體器件10正常使用時(shí))，端子34被施加驅(qū)動(dòng)電壓。當(dāng)對(duì)電熔絲11進(jìn)行編程(斷開(kāi)連接)時(shí)，端子34被施加用于斷開(kāi)電熔絲11的連接的斷開(kāi)連接電壓。斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33例如是N溝道MOS晶體管。斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33包括第一端子(源極端子)、第二端子(漏極端子)和控制端子(柵極端子)。斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33的第一端子被耦接到具有地(GND)電勢(shì)的接線。斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33的第二端子被耦接到電熔絲11的第二端子。斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33的控制端子通過(guò)緩沖器電路31和預(yù)驅(qū)動(dòng)器32被施加與程序信號(hào)Sp相一致的信號(hào)。緩沖器電路31和預(yù)驅(qū)動(dòng)器32中的每一個(gè)可以是包括例如P溝道MOS晶體管和N溝道MOS晶體管的反相器電路。斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33被H電平的程序信號(hào)Sp啟動(dòng)并且被L電平的程序信號(hào)Sp關(guān)閉。 電熔絲11的第二端子被耦接到邏輯電路(例如圖2中的NAND門41)的第一輸入端子。NAND門41的第二輸入端子被施加信號(hào)SI。NAND門41生成與信號(hào)Sf和SI 一致的信號(hào)S2。當(dāng)電熔絲11未被斷開(kāi)連接時(shí)，即當(dāng)電熔絲11處于未斷裂狀態(tài)時(shí)，電熔絲11的第一和第二端子之間的電阻值與圖1中所示的接線部分22a的電阻值相對(duì)應(yīng)。在這種情況下，NAND門41被施加與驅(qū)動(dòng)電壓相對(duì)應(yīng)的具有H電平的信號(hào)Sf。因此，響應(yīng)于H電平信號(hào)Sf，NAND門41生成具有信號(hào)SI的邏輯反相電平的信號(hào)S2。當(dāng)電熔絲11被斷開(kāi)連接時(shí)，即當(dāng)電熔絲11處于斷裂狀態(tài)時(shí)，由于電熔絲11的熔斷，電熔絲11的第一和第二端子之間的電阻值變高。在這種情況下，NAND門41被施加具有地(GND)電平(即L電平)的信號(hào)Sf。因此，NAND門41響應(yīng)于L電平的信號(hào)Sf生成具有H電平的信號(hào)S2?，F(xiàn)在將描述電熔絲11的操作。在圖2中所示的電熔絲電路30中，端子34被施加斷開(kāi)連接電壓Vprog，并且緩沖器電路31被施加H電平的程序信號(hào)Sp。因而，斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33被H電平的程序信號(hào)Sp啟動(dòng)。然后，使電熔絲11斷開(kāi)連接或斷裂的電流從端子34流經(jīng)電熔絲11和斷開(kāi)連接驅(qū)動(dòng)器33。圖3A是示意性地示出了本實(shí)施例的電熔絲11的操作的剖視圖，并且圖3B是示意性地示出了對(duì)比示例的電熔絲的操作的剖視圖。為了便于理解，對(duì)比示例的電熔絲被提供與本實(shí)施例的電熔絲11的標(biāo)號(hào)相同的標(biāo)號(hào)。圖3A和圖3B中所示的接線部分22a被流經(jīng)接線部分22a的電流加熱并熔融。