本發(fā)明涉及有效地使熱從發(fā)熱的半導(dǎo)體器件、車載用裝置、電子設(shè)備中擴(kuò)散、釋放來消除因熱產(chǎn)生的問題，并維持、改善其功能從而獲得高可靠性。

背景技術(shù)：
關(guān)于半導(dǎo)體器件、車載部件等，為了避免由于其高輸出造成器件的一部分或全部變?yōu)楦邷囟a(chǎn)生的功能下降或者停止，迄今一直在研究將其熱量傳導(dǎo)、釋放到Cu制均熱片、Al制散熱片或者基片、殼體上。因此，使用金屬或碳化物等熱傳導(dǎo)率高的物質(zhì)作為熱傳導(dǎo)及散熱的材料。專利文獻(xiàn)1提出了一種用納米碳作為第一層并在其上層層積非晶硅材料來作為第二層的結(jié)構(gòu)。其記載了：在該結(jié)構(gòu)中，第一層納米碳的結(jié)晶性得到提高，膜內(nèi)的熱傳導(dǎo)率得到改善，能夠?qū)崿F(xiàn)比現(xiàn)有的傳熱組件更小型化。該方法中，熱傳導(dǎo)率在膜內(nèi)方向約為950~1600W/mk、在膜厚方向?yàn)?.5~3.0W/mk，高效地經(jīng)由第一納米碳層使來自發(fā)熱部位的熱傳導(dǎo)到膜內(nèi)來進(jìn)行熱擴(kuò)散，納米碳層和非晶硅層的厚度均薄至1~20nm，它們的厚度較薄，不足以將可能在局部大量產(chǎn)生的熱傳出。由于該結(jié)構(gòu)的制造方法為薄膜工藝(真空裝置)，因此需要長時(shí)間來增加膜厚，不適用于傳導(dǎo)大發(fā)熱量。此外，在器件、電子設(shè)備驅(qū)動(dòng)時(shí)的加熱、冷卻的熱循環(huán)中、伴隨著納米碳層和非晶硅層之間的熱膨脹系數(shù)的差所產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)使納米碳層的層間發(fā)生變形，其結(jié)果導(dǎo)致發(fā)生裂紋、剝離的危險(xiǎn)性較高。特別是，結(jié)晶性高的納米碳層間的密接強(qiáng)度比較弱，很有可能導(dǎo)致器件、電子設(shè)備的可靠性下降。專利文獻(xiàn)2記載了在石墨的至少一個(gè)或兩個(gè)表面上設(shè)置了金屬薄膜的金屬-石墨復(fù)合體，并提及了用于該金屬薄膜的金屬為鎳、鈷、鈦中的任何一種金屬或以該金屬為主要成分的合金，由此改善了在碳原子結(jié)合面方向上的良好熱傳導(dǎo)性和在與之垂直的方向上的導(dǎo)電性以及在本金屬膜上的焊接操作性?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本專利特開平10-330177號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本專利特開2008-270724號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
然而，并不認(rèn)為這些方法能夠解決上述因加熱冷卻時(shí)的應(yīng)力所造成的石墨層間的剝離問題，可靠性問題依然存在。本發(fā)明的石墨結(jié)構(gòu)體的特征在于，包括：石墨板，該石墨板以和基面(basalplane)平行地方式層疊而成；貫通孔，該貫通孔從所述石墨板的與所述基面平行的表面貫通到背面；以及覆蓋層，該覆蓋層通過與所述石墨板的碳原子形成化合物的金屬來覆蓋所述貫通孔的內(nèi)周；在內(nèi)周面被所述覆蓋層覆蓋的所述貫通孔的更內(nèi)側(cè)，形成有連通所述石墨板的所述表面和所述背面的連通孔。此外，本發(fā)明的電子器件的特征在于，在散熱路徑上設(shè)有所述石墨結(jié)構(gòu)體。此外，本發(fā)明的設(shè)備的特征在于，使用所述電子器件。