一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。采用銅族金屬氧化物與鋁或貴金屬形成的混合物作為陽極材料，使用折射率高于1.8的光學(xué)玻璃作為基底，并且在玻璃基底背面制備與之相匹配的光取出層，光取出層對光具有良好的散射作用，可減少光從玻璃基底向空氣中出射時的全反射，使光能夠有效地出射到空氣中。本發(fā)明制備方法簡單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)是一種以有機材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003]有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為三明治結(jié)構(gòu)，在陰極和導(dǎo)電陽極之間夾有一層或多層有機薄膜。在含多層結(jié)構(gòu)的器件中，兩極內(nèi)側(cè)主要包括發(fā)光層、注入層及傳輸層。有機電致發(fā)光器件是載流子注入型發(fā)光器件，在陽極和陰極加上工作電壓后，空穴從陽極，電子從陰極分別注入到工作器件的有機 材料層中，兩種載流子在有機發(fā)光材料中形成空穴-電子對發(fā)光，然后光從電極發(fā)出。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以氧化銦錫透明導(dǎo)電薄膜(ITO)玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，光的出射會先經(jīng)過ITO導(dǎo)電材料的吸收反射，再進(jìn)行一次玻璃基底的吸收和反射，最后才能出射到空氣中，但是玻璃和ITO界面之間存在折射率差，會使光從ITO到達(dá)玻璃時發(fā)生全反射，造成出光的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有較高出光效率的有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的光取出層、玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述光取出層的材質(zhì)為折射率大于2.0的金屬氧化物；所述陽極的材質(zhì)為銅族金屬氧化物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)20-50%摻雜到鋁或貴金屬中形成的混合物。
[0007]在清潔的玻璃基底兩面分別設(shè)置光取出層和陽極。
[0008]優(yōu)選地，玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，且對波長為40(T700nm的可見光的透過率大于90%。
[0009]優(yōu)選地，玻璃基底選用的玻璃牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44。
[0010]該牌號為德國肖特牌號(SCH0TT)，其中，N-LAF36玻璃的國際玻璃碼是800424.443，N-LASF31A玻璃的國際玻璃碼是883408.551，N-LASF41玻璃的國際玻璃碼是835431.485，N-LASF44 玻璃的國際玻璃碼是 804465.444。
[0011]光取出層的材質(zhì)為折射率大于2.0的金屬氧化物，從玻璃透射出來的光能有效地抵達(dá)光取出層，而光取出層的材質(zhì)對光具有散射作用，且兩者間不存在光的全反射現(xiàn)象，可以將光散射到空氣中，提高出光效率。
[0012]優(yōu)選地，折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(VO2)。[0013]優(yōu)選地，光取出層的厚度為5(T200nm。
[0014]陽極材質(zhì)中，鋁或貴金屬為主體，銅族金屬氧化物為客體，其中，銅族金屬氧化物的質(zhì)量為鋁或貴金屬質(zhì)量的20-50%。
[0015]優(yōu)選地,貴金屬為銀(Ag)、鉬(Pt)或金(Au)。
[0016]銅族金屬氧化物為化學(xué)元素周期表中I B族元素的氧化物，I B族元素包括銅、銀和金。
[0017]優(yōu)選地，銅族金屬氧化物為氧化銅(CuO)、氧化銀(Ag2O)或氧化亞銅(Cu20)。
[0018]優(yōu)選地，陽極的厚度為5~20nm。
[0019]采用銅族金屬氧化物與鋁或貴金屬形成的混合物作為陽極的材質(zhì)，既可提高導(dǎo)電性，也提高空穴注入能力，同時，導(dǎo)電金屬單質(zhì)(鋁、銀、鉬或金)的晶格對光有一定的散射作用，使光能夠更有效地抵達(dá)玻璃基底。
[0020]本發(fā)明采用折射率高于1.8、且對波長為40(T700nm的可見光的透過率大于90%的光學(xué)玻璃作為基底，以折射率大于2.0的金屬氧化物為材質(zhì)在該玻璃基底背面制備光取出層，可以避免光的全反射現(xiàn)象，并且，本發(fā)明選用的折射率大于2.0的金屬氧化物對光具有良好的散射作用，減少光從玻璃基底向空氣中出射時的全反射，使光能夠有效地出射到空氣中，從而提高了發(fā)光器件的出光效率。
[0021 ] 在陽極上依次設(shè)置空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極。
[0022]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為Mo03。
[0023]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。
[0024]優(yōu)選地,空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N, N，- 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(冊8)。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC。
[0025]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0026]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi0
[0027]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5~40nm。更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為35nm。
[0028]電子傳輸層的材質(zhì)為具有較高的電子遷移率，能有效傳導(dǎo)電子的有機分子材料。
[0029]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0030]更優(yōu)選地，I，2，4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ。
[0031]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T250nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為200nm。
[0032]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀。
[0033]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為150nm。
[0034]第二方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:[0035]提供清潔的玻璃基底；
