技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件，包括晶體管，所述晶體管包括是至少二元材料的溝道材料以及包含三元鎳化物材料的源極/漏極區(qū)，其中，所述晶體管包括柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述溝道材料的表面的上方，并且所述柵極結(jié)構(gòu)具有柵電極和柵極電介質(zhì)，并且間隔件設(shè)置在所述柵電極和所述源極/漏極區(qū)之間，所述間隔件包括由第一材料形成的上部和由不同的材料形成的下部，并且所述三元鎳化物材料設(shè)置在所述表面的下方并且還部分設(shè)置在所述表面上方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管是NMOS晶體管并且所述溝道材料是InxGa(1-x)As，其中x>0.7。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述三元鎳化物材料包含NiInAs。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管包括PMOS晶體管；以及所述溝道材料是InyGa(1-y)Sb，其中0<y<1。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述三元鎳化物材料包含NiInAs。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括另一晶體管，所述另一晶體管是NMOS晶體管，在所述NMOS晶體管中，所述溝道材料包含InxGa(1-x)As，其中x>0.7，以及所述三元鎳化物材料包含NiInAs。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述溝道材料設(shè)置在隔離層的上方，所述隔離層設(shè)置在III-V族緩沖層的上方，所述隔離層包含CdTeSe、ZnSeTe、MgSeTe、AlAsSb、InAlAs和掩埋介電層中的一種。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述三元鎳化物材料包含NiInAs、NiInSb和NiInB中的一種。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述晶體管包括NMOS晶體管，所述溝道材料是InxGa(1-x)As，其中x>0.7，所述晶體管包括鄰近所述柵極結(jié)構(gòu)橫向設(shè)置的相對(duì)的所述間隔件，并且其中，所述三元鎳化物材料在所述間隔件下方延伸。10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：在襯底上方形成溝道材料，所述溝道材料包含至少二元材料；在柵極區(qū)中的所述溝道材料的表面的上方形成晶體管柵極結(jié)構(gòu)，所述晶體管柵極結(jié)構(gòu)包括電介質(zhì)和設(shè)置在所述電介質(zhì)上方的柵電極；至少在鄰近所述晶體管柵極結(jié)構(gòu)且未被所述晶體管柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的源極/漏極區(qū)中的所述溝道材料上方沉積鎳層；以及進(jìn)行退火從而在所述源極/漏極區(qū)中形成鎳化物，其中，間隔件設(shè)置在所述柵電極和所述源極/漏極區(qū)之間，所述間隔件包括由第一材料形成的上部和由不同的材料形成的下部，并且所述鎳化物材料設(shè)置在所述表面的下方并且還部分設(shè)置在所述表面上方。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述溝道材料包含二元材料，以及所述鎳化物包含由來自所述鎳層的鎳和所述溝道材料的組分組成的三元材料。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在所述沉積鎳層之前，在鄰近所述柵極結(jié)構(gòu)的源極/漏極區(qū)中的所述溝道材料的上方形成二元源極/漏極材料，并且其中，所述鎳化物包含由來自所述鎳層的鎳和所述二元源極/漏極材料的組分組成的三元材料。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述溝道材料包含三元材料，所述二元源極/漏極材料包含InAs，以及所述鎳化物包含NiInAs。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述溝道材料包含InyGa(1-y)Sb，其中0<y<1，以及所述晶體管是PMOS晶體管。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述二元源極/漏極材料包含InAs，以及所述鎳化物包含NiInAs。16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述溝道材料包含InxGa(1-x)As，其中x>0.7，并且其中，所述晶體管是NMOS晶體管。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述二元源極/漏極材料包含InAs，以及所述鎳化物包含NiInAs。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述在襯底上方形成溝道材料包括在所述襯底上方形成的子結(jié)構(gòu)上方形成所述溝道材料，所述子結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在III-V族緩沖層上方的隔離層，所述隔離層是CdTeSe、ZnSeTe、MgSeTe、AlAsSb、掩埋介電層和InAlAs中的一種，并且所述方法還包括在所述形成源極/漏極材料之前使未被所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋的一部分所述溝道材料凹進(jìn)，以及在所述退火之后去除所述鎳層的未反應(yīng)部分。19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述溝道材料包含三元材料，以及所述鎳化物包含由來自所述鎳層的鎳和所述溝道材料的組分組成的四元材料。20.一種形成CMOS半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：在NMOS區(qū)中的襯底的上方形成NMOS溝道材料以及在PMOS區(qū)中的所述襯底上方形成PMOS溝道材料，所述NMOS溝道材料和所述PMOS溝道材料都是三元材料；在NMOS柵極區(qū)中的所述NMOS溝道材料的表面的上方形成NMOS晶體管柵極結(jié)構(gòu)以及在PMOS柵極區(qū)中的所述PMOS溝道材料的表面的上方形成PMOS晶體管柵極結(jié)構(gòu)，所述NMOS晶體管柵極結(jié)構(gòu)和所述PMOS晶體管柵極結(jié)構(gòu)均具有柵電極和柵極電介質(zhì)；在鄰近所述NMOS柵極結(jié)構(gòu)的NMOS源極/漏極區(qū)中的所述NMOS溝道材料上方以及在鄰近所述PMOS柵極結(jié)構(gòu)的PMOS源極/漏極區(qū)中的所述PMOS溝道材料上方形成二元源極/漏極材料；在所述PMOS區(qū)的上方以及在所述NMOS區(qū)的上方沉積鎳層；以及進(jìn)行退火以在所述NMOS源極/漏極區(qū)中以及在所述PMOS源極/漏極區(qū)中形成鎳化物材料，所述鎳化物材料包含由來自所述鎳層的鎳和所述二元源極/漏極材料的組分組成的三元材料，其中，間隔件設(shè)置在NMOS晶體管中的所述柵電極和所述NMOS源極/漏極區(qū)之間和PMOS晶體管中的所述柵電極和所述PMOS源極/漏極區(qū)之間，所述間隔件包括由第一材料形成的上部和由不同的材料形成的下部，并且所述鎳化物材料設(shè)置在所述NMOS溝道材料的表面的下方以及所述PMOS溝道材料的表面的下方并且還部分設(shè)置在所述NMOS溝道材料的表面的上方以及所述PMOS溝道材料的表面的上方。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，所述二元源極/漏極材料是lnAs，以及所述鎳化物材料是NiInAs。