專利名稱：一種氧化物薄膜晶體管陣列基板及制作方法、顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種氧化物薄膜晶體管陣列基板及制作方法、顯不面板。
背景技術(shù)：
氧化物有源層,如銦鎵鋅氧化物IGZ0(indium gallium zinc oxide)作為有源層，載流子遷移率是非晶硅的20-30倍，可以大大提高薄膜晶體管對像素電極的充放電速率，提高像素的響應(yīng)速度，實(shí)現(xiàn)更快的刷新率，是用于新一代TFT-1XD(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示)技術(shù)中的溝道層材料?，F(xiàn)有技術(shù)中，氧化物薄膜晶體管Oxide TFT陣列基板的制作通常需要采用至少六次構(gòu)圖工藝，具體過程如下:1、通過第一次構(gòu)圖工藝形成柵極和柵線圖形；2、通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層和氧化物有源層圖形；3、通過第三次構(gòu)圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形；4、通過第四次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線、源極、漏極和TFT溝道圖形；5、通過第五次構(gòu)圖工藝形成鈍化層圖形；6、通過第六次構(gòu)圖工藝形成像素電極圖形。然而，每一次構(gòu)圖工藝都需要鍍膜、光刻、刻蝕和剝離等工藝，這使得Oxide TFT陣列基板的生產(chǎn)周期較長，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種Oxide TFT陣列基板及制作方法、顯示面板，能夠減少Oxide TFT的構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡化生產(chǎn)工藝，降低制作成本。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種Oxide TFT陣列基板的制作方法，該方法包括:通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形。其中，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形具體包括:在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用半色調(diào)掩膜版或灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述刻蝕阻擋層區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層圖形除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域以外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層圖形；利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層圖形；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述刻蝕阻擋層和氧化物有源層。可選的，在形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形之前，該方法還包括:通過一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵線和柵極圖形的同時(shí)，還包括通過該構(gòu)圖工藝形成與所述柵線交叉設(shè)置且在與柵線交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形；所述形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的構(gòu)圖工藝中，還包括通過該構(gòu)圖工藝在每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形上方形成至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔；在形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形之后，該方法還包括:通過構(gòu)圖工藝，在形成有包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的基板上，形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極的圖形；在與所述柵線交叉的方向上，所述每個(gè)連接電極通過兩兩相鄰的數(shù)據(jù)線連接過孔，將所述兩兩相鄰的斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形相連接，形成所述數(shù)據(jù)線的圖形；所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述漏極和所述像素電極相連。其中，通過一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵線和柵極圖形的同時(shí)，還包括通過該構(gòu)圖工藝形成與所述柵線交叉設(shè)置且在與柵線交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形具體包括:在所述基板上形成柵金屬層薄膜；在形成有所述柵金屬層薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)包括所述柵線和柵極圖形，以及所述數(shù)據(jù)線初始圖形，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬層薄膜；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以露出包括所述柵線和柵極圖形，以及所述數(shù)據(jù)線初始圖形?？蛇x的，所述形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的構(gòu)圖工藝中，還包括通過該構(gòu)圖工藝在每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形上方形成至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔具體包括:在形成有包括所述柵線、柵極和數(shù)據(jù)線初始圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域、第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述刻蝕阻擋層區(qū)域，所述第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層圖形除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述數(shù)據(jù)線連接過孔的區(qū)域；所述第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域、第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域以外的區(qū)域，所述第一厚度大于所述第二厚度；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線連接過孔圖形；利用灰化工藝去除掉所述第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；利用刻蝕工藝去除掉所述第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層圖形；利用灰化工藝去除掉所述第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；利用刻蝕工藝去除掉所述第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層圖形；剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠?？