專利名稱：發(fā)光二極管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的制造方法，特別是涉及利用犧牲層轉(zhuǎn)換發(fā)光二極管的基板的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管的外延薄膜通常是成長于GaAs基板上。由于GaAs基板會吸光，為了改善發(fā)光效率，已知的作法會在外延薄膜成長后，將合適的基板與外延薄膜的另一面貼合。之后，再用蝕刻方式將GaAs基板溶解。然而，溶解可再被利用的GaAs基板是相當(dāng)浪費的作法，而且溶解后所殘留的As很容易造成環(huán)境的污染。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供可使成長基板保留而重復(fù)使用的發(fā)光二極管制作方法。于實施例，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序形成犧牲層及外延層于成長基板上；形成多個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；形成支撐層于外延層上，支撐層具有一或數(shù)個支撐層開口穿透支撐層而連通一或數(shù)個外延層開口 ；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。于另一實施例，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的形成方法，包含提供成長基板，具有一或數(shù)個基板開口穿透成長基板；形成犧牲層于成長基板上；形成外延層于犧牲層上，外延層具有一或數(shù)個外延層開口穿透外延層；提供承接基板與外延層相接；以及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。于更另一實施例，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序成長犧牲層及外延層于成長基板上；提供支撐基板，支撐基板具有正面及背面，背面形成一或數(shù)個凹槽；將支撐基板的背面接合于外延層；從正面移除支撐基板的一部分以暴露至少一凹槽，并形成一或數(shù)個支撐基板開口穿透該支撐基板；以支撐基板為掩模，蝕刻外延層以形成一或數(shù)個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。于再另一實施例，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序成長犧牲層及外延層于成長基板上；提供支撐基板并使支撐基板與暫時基板接合；形成一或數(shù)個支撐基板開口穿透支撐基板；將支撐基板接合于外延層；移除暫時基板；以支撐基板為掩模，蝕刻外延層以形成一或數(shù)個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。于再更另一實施例，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序成長犧牲層及外延層于成長基板上；提供支撐基板；形成一或數(shù)個支撐基板開口穿透支撐基板；將支撐基板接合于外延層；以支撐基板為掩模，蝕刻該外延層以形成一或數(shù)個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。本發(fā)明尚包含其他方面以解決其他問題并合并上述的各方面詳細(xì)披露于以下實施方式中。


圖1A及1A’至圖1E及1E’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管190制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。