在這種情況下，由于沒(méi)有覆蓋膜被形成在圖3B中所示的對(duì)比示例的電熔絲中，所以被形成在絕緣材料21上的接線部分22a向上膨脹。相比之下，如圖3A中所示，在本實(shí)施例的電熔絲11中，被形成在接線部分22a上的覆蓋膜25抑制被熔融的接線部分22a膨脹。結(jié)果，被熔融的接線部分22a沿著沒(méi)有覆蓋膜25被形成的方向(圖3A中斜向上的方向)膨脹。此外，在圖1中，被熔融的接線部分22a不僅沿著沒(méi)有覆蓋膜25被形成的方向(即，圖3A中所示的斜向上的方向)膨脹，還沿絕緣材料21的上表面膨脹。結(jié)果，接線部分22a被斷開(kāi)連接或者斷裂。就是說(shuō)，與其中覆蓋膜25未被形成的圖3B中的電熔絲相比，在其中覆蓋膜25被形成的圖3A中的電熔絲11中，被熔融的接線部分22a沿遠(yuǎn)離被斷開(kāi)連接的部分的方向向很寬的區(qū)域移動(dòng)。因此，當(dāng)接線部分22a結(jié)晶時(shí)，與其中沒(méi)有覆蓋膜25被形成的情況相比，被斷開(kāi)連接的部分的兩端之間的距離以及碎裂的導(dǎo)體之間的距離變得更大。因此，在被斷開(kāi)連接的部分的兩端之間和碎裂的導(dǎo)體之間幾乎不會(huì)發(fā)生重新熔合。圖4A示出了圖3A中所示的電熔絲11的特性與時(shí)間相關(guān)的變化，并且圖4B示出了圖3B中所示的電熔絲的特性與時(shí)間相關(guān)的變化。在圖4A和4B中，橫軸表示時(shí)間的推移，豎軸表示電壓(例如圖2中所示的熔絲電路30的輸出信號(hào)Sf的電壓)。如圖4A中所示，在圖3A中所示的本實(shí)施例的電熔絲11中，幾乎觀察不到取決于電熔絲11的電阻值的任何時(shí)間相關(guān)的電壓變化。相比之下，如圖4B中所示，在圖3B中所示的對(duì)比示例的電熔絲中，取決于電熔絲的電阻值的時(shí)間相關(guān)的電壓變化被觀察到。在本實(shí)施例的電熔絲11和對(duì)比示例的電熔絲這兩種情況下，利用了相同的斷開(kāi)連接的條件(例如用于斷開(kāi)連接的電壓和時(shí)間)。在一些情況下，即使是在電熔絲被提供了施加電壓時(shí)，圖3B中所示的對(duì)比示例的電熔絲也沒(méi)有被斷開(kāi)連接或者遭遇了斷開(kāi)連接的失敗。這可能是因?yàn)橥ㄟ^(guò)施加電壓而熔融的接線部分22a在絕緣材料21上向上膨脹(如上所述)，因此，被熔融的接線部分22a由于結(jié)晶而又被連接起來(lái)。相比之下，本實(shí)施例的電熔絲11幾乎不會(huì)遭遇斷開(kāi)連接的失敗。這是因?yàn)樵诒緦?shí)施例的電熔絲11中，與對(duì)比示例相比，被熔融的接線部分22a向遠(yuǎn)離被斷開(kāi)連接的部分的很寬的區(qū)域膨脹。因此，即使當(dāng)接線部分22a結(jié)晶時(shí)，接線部分22a也碎裂了，因而被熔融的接線部分22a幾乎不會(huì)再被連接起來(lái)。本實(shí)施例的電熔絲11具有以下優(yōu)點(diǎn)。導(dǎo)電材料22被形成在半導(dǎo)體器件10的絕緣材料21的上表面上。導(dǎo)電材料22包括沿給定方向(第一方向)延伸的接線部分22a，以及端子部分22b和22c，該端子部分22b和22c被布置在布線部分22a的兩端并且在與第一方向垂直的第二方向上具有比布線部分22a的寬度更大的寬度。部分覆蓋接線部分22a的覆蓋膜25被形成在接線部分22a上。覆蓋膜25具有高張應(yīng)力。 形成在接線部分22a上的覆蓋膜25抑制被熔融的接線部分22a的膨脹。因此，被熔融的接線部分22a沿著沒(méi)有覆蓋膜25被形成的方向膨脹。結(jié)果，接線部分22a被斷開(kāi)連接或者斷裂。在這種情況下，與其中沒(méi)有覆蓋膜25被形成的情況相比，被熔融的接線部分22a向遠(yuǎn)離被斷開(kāi)連接的部分的很寬的區(qū)域移動(dòng)。