蛇x的，所述形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的構(gòu)圖工藝中，還包括通過該構(gòu)圖工藝在每段斷開數(shù)據(jù)線初始圖形上方形成至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔具體包括:在形成有包括所述柵線、柵極和數(shù)據(jù)線初始圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述數(shù)據(jù)線連接過孔的區(qū)域；所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域以外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線連接過孔圖形；利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層圖形；通過控制灰化工藝條件，保留所述刻蝕阻擋層區(qū)域的部分光刻膠，去除掉所述光刻膠完全保留區(qū)域除去所述刻蝕阻擋層區(qū)域外的光刻膠；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全保留區(qū)域除去刻蝕阻擋層區(qū)域外的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層圖形；剝離掉所述刻蝕阻擋層圖形區(qū)域的光刻膠?？蛇x的，通過構(gòu)圖工藝，在形成有柵絕緣層、氧化物有源層、刻蝕阻擋層的基板上，形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極圖形具體包括:
通過一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極圖形。可選的，通過一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極圖形具體包括:在形成有柵絕緣層、氧化物有源層、刻蝕阻擋層和數(shù)據(jù)線連接過孔圖形的基板上，形成透明導(dǎo)電薄膜；在所述形成有透明導(dǎo)電薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述源極、漏極、像素電極和連接電極圖形的區(qū)域，且所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述漏極與所述像素電極相連，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述透明導(dǎo)電薄膜，形成源極、漏極和像素電極圖形；剝離掉所述光刻膠完全保留區(qū)域的所述光刻膠。一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種Oxide TFT陣列基板，所述陣列基板包括:基板；在所述基板上設(shè)置有由柵金屬層薄膜形成的包括柵線和柵極圖形；在設(shè)置有所述柵線和柵極的基板上，設(shè)置有由柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜依次形成的包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形；在設(shè)置有所述柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的基板上，還設(shè)置有包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極圖形，所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述漏極與所述像素電極相連?？蛇x的，在所述基板上，還設(shè)置有由柵金屬層薄膜形成的包括與柵線交叉設(shè)置且在與柵線交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形；在設(shè)置有所述柵線、柵極圖形的基板上，在所述每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形的上方還設(shè)置有至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔圖形；在設(shè)置有所述柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形的基板上，還設(shè)置有連接電極圖形；在與所述柵線交叉的方向上，所述每個(gè)連接電極通過兩兩相鄰的數(shù)據(jù)線連接過孔，將所述兩兩相鄰的斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形相連接，形成所述數(shù)據(jù)線圖形?？蛇x的，在設(shè)置有所述柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形的基板上，還設(shè)置有連接電極圖形具體為:所述源極、漏極、像素電極和連接電極由透明導(dǎo)電薄膜形成。一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了 一種顯示面板，包括上述實(shí)施例提供的所述OxideTFT陣列基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Oxide TFT陣列基板及制作方法、顯示面板，該方法包括:通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形。這樣在Oxide TFT陣列基板的制作過程中，不需要通過三次構(gòu)圖工藝才能形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形，減少了 Oxide TFT陣列基板的生產(chǎn)周期,生產(chǎn)工藝簡化,降低了生產(chǎn)成本。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Oxide TFT陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖1a為圖1所示的Oxide TFT陣列基板沿A-A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種Oxide TFT陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；圖3為圖2所示的Oxide TFT陣列基板沿A-A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖2所示的Oxide TFT陣列基板沿B-B向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種Oxide TFT陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Oxide TFT陣列基板的制作方法流程圖；圖7為圖6所示的制作方法經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖6所示的制作方法經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種Oxide