圖2A及2A’至圖2D及2D’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管290制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。圖3A及3A’至圖3F及3F’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例發(fā)光二極管390制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。圖4A及4A’至圖4E及4E’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例發(fā)光二極管490制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。圖5A及5A’至圖5E及5E’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例發(fā)光二極管590制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖。附圖標(biāo)記說明100, 200, 300, 400, 500成長基板201基板開口202成長基板部分120，220，320，420，520犧牲層221犧牲層開口222犧牲層部分140, 240, 340, 440, 540外延層190, 290, 390, 490發(fā)光二極管141，141a, 141b, 141c, 241，341，441，541 外延層開口142，142a, 142b, 142c, 242，342，442，542 外延層部分150支撐層151支撐層開口152支撐層部分160, 260承接基板350, 450, 550支撐基板352，452，552支撐基板部分350a, 450a正面350b, 450b背面351,451,551槽，支撐基板開口470暫時基板
具體實施方式
以下將參考附圖示范本發(fā)明的優(yōu)選實施例。附圖中相似元件采用相同的元件符號。應(yīng)注意為清楚呈現(xiàn)本發(fā)明，附圖中的各元件并非按照實物的比例繪制，而且為避免模糊本發(fā)明的內(nèi)容，以下說明亦省略已知的零組件、相關(guān)材料、及其相關(guān)處理技術(shù)。圖1A及1A’至圖1E及1E’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管190制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖，其中圖1A’至圖1E’為俯視圖，圖1A至圖1E為沿圖1A’至圖1E’的線1-1’的剖面圖。首先，參考圖1A及1A’，提供成長基板100，依序成長犧牲層120及外延層140于成長基板100上。成長基板100的組成元素可包含氮、鋁、鎵、砷、鋅、硅、氧中至少其一，例如:n-型GaAs。外延層140為多層結(jié)構(gòu)，其組成元素可包含氮、鋁、鎵、銦、砷、磷、硅、氧中至少其一，且各層所含元素不以相同為必要，例如:其可依序包含η-型GaAs下接觸層、η-型AlxGa1^xAs下包覆層、AlyGa1^yAs活性層、P-型AlzGa1=As上包覆層及P-型GaAs上接觸層，x，y及ζ分別介于O與I之間。外延層140的厚度可在I至100 μ m之間，但不此為限。于本實施例中，犧牲層120與外延層140皆以外延方式形成。犧牲層120的組成元素可包含鋁、砷中至少其一，例如:AlAs，此材料可使蝕刻劑，相對于成長基板100、外延層140及后續(xù)將形成的支撐層，選擇性地將犧牲層120侵蝕者。犧牲層120厚度優(yōu)選在3000 A與5000 A之間。此外，成長基板100的電性亦可為P-型，使用者當(dāng)可依其需要任意組合搭配。參考圖1B及1B’，圖案化外延層140以形成一或數(shù)個外延層開口 141穿透外延層140而露出底下的犧牲層120。形成多個外延層開口 141可有多個目的，譬如可以用來進(jìn)行每個發(fā)光二極管芯片的定位、或可作讓蝕刻劑接觸犧牲層120的孔洞。本發(fā)明于其他實施例所制作的開口或凹槽，不限于外延層，亦可基于如上所述的目的?？墒褂命S光蝕刻技術(shù)完成此步驟。多個外延層開口 141的位置可如圖1B所示陣列式地排列、或隨機(jī)地分布在外延層140的表面。外延層開口 141的形狀可為圓形、矩形、多邊形、或其他合適形狀，其大小則依實作需求而定。于實施例中，圖案化后，外延層開口 141四周的外延層142(即圖案化后剩余的外延層140)仍相互連接。舉例而言 ，圖1B’顯示環(huán)繞開口 141a的外延層部分142a ；環(huán)繞開口 141b的外延層部分142b ;環(huán)繞開口 141c的外延層部分142c。如圖所示，外延層部分142a、142b及142c —體地相互連接。換言之，圖案化后剩余的外延層142呈現(xiàn)連續(xù)結(jié)構(gòu)，即其不會因為多個外延層開口 141的形成而有分立不相連的島狀部分。