專利名稱：顯示裝置、陣列基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，平板顯示器已取代笨重的CRT顯示器日益深入人們的日常生活中。目前，常用的平板顯示器包括LCD (LiquidCrystal Display,液晶顯示器)和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)顯示器。在成像過程中，LCD顯示器中每一液晶像素點都由集成在TFT陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)來驅(qū)動，再配合外圍驅(qū)動電路，實現(xiàn)圖像顯示。在ADS模式下，在陣列基板上形成有兩層透明電極(可以由氧化銦錫ITO來制作)，通常將其中一層ITO電極應(yīng)用為公共電極，而將另外一層ITO電極應(yīng)用為像素電極。傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，通常將公共電極與柵電極進(jìn)行水平配置；當(dāng)公共電極電阻較高時，其所產(chǎn)生的代表性不良為綠色缺陷(Greenish)。該綠色缺陷為接在公共電極上的電阻較大時引發(fā)的電壓差而產(chǎn)生的不良。測量面板上的綠色缺陷時發(fā)現(xiàn)，在柵線延伸方向(后續(xù)簡稱橫向)上的缺陷值相似，幅度差異較??；而在數(shù)據(jù)線延伸方向(后續(xù)簡稱縱向)的缺陷值，隨著距離公共電極的起始部分越遠(yuǎn)，則缺陷值越大。從面板的整體上看，橫向的公共電極改善效果較好，但縱向的公共電極改善效果較差。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中采用增設(shè)一層與ITO公共電極電性連接的金屬層來實現(xiàn)降低縱向上公共電極的電阻值，但這樣需要額外增加一次掩膜版構(gòu)圖工藝，加大生產(chǎn)成本，降低生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，以克服現(xiàn)有的陣列基板因公共電壓均一性差而導(dǎo)致出現(xiàn)的綠色缺陷。(二)技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，包括:基板，設(shè)置于所述基板上的多條柵線以及與所述柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線；所述陣列基板還包括:多條橫向公共電極線和多個縱向公共電極線；所述向公共電極線位于所述數(shù)據(jù)線的下方，而且所述橫向公共電極線和所述縱向公共電極線電連接。進(jìn)一步地，所述橫向公共電極線和所述縱向公共電極線均與所述柵線同層設(shè)置；所述縱向公共電極線分段位于相鄰柵線之間。進(jìn)一步地，還包括覆蓋在橫向公共電極線和縱向公共電極線上的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上設(shè)有有源層、源漏電極層和樹脂層，所述樹脂層上設(shè)有第一過孔和第二過孔；
在所述樹脂層上方形成有公共電極層，所述公共電極層通過所述第一過孔和第二過孔連接所述橫向公共電極線和縱向公共電極線。進(jìn)一步地，所述公共電極層具有板狀結(jié)構(gòu)或狹縫狀結(jié)構(gòu)的公共電極。進(jìn)一步地，還包括位于所述公共電極層上的鈍化層，以及位于鈍化層上的像素電極層；所述像素電極層具有狹縫狀結(jié)構(gòu)，且所述像素電極層與所述陣列基板上的薄膜晶體管的漏電極通過過孔電連接。再一方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。另一方面，本發(fā)明還提供一種制作陣列基板的方法，包括:步驟1、在基板上沉積柵金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝同時形成包括柵電極、橫向公共電極線和縱向公共電極線的圖案；步驟2、在完成步驟I的基板上形成包括柵極絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成柵極絕緣層的圖案并形成過孔；步驟3、在完成步驟2的基板上沉積半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖案；步驟4、在完成步驟3的基板上形成源漏金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極及數(shù)據(jù)線的圖案；所述縱向公共電極線分段位于數(shù)據(jù)線的下方；步驟5、在完成步驟4的基板上形成樹脂膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括樹脂層的圖案，并形成與所述柵極絕緣層上形成的過孔正對的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔對應(yīng)于橫向公共電極線，所述第二過孔對應(yīng)于縱向公共電極線的位置；步驟6、在完成步驟5的基板上形成公共電極層，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極層的圖案，所述公共電極層通過第一過孔與橫向公共電極線連接，所述公共電極層通過第二過孔與縱向公共電極線連接；步驟7、在完成步驟6的基板上形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層形成過孔；步驟8、在完成步驟7的基板上形成像素電極層，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖案，所述像素電極層通過過孔與漏電極相連。進(jìn)一步地，在上述步驟8中形成的像素電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)，所述狹縫狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)所述陣列基板的透光區(qū)域。(三)有益效果本發(fā)明技術(shù)方案具有如下優(yōu)點:本發(fā)明提供的顯示裝置、陣列基板及其制作方法，通過在數(shù)據(jù)線下方設(shè)置縱向公共電極線，使得數(shù)據(jù)線的方向上縱向公共電極線大面積連接，降低縱向的公共電極電阻值，從而優(yōu)化像素結(jié)構(gòu)，最大程度地提高產(chǎn)品的畫面性能。同時，與現(xiàn)有技術(shù)相比，無需增加新的掩膜版構(gòu)圖工藝，提高生產(chǎn)效率，且降低生產(chǎn)成本。


