一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜的制作方法
【專利摘要】一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜，涉及光電【技術(shù)領(lǐng)域】。本發(fā)明透明導(dǎo)電薄膜置于發(fā)光二級管外延片的上表面。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述透明導(dǎo)電薄膜從下至上包括接觸層和主體層。接觸層的載流子濃度高于主體層的載流子濃度，接觸層的光吸收率高于主體層的光吸收率。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能在降低芯片正向電壓的同時有效提高芯片亮度。
【專利說明】—種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光電【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)，在半導(dǎo)體制作工藝中，尤其是LED芯片技術(shù)中，通常在芯片外延片上按照一定的工藝沉積或?yàn)R射一定厚度的透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜普遍采用NiAu或者ITO0由于透明導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性與透過率具有一定的矛盾，往往無法在獲得較好的正向電壓的同時再具有較好的芯片亮度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明的目的是提供一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜。它能在降低芯片正向電壓的同時有效提高芯片亮度。
[0004]為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案以如下方式實(shí)現(xiàn):
一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜，它置于發(fā)光二級管外延片的上表面。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述透明導(dǎo)電薄膜從下至上包括接觸層和主體層。接觸層的載流子濃度高于主體層的載流子濃度，接觸層的光吸收率高于主體層的光吸收率。
[0005]在上述透明導(dǎo)電薄膜中，所述透明導(dǎo)電薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。
[0006]在上述透明導(dǎo)電薄膜中，所述接觸層的厚度在0.1納米至100納米之間，主體層的厚度在10納米至10000納米之間。
[0007]本發(fā)明由于采用了上述結(jié)構(gòu)，其中的接觸層由于載流子濃度高更易于與外延層形成歐姆接觸；同時主體層厚度比接觸層厚，光的吸收率小于接觸層；能在降低芯片正向電壓的同時有效提聞芯片売度。
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]參看圖1，本發(fā)明透明導(dǎo)電薄膜置于發(fā)光二級管外延片I的上表面。透明導(dǎo)電薄膜從下至上包括接觸層2和主體層3。接觸層2的載流子濃度高于主體層3的載流子濃度，接觸層2的光的吸收率高于主體層3的光的吸收率。接觸層2的厚度在0.1納米至100納米之間，主體層3的厚度在10納米至10000納米之間。透明導(dǎo)電薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。
[0011]本發(fā)明中的外延片I可以是GaN外延片，也可以是其他發(fā)光材料的外延片。透明導(dǎo)電薄膜可以是采用蒸鍍、濺射或者其他方法獲得。[0012]另外，本發(fā)明透明導(dǎo)電薄膜除包含接觸層2、主體層3外，也可以含有其它層，如粗
化層等。
【權(quán)利要求】
1.一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜，它置于發(fā)光二級管外延片(I)的上表面，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜從下至上包括接觸層(2)和主體層(3)，接觸層(2)的載流子濃度高于主體層(3)的載流子濃度，接觸層(2)的光吸收系數(shù)高于主體層(3)的光吸收系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜采用ITO薄膜、NiAu薄膜或者ZnO薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述接觸層(2)的厚度在`0.1納米至100納米之間，主體層(3)的厚度在10納米至10000納米之間。
【文檔編號】H01L33/42GK103943749SQ201310023731
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月23日
【發(fā)明者】王立彬, 李寧寧 申請人:同方光電科技有限公司, 同方股份有限公司