此外，應(yīng)注意實施例中雖例示穿透外延層140的外延層開口 141,然于其他實施例中外延層開口 141亦可部分或完全穿過犧牲層120。詳言之，在另一實施例，除形成外延層開口 141，也于犧牲層120上形成犧牲層凹槽(未顯示)以對應(yīng)至少一外延層開口 141 ;又于再一實施例，除形成外延層開口 141，也形成貫穿犧牲層120并對應(yīng)至少一外延層開口 141的犧牲層開口(未顯示)。參考圖1C及1C’，形成支撐層150于具多個外延層開口 141的外延層140上。支撐層150具有多個支撐層開口 151穿透支撐層150而連通相對應(yīng)的外延層開口 141。換言之，支撐層150形成在外延層140上表面外延層開口 141以外的區(qū)域。于實施例中，支撐層150具有與圖案化后的外延層140相同的圖案，故承上所述應(yīng)可明了所有環(huán)繞多個支撐層開口 151的支撐層152皆相互連接。然而，在另一實施例中，支撐層150具有與圖案化后的外延層140不相同的圖案，換言之，外延層開口 141與支撐層開口 151的排列方式、開口圖案、或數(shù)量中至少其一并不相同。支撐層150主要用來取代成長基板100以支撐外延層140，如此成長基板100才能于后續(xù)步驟中移除。沒有支撐層150的外延層140由于厚度太薄將很難操作。在此實施例中，支撐層150可為光致抗蝕劑、金屬、或電鍍金屬，其厚度在50μπι至300 μ m之間，然不以此為限。參考圖1C及1C’，支撐層150形成之后，選擇性蝕刻犧牲層120而使成長基板100脫離外延層140。詳言之，可使用相對于成長基板100、外延層140及支撐層150，選擇性侵蝕犧牲層120的蝕刻劑，使其流過外延層開口 140與支撐層開口 150進(jìn)而逐漸移除犧牲層120，進(jìn)而使成長基板100脫離外延層140，然而，犧牲層120并不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸的體積或面積削減至足以使成長基板100脫離外延層140即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻劑進(jìn)行選擇性濕蝕刻。然本發(fā)明不排除其他合適的濕蝕刻或干蝕刻。圖1D及1D’為犧牲層120移除及成長基板100脫離后的結(jié)構(gòu)示意圖。應(yīng)注意此結(jié)構(gòu)中，外延層140與支撐層150上下接合；外延層開口 141四周的外延層142相互連接；且支撐層開口 151四周的支撐層152相互連接。由于此結(jié)構(gòu)完全或幾乎不含分立不相連的島狀部分，因此，只要支撐層150的厚度足夠，即可以此操作外延薄膜進(jìn)行后續(xù)各工藝步驟。圖1E及1E’顯示此實施例的選擇性(optional)步驟，即提供承接基板160并使其與圖1D及1D’的支撐層150接合。此步驟可有多個目的，譬如可加強(qiáng)支撐層150的功能。承接基板160的材料可為玻璃、金屬、半導(dǎo)體材料、塑膠、陶瓷、或其他合適材料，其厚度可視需要而定。圖2A及2A’至圖2D及2D’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例的發(fā)光二極管290制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖，其中圖2A’至圖2D’為俯視圖，圖2A至圖2D為沿圖2A’至圖2D’的線1-1’的剖面圖。相較于前述實施例，本實施例的主要特點在于成長基板具有開口，且使用承接基板而不用支撐層。與前述實施例名稱類似的元件，其使用材料也可類似；至于其厚度，除非特別說明否則也與前述實施例類似，文中不再贅述。如圖2A及2A’所示，提供成長基板200，并使成長基板200具有一或數(shù)個基板開口201穿透成長基板200，其中基板開口 201四周的成長基板202相互連接。換言之，如上述，基板開口 201形成后剩余成長基板部分202呈現(xiàn)整體結(jié)構(gòu)，其不會因為多個基板開口 201的形成而有分立不相連的島狀部分?？捎脵C(jī)械加工、激光、干蝕刻、濕蝕刻形成多個基板開Π 201。然后，如圖2B及2B’所示，成長犧牲層220于成長基板200上，其中犧牲層220具有多個犧牲層開口 221穿透犧牲層220而連通基板開口 201，犧牲層開口 221四周的犧牲層部分222相互連接。犧牲層220可以外延形成。