專利名稱：引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法及用其制造的引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
根據(jù)示例性實施例的方法涉及防止引線框架的環(huán)氧樹脂流出。
背景技術(shù)：
用于半導(dǎo)體封裝件的引線框架或印刷線路板經(jīng)歷組裝工藝，所述組裝工藝通過將半導(dǎo)體芯片連接到外部電路來形成半導(dǎo)體封裝件，且所述組裝工藝通常包括裸片接合工藝、引線接合工藝和模塑工藝。在所述組裝工藝中，裸片接合工藝是使用粘合劑將引線框架的裸片置盤接合并固定到半導(dǎo)體芯片的工藝，其中，主要使用環(huán)氧類樹脂作為粘合劑。當(dāng)使用環(huán)氧類樹脂執(zhí)行裸片接合工藝時，因為I)諸如變色防止劑和密封劑的有機材料污染的表面、2)鍍有金、銀或鈀的接合表面的表面粗糙度和3)所使用的環(huán)氧類樹脂的物理性質(zhì)，所以發(fā)生環(huán)氧樹脂流出現(xiàn)象，即，樹脂或添加劑的流出。環(huán)氧樹脂流出會降低裸片接合操作的強度，或會導(dǎo)致后續(xù)的引線接合工藝中的缺陷。接合表面的表面粗糙度是由預(yù)鍍框架(PPF)引線框架的開發(fā)而引起的，在PPF引線框架中，預(yù)定的粗糙度被應(yīng)用到鍍層，以提高裸片接合工藝過程中半導(dǎo)體芯片與裸片置盤之間的粘合力，改善引線接合工藝過程中的接合性質(zhì)，并制造出在較差的溫度和濕度條件下具有優(yōu)異的脫層質(zhì)量和模塑樹脂粘合性的半導(dǎo)體封裝件。因此，普通PPF引線框架的其上安裝有半導(dǎo)體芯片并對其執(zhí)行引線接合操作的表面具有預(yù)定的表面粗糙度，如第0819800號韓國授權(quán)專利中公開的。這里，PPF引線框架允許省略半導(dǎo)體后續(xù)工藝中的引線鍍覆工藝，半導(dǎo)體封裝件的暴露于模塑體外部的最上層的引線可由金或金合金形成，以通過將封裝件焊接在印刷電路板上來方便地執(zhí)行封裝件的安裝工藝，并防止環(huán)境污染。通過應(yīng)用預(yù)定的表面粗糙度，可以制造在半導(dǎo)體芯片的安裝工藝過程中具有優(yōu)異的粘合性的半導(dǎo)體封裝件。然而，在引線框架的比表面積`增大的表面上執(zhí)行裸片接合工藝的過程中，因為毛細(xì)現(xiàn)象，所以環(huán)氧樹脂流出現(xiàn)象變得嚴(yán)重。因此，裸片接合的強度會降低，且引線接合工藝或模塑會受到不利的影響。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了防止表面粗糙度導(dǎo)致的環(huán)氧樹脂流出，減小表面粗糙度以抑制毛細(xì)現(xiàn)象，或者清潔所述表面以去除污染。然而，接合表面的表面粗糙度影響到裸片接合強度或組裝機的圖像識別性能，因此，在減小表面粗糙度方面存在限制。此外，表面清潔會損害變色防止工藝或密封工藝。此外，在小厚度的半導(dǎo)體封裝件的近來的開發(fā)中，已經(jīng)經(jīng)常使用具有低應(yīng)力、低彈性和低粘度的裸片接合用環(huán)氧類樹脂來防止基板的翹曲，該環(huán)氧類樹脂很可能包括易于流出的組分。因此，環(huán)氧樹脂流出現(xiàn)象變得嚴(yán)重。為了解決該問題，第0953008號韓國授權(quán)專利提出了一種可以有效地防止環(huán)氧樹脂流出現(xiàn)象的具有氟代烴基的環(huán)氧樹脂流出防止劑。也就是說，除了需要引線框架具有表面粗糙度以制造具有高可靠性的封裝件之外，防止環(huán)氧樹脂流出現(xiàn)象變得更加困難。
同時,存在引線框架的制造工藝包括帶附著工藝(tape attaching process)的一些情形。例如，當(dāng)內(nèi)部引線具有長的長度或內(nèi)部引線的數(shù)量多時，諸如四側(cè)引腳扁平封裝(QFP)的產(chǎn)品組使用引線鎖帶(lead lock tape),以通過固定引線的位置來解決半導(dǎo)體制造工藝過程中的處理特性或封裝可靠性的問題。另一個例子可以是QFN產(chǎn)品組，在QFN產(chǎn)品組中，使用背面帶(back side tape)來防止模塑體溢出(mold flash,或稱為溢料)，從而防止模塑樹脂在模塑工藝過程中泄漏。