TFT陣列基板的制作方法流程圖；圖1Oa為圖9所示的制作方法經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝后沿A-A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖1Ob為圖9所示的制作方法經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝后沿B-B向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖1la為圖9所示的制作方法經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝后沿A-A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖1lb為圖9所示的制作方法經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝后沿B-B向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖12a為圖9所示的制作方法經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝后沿A_A向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖12b為圖9所示的制作方法經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝后沿B-B向的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記:基板:10 ;柵線:11 ;柵極:12 ;柵絕緣層:13 ;柵絕緣層薄膜:13A ;氧化物有源層:14 ;氧化物有源層:14A ;刻蝕阻擋層:15 ;刻蝕阻擋層:15A ;數(shù)據(jù)線:16 ;源極:17 ;漏極:18 ;像素電極:19 ;數(shù)據(jù)線初始圖形:20 ;數(shù)據(jù)線連接過孔:21 ;連接電極:22。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。需要說明的是:本發(fā)明實(shí)施例的“上” “下”只是參考附圖對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說明，不作為限定用語。
實(shí)施例一、本發(fā)明實(shí)施例提供了一種Oxide TFT陣列基板，示例性，如圖1、圖1a所示，以扭曲向列(Twisted Nematic,簡稱TN)型的Oxide TFT陣列基板的單個(gè)子像素為例具體描述該TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)，該陣列基板包括:基板10 ；在所述基板10上設(shè)置有由柵金屬層薄膜形成的包括柵線11和柵極12圖形；在形成有所述柵線11的基板上，設(shè)置有由柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜依次形成的包括柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15的圖形；在形成有所述柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15的基板上，還設(shè)置有包括數(shù)據(jù)線16、源極17、漏極18和像素電極19的圖形，所述源極17與所述數(shù)據(jù)線16連接，所述漏極18與所述像素電極19相連。其中，需要說明的是，圖1a所示的TN型TFT陣列基板，像素電極19直接搭接在所述漏極18上?？梢宰鳛楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員，可以理解的是，所述像素電極19和所述數(shù)據(jù)線16、源極17和漏極18之間還可以包括鈍化層，在鈍化層的漏極18上方還形成有過孔，所述像素電極19和所述漏極18相連。當(dāng)然，所述像素電極19和所述數(shù)據(jù)線16、源極17和漏極18之間還可以是其它結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例對此不作具體限定。進(jìn)一步的，為了節(jié)約TFT陣列基板的制作成本，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OxideTFT陣列基板，其中，柵線11和數(shù)據(jù)線初始圖形20在同層形成。具體的，在所述基板10上，除了設(shè)置有柵金屬層薄膜形成的柵線11外，還設(shè)置有柵金屬層薄膜形成的包括與柵線11交叉設(shè)置且與柵線11交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20。為了形成數(shù)據(jù)線16圖形，在形成有所述數(shù)據(jù)線初始圖形20的基板上，除了設(shè)置有包括柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15的圖形外，在每段斷開的所述數(shù)據(jù)線初始圖形20的上方還設(shè)置有至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔21的圖形。如圖2所示，每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20的上方設(shè)置有一個(gè)所述數(shù)據(jù)線連接過孔21，這樣列方向上兩兩相鄰的斷開的數(shù)據(jù)線若要相連接，連接電極22圖形需要覆蓋整個(gè)數(shù)據(jù)線16圖形。為了減小連接電極22在整個(gè)數(shù)據(jù)線16上的覆蓋面積，減小所述數(shù)據(jù)線16的電阻，相應(yīng)的，每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20的上方可以設(shè)置有兩個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔21。每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20的兩端的上方可以在分別設(shè)置一個(gè)所述數(shù)據(jù)線連接過孔21。需要說明的是，在形成有所述數(shù)據(jù)線初始圖形20圖形的基板上，周邊引線區(qū)域還需要設(shè)置有包括柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔圖形，所述柵線引線過孔和所述數(shù)據(jù)線引線過孔分別設(shè)置于所述柵線11上方和所述數(shù)據(jù)線16上方。這樣，在形成有所述柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15圖形的基板上，除了設(shè)置有包括源極17、漏極18和像素電極19圖形外，還設(shè)置有連接電極22的圖形；在與所述柵線11交叉的方向上，所述每個(gè)連接電極22通過兩兩相鄰的數(shù)據(jù)線連接過孔21，將所述兩兩相鄰的斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20相連接，形成所述數(shù)據(jù)線16的圖形，所述源極17與所述數(shù)據(jù)線16相連，所述漏極18和所述像素電極19相連。需要說明的是，所述源極17與所述數(shù)據(jù)線16相連，具體的，可以與所述連接電極22相連，也可以與所述數(shù)據(jù)線連接過孔21相連。為了進(jìn)一步減小所述數(shù)據(jù)線16的電阻，除了在每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20的兩端的上方分別設(shè)置一個(gè)所述數(shù)據(jù)線連接過孔21，還可以在距離源極17最近的每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20的上方設(shè)置一個(gè)所述數(shù)據(jù)線連接過孔21相連，這樣所述源極17可以與距離源極17最近的所述數(shù)據(jù)線連接過孔21相連，從而不需要與所述連接電極22相連，減小了覆蓋在所述連接電極22覆蓋在整個(gè)數(shù)據(jù)線16上的面積。