如果使用這種結(jié)構(gòu)，就能夠?qū)崿F(xiàn)電子器件和其設(shè)備的小型化、薄型化、輕量化，并且能夠解決因加熱冷卻時(shí)的應(yīng)力造成的剝離問題，實(shí)現(xiàn)高可靠性。附圖說明圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1的石墨結(jié)構(gòu)體的放大剖視圖。圖2是該實(shí)施方式中使用的石墨板的俯視圖。圖3是該實(shí)施方式的石墨結(jié)構(gòu)體的制造工序圖。圖4是使用了本發(fā)明實(shí)施方式2的石墨結(jié)構(gòu)體的電子器件的放大剖視圖。圖5是使用本發(fā)明實(shí)施方式3的石墨結(jié)構(gòu)體的電子器件的放大剖視圖。圖6是使用本發(fā)明實(shí)施方式4的石墨結(jié)構(gòu)體的電子器件的放大剖視圖。圖7是本發(fā)明實(shí)施方式5的石墨結(jié)構(gòu)體的俯視圖。圖8是本發(fā)明實(shí)施方式6的石墨結(jié)構(gòu)體的俯視圖。具體實(shí)施方式以下，基于各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的石墨結(jié)構(gòu)體和使用該石墨結(jié)構(gòu)體的電子器件進(jìn)行說明。此外，對(duì)于具有相同作用的部分附加相同的標(biāo)號(hào)加以說明。(實(shí)施方式1)圖1是在半導(dǎo)體芯片或其封裝件與散熱板之間安裝使用的實(shí)施方式1的石墨結(jié)構(gòu)體的放大剖視圖，圖2是表示石墨結(jié)構(gòu)體制作中使用的石墨板1的加工過程中的一個(gè)示例的俯視圖，圖3是制造工序的圖。在用于形成石墨結(jié)構(gòu)體25的板狀的石墨板1上，以間距p1將貫通孔2貫穿設(shè)置成矩陣狀(參照?qǐng)D2)。在該石墨板1的表面和背面以及貫通孔2的內(nèi)周面上覆蓋有對(duì)石墨板1的碳原子有反應(yīng)性的Ti層3來作為覆蓋層。t1為石墨板1的厚度，t2為石墨板1的表面和背面上的Ti層3的膜厚。在貫通孔2的內(nèi)側(cè)有連接上下兩側(cè)并開口的連通孔4。圖2表示被Ti層3覆蓋前的石墨板1。該連通孔4在使用該石墨結(jié)構(gòu)體25時(shí)起到對(duì)將石墨結(jié)構(gòu)體25夾持并配置在上下兩側(cè)的部件進(jìn)行吸附并保持的作用。將在實(shí)施方式2中對(duì)其作詳細(xì)說明。石墨板1以厚度50μ以下的高分子膜為原料，對(duì)通過在超過2500℃的高溫、加壓、還原氣氛中處理所得到的薄板狀(圖3(a))進(jìn)行加工而制成。因此，該石墨板1是以和碳的六元環(huán)所構(gòu)成的面即基面相平行的方式層疊得到的石墨板。石墨板1的表面和背面的面間厚度為：t1=15μm以下。如果厚度超過15μm，則結(jié)晶性會(huì)下降，使熱傳導(dǎo)率降低。而且，這也限制了對(duì)于推進(jìn)小型化和薄型化的器件、設(shè)備的適用性。此外，該石墨板1的表面和背面大致平行于由碳的六元環(huán)構(gòu)成的面(基面)，該平行方向上的石墨板1的熱傳導(dǎo)率為1000W/mk以上，而石墨板1的垂直方向上的熱傳導(dǎo)率為5W/mk以下，比重為2.25g/cm3以下，且導(dǎo)電率和楊氏模量分別為106S/m以上、750GPa以上。石墨板1的表面粗糙度以1~4μm為優(yōu)選，這里將表面粗糙度設(shè)為2μm。如果表面粗糙度小于1μm，則石墨板1上設(shè)置的Ti層3的密接性下降，在熱循環(huán)時(shí)會(huì)發(fā)生剝離。相反地，如果表面粗糙度超過4μm，Ti層3的密接性也會(huì)下降。