因此，當(dāng)接線部分22a結(jié)晶時(shí)，與其中沒(méi)有覆蓋膜25被形成的情況相比，被斷開(kāi)連接的部分的兩端之間的距離以及碎裂的導(dǎo)體之間的距離變得更大。因此，覆蓋膜25可以抑制在被斷開(kāi)連接的部分的兩端之間和碎裂的導(dǎo)體之間發(fā)生重新熔合。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白前述實(shí)施例可以用很多其它形式來(lái)實(shí)現(xiàn)而不脫離本發(fā)明的范圍。具體而言，應(yīng)當(dāng)理解前述實(shí)施例可以用下面的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。覆蓋膜的形狀可以被適當(dāng)?shù)馗淖儭＠?，如圖5A中所示，電熔絲51包括導(dǎo)電材料22和覆蓋膜52。覆蓋膜52覆蓋在導(dǎo)電材料22的接線部分22a的整個(gè)上表面上。就是說(shuō)，覆蓋膜52具有與接線部分22a基本相同的形狀(大小)。覆蓋膜52可以用與保護(hù)膜26相同的材料(例如氮化硅薄膜)制成。換言之，覆蓋膜52也可以被稱為保護(hù)膜26的一部分。覆蓋膜52具有沿第一方向被耦接到保護(hù)膜26的兩個(gè)末端部分，所述保護(hù)膜26覆蓋導(dǎo)電材料22的端子部分22b和22c。覆蓋膜52被耦接到保護(hù)膜26意味著覆蓋膜52和保護(hù)膜26位于同一層中并且用一個(gè)圖案形成?；蛘?，覆蓋膜52的圖案和保護(hù)膜26的圖案可以是物理上被放成彼此接觸的，以使得覆蓋膜52和保護(hù)膜26彼此耦接。覆蓋膜52和保護(hù)膜26可以用例如覆蓋整個(gè)導(dǎo)電材料22的氮化硅薄膜來(lái)形成。氮化硅薄膜包括暴露與接線部分22a的兩邊相鄰的側(cè)邊區(qū)域的開(kāi)口 53a和53b。換言之，開(kāi)口 53a和53b暴露存在于第一和和第二端子部分22b和22c之間并且不屬于接線部分22a的區(qū)域。開(kāi)口 53a和53b分別具有沿接線部分22a在第一方向上延伸的矩形。開(kāi)口 53a和53b可以通過(guò)例如腐蝕而被形成。由于覆蓋膜52的末端 部分都被耦接到保護(hù)膜26，覆蓋膜52按壓整個(gè)接線部分22a。因此，當(dāng)電熔絲51被斷開(kāi)連接或斷裂時(shí)，被熔融的接線部分22a沿與第一方向(接線部分22a沿第一方向延伸)垂直的第二方向移動(dòng)，即朝著開(kāi)口 53a和53b移動(dòng)。結(jié)果，接線部分22a被妥當(dāng)?shù)財(cái)嚅_(kāi)連接。此外，由于覆蓋膜52被耦接到保護(hù)膜26，所以覆蓋膜52的按壓力大于兩個(gè)末端部分未被耦接到保護(hù)膜的覆蓋膜的按壓力。因此，被熔融的接線部分22a被迫移動(dòng)以使得接線部分22a可以被安全地?cái)嚅_(kāi)連接。此外，如圖5B中所示，電熔絲61包括導(dǎo)電材料22和覆蓋膜62。覆蓋膜62覆蓋導(dǎo)電材料22的接線部分22a的一部分并且沿與接線部分22a延伸的第一方向垂直的第二方向延伸。覆蓋膜62可以由與保護(hù)膜26相同的材料(例如氮化硅薄膜)形成。換言之，覆蓋膜62也可以被稱為保護(hù)膜26的一部分。覆蓋膜62具有沿第二方向被耦接到保護(hù)膜26的兩個(gè)末端部分，所述保護(hù)膜26覆蓋導(dǎo)電材料22的端子部分22b和22c。覆蓋膜62和保護(hù)膜26可以用例如覆蓋整個(gè)導(dǎo)電材料22的氮化硅薄膜來(lái)形成。氮化硅薄膜包括暴露與接線部分22a的兩個(gè)末端部分的開(kāi)口 63a和63b，所述兩個(gè)末端部分分別被耦接到端子部分22b和22c。開(kāi)口 63a和63b沿與接線部分22a延伸的第一方向垂直的第二方向延伸。