相應(yīng)的，可以理解的是，在設(shè)置所述源極17、漏極18和像素電極19圖形時(shí)，所述源漏金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜填入所述柵線引線過孔和所述數(shù)據(jù)線過孔，形成所述柵線引線和數(shù)據(jù)線引線。
具體的，如圖2、3和4所示，示例性的，以TN型的Oxide TFT陣列基板的單個(gè)子像素為例具體描述該Oxide TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)。
其中，該Oxide TFT陣列基板包括:
基板10;
設(shè)置于所述基板10上的由柵金屬層薄膜柵線11、柵極12，以及與柵線11交叉設(shè)置且在與柵線11交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20 ;其中，所述數(shù)據(jù)線初始圖形20與柵線11、柵極12同層形成；
在形成有所述柵線11、柵極12和數(shù)據(jù)線初始圖形20的基板上，依次設(shè)置有由柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15和數(shù)據(jù)線連接過孔21，同時(shí)在周邊引線區(qū)還設(shè)置有柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔(柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔圖中未示出)；其中，氧化物有源層14設(shè)置于柵極12上方；刻蝕阻擋層15設(shè)置于氧化物有源層14的上方，位于Oxide TFT的溝道處，數(shù)據(jù)線連接過孔21位于數(shù)據(jù)線初始圖形20的上方；
在設(shè)置有所述柵絕緣層13、氧化物有源層14、刻蝕阻擋層15和數(shù)據(jù)線連接過孔21圖形的基板上，設(shè)置有源極17、漏極18和連接電極22 ;其中，如圖3所示，連接電極22通過列方向上兩兩相鄰的數(shù)據(jù)線連接過孔21，將所述列方向上兩兩相鄰的斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20相連接，形成所述數(shù)據(jù)線16圖形，即數(shù)據(jù)線16由數(shù)據(jù)線初始圖形20、數(shù)據(jù)線連接過孔21和連接電極22相連接而形成，所述源極17與所述數(shù)據(jù)線16連接，即所述源極延伸至連接電極22，與所述數(shù)據(jù)線16連接；
其中，為了增大像素電極的開口率，在設(shè)置有所述柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15圖形的基板上，所述源極17、漏極18、像素電極19和連接電極22可以是一體結(jié)構(gòu)的，由透明導(dǎo)電薄膜形成。
需要說明的是，圖2、3和4僅是示例性的說明所述數(shù)據(jù)線16源極17、漏極18、像素電極19和連接電極22可以是一體結(jié)構(gòu)的，但本發(fā)明實(shí)施例提供的Oxide TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)不限于此，數(shù)據(jù)線16、源極17、漏極18、連接電極22可以采用源漏金屬層薄膜形成，然后再設(shè)置有透明導(dǎo)電薄膜形成的像素電極19，具體如圖5所示。
當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，作為本領(lǐng)域的公知技術(shù)，在設(shè)置數(shù)據(jù)線16、源極17、漏極18、連接電極22后，還可以先設(shè)置鈍化層，然后在鈍化層上在設(shè)置像素電極19。因此，對于Oxide TFT陣列基板的數(shù)據(jù)線16、源極17、漏極18、連接電極22上的其它層的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例在此不一一贅述。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種Oxide TFT，所述陣列基板包括:基板；在所述基板上設(shè)置有由柵金屬層薄膜形成的包括柵線和柵極圖形；在設(shè)置有所述柵線和柵極的基板上，設(shè)置有由柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜依次形成的包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形；在設(shè)置有所述柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的基板上，還設(shè)置有包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極圖形，所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述漏極與所述像素電極相連。由于該Oxide TFT陣列基板的柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成，這使得該Oxide TFT的生產(chǎn)工藝簡單，制作成本較低。
基于上述實(shí)施例提供的Oxide TFT陣列基板,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OxideTFT陣列基板的制作方法，該方法包括:
通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線11和柵極12圖形的基板上，形成包括柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15的圖形。
具體的，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有包括柵線11和柵極12圖形的基板上，形成包括柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15圖形具體包括:
在形成有柵線11和柵極12圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；
在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；
利用半色調(diào)掩膜板或灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述刻蝕阻擋層15的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層14的圖形除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域以外的區(qū)域；
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層14的圖形；