為了提高生產(chǎn)率，包括帶附著工藝的引線框架制造工藝主要以卷到卷(reel-to-reel)連續(xù)方式來執(zhí)行，并可包括:成形工藝，使用蝕刻或沖裁操作；濕式工藝，包括鍍覆(例如，在PPF中)和環(huán)氧樹脂流出防止工藝；以及后續(xù)工藝，例如在干環(huán)境中(例如，在無塵室中)執(zhí)行的帶貼附(taping)、下沉(down-set)和切斷(cut-off)操作。也就是說，在制造引線框架的工藝過程中執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝。通常，環(huán)氧樹脂流出防止工藝以濕式工藝來執(zhí)行，例如，在鍍覆工藝結(jié)束時在濕環(huán)境下將完成鍍覆之后的引線框架浸在含有環(huán)氧樹脂流出防止劑的槽中(例如，在PPF中)，或者將環(huán)氧樹脂流出防止液體噴射到引線框架上，并清潔和干燥引線框架。另外，如果帶貼附工藝是必需的，則在濕環(huán)境下完成鍍覆和環(huán)氧樹脂流出防止工藝之后，在干環(huán)境下執(zhí)行的后續(xù)工藝過程中執(zhí)行帶貼附工藝。如上所述，與鍍覆工藝一起以濕式工藝對以貫通形狀加工成的引線框架的包括相對的表面的全部表面執(zhí)行現(xiàn)有技術(shù)的環(huán)氧樹脂流出防止工藝，因此，不會選擇性地處理引線框架的其上安裝有芯片的、實質(zhì)上需要環(huán)氧樹脂流出防止功能的裸片置盤。另外，通常涂覆環(huán)氧樹脂流出防止劑，環(huán)氧樹脂流出防止劑在引線框架上形成有機層，以將引線框架的表面能降低到小于裸片接合環(huán)氧樹脂的表面能，從而實現(xiàn)環(huán)氧樹脂流出防止功能。然而，環(huán)氧樹脂流出防止劑難以附著到不同種類的材料(例如帶)。因此，當(dāng)用環(huán)氧樹脂流出防止劑處理貼附帶的區(qū)域時，粘合力降低，從而導(dǎo)致后續(xù)制造工藝過程中的很多問題。當(dāng)具有強的功能的環(huán)氧樹脂流出防止劑被施加到為了實現(xiàn)高可靠性而具有預(yù)定的表面粗糙度的引線框架時，上述問題變得嚴(yán)重。因此，當(dāng)引線框·架的制造工藝中包括帶附著工藝時，需要保持優(yōu)異的帶粘合力的工藝，同時保持環(huán)氧樹脂流出防止功能。

發(fā)明內(nèi)容
一個或更多的示例性實施例提供了一種防止引線框架的環(huán)氧樹脂流出的方法，其中，即使在包括帶附著工藝的引線框架制造工藝中使用會降低帶的粘合力的加工條件，例如，應(yīng)用預(yù)定的表面粗糙度的預(yù)鍍工藝和使用具有低應(yīng)力的裸片接合環(huán)氧類樹脂，該方法也能防止帶粘合力的降低，同時保持環(huán)氧樹脂流出防止功能。根據(jù)示例性實施例的方面，提供了一種環(huán)氧樹脂流出防止方法，該方法包括下述步驟:提供通過成形工藝、預(yù)鍍工藝和帶附著工藝制造的引線框架，其中，成形工藝通過使用導(dǎo)電原料形成裸片置盤和多個引線，預(yù)鍍工藝是對成形的導(dǎo)電原料執(zhí)行的預(yù)鍍工藝；以及在帶附著工藝之后，執(zhí)行流出防止工藝，流出防止工藝防止施加在裸片置盤上的裸片接合環(huán)氧類樹脂的環(huán)氧樹脂流出。預(yù)鍍工藝可包括應(yīng)用表面粗糙度。帶附著工藝中使用的帶可以是固定多個引線的引線鎖帶或者防止模塑體溢出的背面帶。裸片接合環(huán)氧類樹脂可包含減小應(yīng)力、彈性或粘度的組分。執(zhí)行流出防止工藝的步驟可包括在干環(huán)境下僅在裸片置盤上施加液態(tài)型流出防止劑。所述干環(huán)境可與執(zhí)行帶附著工藝的環(huán)境相同。干式噴射模塊可噴射液態(tài)型流出防止劑。干式噴射模塊可以是超聲噴射模塊。液態(tài)型流出防止劑可包括水或有機溶劑。有機溶劑可包括從由甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮和甲乙酮組成的組中選擇的至少一種溶劑?？蓪β闫帽P的一個表面應(yīng)用執(zhí)行流出防止工藝的步驟。所述環(huán)氧樹脂流出防止方法的執(zhí)行還可包括:在帶附著工藝與執(zhí)行流出防止工藝的步驟之間，使用大氣壓等離子體放電進(jìn)行表面處理工藝。導(dǎo)電原料可以是卷型導(dǎo)電材料，帶附著工藝中使用的帶可以是連續(xù)式卷型帶，所述方法還可包括執(zhí)行切斷工藝，切斷工藝將執(zhí)行了環(huán)氧樹脂流出防止工藝的卷型引線框架切割成引線框架條?？