圖1為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中A-A剖視圖；圖3為圖1中B-B剖視圖；圖4為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)第一示意圖；圖5為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)第二示意圖6為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)第三示意圖；圖7為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)第四示意圖；圖8為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)第五示意圖；圖9為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)第六示意圖；圖10為本發(fā)明實施例陣列基板結(jié)構(gòu)第七示意圖；圖11為本發(fā)明實施例陣列基板制作方法的工藝流程圖。圖中:1:柵線；2:橫向公共電極線；3:柵極絕緣層；4:有源層；5:源電極；6:漏電極；7:樹脂層；8:公共電極層；9:鈍化層；10:像素電極層；11:縱向公共電極線；12:數(shù)據(jù)線。
具體實施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。如圖1至圖3所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，包括:基板，設(shè)置于基板上的多條柵線I以及與柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線12，還包括多條橫向公共電極線2以及多個縱向公共電極線11，所述縱向公共電極線11位于數(shù)據(jù)線12的下方，所述橫向公共電極線2和縱向公共電極線11電連接。其中，該橫向公共電極線2和所述縱向公共電極線11均與所述柵線I同層設(shè)置；所述縱向公共電極線11分段位于相鄰柵線I之間。另外，該陣列基板還包括覆蓋在橫向公共電極線2和縱向公共電極線11上的柵極絕緣層3，所述柵極絕緣層3上設(shè)有有源層4、源電極5、漏電極6和樹脂層7，樹脂層7上設(shè)有第一過孔和第二過孔；在樹脂層7上方形成有公共電極層8，所述公共電極層8通過所述第一過孔和第二過孔連接所述橫向公共電極線2和縱向公共電極線11。其中，公共電極層8具有板狀結(jié)構(gòu)或狹縫狀結(jié)構(gòu)的公共電極。另外，該陣列基板還包括位于公共電極層上的鈍化層9，以及位于鈍化層9上的像素電極層10，像素電極層10具有狹縫狀結(jié)構(gòu)，且所述像素電極層10與所述陣列基板上的薄膜晶體管的漏電極6通過過孔電連接。本發(fā)明提供的陣列基板，通過在數(shù)據(jù)線下方設(shè)置縱向公共電極線，使得數(shù)據(jù)線方向上的縱向公共電極線大面積連接，降低縱向的公共電極電阻值，從而優(yōu)化像素結(jié)構(gòu)，最大程度地提高產(chǎn)品的畫面性能。如圖11所示，本發(fā)明實施例陣列基板的制作方法，具體包括如下步驟:步驟S1、在基板I上沉積柵金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝同時形成包括柵電極1、橫向公共電極線2和縱向公共電極線11的圖案，參考圖4。步驟S2、在完成步驟SI的基板上形成包括柵極絕緣層3，通過構(gòu)圖工藝形成柵極絕緣層3的圖案并形成過孔；參考圖5。步驟S3、在完成步驟S2的基板上沉積半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝形成有源層4的圖案；參考圖6。其中，半導(dǎo)體層可以采用非晶硅或金屬氧化物制作。
步驟S4、在完成步驟S3的基板上形成源漏金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括源電極5、漏電極6及數(shù)據(jù)線12的圖案；所述縱向公共電極線11分段位于數(shù)據(jù)線的下方；參見圖7。步驟S5、在完成步驟S4的基板上形成樹脂膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括樹脂層7的圖案，并形成與所述柵極絕緣層上形成的過孔正對的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔對應(yīng)于橫向公共電極線2，所述第二過孔對應(yīng)于縱向公共電極線11的位置；參見圖8。步驟S6、在完成步驟S5的基板上形成公共電極層，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極層8的圖案，所述公共電極層8通過第一過孔與橫向公共電極線2連接，所述公共電極層8通過第二過孔與縱向公共電極線11連接；參見圖9。步驟S7、在完成步驟S6的基板上形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層9形成過孔；參見圖10。步驟S8、在完成步驟S7的基板上形成像素電極層10，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極層10的圖案，所述像素電極層通過過孔與漏電極6相連。參見圖3。本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，通過在數(shù)據(jù)線下方設(shè)置縱向公共電極線，使得縱向上的公共電極大面積連接，降低縱向的公共電極電阻值，從而優(yōu)化像素結(jié)構(gòu)，最大程度地提高產(chǎn)品的畫面性能。