利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層15的圖形；
剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述刻蝕阻擋層15和氧化物有源層14。
具體的，本發(fā)明實(shí)施例以TN型Oxide TFT陣列基板的制作方法為例進(jìn)行詳細(xì)描述。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提到的構(gòu)圖工藝包括曝光、顯影、刻蝕、灰化等主要工藝。如圖6所示,該方法包括:
601、通過第一次構(gòu)圖工藝，在基板10上形成包括柵線11和柵極12的圖形。
具體的，在第一次構(gòu)圖工藝過程中，首先采用磁控濺射法或熱蒸鍍法在基板10上沉積1000-6000人的柵金屬層薄膜。其中，柵金屬層薄膜可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。
然后在形成有柵金屬層薄膜的基板10上形成光刻膠。
利用掩模板對光刻膠進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵線11和柵極12的區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述像素單元中除所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。
利用濕法刻蝕工藝對柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，去除掉光刻膠完全去除區(qū)域上的柵金屬層薄膜，再利用剝離工藝去除掉光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖7所示，露出柵線11和柵極12的圖形，形成柵線11和柵極12。
602、通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的基板上形成包括柵絕緣層13、氧化物有源層14和刻蝕阻擋層15的圖形。
在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝后，基板上形成有包括柵線11和柵極12圖形，在形成有包括柵線11和柵極12圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜。
具體的，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，沉積一層?xùn)沤^緣層薄膜，再采用磁控濺射或熱蒸鍍法沉積一層氧化物有源層薄膜，最后采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積刻蝕阻擋層薄膜。其中，柵絕緣層薄膜可以采用氧化物、氮化物或氧氮化物等，氧化物有源層薄膜可以采用銦鎵鋅氧化物，銦鎵錫氧化物，銦鋅氧化物等。
然后在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠。
利用半色調(diào)掩膜板或灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述刻蝕阻擋層15的區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層14圖形除去刻蝕阻擋層15圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域以外的區(qū)域。
利用干法刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜，再利用濕法刻蝕工藝刻蝕掉所述氧化物有源層薄膜，形成包括氧化物有源層14圖形。
利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠。
利用干法刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層15圖形；
剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖8所示，以露出所述刻蝕阻擋層15和氧化物有源層14。
603、通過構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的基板上形成包括數(shù)據(jù)線16、源極17、漏極18和像素電極19圖形。
具體的，可以通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的基板上形成包括數(shù)據(jù)線16、源極17和漏極18圖形。
在通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的基板上形成鈍化層和過孔，所述過孔位于所述漏極上方。
在通過第五次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第五次構(gòu)圖工藝的基板上形成像素電極19，且所述像素電極19通過所述過孔與所述漏極18相連。
當(dāng)然，數(shù)據(jù)線16、源極17和漏極18與像素電極19之間也可以不形成鈍化層。這樣可以通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的基板上形成包括數(shù)據(jù)線16、源極17和漏極18圖形后，在通過第四次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第三次構(gòu)圖工藝的基板上直接形成像素電極19，其中像素電極19直接和漏極18搭接相連。
當(dāng)然，也可以采用其它方法來實(shí)現(xiàn)該Oxide TFT陣列基板上的數(shù)據(jù)線16、源極17、漏極18和像素電極19的制作，本發(fā)明實(shí)施例對此不作具體限定。
進(jìn)一步的，為了節(jié)約TFT陣列基板的制作成本，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OxideTFT陣列基板的制作方法，如圖9所示，該方法中源極17、漏極18、和像素電極19和連接電極22由透明導(dǎo)電膜一體形成，當(dāng)然，源極17、漏極18和連接電極22的形成可以與像素電極19分開形成，本發(fā)明實(shí)施例對此不作具體限定。
具體的，該Oxide TFT陣列基板的制作方法包括:
901、通過第一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵線11、柵極12，以及與柵線11交叉設(shè)置且在與柵線11交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20。
具體的，在第一次構(gòu)圖工藝過程中，首先采用磁控濺射法或熱蒸鍍法在基板10上沉積丨000-6000A的柵金屬層薄膜。其中，柵金屬層薄膜可以采用鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。
然后在形成有所述柵金屬層薄膜的基板上涂覆光刻膠。
利用掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)包括所述柵線11和柵極12的圖形，以及與所述柵線11圖形交叉設(shè)置且在與柵線11交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域。
利用濕法刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬層薄膜。
再利用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖10a、10b所示，以露出包括所述柵線11和柵極12圖形，以及所述數(shù)據(jù)線初始圖形20。
