后鈍化結(jié)構(gòu)中的電容器及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及的是一種器件，包括金屬焊盤和具有與金屬焊盤重疊的部分的鈍化層。電容器包括位于鈍化層下方的底部電容器電極，其中，該底部電容器包括金屬焊盤。電容器另外包括位于部分鈍化層上方的頂部電容器電極；以及包括部分鈍化層的電容器絕緣體。本發(fā)明還提供了一種后鈍化結(jié)構(gòu)中的電容器及其形成方法。
【專利說明】后鈍化結(jié)構(gòu)中的電容器及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種后鈍化結(jié)構(gòu)中的電容器及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路應(yīng)用中，越來越多的功能被集成到產(chǎn)品中。例如，不同的功能元件(諸如,3G視頻元件、WiFi元件、藍(lán)牙元件以及音頻/視頻元件)可能需要被集成到一起從而形成一種應(yīng)用。這些裝置的通常所知的一種應(yīng)用是移動(dòng)應(yīng)用，其中形成了移動(dòng)裝置，諸如，手機(jī)。
[0003]電容器被廣泛地使用在移動(dòng)應(yīng)用中。當(dāng)被使用在移動(dòng)應(yīng)用中時(shí)，電容器可能需要采用高頻。例如，在無線電頻率中電容器的Q系數(shù)需要足夠高。擊穿電壓、泄漏電路等也需要適合相應(yīng)的應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種器件，包括:第一金屬焊盤；第一鈍化層，包括與所述第一金屬焊盤重疊的部分；以及電容器，包括:底部電容器電極，位于所述第一鈍化層下方，所述底部電容器包括所述第一金屬焊盤；頂部電容器電極，位于所述第一鈍化層的所述部分上方；和電容器絕緣體，包括所述第一鈍化層的所述部分。
[0005]在所述器件中，進(jìn)一步包括:多個(gè)低k介電層，位于所述第一鈍化層下方，所述第一鈍化層包括非低k介電材料。
[0006]在所述器件中，進(jìn)一步包括:第二鈍化層，位于所述第一鈍化層和所述第一金屬焊盤下方，所述第二鈍化層位于所述多個(gè)低k介電層上方并且包括非低k介電材料。
[0007]在所述器件中，所述底部電容器電極進(jìn)一步包括:第二金屬焊盤，位于所述低k介電層的最上層中，其中，所述第一金屬焊盤與所述第二金屬焊盤重疊；以及通孔，位于所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤之間且互連所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤。
[0008]在所述器件中，進(jìn)一步包括:附加金屬焊盤，與所述第一金屬焊盤齊平且由與所述第一金屬焊盤相同的材料形成；后鈍化互連件(PPI)，位于所述附加金屬焊盤上方且與所述附加金屬焊盤相連接；以及凸塊下金屬層(UBM)，位于所述PPI上方且與所述PPI相連接。
[0009]在所述器件中，進(jìn)一步包括:聚合物層，位于所述第一鈍化層上方；以及后鈍化互連件(PPI)，包括位于所述聚合物層上方的第一部分和延伸到所述聚合物層中且與所述第一部分相連接的第二部分，其中，所述第二部分用作所述頂部電容器電極。
[0010]在所述器件中，所述電容器位于半導(dǎo)體晶圓的劃片槽中。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種器件，包括:多個(gè)低k介電層；第一金屬焊盤，位于所述多個(gè)低k介電層上方；第一鈍化層，包括與所述第一金屬焊盤重疊的部分，所述鈍化層包括非低k介電材料；第一聚合物層，位于所述第一鈍化層上方；以及后鈍化互連件(PPI)，包括:第一部分，位于所述第一聚合物層上方；和第二部分，穿透所述第一聚合物層以接觸所述第一鈍化層，所述第二部分與所述第一金屬焊盤重疊以與所述第一金屬焊盤一起形成電容器，并且所述第一鈍化層與所述第一金屬焊盤重疊的所述部分用作所述電容器的電容器絕緣體。
