技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，并在所述層間介質(zhì)層中形成金屬層，所述金屬層的上表面與所述層間介質(zhì)層的上表面齊平；在所述層間介質(zhì)層和金屬層上形成包含納米孔洞的掩膜層；以所述掩膜層為掩模，刻蝕所述層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層中形成管狀開口。本發(fā)明在降低所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)RC延遲的同時(shí)，提高了形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中空氣隙的機(jī)械強(qiáng)度，最終提高了所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：周鳴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號碼：201310064744
技術(shù)研發(fā)日：2013.02.28
技術(shù)公布日：2017.09.22