開(kāi)口 63a和63b分別被形成為在第二方向上具有比接線部分22a的寬度更大的寬度(長(zhǎng)度)。開(kāi)口 63a和63b例如是矩形。開(kāi)口 63a和63b可以通過(guò)例如腐蝕而被形成。由于覆蓋膜62的兩個(gè)末端部分都被耦接到保護(hù)膜26，覆蓋膜62的按壓力大于兩個(gè)末端部分未被耦接到保護(hù)膜的覆蓋膜的按壓力。因此，被熔融的接線部分22a被迫移動(dòng)以使得接線部分22a可以被安全地?cái)嚅_(kāi)連接。此外，覆蓋膜62部分地覆蓋接線部分22a并且沿與接線部分22a延伸的方向垂直的方向延伸。因此，當(dāng)電熔絲51被斷開(kāi)連接時(shí)，被熔融的接線部分22a朝接線部分22a的末端部分(即，朝開(kāi)口 63a和63b)移動(dòng)。結(jié)果，與覆蓋膜62未被形成的情況相比，被斷開(kāi)連接的部分的兩端之間的距離變得更大。因此，接線部分22a被妥當(dāng)?shù)財(cái)嚅_(kāi)連接。在圖5A和5B中，與圖1D類似，導(dǎo)電材料22用虛線示出以便于理解覆蓋膜52和62以及保護(hù)膜26相對(duì)于導(dǎo)電材料22的位置關(guān)系。此外，為了便于理解覆蓋膜52和62以及保護(hù)膜26相對(duì)于接線部分22a的位置關(guān)系，它們相應(yīng)的末端部分被彼此偏離。在圖5A中所示的結(jié)構(gòu)中，覆蓋膜52可以按開(kāi)口 53a和53b為不同大小的方式被形成。類似地，在圖5B中所示的結(jié)構(gòu)中，覆蓋膜62可以按開(kāi)口 63a和63b為不同大小的方式被形成。在圖5A中所示的結(jié)構(gòu)中，覆蓋膜52的兩個(gè)末端部分沿第一方向被耦接到保護(hù)膜26 ;但是，沿第二方向的覆蓋膜52的兩個(gè)末端部分中的任一個(gè)可以被耦接到保護(hù)膜26。類似地，在圖5B中所示的結(jié)構(gòu)中，覆蓋膜62的兩個(gè)末端部分沿第二方向被耦接到保護(hù)膜26 ；但是，沿第一方向的覆蓋膜62的兩個(gè)末端部分中的任一個(gè)可以被耦接到保護(hù)膜26。在圖1D中所示的結(jié) 構(gòu)中，覆蓋膜25的四個(gè)末端部分(側(cè)面端)中的一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)可以被耦接到保護(hù)膜26。S卩，覆蓋膜25可以具有其中一些被耦接到保護(hù)膜26的末端部分。在上述實(shí)施例和修改后的示例中，導(dǎo)電材料22的材料可以被適當(dāng)?shù)馗淖儭＠?，?dǎo)電材料22可以用金屬薄膜電阻器來(lái)形成。金屬薄膜電阻器的材料可以是例如鋁(Al)、鑰(Mo)或鎳鉻合金(NiCr)。
權(quán)利要求
1.一種電熔絲，包括: 被形成在絕緣材料的上表面上的導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料包括: 接線部分，以及 第一和第二端子部分，該第一和第二端子部分被布置在所述接線部分的兩端，以使得所述接線部分位于所述第一和第二端子部分之間，并且其中所述第一端子部分、所述接線部分和所述第二端子部分沿第一方向被排列，并且在與所述第一方向垂直的第二方向上，所述第一和第二端子部分分別具有比所述接線部分的寬度更大的寬度；以及 薄膜，該薄膜包括暴露所述第一端子部分和所述第二端子部分之間的區(qū)域的開(kāi)口，其中所述薄膜被形成在所述接線部分的至少一部分上并且具有張應(yīng)力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲，其中所述開(kāi)口暴露所述接線部分的一部分并且在所述第二方向上具有比所述接線部分的寬度更大的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電熔絲，其中所述開(kāi)口暴露存在于所述第一端子部分與所述第二端子部分之間并且不屬于所述接線部分的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的電熔絲，其中所述薄膜是氮化硅薄膜。