[0012]在所述器件中，所述第一鈍化層包括下子層和位于所述下子層上方的上子層，所述下子層和所述上子層的材料不同，并且所述PPI的所述第二部分接觸所述上子層的頂面。
[0013]在所述器件中，所述第一鈍化層包括下子層和位于所述下子層上方的上子層，所述下子層和所述上子層的材料不同，并且所述PPI的所述第二部分穿透所述上子層且接觸所述下子層的頂面。
[0014]在所述器件中，所述下子層包括氧化硅，并且所述上子層包括氮化硅。
[0015]在所述器件中，進(jìn)一步包括:第二聚合物層，位于所述第一聚合物層上方，其中，整個(gè)所述PPI被所述第二聚合物層覆蓋。
[0016]在所述器件中，進(jìn)一步包括:第二金屬焊盤，位于所述低k介電層的最上層中，所述第二金屬焊盤的俯視尺寸基本等于所述第一金屬焊盤的俯視尺寸；以及通孔，位于所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤之間且互連所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤。
[0017]在所述器件中，所述電容器位于半導(dǎo)體晶圓的劃片槽中。
[0018]在所述器件中，所述電容器位于半導(dǎo)體晶圓的芯片中。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種方法，包括:在第一金屬焊盤上方形成鈍化層，所述第一金屬焊盤還位于多個(gè)低k介電層上方；在所述第一鈍化層上方形成第一聚合物層；圖案化所述第一聚合物層以形成開口，所述開口與所述第一金屬焊盤重疊；以及形成后鈍化互連件(PPI)，所述PPI包括:第一部分，位于所述第一聚合物層上方；和第二部分，位于所述開口中，所述PPI的所述第二部分通過所述第一鈍化層的部分與所述第一金屬焊盤間隔開，并且所述PPI的第二部分、所述第一鈍化層的所述部分和所述金屬焊盤分別形成所述電容器的頂部電容器電極、電容器絕緣體和底部電容器電極。
[0020]在所述方法中，圖案化所述第一聚合物層的步驟停止于所述第一鈍化層的頂面。
[0021]在所述方法中，進(jìn)一步包括:在形成所述PPI的步驟之前，蝕刻所述第一鈍化層的上子層以暴露出所述第一鈍化層的下子層，其中，所述第一鈍化層的所述上子層和所述下子層的材料不同。
[0022]在所述方法中，進(jìn)一步包括:在所述第一聚合物層上方形成第二聚合物層；以及形成延伸到所述第二聚合物層中的凸塊下金屬層(UBM)，其中，所述UBM在與所述第一金屬焊盤相同的層中與第二金屬焊盤電連接。
[0023]在所述方法中，進(jìn)一步包括:在所述多個(gè)低k介電層的最上層中形成第二金屬焊盤；形成與所述多個(gè)低k介電層的所述最上層重疊的第二鈍化層，其中，所述第二鈍化層位于所述第一鈍化層下方；以及在所述第二鈍化層中形成多個(gè)通孔，其中，所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤通過所述多個(gè)通孔相互連。
【專利附圖】

【附圖說明】[0024]為了更全面地理解實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)將結(jié)合附圖所進(jìn)行的描述作為參考，其中:
[0025]圖1至圖5是根據(jù)一些示例性實(shí)施例的包括電容器的晶圓在中間制造階段中的截面圖，其中，電容器的至少一個(gè)部分形成在后鈍化互連(PPI)結(jié)構(gòu)；
[0026]圖6和圖7是根據(jù)可選實(shí)施例的包括電容器的晶圓的截面圖；
[0027]圖8是電容器和相應(yīng)連接PPI線的俯視圖；并且
[0028]圖9示出了在其中形成電容器的晶圓部分的俯視圖
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面，詳細(xì)討論本發(fā)明各實(shí)施例的制造和使用。然而，應(yīng)該理解，本發(fā)明提供了許多可以在各種具體環(huán)境中實(shí)現(xiàn)的可應(yīng)用的概念。所討論的具體實(shí)施例是說明性的，不用于限制本發(fā)明的范圍。