與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了使用掩膜版構(gòu)圖工藝，提高生產(chǎn)效率，且降低生產(chǎn)成本。另外，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板，所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括:基板，設(shè)置于所述基板上的多條柵線以及與所述柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線；其特征在于，所述陣列基板還包括:多條橫向公共電極線和多個縱向公共電極線；所述縱向公共電極線位于所述數(shù)據(jù)線的下方，而且所述橫向公共電極線和所述縱向公共電極線電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述橫向公共電極線和所述縱向公共電極線均與所述柵線同層設(shè)置；所述縱向公共電極線分段位于相鄰柵線之間。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，還包括覆蓋在橫向公共電極線和縱向公共電極線上的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層上設(shè)有有源層、源漏電極層和樹脂層，所述樹脂層上設(shè)有第一過孔和第二過孔； 在所述樹脂層上方形成有公共電極層，所述公共電極層通過所述第一過孔和第二過孔連接所述橫向公共電極線和縱向公共電極線。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層具有板狀結(jié)構(gòu)或狹縫狀結(jié)構(gòu)的公共電極。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述公共電極層上的鈍化層，以及位于鈍化層上的像素電極層； 所述像素電極層具有狹縫狀結(jié)構(gòu)，且所述像素電極層與所述陣列基板上的薄膜晶體管的漏電極通過過孔電連接。
6.一種顯示裝置，包括權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.一種制作權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板的方法,其特征在于,包括: 步驟1、在基板上沉積柵金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝同時形成包括柵電極、橫向公共電極線和縱向公共電極線的圖案； 步驟2、在完成步驟I的基板上形成包括柵極絕緣層，通過構(gòu)圖工藝形成柵極絕緣層的圖案并形成過孔； 步驟3、在完成步驟2的基板上沉積半導(dǎo)體層，通過構(gòu)圖工藝形成有源層的圖案； 步驟4、在完成步驟3的基板上形成源漏金屬膜，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括源電極、漏電極及數(shù)據(jù)線的圖案；所述縱向公共電極線分段位于數(shù)據(jù)線的下方； 步驟5、在完成步驟4的基板上形成樹脂膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括樹脂層的圖案，并形成與所述柵極絕緣層上形成的過孔正對的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔對應(yīng)于橫向公共電極線，所述第二過孔對應(yīng)于縱向公共電極線的位置； 步驟6、在完成步驟5的基板上形成公共電極層，通過構(gòu)圖工藝形成公共電極層的圖案，所述公共電極層通過第一過孔與橫向公共電極線連接，所述公共電極層通過第二過孔與縱向公共電極線連接； 步驟7、在完成步驟6的基板上形成鈍化層，通過構(gòu)圖工藝在鈍化層形成過孔； 步驟8、在完成步驟7的基板上形成像素電極層，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖案，所述像素電極層通過過孔與漏電極相連。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟8中形成的像素電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)，所述狹縫狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)所述陣列基板的透光區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。該陣列基板包括基板，設(shè)置于所述基板上的多條柵線以及與所述柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線；所述陣列基板還包括多條橫向公共電極線和多個縱向公共電極線；所述縱向公共電極線位于所述數(shù)據(jù)線的下方，而且所述橫向公共電極線和所述縱向公共電極線電連接。本發(fā)明提供的顯示裝置、陣列基板及其制作方法，通過在數(shù)據(jù)線下方設(shè)置縱向公共電極線，使得縱向上的公共電極大面積連接，降低公共電極整體電阻值，從而優(yōu)化像素結(jié)構(gòu)，最大程度地提高產(chǎn)品的畫面性能。同時，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可減少了使用掩膜版構(gòu)圖工藝，提高生產(chǎn)效率，且降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L21/77GK103077944SQ20131002044
公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月18日
發(fā)明者崔賢植, 李會, 徐智強, 嚴(yán)允晟 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司