902、通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的基板上，形成包括柵絕緣層13、氧化物有源層14、刻蝕阻擋層15和數(shù)據(jù)線連接過孔21的圖形。
其中，所述每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形20上方至少形成一個(gè)所述數(shù)據(jù)線連接過孔21圖形。
在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝后，基板上形成有包括柵線11、柵極12和數(shù)據(jù)線初始圖形20，在形成有包括柵線11、柵極12和數(shù)據(jù)線初始圖形20的基板上，如圖1laUlb所示，形成柵絕緣層薄膜13A、氧化物有源層薄膜14A和刻蝕阻擋層薄膜15A。
具體的，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法，沉積一層?xùn)沤^緣層薄膜13A，再采用磁控濺射或熱蒸鍍法沉積一層氧化物有源層薄膜14A，最后采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積刻蝕阻擋層薄膜15A。其中，柵絕緣層薄膜13A可以采用氧化物、氮化物或氧氮化物等，氧化物有源層薄膜14A可以采用銦鎵鋅氧化物，銦鎵錫氧化物，銦鋅氧化物坐寸ο
然后在形成有柵絕緣層薄膜13A、氧化物有源層薄膜14A和刻蝕阻擋層薄膜15A的基板上涂覆光刻膠。
利用半色調(diào)掩模板或灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后，如圖1laUlb所示，形成光刻膠完全保留區(qū)域、第一厚度hi光刻膠部分保留區(qū)域、第二厚度h2光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述刻蝕阻擋層15的區(qū)域，所述第一厚度hi光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層14的圖形去除刻蝕阻擋層圖形15的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述數(shù)據(jù)線連接過孔21的區(qū)域；所述第二厚度h2光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域、第一厚度光hi刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域以外的區(qū)域，所述第一厚度hi大于所述第二厚度h2。
當(dāng)然，在周邊引線區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域還對應(yīng)所述柵線引線過孔和數(shù)據(jù)線引線過孔，圖中未示出。
具體的，然后利用干法刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜15A，再利用濕法刻蝕工藝刻蝕掉所述氧化物有源層薄膜14A，再利用干法刻蝕工藝刻蝕掉所述柵絕緣層薄膜13A，形成包括數(shù)據(jù)線連接過孔21的圖形；
再利用灰化工藝去除掉所述第二厚度h2光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；
利用刻蝕工藝去除掉所述第二厚度h2光刻膠部分保留區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜14A和刻蝕阻擋層薄膜15A，形成包括氧化物有源層14的圖形；
利用灰化工藝去除掉所述第一厚度hi光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠；
利用刻蝕工藝去除掉所述第一厚度hi光刻膠部分保留區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜15A，形成包括刻蝕阻擋層15的圖形；
剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，如圖12a、12b所示的，形成包括柵絕緣層13、氧化物有源層14、刻蝕阻擋層15和數(shù)據(jù)線連接過孔21的圖形。
可選的，通過第二次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第一次構(gòu)圖工藝的基板上，形成包括柵絕緣層13、氧化物有源層14、刻蝕阻擋層15和數(shù)據(jù)線連接過孔21的圖形，還可以具體包括:
在形成有包括柵線11、柵極12和數(shù)據(jù)線初始圖形20的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；
在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；
利用灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層14的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述數(shù)據(jù)線連接過孔21的區(qū)域；所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域以外的區(qū)域；
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線連接過孔21的圖形；
利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層14的圖形；
利用灰化工藝，通過控制灰化工藝條件，如灰化的時(shí)間，保留所述刻蝕阻擋層15上的部分光刻膠，去除掉所述光刻膠完全保留區(qū)域除刻蝕阻擋層15的區(qū)域外的光刻膠；
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全保留區(qū)域除刻蝕阻擋層15的區(qū)域外的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層15的圖形；
剝離掉所述刻蝕阻擋層15區(qū)域的光刻膠。
903、通過第三次構(gòu)圖工藝，在經(jīng)過第二次構(gòu)圖工藝的基板上形成包括數(shù)據(jù)線16、源極17、漏極18、連接電極22和像素電極19圖形。
在形成有柵絕緣層13、氧化物有源層14、刻蝕阻擋層15和數(shù)據(jù)線連接過孔21圖形的基板上，形成透明導(dǎo)電薄膜；
在所述形成有透明導(dǎo)電薄膜的基板上涂覆光刻膠；
利用掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述源極17、漏極18、像素電極19和連接電極22圖形的區(qū)域，且所述源極17與所述數(shù)據(jù)線16連接，所述漏極17與所述像素電極19相連，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域；
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述透明導(dǎo)電薄膜；
剝離掉所述光刻膠完全保留區(qū)域的所述光刻膠，如圖2、3和4所示，形成源極17、漏極18和像素電極19圖形。
至此,所示Oxide TFT陣列基板的制作過程結(jié)束。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種Oxide TFT陣列基板的制作方法，該方法包括:通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形。這樣在Oxide TFT陣列基板的制作過程中，不需要通過三次構(gòu)圖工藝才能形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形，減少了 Oxide TFT陣列基板的生產(chǎn)周期，生產(chǎn)工藝簡化，降低了生產(chǎn)成本。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括上述實(shí)施例提供的Oxide TFT陣列基板。