[0036]在所述玻璃基底的一面熱阻蒸鍍制備光取出層，再在另一面熱阻蒸鍍制備陽極，所述光取出層的材質(zhì)為折射率大于2.0的金屬氧化物，所述陽極的材質(zhì)為銅族金屬氧化物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)20-50%摻雜到鋁或貴金屬中形成的混合物，所述熱阻蒸鍍的條件為壓強5X10^2 X 10?, 3$^ I~IOnm/s ；
[0037]在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強5父10-5~2父10-^1，速度0.1~lnm/s ；
[0038]在所述電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備陰極所述熱阻蒸鍍條件為壓強5 X I(T5~2 X 10?,速度 I~IOnm/s。
[0039]通過對玻璃基底的清洗，除去玻璃基底表面的有機污染物。
[0040]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底依次用蒸餾水、乙醇沖洗，然后放在異丙醇中浸泡過夜，去除玻璃表面的有機污染物，得到清潔的玻璃基底。
[0041]優(yōu)選地，玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，且對波長為40(T700nm的可見光的透過率大于90%。
[0042]優(yōu)選地，玻璃基底選用的玻璃牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44。
[0043]該牌號為德國肖特牌號(SCH0TT)，其中，N-LAF36玻璃的國際玻璃碼是800424.443，N-LASF31A玻璃的國際玻璃碼是883408.551，N-LASF41玻璃的國際玻璃碼是835431.485，N-LASF44 玻璃的國際玻璃碼是 804465.444。
[0044]通過熱阻蒸鍍的方法，在清潔的玻璃基底兩面分別設(shè)置光取出層和陽極。其中，熱阻蒸鍍的條件為壓強5父10-5~2父10-^1，速度I~10nm/s。
[0045]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍光取出層和陽極的條件為壓強5X 10_4Pa，速度5ηπι/8。
[0046]光取出層的材質(zhì)為折射率大于2.0的金屬氧化物，從玻璃透射出來的光能有效地抵達(dá)光取出層，而光取出層的材質(zhì)對光具有散射作用，且兩者間不存在光的全反射現(xiàn)象，可以將光散射到空氣中，提高出光效率。
[0047]優(yōu)選地，折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(VO2)。
[0048]優(yōu)選地，光取出層的厚度為5(T200nm。
[0049]陽極材質(zhì)中，鋁或貴金屬為主體，銅族金屬氧化物為客體，其中，銅族金屬氧化物的質(zhì)量為鋁或貴金屬質(zhì)量的20-50%。
[0050]優(yōu)選地，貴金屬為銀(Ag) JS(Pt)或金(Au)。
[0051]銅族金屬氧化物為化學(xué)元素周期表中I B族元素的氧化物，I B族元素包括銅、銀和金。
[0052]優(yōu)選地，銅族金屬氧化物為氧化銅(CuO)、氧化銀(Ag2O)或氧化亞銅(Cu20)。
[0053]優(yōu)選地，陽極的厚度為5~20nm。
[0054]采用銅族金屬氧化物與鋁或貴金屬形成的混合物作為陽極的材質(zhì)，既可提高導(dǎo)電性，也提高空穴注 入能力，同時，導(dǎo)電金屬單質(zhì)(鋁、銀、鉬或金)的晶格對光有一定的散射作用，使光能夠更有效地抵達(dá)玻璃基底。
[0055]本發(fā)明采用折射率高于1.8、且對波長為40(T700nm的可見光的透過率大于90%的光學(xué)玻璃作為基底，以折射率大于2.0的金屬氧化物為材質(zhì)在該玻璃基底背面制備光取出層，可以避免光的全反射現(xiàn)象，并且，本發(fā)明選用的折射率大于2.0的金屬氧化物對光具有良好的散射作用，減少光從玻璃基底向空氣中出射時的全反射，使光能夠有效地出射到空氣中，從而提高了發(fā)光器件的出光效率。
[0056]在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，熱阻蒸鍍條件為壓強5X 10_5?2X 10_3Pa，速度0.1?lnm/s。
[0057]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層的條件為壓強5 X I(T4Pa,速度 0.4?0.5nm/s。
[0058]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為Mo03。
[0059]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm。更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為30nm。
[0060]優(yōu)選地,空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N, N，- 二苯基-N，N，- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯_4，4’-二胺(冊8)。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC。
[0061]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm。更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0062]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二( β -萘基)蒽(ADN)、4，4，-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)。更優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi0
[0063]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?40nm。更優(yōu)選地,發(fā)光層的厚度為35nm。
[0064]電子傳輸層的材質(zhì)為具有較高的電子遷移率、能有效傳導(dǎo)電子的有機分子材料。
[0065]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0066]更優(yōu)選地，1，2，4-三唑衍生物為3-(聯(lián)苯-4-基)-5_(4_叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)。更優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ。
[0067]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為4(T250nm。更優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為200nm。
[0068]在電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備陰極，熱阻蒸鍍條件為壓強5X10_5?2X10_3Pa，速度 I?10nm/s。