然后，同樣參考圖2B及2B’，形成外延層240于犧牲層220上，其中外延層240具有多個外延層開口 241穿透外延層240而連通犧牲層開口 221，外延層開口 241四周的外延層部分242皆一體成型地相互連接。犧牲層220可以外延形成。外延層240同樣可外延形成。然后，如圖2C及2C’所示，提供承接基板260與圖2B及2B’所形成的結(jié)構(gòu)的外延層240相接。承接基板260的材料可為玻璃、金屬、半導(dǎo)體材料、塑膠、陶瓷、或其他合適材料。此實施例欲以承接基板260取代成長基板200。然后，參考圖2C及2C’，承接基板260與外延層240相接之后，選擇性蝕刻犧牲層220而使成長基板200脫離外延層240。詳言之，可使用相對于成長基板200、外延層240及承接基板260，選擇性侵蝕犧牲層220的蝕刻齊U，使其經(jīng)由基板開口 201及犧牲層開口 221接觸犧牲層220而將其移除，進(jìn)而使成長基板200脫離外延層240，然而，犧牲層220并不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸的體積或面積削減至足以使成長基板200脫離外延層240即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進(jìn)行選擇性濕蝕刻。然本發(fā)明不排除其他合適的濕蝕刻或干蝕刻。圖2D及2D’為犧牲層220移除及成長基板200脫離后的結(jié)構(gòu)示意圖。應(yīng)注意此結(jié)構(gòu)中只有外延層240與承接基板260上下接合。因此，應(yīng)可了解只要承接基板260的厚度足夠，即可以此操作外延薄膜進(jìn)行后續(xù)各工藝步驟。圖3A及3A’至圖3F及3F’為依據(jù)本發(fā)明第三實施例顯示發(fā)光二極管390制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖，其中圖3A’至圖3F’為俯視圖，圖3A至圖3F為沿圖3A’至圖3F’的線1-1’的剖面圖。相較于圖1的說明，本實施例的主要特點在于提供圖案化支撐基板，并以其作為掩模，圖案化外延層以使?fàn)奚鼘勇冻龊笤龠M(jìn)行蝕刻。本實施例與前述實施例名稱類似的元件，其使用材料也可類似；至于其厚度，除非特別說明否則也與第一實施例類似，文中不再贅述。如圖3A及3A’所示，提供成長基板300，依序成長犧牲層320及外延層340于成長基板300。另一方面，參考圖3B及3B’，提供支撐基板350，具有正面350a及背面350b。支撐基板350具有足夠予以操作的厚度，其材料可為S1、Al2O3、金屬、半導(dǎo)體材料、塑膠、陶瓷中至少其一。形成一或數(shù)個凹槽351于背面350b上，例如激光、干蝕刻或濕蝕刻。注意，在此時點，凹槽351沒有穿透支撐基板350。參考圖3C及3C’，將支撐基板350的背面350b接合于外延層340，以使凹槽351面向外延層340。接著，從正面350a移除一部分的支撐基板350 (如圖3C的虛線以上部分)，以使凹槽351露出。換言之，移除后凹槽351已露出支撐基板350，故亦可稱為開口 351。移除方法可用蝕刻、研磨或其他合適方式。圖3D及3D’顯示移除一部分的支撐基板350以使凹槽(開口)351露出的結(jié)構(gòu)。于此結(jié)構(gòu)，凹槽351四周的支撐基板部分352相互連接。然后，以支撐基板350為掩模，蝕刻外延層340以形成外延層開口 341穿透外延層340而露出犧牲層320。圖3E及3E’顯示蝕刻外延層340后所形成的結(jié)構(gòu)，其中外延層開口 341四周的外延層部分342皆一體成型地相互連接。參考圖3E及3E’，選擇性蝕刻犧牲層320而使成長基板300脫離外延層340。詳言之，可使用相對于成長基板300、外延層340及支撐基板350，選擇性侵蝕犧牲層320的蝕亥IJ劑，使其經(jīng)由支撐基板凹槽(開口)351及外延層開口 341接觸犧牲層320而將其移除，進(jìn)而使成長基板300脫離外延層340，然而，犧牲層320并不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸的體積或面積削減至足以使成長基板300脫離外延層340即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進(jìn)行選擇性濕蝕刻。然本發(fā)明不排除其他合適的濕蝕刻或干蝕刻。圖3F及3F’為犧牲層320移除及成長基板300脫離后的結(jié)構(gòu)示意圖。