此外，如果石墨板1的表面粗糙度超過4μm，則半導(dǎo)體器件與石墨結(jié)構(gòu)體的密接性會(huì)下降，使熱傳導(dǎo)性降低。對(duì)于垂直地穿過石墨板1的平面膜內(nèi)的貫通孔2，在石墨板1的表面和背面設(shè)有Ti層3的情況下，經(jīng)由該貫通孔2與表面?zhèn)鹊腡i層和背面?zhèn)鹊腡i層3連續(xù)地結(jié)合而形成。Ti與C的相容性良好，而且與用于半導(dǎo)體封裝的阻擋層金屬(主要為Ni)材料的相容性也良好。這里，相容性意指密接性和界面的熱阻低。貫通孔2的位置可以任意設(shè)置，但是為了使石墨板1的可靠性提高，理想的是，包含適用于器件的石墨板1的最大尺寸的周圍在內(nèi)，設(shè)置成矩陣狀。需要使貫通孔2的開口比例(密度)對(duì)于石墨板1的總平面面積在10%以下。優(yōu)選地為7%以下。如果面積大于10%，則貫通孔2會(huì)阻礙平面方向的熱傳導(dǎo)，但小于0.1%，則對(duì)于石墨層間剝離的抑制力不足，從而也不好。熱傳導(dǎo)性會(huì)下降，層間的剝離也會(huì)發(fā)生。貫通孔2的形狀為圓形，但并不限于圓形。關(guān)于貫通孔2的形成方法，例如可以利用使用了湯姆遜刀的機(jī)械加工方法。將湯姆遜刀埋置于橡膠而成為版狀工具，用該版壓入石墨板1來進(jìn)行穿孔。還可舉出利用高壓水進(jìn)行的加工等，但是并不限于這些。圖3(b)示出了形成有貫通孔2的石墨板1。Ti層3通過氣相沉積、濺射、鍍敷中的任一方法設(shè)置，其厚度t2=0.01μm~0.2μm。如果厚度小于t2=0.01μm，會(huì)產(chǎn)生空隙等問題，相反地，如果厚度大于t2=0.2μm，則難以實(shí)現(xiàn)器件、電子設(shè)備的小型化、薄型化。Ti層3的密接性非常高，賽璐玢膠帶剝離測(cè)試時(shí)的破壞模式為石墨板1的材料破壞。這樣制作成的石墨結(jié)構(gòu)體25如圖3(c)所示。實(shí)施方式1中，Ti層3形成后貫通孔2未被填埋，在貫通孔2的內(nèi)側(cè)存在連通孔4。連通孔4的直徑d2為“d1﹣2·t2”。如此，通過在石墨板1上設(shè)置貫通孔2、Ti層3、連通孔4，使得在裝入半導(dǎo)體器件時(shí)與裸芯片(chipdie)的阻擋金屬層或金屬制均熱片的密接性提高。此外，對(duì)于半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)時(shí)發(fā)熱-冷卻循環(huán)時(shí)產(chǎn)生的石墨板1上的剪切應(yīng)力，由于貫通孔2的Ti層3的效果，因熱膨脹差造成的平面方向的剪切變形得以緩和，不會(huì)產(chǎn)生石墨板1的裂紋、剝離。因此，如果將高熱傳導(dǎo)性復(fù)合材料、即該石墨結(jié)構(gòu)體作為熱對(duì)策部件應(yīng)用于半導(dǎo)體封裝件、車載設(shè)備、功率設(shè)備或LED照明用設(shè)備上，則能實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化、薄型化、輕量化。例如在半導(dǎo)體器件中，特別是對(duì)于高端機(jī)型的電腦的CPU用半導(dǎo)體器件，伴隨著高工作頻率會(huì)產(chǎn)生大量的熱，結(jié)果為了確保安全驅(qū)動(dòng)，其工作頻率及驅(qū)動(dòng)電壓自動(dòng)下降，從而使響應(yīng)速度、處理速度下降。并且，如果即使如此溫度也不下降，就會(huì)進(jìn)入自動(dòng)停止的狀態(tài)。為了避免出現(xiàn)這樣的問題，使裸芯片內(nèi)產(chǎn)生的熱傳到銅制的均熱片上來作為半導(dǎo)體封裝件，之后，熱量經(jīng)由鋁散熱片那樣的散熱部件逸出到空氣中?