[0030]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例提供了至少部分地形成在后鈍化互連(PPI)結(jié)構(gòu)中的電容器及其形成方法。示出了制造根據(jù)多個(gè)實(shí)施例的電容器的中間階段。討論了實(shí)施例的多種變型。在多個(gè)視圖和說明性實(shí)施例中，類似參考標(biāo)號(hào)被用于表示類似的元件。
[0031]參考圖1，提供了包括由半導(dǎo)體襯底10的晶圓100。半導(dǎo)體襯底10可以是塊硅襯底或絕緣體上硅襯底?？蛇x地，還可以使用包括III族、IV族和V族元素的其他半導(dǎo)體材料，該材料可以包括硅鍺、硅碳以及II1-V化合物半導(dǎo)體材料。集成電路器件諸如，晶體管(示意性地示為12)形成在半導(dǎo)體襯底10中或其上。晶圓100可以進(jìn)一步包括位于半導(dǎo)體襯底10上方的層間電介質(zhì)(ILD) 14和位于ILD14上方的互聯(lián)結(jié)構(gòu)?；ヂ?lián)結(jié)構(gòu)16包括形成在介電層18中的金屬線20和通孔22。在相同層上的金屬線20的組合在下文中被稱為金屬層。相應(yīng)地，互聯(lián)結(jié)構(gòu)16可以包括多個(gè)通過通孔22相互連的金屬層。金屬線20和通孔22可以由銅或銅合金形成，然而也可以由其他金屬形成。在一些實(shí)施例中，介電層18由低k介電材料形成。低k介電材料的介電常數(shù)(k值)可以例如，小于大約3.0或小于大約
2.5o
[0032]金屬層包括底部金屬層(Ml)至頂部金屬層(Mtop)。在一些實(shí)施例中，Mtop層時(shí)形成在低k介電材料中的最上面的金屬層。金屬焊盤130可以形成在Mtop層中。金屬焊盤230也可以形成直接位于Mtop層下面的Mtop-1層中。金屬焊盤130和230通過通孔26相互連。
[0033]在一些實(shí)施例中，鈍化層28形成在頂部金屬層Mtop和金屬層Mtop位于其中的相應(yīng)的介電層18的上方。鈍化層28具有大于3.8的k值且使用非低k介電材料形成。在一些實(shí)施例中，鈍化層28是包括氧化硅層(未示出)和位于氧化硅層上方的氮化硅層(未示出)的復(fù)合層。鈍化層28也可以由其他非多孔的介電材料，諸如，非摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)、氮氧化硅和/或類似的形成。通孔29和129形成在鈍化層32中且可以與集成電路器件12電連接。通孔29位于金屬焊盤130上方且與其相連接。
[0034]金屬焊盤30和31形成在鈍化層28上方且可以通過金屬線20和通孔22與集成電路器件12電連接。金屬焊盤30和31可以是鋁焊盤或銅鋁焊盤，并且由此在下文中可選地被稱為鋁焊盤30和31，然而也可以使用其他金屬材料。另外，鋁焊盤30可以分別具有與金屬焊盤130和230的俯視尺寸和俯視形狀相類似的俯視尺寸和俯視形狀。[0035]參考圖2，鈍化層32形成在鈍化層28上方。鈍化層32的材料可以選自于與鈍化層28相同的備選材料。鈍化層28和32可以由相同的介電材料形成或可以由不同的介電材料形成。在一些實(shí)施例中，鈍化層32包括氧化娃層和位于該氧化娃層上方的氮化娃層。鈍化層32是圖案化的，從而使得鈍化層32的一部分覆蓋著鋁焊盤31的邊緣部分，而且鋁焊盤31的中心部分被鈍化層32中的開口暴露出來。整個(gè)鋁焊盤31被鈍化層32所覆蓋。鈍化層32還可以包括與金屬焊盤30齊平的部分。
[0036]參考圖3，聚合物層36形成在鈍化層32上方。聚合物層36可以包括選自于聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)和/或類似的。形成方法可以包括例如，旋涂?？梢砸簯B(tài)形式分配聚合物層36，然后將其固化。