具體的，該顯示面板可以是液晶顯示面板，還可以是OLED (OrganicLight-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示面板等。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種氧化物薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，該方法包括: 通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形具體包括: 在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜； 在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用半色調(diào)掩膜版或灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述刻蝕阻擋層區(qū)域，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層圖形除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域以外的區(qū)域； 利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層圖形； 利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層圖形； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以露出所述刻蝕阻擋層和氧化物有源層。
3.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的方法，其特征在于，在形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形之前，該方法還包括: 通過一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵線和柵極圖形的同時(shí)，還包括通過該構(gòu)圖工藝形成與所述柵線交叉設(shè)置且在與柵線交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形； 所述形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的構(gòu)圖工藝中，還包括通過該構(gòu)圖工藝在每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形上方形成至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔； 在形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形之后，該方法還包括: 通過構(gòu)圖工藝，在形成有包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的基板上，形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極的圖形；在與所述柵線交叉的方向上，所述每個(gè)連接電極通過兩兩相鄰的數(shù)據(jù)線連接過孔，將所述兩兩相鄰的斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形相連接，形成所述數(shù)據(jù)線的圖形；所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述漏極和所述像素電極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，通過一次構(gòu)圖工藝，在基板上形成包括柵線和柵極圖形的同時(shí)，還包括通過該構(gòu)圖工藝形成與所述柵線交叉設(shè)置且在與柵線交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形具體包括: 在所述基板上形成柵金屬層薄膜； 在形成有所述柵金屬層薄膜的基板上涂覆光刻膠； 利用掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠完全保留區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述柵線和柵極的圖形，以及所述數(shù)據(jù)線初始圖形，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域；利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的柵金屬層薄膜； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，以露出包括所述柵線和柵極圖形，以及所述數(shù)據(jù)線初始圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的構(gòu)圖工藝中，還包括通過該構(gòu)圖工藝在每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形上方形成至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔具體包括: 在形成有包括所述柵線、柵極和數(shù)據(jù)線初始圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜； 在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域、第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述刻蝕阻擋層區(qū)域，所述第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層圖形除去刻蝕阻擋層圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述數(shù)據(jù)線連接過孔的 區(qū)域；所述第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域、第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域以外的區(qū)域，所述第一厚度大于所述第二厚度； 利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線連接過孔圖形； 利用灰化工藝去除掉所述第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠； 利用刻蝕工藝去除掉所述第二厚度光刻膠部分保留區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層圖形； 利用灰化工藝去除掉所述第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠； 