；蛘撸?jīng)由接合點(diǎn)將熱傳給安裝的基片來實(shí)現(xiàn)低溫化。然而，半導(dǎo)體的集成度在飛躍上升，CPU的發(fā)熱溫度、發(fā)熱速度隨之增大，在如上所述的散熱對(duì)策中，從發(fā)熱部位到散熱部件的熱擴(kuò)散、熱傳導(dǎo)速度緩慢，該問題已經(jīng)不可回避。在這樣的狀況下使用本發(fā)明可取得較大效果。即，通過以該石墨結(jié)構(gòu)體來取代將裸芯片內(nèi)產(chǎn)生的熱傳到均熱片上時(shí)所使用的、含有鋁粉那樣的金屬粉的熱傳導(dǎo)性潤滑脂、銦那樣的低熔點(diǎn)金屬、其合金，具體而言，通過在裸芯片和均熱片之間設(shè)置石墨結(jié)構(gòu)體，使得裸芯片所產(chǎn)生的熱更快地在石墨板1的平面內(nèi)擴(kuò)散，隨后傳導(dǎo)至均熱片上，從而使裸芯片的發(fā)熱部位冷卻，溫度下降，從而可不降低CPU的處理速度、響應(yīng)速度，能夠維持高工作頻率。此外，通過使用該石墨結(jié)構(gòu)體，不僅能夠維持并確保高的工作頻率，而且能夠制作迄今一直小型且輕薄的器件。在3000℃的還原氣氛中處理東麗·杜邦制聚酰亞胺膜(厚25μm)，制成大小為60mm×60mm、厚度t1=10μm、表面粗糙度為2μm的實(shí)施方式1的石墨板1。其特性是，面方向上的熱傳導(dǎo)率為1500W/m·k，與該面垂直的方向上的熱傳導(dǎo)率為3W/m·k，比重為2.3，彈性模量為750Gpa。如圖2所示，用湯姆遜刀在60mm×60mm見方的石墨板1上形成25個(gè)直徑d1=1mm的圓形貫通孔2后，利用濺射在石墨板1的表面、背面以及貫通孔2的側(cè)面形成t2=0.2μm的連續(xù)的Ti層3。此時(shí)的貫通孔2處于通孔狀態(tài)，其中心部分形成有未充填Ti層3的連通孔4。另外，此例中貫通孔2的總面積為19.6mm2，該面積占石墨板1整個(gè)面積的0.5%。<評(píng)價(jià)>對(duì)于實(shí)施方式的情況，以﹣65℃~120℃作為一個(gè)循環(huán)進(jìn)行了500循環(huán)、1000循環(huán)、2000循環(huán)的冷熱沖擊試驗(yàn)。試驗(yàn)結(jié)束后未發(fā)現(xiàn)層間剝離和/或外觀異常。(實(shí)施方式2)圖4表示實(shí)施方式2。實(shí)施方式2是使用了實(shí)施方式1的石墨結(jié)構(gòu)體的電子器件26的放大剖視圖。石墨板1的表面上配置有第一部件11。石墨板1的背面上配置有第二部件12。第一部件11是散熱部件、冷卻部件等。第二部件12是半導(dǎo)體元件、電子部件等。圖4中未作說明的部分與實(shí)施方式1相同。貫通孔2具有連通孔4。貫通孔2的直徑為d1=1mm，Ti層3的厚度為0.2μm。石墨板1的表面凹凸小至3μm以下，接近于鏡面。因此，表面和背面被Ti層3覆蓋的石墨板1與第一部件11和第二部件12的密接性良好。這樣，在第一部件11和第二部件12經(jīng)由Ti層3大致密接于石墨板1的狀態(tài)下，若第一部件11的溫度上升，則連通孔4內(nèi)的氣體膨脹，連通孔4的內(nèi)部壓力上升而超過連通孔4的外部壓力。伴隨連通孔4的內(nèi)部壓力上升，已進(jìn)入連通孔4的氣體通過第一部件11與Ti層3之間、第二部件12與Ti層3之間排出。在這種狀態(tài)下，如果第一部件11的溫度下降，則連通孔4的內(nèi)部接近真空狀態(tài)，于是石墨板1、第一部件11、第二部件12通過連通孔4而一體化。不在接觸面上使用潤滑脂、熱傳導(dǎo)性粘接劑等也可以。(實(shí)施方式3)圖5表示實(shí)施方式3。