[0037]聚合物層36被圖案化從而形成開口 38和40。開口 40與鋁焊盤31的一部分相對(duì)齊，其中，鋁焊盤31通過開口 40暴露出來。開口 38重疊在鋁焊盤30上。在一些實(shí)施例中，開口 38具有與鋁焊盤30、金屬焊盤130和/或金屬焊盤230的俯視尺寸和俯視形狀類似的俯視尺寸和俯視形狀。通過開口 28暴露出鈍化層32。在一些實(shí)施例中，使用鈍化層32作為蝕刻停止層來圖案化聚合物層36。在聚合物層36由光敏材料形成的實(shí)施例中，通過暴露于穿透光刻掩模(未示出)的光來圖案化聚合物層36。暴露的聚合物層36隨后顯影形成開口 38和40。
[0038]圖4示出了 PPI42和44的形成，由于是它們?cè)谛纬赦g化層32之后形成的，所以才被命名為PPI42和PPI44。在一些實(shí)施例中，PPI42和PPI44的形成包括沉積晶種層(未示出)，在晶種層上方形成圖案化掩模，以及在晶種層上方鍍上金屬材料(未示出)。然后去除掩模層，并且去除晶種層被掩模層所覆蓋的部分。晶種層的剩余部分和金屬材料形成PPI42 和 44。
[0039]PPI42包括位于開口 38(圖3)中的部分42A和位于聚合物層36上方的部分42B。PPI部分42A，金屬焊盤30以及在它們兩個(gè)之間的鈍化層32的部分32A組合形成電容器46,其中,PPI部分42A作為電容器46的頂部電容器電極,金屬焊盤30作為電容器46的底部電容器電極，而鈍化部分32A作為電容器絕緣體。
[0040]PP144包括PPI線44A和PPI焊盤44B，PPI焊盤寬于PPI線44A (在俯視圖中)。PPI44另外包括延伸到開口 40(圖3)中從而與鋁焊盤31電連接的部分44C。
[0041]圖5示出了聚合物層48和凸塊下金屬層(UBM) 50的形成。首先，聚合物層48形成在圖4的結(jié)構(gòu)上。聚合物層48可以由選自于與形成聚合物層36的備選材料所構(gòu)成的組相同的組中的材料形成。例如，聚合物層48可以包括聚酰亞胺或其他聚合物基材料，諸如，ΡΒ0, BCB或類似的。可以使用旋涂來形成聚合物層48。
[0042]然后，形成UBM層50。在一些實(shí)施例中，UBM層50包括阻擋層和位于阻擋層上方的晶種層(未示出)。UBM層50延伸到聚合物層48中的開口，并且與PPI44電連接且可以與其物理接觸。阻擋層可以是鈦層，氮化鈦層，鉭層，氮化鉭層或由鈦合金或鉭合金所形成的層。晶種層的材料可以包括銅或銅合金?？梢允褂肞VD或其他適用的方法來形成UBM層50。在一些實(shí)施例中，整個(gè)PPI42被聚合物層48所覆蓋?？蛇x地，可以形成與UBM50類似的UBM和與連接件52類似的連接件從而電連接PPI42。
[0043]進(jìn)一步參考圖5，形成了連接件52。在一些實(shí)施例中，連接件52是金屬區(qū)域，該金屬區(qū)域可以是設(shè)置在UBM層50上的金屬球(諸如，焊料球或銅球)或是通過電鍍形成在UBM層50上的金屬柱。然后，可以使該金屬區(qū)域經(jīng)歷回焊工藝且形成金屬球52。在可選的實(shí)施例中，連接件52包括金屬柱，該金屬柱可以使銅柱。也可以在金屬柱上形成其他層，諸如，鎳層、焊料蓋、鈀層等。
[0044]在一些實(shí)施例中，如圖5中所示，電容器46的頂部電極42A設(shè)置(land)在鈍化層32的頂面上。因此，電容器46的電容器絕緣體的厚度基本上等于鈍化層32的厚度。在可選的實(shí)施例中，如圖6中所示，頂部電極42A向下延伸到鈍化層32中且由此使得電容器46的電容器絕緣體的厚度小于鈍化層32的厚度。因此，電容器46的電容增加。在一些實(shí)施例中，鈍化層32包括多個(gè)子層，這些子層由不同的介電材料所形成。頂部電極42A可以放置在下子層上，同時(shí)穿透上子層。例如，如圖6中所示，鈍化層32包括下子層32A和位于下子層32A上方的上子層32B。下子層32A可以包括氧化娃,而上子層32B可以包括氮化娃。在這些實(shí)施例中，頂部電極42A可以穿透上子層32B從而接觸到下子層32A的上表面。在圖6的結(jié)構(gòu)的形成中，下子層32A可以被作為圖案化上子層32B時(shí)所用的蝕刻停止層。