稍诟森h(huán)境下執(zhí)行切斷工藝、帶附著工藝和環(huán)氧樹脂流出防止工藝。導(dǎo)電原料可以是成卷的，所述方法還可包括在成形工藝與預(yù)鍍工藝之間執(zhí)行將卷型的引線框架切割成引線框架條的切斷工藝，其中，以單獨的條帶貼附方法執(zhí)行帶附著工藝。根據(jù)另一示例性實施例的方面，提供了一種通過執(zhí)行所述環(huán)氧樹脂流出防止方法制造的引線框架。根據(jù)另一示例性實施例的方面，提供了一種用于引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法，所述引線框架包括裸片置盤和多個引線，所述方法包括下述步驟:將帶附著到引線框架；以及在將帶附著到引線框架之后，執(zhí)行流出防止工藝，流出防止工藝防止施加在裸片置盤上的裸片接合環(huán)氧類樹脂的環(huán)氧樹脂流出。執(zhí)行流出防止工藝的步驟可包括在干環(huán)境下僅在裸片置盤上施加流出防止劑。根據(jù)另一示例性實施例的方面，提供了一種用于引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法，所述引線框架包括裸片置盤和多個引線，所述方法包括下述步驟:提供導(dǎo)電原料；使用導(dǎo)電原料成形出包括裸片置盤和多個引線的引線框架；執(zhí)行預(yù)鍍工藝；將帶附著到引線框架上；執(zhí)行流出防止工藝；以及將引線框架切割成條型引線框架。在相同的條件下執(zhí)行將帶附著到引線框架上的步驟、執(zhí)行流出防止工藝的步驟以及將引線框架切割成條型引線框架的步驟。在將帶附著到引線框架上之后進(jìn)行 執(zhí)行流出防止工藝的步驟，在干條件下執(zhí)行將帶附著到引線框架上的步驟、執(zhí)行流出防止工藝的步驟和將引線框架切割成條型引線框架的步驟。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例，以上和其他方面將變得更加明顯，在附圖中:圖1是示出根據(jù)示例性實施例的防止引線框架的環(huán)氧樹脂流出的方法的流程圖；圖2是示出附著有引線鎖帶(lead lock tape)的引線框架的示例性實施例的圖；圖3是示出附著有背面帶(back side tape)的引線框架的示例性實施例的圖；圖4是示出根據(jù)示例性實施例的超聲噴射模塊的圖；圖5是示出根據(jù)另一示例性實施例的防止引線框架的環(huán)氧樹脂流出的另一方法的流程圖；圖6是示出根據(jù)另一示例性實施例的防止引線框架的環(huán)氧樹脂流出的又一方法的流程圖；圖7是示出評價環(huán)氧樹脂流出程度的方法的圖；以及圖8是示出評價帶粘合力的方法的圖。
具體實施例方式在下文中，現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述示例性實施例。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，說明存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除一個或更多的其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組的存在或添加。圖1是示出根據(jù)示例性實 施例的防止引線框架的環(huán)氧樹脂流出的方法的流程圖。參照圖1，根據(jù)示例性實施例的防止引線框架的環(huán)氧樹脂流出的方法包括使用導(dǎo)電原料的卷的成形工藝(S11)、預(yù)鍍工藝(S12)、卷型帶附著工藝(S13)、環(huán)氧樹脂流出防止工藝(S14)和切斷工藝(S15)。在下文中，將詳細(xì)描述每個工藝。首先，成形工藝(Sll)是通過使用諸如銅或銅合金的導(dǎo)電原料制造包括裸片置盤和多個引線的引線框架的基本形狀的工藝，其中，所述銅合金通過混合作為引線框架的原料的鎳、硅和磷來制造。裸片置盤設(shè)置在引線框架的中心部分上，半導(dǎo)體芯片在后續(xù)的封裝工藝過程中安裝在裸片置盤上。多個引線包括內(nèi)部引線和外部引線。內(nèi)部引線可通過接合線電連接到半導(dǎo)體芯片，外部引線沿著內(nèi)部引線的長度方向延伸以電連接到諸如印刷電路板的外部電路。可通過使用公知的方法，例如，通過使用諸如蝕刻方法的化學(xué)方法或諸如沖裁或沖壓操作的機械方法圖案化出裸片置盤和引線，來執(zhí)行成形工藝。