利用刻蝕工藝去除掉所述第一厚度光刻膠部分保留區(qū)域的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層圖形； 剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述形成柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的構(gòu)圖工藝中，還包括通過該構(gòu)圖工藝在每段斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形上方形成至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔具體包括: 在形成有包括所述柵線、柵極和數(shù)據(jù)線初始圖形的基板上，形成柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜；在形成有柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的基板上涂覆光刻膠；利用灰階掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述氧化物有源層的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述數(shù)據(jù)線連接過孔的區(qū)域；所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域以外的區(qū)域； 利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線連接過孔圖形； 利用灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的所述氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜，形成包括氧化物有源層圖形； 通過控制灰化工藝條件，保留所述刻蝕阻擋層區(qū)域的部分光刻膠，去除掉所述光刻膠完全保留區(qū)域除去所述刻蝕阻擋層區(qū)域外的光刻膠； 利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全保留區(qū)域除去刻蝕阻擋層區(qū)域外的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成包括刻蝕阻擋層圖形； 剝離掉所述刻蝕阻擋層圖形區(qū)域的光刻膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求3-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝，在形成有柵絕緣層、氧化物有源層、刻蝕阻擋層的基板上，形成包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極的圖形具體包括: 通過一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極圖形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，通過一次構(gòu)圖工藝，形成包括所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極、連接電極和像素電極的圖形具體包括: 在形成有柵絕緣層、氧化物有源層、刻蝕阻擋層和數(shù)據(jù)線連接過孔的基板上，形成透明導(dǎo)電薄膜； 在所述形成有透明導(dǎo)電薄膜的基板上涂覆光刻膠； 利用掩模板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，在像素單元中，所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述源極、漏極、像素電極和連接電極圖形的區(qū)域，且所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述漏極與所述像素電極相連，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述光刻膠完全保留區(qū)域以外的區(qū)域； 利用刻蝕工藝去除掉 所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述透明導(dǎo)電薄膜，形成源極、漏極和像素電極的圖形； 剝離掉所述光刻膠完全保留區(qū)域的所述光刻膠。
9.一種氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括: 基板； 在所述基板上設(shè)置有由柵金屬層薄膜形成的包括柵線和柵極的圖形； 在設(shè)置有所述柵線和柵極的基板上，設(shè)置有由柵絕緣層薄膜、氧化物有源層薄膜和刻蝕阻擋層薄膜依次形成的包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形； 在設(shè)置有所述柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的基板上，還設(shè)置有包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極的圖形，所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，所述漏極與所述像素電極相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，在所述基板上，還設(shè)置有由柵金屬層薄膜形成的包括與柵線交叉設(shè)置且在與柵線交叉重疊處斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形； 在設(shè)置有所述柵線、柵極的基板上，在每段斷開的所述數(shù)據(jù)線初始圖形的上方還設(shè)置有至少一個(gè)數(shù)據(jù)線連接過孔圖形； 在設(shè)置有所述柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形的基板上，還設(shè)置有連接電極圖形；在與所述柵線交叉的方向上，所述每個(gè)連接電極通過兩兩相鄰的數(shù)據(jù)線連接過孔，將所述兩兩相鄰的斷開的數(shù)據(jù)線初始圖形相連接，形成所述數(shù)據(jù)線圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，在設(shè)置有所述柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層圖形的基板上，還設(shè)置有連接電極圖形具體為:所述源極、漏極、像素電極和連接電極由透明導(dǎo)電薄膜形成。
12.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求9-11任一項(xiàng)所述的氧化物薄膜晶體管陣列基板。`
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種氧化物薄膜晶體管陣列基板及制作方法、顯示面板，能夠減少Oxide TFT的構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡化生產(chǎn)工藝，降低制作成本。該方法包括通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵線和柵極圖形的基板上，形成包括柵絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖形。本發(fā)明實(shí)施例適用于顯示技術(shù)領(lǐng)域。
文檔編號(hào)H01L27/12GK103178021SQ20131006325
公開日2013年6月26日 申請日期2013年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月28日
發(fā)明者孫雙 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司