技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：金屬構(gòu)件，具有含Zn層；半導(dǎo)體元件，結(jié)合到所述金屬構(gòu)件的表面；以及密封樹(shù)脂，覆蓋所述含Zn層、所述半導(dǎo)體元件和所述金屬構(gòu)件，其中所述含Zn層具有多個(gè)不規(guī)則物，并且所述多個(gè)不規(guī)則物中的至少一個(gè)具有懸突結(jié)構(gòu)，以及其中所述懸突結(jié)構(gòu)包括位于所述多個(gè)不規(guī)則物中的至少一個(gè)的上部的凸起部分和位于所述多個(gè)不規(guī)則物中的至少一個(gè)的下部的凹陷部分。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述含Zn層是通過(guò)對(duì)所述金屬構(gòu)件的表面上形成的Zn鍍層和下面的金屬進(jìn)行合金化處理而形成的合金層。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，與所述半導(dǎo)體元件已經(jīng)結(jié)合到的所述金屬構(gòu)件的表面相反的所述金屬構(gòu)件的背表面從所述密封樹(shù)脂暴露。4.一種半導(dǎo)體器件，包括：Zn合金層，具有多個(gè)不規(guī)則物，并且所述多個(gè)不規(guī)則物中的至少一個(gè)具有懸突結(jié)構(gòu)，該Zn合金層是通過(guò)用Zn以1μm或更大的鍍敷厚度選擇性鍍敷金屬構(gòu)件的表面且然后對(duì)Zn和下面的金屬進(jìn)行合金化處理而獲得的；半導(dǎo)體元件，固定到除了已經(jīng)形成Zn合金層的部分之外的所述金屬構(gòu)件的表面；以及密封樹(shù)脂，覆蓋所述Zn合金層、所述半導(dǎo)體元件和所述金屬構(gòu)件，其中所述懸突結(jié)構(gòu)包括位于所述多個(gè)不規(guī)則物中的至少一個(gè)的上部的凸起部分和位于所述多個(gè)不規(guī)則物中的至少一個(gè)的下部的凹陷部分。