接著，預(yù)鍍工藝(S12)是在執(zhí)行半導(dǎo)體封裝工藝之前將具有優(yōu)異的焊接潤濕性的材料預(yù)先施加到導(dǎo)電原料上從而可以省略后續(xù)的半導(dǎo)體工藝中的焊接工藝的工藝。另外，可以通過使用鍍液使電流在成形的原料中流動來形成鍍層。通過預(yù)鍍工藝形成的鍍層可以在主要包含例如銅的基體金屬層的上部上順序地形成鎳層和鈀層，金鍍層可以作為最上層形成，以防止由半導(dǎo)體組裝工藝過程中產(chǎn)生的熱氧化而來的鈀化合物導(dǎo)致的物理性質(zhì)劣化?？梢孕纬山鸷外Z的合金鍍層，以防止因形成在最上層的純金鍍層而導(dǎo)致的與模塑樹脂的粘合力的降低。也就是說，根據(jù)制造具有期望的物理性質(zhì)的引線框架的目的，可以選擇性地形成鍍層。這里，為了在制造半導(dǎo)體封裝件時溫度和濕度非常高的嚴(yán)苛環(huán)境下保持模塑樹脂與引線框架之間的高的粘合力，可對鍍層應(yīng)用表面粗糙度。例如，如第0819800號韓國專利授權(quán)公布中所公開的，Ni/更粗糙的Ni/Pd/Au的鍍層作為鍍層形成在基體金屬層上，從而是粗糙的，以使得模塑樹脂與引線框架之間的粘合力可以提高。這里，如上所述，當(dāng)帶貼附工藝是必需的時，由于表面粗糙度而必須使用更強的環(huán)氧樹脂流出防止劑，且由于濕環(huán)境而會進(jìn)一步降低帶的粘合力。然而，如下面將描述的，在帶貼附工藝之后緊接著僅在裸片置盤上施加示例性實施例的環(huán)氧樹脂流出防止劑，從而不降低帶的粘合力，由此保持模塑樹脂與引線框架之間的優(yōu)異的粘合力，而不導(dǎo)致因帶貼附工藝而引起的副作用。同時，為了提高預(yù)鍍工藝之后安裝半導(dǎo)體芯片時接合線與內(nèi)部引線之間的附著可靠性，還可以執(zhí)行用于在引線接合的內(nèi)部引線部分上鍍銀(Ag)的鍍覆工藝。接著，當(dāng)制造引線框架時，根據(jù)需要執(zhí)行帶附著工藝(S13)。然而，因為示例性實施例解決了諸如將在下面進(jìn)行描述的帶貼附工藝和環(huán)氧樹脂流出防止工藝過程中產(chǎn)生的帶粘合力降低和裸片置盤的選擇性處理的問題，本示例性實施例包括帶附著工藝(S13)。帶附著工藝(S13)的示例性實施例可包括引線鎖帶12 (參照圖2)的附著工藝或背面帶22 (參照圖3)的附著工藝，引線鎖帶12是在引線框架10的內(nèi)部引線長或內(nèi)部引線的數(shù)量多時通過固定引線11的位置來改善半導(dǎo)體封裝件的組裝過程中的處理特性或解決其中的封裝可靠性的問題，背面帶22防止模塑體溢出(mold flash，或稱為溢料)，即，模塑工藝過程中模塑樹脂的泄漏。背面帶22還防止模塑樹脂覆蓋當(dāng)將封裝件安裝在印刷電路板上時暴露的外部引線。在示例性實施例中，使用了卷型導(dǎo)電原料，并在干環(huán)境下以連續(xù)式卷型帶貼附來執(zhí)行帶附著工藝，這與在濕環(huán)境中執(zhí)行的預(yù)鍍工藝不同。因此，在下面描述的將卷型引線框架切割成條型引線框架并單獨地執(zhí)行條帶貼附工藝的另一示例性實施例中，順序地在干-濕-干環(huán)境中執(zhí)行引線框架的制造工藝，從而將在干環(huán)境下執(zhí)行的工藝分成兩部分。然而，在本示例性實施例中，在濕-干環(huán)境中執(zhí)行所述工藝，因此，在處理效率和制造成本方面是有利的。帶可包括第一層和第二層。第一層可由無粘合力的聚酰亞胺材料形成，第二層可由橡膠和具有粘合力的環(huán)氧樹脂混合而成的材料形成。因此，帶的第二層附著到所述原料上，以固定引線或防止模塑體溢 出。接著，環(huán)氧樹脂流出防止工藝(S14)防止環(huán)氧樹脂流出現(xiàn)象，即，用于裸片接合的環(huán)氧樹脂的流出。當(dāng)制造半導(dǎo)體封裝件時將環(huán)氧樹脂施加在裸片置盤上，以防止引線接合工藝過程中出現(xiàn)缺陷和裸片接合強度的降低。在環(huán)氧樹脂流出防止工藝(S14)中，在裸片置盤上形成有機層，以降低裸片置盤的表面能。如上所述，當(dāng)如在現(xiàn)有技術(shù)中，在濕環(huán)境中使用具有更強的環(huán)氧樹脂流出防止功能的環(huán)氧樹脂流出防止劑以防止因使用具有低應(yīng)力、低彈性和低粘度的裸片接合環(huán)氧類樹月旨(很可能包括易于流出的組分)而發(fā)生嚴(yán)重的環(huán)氧樹脂流出時，當(dāng)環(huán)氧樹脂流出防止工藝之后執(zhí)行帶貼附工藝時，帶的粘合力大大降低。