應(yīng)注意此結(jié)構(gòu)中只有外延層340與支撐基板350上下接合。此結(jié)構(gòu)完全或幾乎不含分立不相連的島狀部分。因此，應(yīng)可了解只要支撐基板350的厚度足夠，即可以此操作外延薄膜進(jìn)行后續(xù)各工藝步驟。圖4A及4A，至圖4E及4E’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例發(fā)光二極管490制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖，其中圖4A’至圖4E’為俯視圖，圖4A至圖4E為沿圖4A’至圖4E’的線1-1’的剖面圖。相較于圖3的說明，本實施例的主要特點在于支撐基板先形成于暫時基板上再圖案化；且圖案化支撐基板具有穿透支撐基板的開口。本實施例與前述實施例名稱類似的元件，其使用材料也類似；至于其厚度，除非特別說明否則也與前述實施例類似，文中不再贅述。如圖4A及4A’所示，提供成長基板400，依序外延成長犧牲層420及外延層440于成長基板400上。另一方面，如圖4B及4B’所示，提供暫時基板470并選擇支撐基板450使其與暫時基板470接合。暫時基板470的材料可為玻璃、金屬、半導(dǎo)體材料、塑膠、陶瓷、或其他合適材料中至少其一。然后，圖案化支撐基板450使其具有一或多個支撐基板開口451穿透支撐基板450，其中支撐基板開口 451四周的支撐基板部分452相互連接。圖案化支撐基板450可用激光、干蝕刻、濕蝕刻或切割。支撐基板450與暫時基板470接合的面稱為正面450a，相對正面450a的面為背面450b。然后，如圖4C及4C’所示，將支撐基板450的背面450b與外延層440接合。接著，將暫時基板470移除，使支撐基板開口 451露出于正面450a。然后，以支撐基板450為掩模，蝕刻外延層440以形成一或數(shù)個外延層開口 441穿透外延層440而露出犧牲層420。蝕刻后的外延層440具有與圖案化的支撐基板450相同或相異的圖案亦即可通過選擇掩模被蝕刻的區(qū)域以形成外延層440上的蝕刻圖案。蝕刻外延層440后的結(jié)構(gòu)如圖4D及4D’所示。參考圖4D及4D’，選擇性蝕刻犧牲層420而使成長基板400脫離外延層440。詳言之，可使用相對于成長基板400、外延層440及支撐基板450，選擇性侵蝕犧牲層420的蝕亥IJ劑，使其經(jīng)由多個支撐基板開口 451及外延層開口 441接觸犧牲層420而將其移除，進(jìn)而使成長基板400脫離外延層440，然而，犧牲層420并不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸的體積或面積削減至足以使成長基板400脫離外延層440即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進(jìn)行選擇性濕蝕刻。然本發(fā)明不排除其他合適的濕蝕刻或干蝕刻。圖4E及4E’為犧牲層420移除及成長基板400脫離后的結(jié)構(gòu)示意圖。應(yīng)注意此結(jié)構(gòu)中只有外延層440與支撐基板450上下接合。此結(jié)構(gòu)完全或幾乎不含分立不相連的島狀部分。因此，應(yīng)可了解只要支撐基板450的厚度足夠，即可以此操作外延薄膜進(jìn)行后續(xù)各工藝步驟。圖5A及5A’至圖5E及5E’顯示依據(jù)本發(fā)明實施例發(fā)光二極管590制作過程中各步驟的剖面圖與俯視圖，其中圖5A’至圖5E’為俯視圖，圖5A至圖5E為沿圖5A’至圖5E’的線1-1’的剖面圖。相較于前述實施例，本實施例的主要特點在于沒有使用暫時基板。本實施例與前述實施例名稱類似的元件，其使用材料也類似；至于其厚度，除非特別說明否則也與前述實施例類似，文中不再贅述。如圖5A及5A’所不,提供成長基板500,依序外延成長犧牲層520及外延層540于成長基板500上。另一方面，如圖5B及5B’所示，提供支撐基板550。支撐基板550需有足夠的厚度以便于操作。然后，圖案化支撐基板550使其具有一或數(shù)個支撐基板開口 551穿透支撐基板550，其中支撐基板開口 551四周的支撐基板部分552皆相互連接。圖案化支撐基板550可用激光、干蝕刻或濕蝕刻。然后，如圖5C及5C’所示，將支撐基板550與外延層540接合。接著，以支撐基板550為掩模，蝕刻外延層540以形成一或數(shù)個外延層開口 541穿透外延層540而露出犧牲層520。