[0045]在一些實(shí)施例中，如圖5和圖6所示，電容器46的底部電極包括多個(gè)金屬焊盤，這些金屬焊盤可以包括一個(gè)或多個(gè)鋁焊盤30，頂部金屬層Mtop中的金屬焊盤130，以及金屬層Mtop-1中的可能的金屬焊盤230。多個(gè)金屬焊盤通過通孔26和29相互連從而形成集成的底部電容器電極。通過使用多個(gè)金屬焊盤來形成底部電極改善了所得到的電容器46的電性能，尤其是對(duì)于高頻應(yīng)用而言。在可選的實(shí)施例中，如圖7所示，電容器46的底部電極不包括鋁焊盤30。因此，金屬焊盤130和/或230形成了底部電容器電極。這些實(shí)施例中的電容器絕緣體因此包括這些實(shí)施例中的鈍化層28和32兩者。
[0046]圖8示出了 PPI42和電容器46的俯視圖。在一些實(shí)施例中，PPI42的部分42B (下文中也被稱為PPI線)具有寬度W1，而頂部電極42A和底部電極30/130/230具有寬度W2，其中，在垂直于PPI42B的縱向方向的方向上測量寬度Wl和W2。比值W1/W2可以大于2，大于5或大于10。
[0047]圖9示出了晶圓100的一部分的俯視圖，在該部分中包括芯片200。芯片200通過劃片槽202彼此間隔開，在接下來的管芯切鋸工藝中將鋸開劃片槽來將芯片200彼此分開。一些電容器46可以形成在劃片槽202中。因此，通過探測電容器46的電容值可以監(jiān)測制造工藝。例如，通過測量這些電容器46的電容值可以檢測其厚度對(duì)電容值有影響的鈍化層32和聚合物層48的一致性。一些電容器46可以形成在芯片200內(nèi)且被使用在RF應(yīng)用，移動(dòng)應(yīng)用等中。
[0048]根據(jù)實(shí)施例的電容器不會(huì)產(chǎn)生附加工藝費(fèi)用。例如，參考圖2，可以通過更改用于圖案化鈍化層32的光刻掩模來形成電容器絕緣體，并且由此不包括任何附加費(fèi)用。
[0049]根據(jù)一些實(shí)施例，一種器件包括金屬焊盤和具有與金屬焊盤重疊的部分的鈍化層。電容器包括位于鈍化層下方的底部電容器電極，其中，該底部電容器包括金屬焊盤。電容器另外包括位于部分鈍化層上方的頂部電容器電極；以及包括部分鈍化層的電容器絕緣體。
[0050]根據(jù)其他實(shí)施例中，一種器件包括多個(gè)低k介電層，位于多個(gè)低k介電層上方的金屬焊盤，以及包括與金屬焊盤重疊的部分的鈍化層，其中，鈍化層包括非低k介電材料。聚合物層形成在鈍化層上方。聚合物層形成在鈍化物層上方。PPI機(jī)構(gòu)包括位于聚合物層上方的第一部分以及穿透聚合物層從而接觸鈍化層的第二部分。第二部分與金屬焊盤重疊從而與金屬焊盤一起形成了電容器。與金屬焊盤重疊的鈍化層的部分被作為電容器的電容器絕緣體。
[0051]根據(jù)另外的其他實(shí)施例，一種方法包括在金屬焊盤上方形成鈍化層，其中，金屬焊盤另外位于多個(gè)低k介電層上方。聚合物層形成在鈍化層上方。圖案化聚合物層從而形成開口，其中，該開口與金屬焊盤重疊。然后形成PPI從而包括位于聚合物層上方的第一部分和開口中的第二部分。PPI的第二部分通過鈍化層的一部分與金屬焊盤間隔開。PPI的第二部分、鈍化層的一部分以及金屬焊盤分別形成了電容器的頂部電容器電極、電容器絕緣體和底部電容器電極。
[0052]盡管已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)勢(shì)，但應(yīng)該理解，可以在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明主旨和范圍的情況下，做各種不同的改變，替換和更改。而且，本申請(qǐng)的范圍并不僅限于本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。