根據(jù)示例性實施例，在帶貼附工藝之后緊接著僅在裸片置盤上施加環(huán)氧樹脂流出防止劑，從而防止帶的粘合力降低，因此，可以保持模塑樹脂與引線框架之間的粘合力，而不產(chǎn)生因帶貼附工藝而引起的副作用。具有低應(yīng)力、低彈性和低粘度的裸片接合環(huán)氧類樹脂可以是例如環(huán)氧類樹脂中包含硅樹脂類或烯烴橡膠類應(yīng)力減小劑的低應(yīng)力環(huán)氧類樹脂，環(huán)氧樹脂中包含環(huán)氧改性聚硅氧烷、胺改性聚硅氧烷、聚硅氧烷-環(huán)氧樹脂共聚物和硅橡膠粒子的低彈性環(huán)氧類樹脂，或者環(huán)氧樹脂中包含酸酐的低粘度環(huán)氧類樹脂。在示例性實施例中，可以在干環(huán)境下僅對裸片置盤應(yīng)用環(huán)氧樹脂流出防止工藝，并且期望的可以是，對裸片置盤的一個表面應(yīng)用環(huán)氧樹脂流出防止工藝，在后續(xù)的封裝工藝中半導(dǎo)體芯片安裝在裸片置盤的所述一個表面上。所述干環(huán)境是與執(zhí)行帶附著工藝的干環(huán)境相同的環(huán)境。在使用在干環(huán)境中可用的帶貼附設(shè)備進(jìn)行帶附著工藝之后，緊接著可以執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝。因此，可以防止在諸如浸潰環(huán)境的濕環(huán)境中在引線框架的全部表面上施加環(huán)氧樹脂流出防止劑引起的帶粘合力降低，并可以在相同的干環(huán)境中連續(xù)地執(zhí)行帶附著工藝和環(huán)氧樹脂流出防止工藝，從而提高工藝效率。在下文中，可以考慮根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)在濕環(huán)境中而不是在執(zhí)行帶附著工藝的干環(huán)境中執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝的情形。在該情形下，可以在帶附著工藝之后執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝，以防止帶粘合力的降低；然而，以濕式沉積方法對引線框架20的貫通部21執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝，且所述原料的側(cè)表面被背面帶22阻擋，因此難以排盡溶液并執(zhí)行干燥(參照圖3)。另外，執(zhí)行另外的濕式工藝，從而導(dǎo)致制造成本升高，且在執(zhí)行鍍覆工藝的濕環(huán)境、執(zhí)行帶附著工藝的干環(huán)境、執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝的濕環(huán)境以及執(zhí)行切斷操作的干環(huán)境下執(zhí)行制造工藝，因此，工藝的配置是不期望的?？梢酝ㄟ^使用液態(tài)的環(huán)氧樹脂流出防止劑以噴涂工藝在干環(huán)境下僅對裸片置盤執(zhí)行示例性實施例的環(huán)氧樹脂流出防止工藝。液態(tài)的環(huán)氧樹脂流出防止劑可以包括含有公知的環(huán)氧樹脂流出防止組分(例如，羧酸或硫醇)的有機材料。環(huán)氧樹脂流出防止劑可具有任何類型的物理性質(zhì)，只要它可以以混合溶液的狀態(tài)被噴射到引線框架的一部分或裸片置盤上即可。然而，環(huán)氧樹脂流出防止劑可以是高揮發(fā)性的，并可以以預(yù)定的濃度溶解在溶劑中。溶劑可以是水或者有機溶劑，有機溶劑可以是例如醇或酮，醇例如是甲醇、乙醇和異丙醇，酮例如是丙酮和甲乙酮。此外，溶劑可以是在干環(huán)境中干燥之后不產(chǎn)生污點并且容易地粘附在諸如 引線框架的基板的表面上的異丙醇。當(dāng)使用水作為溶劑且環(huán)氧樹脂流出防止組分難以溶解在水中時，可以添加諸如醇和酮的有機溶劑，添加量是溶解水中的環(huán)氧樹脂流出防止組分所需的量，為溶劑的總重量的0.01重量％至20重量％,優(yōu)選地,0.1重量％至5重量％。另外，可使用具有更強的環(huán)氧樹脂流出防止功能的包括氟代烴基的環(huán)氧樹脂流出防止劑。相對于環(huán)氧樹脂流出防止劑的總重量,可以包含0.1重量％至10重量％、優(yōu)選地