蝕刻后的外延層540具有與圖案化的支撐基板550相同或相異的圖案亦即可通過選擇掩模被蝕刻的區(qū)域以形成外延層540上的蝕刻圖案。蝕刻外延層540后的結(jié)構(gòu)如圖及所示。參考圖及，選擇性蝕刻犧牲層520而使成長基板500脫離外延層540。詳言之，可使用相對于成長基板500、外延層540及支撐基板550，選擇性侵蝕犧牲層520的蝕亥IJ劑，使其經(jīng)由多個支撐基板開口 551及外延層開口 541接觸犧牲層520而將其移除，進(jìn)而使成長基板500脫離外延層540，然而，犧牲層520并不以完全被去除為必要，只要其與上下層相接觸的體積或面積削減至足以使成長基板500脫離外延層540即可。在此實施例中使用檸檬酸為蝕刻液進(jìn)行選擇性濕蝕刻。然本發(fā)明不排除其他合適的濕蝕刻或干蝕刻。圖5E及5E’為犧牲層520移除及成長基板500脫離后的結(jié)構(gòu)示意圖。應(yīng)注意此結(jié)構(gòu)中只有外延層540與支撐基板550上下接合。此結(jié)構(gòu)完全或幾乎不含分立不相連的島狀部分。因此，應(yīng)可了解只要支撐基板550的厚度足夠，即可以此操作外延薄膜進(jìn)行后續(xù)各工藝步驟。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求；凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等同改變或修飾，均應(yīng)包含在權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管的形成方法，包含: 提供成長基板，具有一或數(shù)個基板開口穿透該成長基板； 形成犧牲層于該成長基板上； 形成外延層于該犧牲層上； 提供承接基板與該外延層相接；以及 選擇性蝕刻該犧牲層而使該成長基板脫離該外延層。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中該一或數(shù)個基板開口四周的成長基板相互連接。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中形成該犧牲層的該步驟包含使該犧牲層具有一或數(shù)個犧牲層開口穿透該犧牲層而連通該一或數(shù)個基板開口。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中該犧牲層開口四周的犧牲層相互連接。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中選擇性蝕刻該犧牲層的該步驟包含使蝕刻劑經(jīng)由該一或數(shù)個基板開口與該一或數(shù)個犧牲層開口接觸該犧牲層。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中該成長基板包含氮、鋁、鎵、砷、鋅、硅、氧中至少其一；該犧牲層包含鋁、砷中至少其一；該承接基板包含玻璃、金屬、半導(dǎo)體材料、塑膠、陶瓷中至少其一；且該蝕刻劑包含檸檬酸。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的形成方法，更包含移除部分外延層。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中該外延層被移除的部分與該一或數(shù)個犧牲層開口相接。
9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中移除部分外延層的步驟使得該犧牲層露出。
10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的形成方法，其中移除部分外延層的步驟包含形成陣列式排列、或隨機(jī)分布的開口。
全文摘要
一種發(fā)光二極管的形成方法，包含提供成長基板，依序形成犧牲層及外延層于成長基板上；形成一或數(shù)個外延層開口穿透外延層而露出犧牲層；形成支撐層于外延層上，支撐層具有一或數(shù)個支撐層開口穿透支撐層而連通多個外延層開口；及選擇性蝕刻犧牲層而使成長基板脫離外延層。
文檔編號H01L33/00GK103199160SQ20131005489
公開日2013年7月10日 申請日期2010年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月13日
發(fā)明者陳怡名, 徐子杰, 陳吉興, 王心盈 申請人:晶元光電股份有限公司