實(shí)施方式2中，貫通孔2的形狀是從石墨板1的表面到背面均為單一直徑d1的孔，連通孔4的形狀也是從石墨板1的表面到背面均為單一直徑的孔，然而，該實(shí)施方式3的電子器件26中使用的石墨結(jié)構(gòu)體25的連通孔4的形狀與實(shí)施方式2的不同。對(duì)于實(shí)施方式3的石墨結(jié)構(gòu)體25的連通孔4的形狀，連通孔4的開口形成為向外擴(kuò)展。具體而言，連通孔4的開口形成為向外擴(kuò)展的錐形形狀27。為了形成這種結(jié)構(gòu)，貫通孔2的開口也形成為向外擴(kuò)展的錐形形狀。對(duì)于如此將連通孔4的開口形成為向外擴(kuò)展的錐形形狀27的情況，由于連通孔4的內(nèi)部壓力降低而產(chǎn)生的與第一、第二部件11、12的吸附性要優(yōu)于實(shí)施方式2的情況。另外，為了確保熱傳導(dǎo)，貫通孔2的總面積最好占石墨板1的整個(gè)面積的10%以下。如果面積小于0.1%，則石墨板1的層間不能壓緊，從而阻礙熱傳導(dǎo)。這里，貫通孔2的面積不是由端部(上下表面)的擴(kuò)展部分來定義，而是由內(nèi)部的中心部分的截面積來定義。也就是說，由截面面積最小處的直徑來定義，這是因?yàn)樵摬糠譀Q定了熱傳導(dǎo)能力。另外，Ti層3的厚度為t2時(shí)，貫通孔2減去2·t2后的尺寸即為連通孔4的直徑，由于t2=0.2μm左右，故貫通孔2的總面積與連通孔4的總面積大致相等。(實(shí)施方式4)圖6表示實(shí)施方式4。實(shí)施方式2中，貫通孔2的形狀是從石墨板1的表面到背面均為單一直徑d1的孔，連通孔4的形狀也是從石墨板1的表面到背面均為單一直徑的孔，然而，該實(shí)施方式4的電子器件26所使用的石墨結(jié)構(gòu)體25的連通孔4的形狀與實(shí)施方式2不同。對(duì)于實(shí)施方式4的石墨結(jié)構(gòu)體25的連通孔4的形狀，上述連通孔4的開口形成為向外擴(kuò)展。具體而言，連通孔4的開口形成為截面積從內(nèi)側(cè)向外側(cè)逐漸變大的R形狀28。為了形成這種結(jié)構(gòu)，貫通孔2的開口也形成為向外擴(kuò)展的R形狀。對(duì)于如此將連通孔4的開口形成為向外擴(kuò)展的R形狀28的情況，由于連通孔4的內(nèi)部壓力降低而產(chǎn)生的第一、第二部件11、12之間的吸附性要優(yōu)于實(shí)施方式2的情況。連通孔4的面積比例和面積的定義與實(shí)施方式3相同。(實(shí)施方式5)圖7(a)和圖7(b)分別表示實(shí)施方式5的石墨結(jié)構(gòu)體25。實(shí)施方式1中石墨板1上的貫通孔2的分布是如圖2所示，在平面內(nèi)均勻地進(jìn)行配置，因此，石墨結(jié)構(gòu)體25的連通孔4也在平面內(nèi)均勻分布。圖7(a)與之的不同點(diǎn)在于，連通孔4的分布在平面內(nèi)呈不均勻地配置。如果石墨板1上貫通孔2和經(jīng)由Ti層3形成在貫通孔2的內(nèi)側(cè)的連通孔4的數(shù)量較多，則通過Ti層3在石墨板1的厚度方向上可靠地壓緊、固定，熱傳導(dǎo)率得以確保。但是，在貫通孔2、連通孔4處熱傳導(dǎo)中斷，因此橫向(石墨板1的平面方向)的熱傳導(dǎo)性降低。圖7(a)中，在實(shí)施方式2中的配置第一、第二部件11、12的配置區(qū)域13和不配置第一、第二部件11、12的周邊區(qū)域23，石墨板1上的貫通孔2和連通孔4的密度不同。具體而言，配置區(qū)域13和周邊區(qū)域23中的所有貫通孔2和連通孔4的直徑相同，為了不阻礙配置區(qū)域13的熱傳導(dǎo)，周邊區(qū)域23的貫通孔2和連通孔4的總面積密度設(shè)為高于配置區(qū)域13中的密度。