0.2重量％至2重量％、更加優(yōu)選地0.3重量％至I重量％的環(huán)氧樹脂流出防止組分。當(dāng)包含的環(huán)氧樹脂流出防止組分少于0.1重量％時，環(huán)氧樹脂流出防止功能不足，且當(dāng)包含的環(huán)氧樹脂流出防止組分多于10重量％時，相對于該含量來說不會獲得更多的效果。另外，可以與環(huán)氧樹脂流出防止組分一起包含鍍層材料的表面的變色防止劑或?qū)щ姴牧系谋砻娴淖兩乐箘┮约懊芊鈩?，因此，可以同時顯示出變色防止效果和密封效果。噴射模塊可以是應(yīng)用了超聲噴射方法的模塊30，如圖4中所示。超聲噴射方法在以下方面是有利的:包含通過超聲獲得的粒子的涂覆液體31容易地粘附在導(dǎo)電材料32的表面上，并且即使涂覆液體31涂覆在附著有帶的部分上，也可以容易地執(zhí)行帶粘合力的降低的防止。同時，在環(huán)氧樹脂流出防止工藝之前，還可以執(zhí)行作為預(yù)處理的大氣等離子體放電工藝，以去除貼附有帶的引線框架的表面污染，并改善將要被施加的環(huán)氧樹脂流出防止劑的表面粘附?？梢酝ㄟ^使用掩模僅對裸片置盤區(qū)選擇性地執(zhí)行大氣壓等離子體放電。可通過使用例如氟仿氣體，通過施加50mA的電流產(chǎn)生氟仿氣體的放電來執(zhí)行該等離子體處理。此外，在產(chǎn)生氟仿氣體放電之前，可產(chǎn)生氧氣放電，以容易地使等離子體放電并提高被處理的表面的可靠性。接著，切斷工藝(S15)形成條型的最終產(chǎn)品形狀(從卷到條)，其中，切斷工藝(S15)是切割其上以連續(xù)式帶貼附方法附著有帶且執(zhí)行了環(huán)氧樹脂流出防止工藝的卷型引線框架的工藝。可以通過使用公知的切斷設(shè)備在干環(huán)境下執(zhí)行切斷工藝。圖5是示出根據(jù)另一示例性實施例的引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法的流程圖。參照圖5，根據(jù)本示例性實施例的引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法包括使用導(dǎo)電原料的卷的成形工藝(S21)(與前面的示例性實施例中相同)、預(yù)鍍工藝(S22)、卷型帶附著工藝(S23)和環(huán)氧樹脂流出防止工藝(S24)。在本示例性實施例中省略了另外的切斷工藝。根據(jù)本示例性實施例的引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法包括在環(huán)氧樹脂流出防止工藝之后的使最終的引線框架產(chǎn)品回到卷(從卷到卷的方式)的工藝，而不執(zhí)行切斷工藝。圖6是示出根據(jù)又一示例性實施例的引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法的流程圖。參照圖6，根據(jù)本 示例性實施例的引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法包括使用導(dǎo)電原料的卷的成形工藝(S31)、切斷工藝(S32)、預(yù)鍍工藝(S33)、條型帶附著工藝(S34)和環(huán)氧樹脂流出防止工藝(S35)。在下文中，將描述與前面的示例性實施例不同的配置。根據(jù)依照本示例性實施例的引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法，與前面的示例性實施例不同，在執(zhí)行于濕環(huán)境下執(zhí)行的預(yù)鍍工藝之前，在干環(huán)境下切割成形的導(dǎo)電原料的卷，從而制造具有條形形狀的引線框架。因此，以單獨的條帶貼附方法執(zhí)行帶附著工藝。之后，執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝，制造出作為條型引線框架(條型)的最終產(chǎn)品。根據(jù)本實施例的方法，在干-濕-干環(huán)境下執(zhí)行引線框架的制造，從而增加了工藝的數(shù)量和制造成本。然而，當(dāng)在帶附著工藝之后在相同的干環(huán)境下執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝時，可以獲得與前面的實施例的效果相同的效果。實驗例根據(jù)第一示例性實施例的環(huán)氧樹脂流出防止方法，在QFN材料的最上面的表面鍍有金-鈀合金且應(yīng)用有表面粗糙度的QFN材料上附著背面帶(A-T5，Tomoegawa，Inc.)