[0069]優(yōu)選地，熱阻蒸鍍陰極時的條件為壓強5X 10_4Pa，速度5nm/s。
[0070]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀(Ag)、鋁(Al) JS(Pt)或金(Au)。更優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為銀。
[0071]優(yōu)選地，陰極的厚度為8(T250nm。更優(yōu)選地，陰極的厚度為150nm。
[0072]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0073](I)本發(fā)明制備的有機電致發(fā)光器件采用銅族金屬氧化物與鋁或貴金屬形成的混合物作為陽極材料，同時提高了導(dǎo)電性以及空穴注入能力，使光能更有效地從陽極抵達(dá)玻
璃基底；
[0074](2)本發(fā)明通過使用折射率高于1.8的光學(xué)玻璃作為基底，并且在玻璃基底背面制備與之相匹配的光取出層，避免光的全反射現(xiàn)象，光取出層對光具有良好的散射作用，可減少光從玻璃基底向空氣中出射時的全反射，使光能夠有效地出射到空氣中，從而提高了有機電致發(fā)光器件的出光效率；[0075]( 3 )本發(fā)明制備方法簡單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0076]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0077]圖1是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0078]圖2是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件與現(xiàn)有有機電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。
【具體實施方式】
[0079]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0080]實施例1
[0081]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0082](I)將N-LASF 44玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0083](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強為5X10_4Pa的條件下，以4nm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍Ta2O5制備光取出層，厚度為150nm，在該玻璃基底的另一面熱阻蒸鍍AikCuO混合物制備陽極，厚度為10nm，其中AuiCuO混合物為將CuO按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%摻雜到Au中形成的混合物；
[0084](3)在壓強為5X 10_4Pa的條件下，以0.4nm/s的蒸鍍速率在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，以5nm/s的蒸鍍速率在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0085]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為30nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，厚度為35nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，厚度為200nm ;陰極的材質(zhì)為銀，厚度為150nm。
[0086]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:Ta205/N_LASF44玻璃 /Au: Cu0/Mo03/TAPC/BCzVBi/TAZ/Ag ?
[0087]利用美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，色度計(日本柯尼卡美能達(dá)公司，型號=CS-1OOA)測試亮度和色度，光纖光譜儀(美國海洋光學(xué)公司，型號:USB4000)測試電致發(fā)光光譜。
[0088]圖1是本實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的光取出層101、玻璃基底102、陽極103、空穴注入層104、空穴傳輸層105、發(fā)光層106、電子傳輸層107和陰極108。
[0089]圖2是本實施例的有機電致發(fā)光器件與現(xiàn)有發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。其中，曲線I為本實施例的有機電致發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖；曲線2為現(xiàn)有發(fā)光器件的電流密度與電流效率的關(guān)系圖。
[0090]從圖2中可以看到，在不同電流密度下，本實施例有機電致發(fā)光器件的電流效率都比現(xiàn)有發(fā)光器件的要大，最大的電流效率為11.7cd/A，而現(xiàn)有發(fā)光器件的僅為8.7cd/A,而且現(xiàn)有發(fā)光器件的電流效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，采用銅族金屬氧化物與鋁或貴金屬形成的混合物作為陽極材料，既可提高導(dǎo)電性，也提高空穴注入能力，同時，導(dǎo)電金屬單質(zhì)(鋁、銀、鉬或金)的晶格對光有一定的散射作用，使光能夠更有效地抵達(dá)玻璃基底，而使用折射率高于1.8的光學(xué)玻璃作為基底，并且在玻璃基底背面制備與之相匹配的光取出層，避免光的全反射現(xiàn)象，光取出層對光具有良好的散射作用，可減少光從玻璃基底向空氣中出射時的全反射，使光能夠有效地出射到空氣中，從而提高了有機電致發(fā)光器件的出光效率。
[0091]實施例2
[0092]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0093](I)將N-LAF36玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0094](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強為2X10_3Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍Nb2O5制備光取出層，厚度為200nm，在該玻璃基底的另一面熱阻蒸鍍Pt = Ag2O混合物制備陽極，厚度為5nm，其中PtiAg2O混合物為將Ag2O按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)50%摻雜到Pt中形成的混合物；
[0095](3)在壓強為2X 10_3Pa的條件下，以0.lnm/s的蒸鍍速率在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，以10nm/s的蒸鍍速率在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0096]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為40nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為45nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，厚度為65nm ;陰極的材質(zhì)為Pt,厚度為80nm。