5.一種電熔絲，包括: 被形成在絕緣材料的上表面上的導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料包括: 接線部分，以及 第一和第二端子部分，該第一和第二端子部分被形成在所述接線部分的兩端，以使得在第一方向上所述接線部分位于所述第一和第二端子部分之間，其中在與所述第一方向垂直的第二方向上，所述第一和第二端子部分分別具有比所述接線部分的寬度更大的寬度；以及 覆蓋膜，該覆蓋膜被形成在所述接線部分的至少一部分上并且具有張應(yīng)力。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電熔絲，還包括被形成在所述第一和第二端子部分上的保護(hù)膜，其中所述覆蓋膜被耦接到所述保護(hù)膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電熔絲，其中 所述保護(hù)膜包括與包括所述接線部分的矩形區(qū)域相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，并且 所述覆蓋膜被形成在所述開(kāi)口內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電熔絲，其中所述覆蓋膜包括被耦接到所述保護(hù)膜的一部分的末端部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電熔絲，其中所述覆蓋膜被形成為具有與所述接線部分相同的形狀以覆蓋所述接線部分的整個(gè)上表面，并且包括在所述第一方向上被耦接到所述保護(hù)膜的兩個(gè)末端部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電熔絲，其中所述覆蓋膜被形成為覆蓋所述接線部分的一部分，并且包括在所述第二方向上被耦接到所述保護(hù)膜的兩個(gè)末端部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求5至10中的任一項(xiàng)所述的電熔絲，其中所述覆蓋膜是氮化硅薄膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求6至10中的任一項(xiàng)所述的電熔絲，其中所述保護(hù)膜是氮化硅薄膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求6至10中的任一項(xiàng)所述的電熔絲，其中所述覆蓋膜和所述保護(hù)膜是一個(gè)整體形成的圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了電熔絲。一種電熔絲包括被形成在絕緣材料的上表面上的導(dǎo)電材料。該導(dǎo)電材料包括接線部分以及第一和第二端子部分，第一和第二端子部分被布置在接線部分的兩端以使得接線部分位于第一和第二端子部分之間。第一端子部分、接線部分和第二端子部分沿第一方向被排列。在與第一方向垂直的第二方向上，第一和第二端子部分分別具有比接線部分的寬度更大的寬度。該電熔絲包括薄膜，該薄膜包括暴露第一端子部分與第二端子部分之間的區(qū)域的開(kāi)口。該薄膜被形成在接線部分的至少一部分上并且具有張應(yīng)力。
文檔編號(hào)H01L23/525GK103219320SQ20131001549
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者有村一義, 尾野彰彥, 石田昌司 申請(qǐng)人:富士通半導(dǎo)體股份有限公司