，并通過在干環(huán)境下使用超聲噴射模塊來施加環(huán)氧樹脂流出防止劑(在主鏈部分具有12個或更多的碳原子的硫醇以0.3重量％被包含在異丙醇溶劑中所得的溶液)。之后，將低應(yīng)力環(huán)氧樹脂(Ag環(huán)氧樹脂)材料(Ablebond8200T，Ablestick Inc)點在芯片安裝表面上，然后測量環(huán)氧樹脂流出程度和對背面帶的附著力。如圖7中所示，通過測量環(huán)氧樹脂流出部的垂直長度d來評價環(huán)氧樹脂流出程度，并且如圖8中所示，通過分離測試評價粘合力。結(jié)果是，環(huán)氧樹脂流出程度是大約5 y m，這顯示出優(yōu)異的環(huán)氧樹脂流出防止效果，且?guī)д澈狭κ谴蠹s0.3gf/cm或更大,這顯示出優(yōu)異的粘合力。
根據(jù)測量結(jié)果，示例性實施例的方法可以提供具有優(yōu)異的環(huán)氧樹脂流出防止功能和優(yōu)異的帶粘合力的引線框架，而根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在濕環(huán)境下執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝時難以執(zhí)行帶附著工藝。根據(jù)一個或更多的示例性實施例，當(dāng)制造包括帶附著操作的引線框架時，在帶附著工藝之后執(zhí)行環(huán)氧樹脂流出防止工藝，因此，可以保持環(huán)氧樹脂流出防止功能，并且同時，可以防止因執(zhí)行鍍覆工藝的濕環(huán)境而引起的帶粘合力降低。此外，在干環(huán)境下僅在附著半導(dǎo)體芯片的裸片置盤上噴射環(huán)氧樹脂流出防止劑，從而防止帶粘合力的降低并降低制造成本。雖然已經(jīng)參照本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例具體地示出并描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的由權(quán)利要求書限定的精神和范圍的情況下，在此可做出形式和細(xì)節(jié) 上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種環(huán)氧樹脂流出防止方法，所述環(huán)氧樹脂流出防止方法包括下述步驟: 提供通過成形工藝、預(yù)鍍工藝和帶附著工藝制造的引線框架，其中，成形工藝通過使用導(dǎo)電原料形成裸片置盤和多個引線，預(yù)鍍工藝是對成形的導(dǎo)電原料執(zhí)行的預(yù)鍍工藝；以及 在帶附著工藝之后，執(zhí)行流出防止工藝，流出防止工藝防止施加在裸片置盤上的裸片接合環(huán)氧類樹脂的環(huán)氧樹脂流出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，預(yù)鍍工藝包括應(yīng)用表面粗糙度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，帶附著工藝中使用的帶包括固定多個引線的引線鎖帶或者防止模塑體溢出的背面帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，裸片接合環(huán)氧類樹脂包括減小應(yīng)力、彈性或粘度的組分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，執(zhí)行流出防止工藝的步驟包括在干環(huán)境下僅在裸片置盤上施加液態(tài)型流出防止劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，所述干環(huán)境與執(zhí)行帶附著工藝的環(huán)境相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，干式噴射模塊噴射液態(tài)型流出防止劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，干式噴射模塊包括超聲噴射模塊。