[0097]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:Nb205/N_LAF36玻璃 /Pt: Ag20/W03/NPB/DCJTB/TAZ/Pt。
[0098]實施例3
[0099]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0100](I)將N-LASF41玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0101](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強為5X10_5Pa的條件下，以lOnm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍VO2制備光取出層，厚度為50nm，在該玻璃基底的另一面熱阻蒸鍍Ag = Cu2O混合物制備陽極，厚度為20nm，其中AgiCu2O混合物為將Cu2O按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)20%摻雜到Ag中形成的混合物；
[0102](3)在壓強為5X 10_5Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，以lnm/s的蒸鍍速率在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0103]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為V2O5，厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA,厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN,厚度為IOnm ；電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen,厚度為250nm ;陰極的材質(zhì)為Au,厚度為lOOnm。
[0104]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:V02/N-LASF41玻璃 /Ag:Cu20/V205/TCTA/ADN/Bphen/Au。
[0105]實施例4
[0106]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0107](I)將N-LASF31A玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0108](2)在高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)中，壓強為5X10_4Pa的條件下，以5nm/s的蒸鍍速率在清潔的玻璃基底的一面熱阻蒸鍍Ta2O5制備光取出層，厚度為lOOnm，在該玻璃基底的另一面熱阻蒸鍍Al = CuO混合物制備陽極，厚度為15nm，其中Al: CuO混合物為將CuO按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)40%摻雜到Al中形成的混合物；
[0109](3)壓強為5X 10_4Pa的條件下，以0.5nm/s的蒸鍍速率在陽極上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，以lnm/s的蒸鍍速率在電子傳輸層表面熱阻蒸鍍制備陰極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0110]具體地，在本實施例中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為80nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為20nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3,厚度為40nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為40nm ;陰極的材質(zhì)為Al,厚度為250nm。
[0111]以上步驟完成后，得到一種有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)具體表示為:Ta205/N_LASF31A玻璃 /Al: Cu0/Mo03/TAPC/Alq3/TPBi/Al。
[0112]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的光取出層、玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極；所述光取出層的材質(zhì)為折射率大于2.0的金屬氧化物；所述陽極的材質(zhì)為銅族金屬氧化物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)20-50%摻雜到鋁或貴金屬中形成的混合物。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銅族金屬氧化物為氧化銅、氧化銀或氧化亞銅，所述貴金屬為銀、鉬或金。
4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極厚度為5~20nm。
5.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對可見光的透過率大于90%。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底； 在所述玻璃基底的一面熱阻蒸鍍制備光取出層，再在另一面熱阻蒸鍍制備陽極，所述光取出層的材質(zhì)為折射率大于2.0的金屬氧化物，所述陽極的材質(zhì)為銅族金屬氧化物按照質(zhì)量分?jǐn)?shù)20-50%摻雜到鋁或貴金屬中形成的混合物，所述熱阻蒸鍍的條件為壓強5X10^2 X 10?, 3$^ I~IOnm/s ； 在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強5父10-5~2父10-^1，速度0.1~lnm/s ； 在所述電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備陰極，所述熱阻蒸鍍條件為壓強5 X I(T5~2 X 10?,速度 I~IOnm/s。
7.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。
8.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述銅族金屬氧化物為氧化銅、氧化銀或氧化亞銅，所述貴金屬為銀、鉬或金。
9.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陽極厚度為5~20nmo
10.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學(xué)玻璃，所述光學(xué)玻璃對波長為40(T700nm的可見光的透過率為90%以上。
【文檔編號】H01L51/56GK104009179SQ201310059720
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司