這樣的話，將第二部件12所產(chǎn)生的熱首先從配置區(qū)域13內(nèi)迅速地傳導(dǎo)至周邊區(qū)域23，能夠立即使第二部件12冷卻。周邊區(qū)域23的貫通孔2和連通孔4較多，因此其熱傳導(dǎo)性比配置區(qū)域13差，但是防止了石墨板1整體的層間剝離，并確保了上下方向的熱傳導(dǎo)。此例中，配置區(qū)域13的貫通孔2和連通孔4的總面積的密度大約為周邊區(qū)域23的密度的一半。優(yōu)選的是，若設(shè)置2倍以上的密度差異，則能確保熱傳導(dǎo)率以及防止石墨層之間的剝離。在圖7(b)所示的情況下，通過在配置區(qū)域13和周邊區(qū)域23變更貫通孔2和連通孔4的直徑，從而使石墨結(jié)構(gòu)體25的貫通孔2和連通孔4的分布在平面內(nèi)不均勻。具體而言，為了不阻礙熱傳導(dǎo)性，配置區(qū)域13的貫通孔2和連通孔4的直徑小于周邊區(qū)域23的貫通孔2和連通孔4的直徑。對(duì)于貫通孔2和連通孔4的總面積的密度，第一部件11的配置區(qū)域13為周邊區(qū)域23的一半。在這種情況下，無需在周邊區(qū)域23設(shè)置較多的貫通孔2和連通孔4并能實(shí)現(xiàn)熱傳導(dǎo)性良好的石墨結(jié)構(gòu)體。(實(shí)施方式6)圖8表示實(shí)施方式6的石墨結(jié)構(gòu)體25中所使用的石墨板1的俯視圖。對(duì)于該石墨板1，貫通孔2的數(shù)量最少，貫通孔2的直徑為最大，貫通孔2的比例為占石墨板1的面積的10%以下。為了固定并保護(hù)石墨板1的整體層間，需要在最少三處設(shè)置相同大小的貫通孔2。其結(jié)果是，每個(gè)貫通孔2的最大面積需要設(shè)為石墨板1的整體面積的3.3%以下。另一方面，為了通過降低之后在貫通孔2的內(nèi)側(cè)形成Ti膜3所形成的連通孔4的內(nèi)部壓力，從而將第一、第二部件11、12固定在石墨板1上，需要在石墨結(jié)構(gòu)體25的配置了第一、第二部件11、12的配置區(qū)域13中設(shè)置1個(gè)以上的貫通孔2。為此，圖8中，在配置區(qū)域13的中央設(shè)置了1個(gè)貫通孔2，在周邊區(qū)域23的端部設(shè)置了兩個(gè)貫通孔2。當(dāng)然，在周邊區(qū)域23均勻地設(shè)置多個(gè)較小直徑的貫通孔2較好。此外，Ti層3最小厚度需要為t2=0.01mm，因此，為了在貫通孔2的內(nèi)周形成Ti膜3，并確保其內(nèi)側(cè)有d2=0.01mm的連通孔4，貫通孔2的最小直徑需為d1=0.03mm。上述的各實(shí)施方式中，在Ti層3上沒有設(shè)保護(hù)膜，但可以使用用于改善Ti層3的耐久性的抗氧化膜，例如WN、TiN等的氮化物、碳氟化合物等氟化物、對(duì)二甲苯和丙烯酸等有機(jī)高分子。也可以根據(jù)電絕緣的需要設(shè)置類金剛石碳(Diamond-likeCarbon)層、高分子層等絕緣層。上述的各實(shí)施方式中，以使用Ti層3的情況為例作了說明，但是，作為與碳原子具有反應(yīng)性的該覆蓋層，也可以使用鎳、鈷、鈦等易與碳發(fā)生反應(yīng)的金屬，即，與碳形成化合物的金屬，以及包含這些金屬元素來作為主要成分的合金。上述的各實(shí)施方式中，貫通孔2、連通孔4的形狀為圓形，但也可以不是圓形而為三角形、橢圓等。另外，只要沒有阻礙因素，可以對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行組合。本發(fā)明適用于半導(dǎo)體、太陽能電池、電動(dòng)汽車、照明設(shè)備等使用大功率的需采取熱對(duì)策的各種用途，有助于改善可靠性和實(shí)現(xiàn)設(shè)備的薄型化。