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，液態(tài)型流出防止劑包括水或有機溶劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，有機溶劑包括從由甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮和甲乙酮組成的組中選擇的至少一種溶劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，對裸片置盤的一個表面應(yīng)用執(zhí)行流出防止工藝的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，所述環(huán)氧樹脂流出防止方法還包括:在帶附著工藝與執(zhí)行流出防止工藝的步驟之間，使用大氣壓等離子體放電執(zhí)行表面處理工藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，導(dǎo)電原料包括卷型導(dǎo)電原料，帶附著工藝中使用的帶包括連續(xù)式卷型帶，所述環(huán)氧樹脂流出防止方法還包括執(zhí)行切斷工藝，切斷工藝將執(zhí)行了流出防止工藝的卷型引線框架切割成引線框架條。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，在干環(huán)境下執(zhí)行切斷工藝、帶附著工藝和流出防止工藝。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，導(dǎo)電原料是成卷的，所述環(huán)氧樹脂流出防止方法還包括在成形工藝與預(yù)鍍工藝之間執(zhí)行將卷型的引線框架切割成引線框架條的切斷工藝， 其中，以單獨的條帶貼附方法執(zhí)行帶附著工藝。
16.一種通過執(zhí)行根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法制造的引線框架。
17.一種用于引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法，所述引線框架包括裸片置盤和多個引線，所述環(huán)氧樹脂流出防止方法包括下述步驟: 將帶附著到引線框架；以及 在將帶附著到引線框架之后，執(zhí)行流出防止工藝，流出防止工藝防止施加在裸片置盤上的裸片接合環(huán)氧類樹脂的環(huán)氧樹脂流出。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，執(zhí)行流出防止工藝的步驟包括在干環(huán)境下僅在裸片置盤上施加流出防止劑。
19.一種用于引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法，所述引線框架包括裸片置盤和多個引線，所述環(huán)氧樹脂流出防止方法包括下述步驟: 提供導(dǎo)電原料； 使用導(dǎo)電原料成形出包括裸片置盤和多個引線的引線框架； 執(zhí)行預(yù)鍍工藝； 將帶附著到引線框架上； 執(zhí)行流出防止工藝；以及 將引線框架切割成條型引線框架， 其中，在相同的條件下執(zhí)行將帶附著到引線框架上的步驟、執(zhí)行流出防止工藝的步驟以及將引線框架切割成條型引線框架的步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的環(huán)氧樹脂流出防止方法，其中，在將帶附著到引線框架上之后進(jìn)行執(zhí)行流出防止工藝的步驟， 其中，在干條件下執(zhí)行將帶附著到引線框架上的步驟、執(zhí)行流出防止工藝的步驟以及將引線框架切割成 條型引線框架的步驟。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種引線框架的環(huán)氧樹脂流出防止方法及用其制造的引線框架，該方法包括提供通過成形工藝、預(yù)鍍工藝和帶附著工藝制造的引線框架，其中，成形工藝通過使用導(dǎo)電原料形成裸片置盤和多個引線，預(yù)鍍工藝是對成形的導(dǎo)電原料執(zhí)行的預(yù)鍍工藝；以及在帶附著工藝之后，執(zhí)行流出防止工藝，流出防止工藝防止施加在裸片置盤上的裸片接合環(huán)氧類樹脂的環(huán)氧樹脂流出。
文檔編號H01L23/495GK103247539SQ20131004491
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月3日
發(fā)明者樸相烈 申請人:三星泰科威株式會社