作為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，通過本發(fā)明，現(xiàn)有的或今后開發(fā)的用于執(zhí)行與根據(jù)本發(fā)明所采用的所述相應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或獲得基本相同結(jié)果的工藝、機(jī)器、制造，材料組分、裝置、方法或步驟根據(jù)本發(fā)明可以被使用。因此，所附權(quán)利要求應(yīng)該包括在這樣的工藝、機(jī)器、制造、材料組分、裝置、方法或步驟的范圍內(nèi)。此外，每條權(quán)利要求構(gòu)成單獨(dú)的實(shí)施例，并且多個(gè)權(quán)利要求和實(shí)施例的組合在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種器件，包括: 第一金屬焊盤； 第一鈍化層，包括與所述第一金屬焊盤重疊的部分；以及 電容器，包括: 底部電容器電極，位于所述第一鈍化層下方，所述底部電容器包括所述第一金屬焊盤； 頂部電容器電極，位于所述第一鈍化層的所述部分上方；和 電容器絕緣體，包括所述第一鈍化層的所述部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 多個(gè)低k介電層，位于所述第一鈍化層下方，所述第一鈍化層包括非低k介電材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，進(jìn)一步包括:第二鈍化層，位于所述第一鈍化層和所述第一金屬焊盤下方，所述第二鈍化層位于所述多個(gè)低k介電層上方并且包括非低k介電材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中，所述底部電容器電極進(jìn)一步包括: 第二金屬焊盤，位于所述 低k介電層的最上層中，其中，所述第一金屬焊盤與所述第二金屬焊盤重疊；以及 通孔，位于所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤之間且互連所述第一金屬焊盤和所述第二金屬焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 附加金屬焊盤，與所述第一金屬焊盤齊平且由與所述第一金屬焊盤相同的材料形成； 后鈍化互連件(PPI)，位于所述附加金屬焊盤上方且與所述附加金屬焊盤相連接；以及 凸塊下金屬層(UBM)，位于所述PPI上方且與所述PPI相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括: 聚合物層，位于所述第一鈍化層上方；以及 后鈍化互連件(PPI)，包括位于所述聚合物層上方的第一部分和延伸到所述聚合物層中且與所述第一部分相連接的第二部分，其中，所述第二部分用作所述頂部電容器電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述電容器位于半導(dǎo)體晶圓的劃片槽中。
8.一種器件，包括: 多個(gè)低k介電層； 第一金屬焊盤，位于所述多個(gè)低k介電層上方； 第一鈍化層，包括與所述第一金屬焊盤重疊的部分，所述鈍化層包括非低k介電材料； 第一聚合物層，位于所述第一鈍化層上方；以及 后鈍化互連件(PPI),包括: 第一部分，位于所述第一聚合物層上方；和 第二部分，穿透所述第一聚合物層以接觸所述第一鈍化層，所述第二部分與所述第一金屬焊盤重疊以與所述第一金屬焊盤一起形成電容器，并且所述第一鈍化層與所述第一金屬焊盤重疊的所述部分用作所述電容器的電容器絕緣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中，所述第一鈍化層包括下子層和位于所述下子層上方的上子層，所述下子層和所述上子層的材料不同，并且所述PPI的所述第二部分接觸所述上子層的頂面。
10.一種方法，包括: 在第一金屬焊盤上方形成鈍化層，所述第一金屬焊盤還位于多個(gè)低k介電層上方； 在所述第一鈍化層上方形成第一聚合物層； 圖案化所述第一聚合物層以形成開口，所述開口與所述第一金屬焊盤重疊；以及 形成后鈍化互連件(PPI)，所述PPI包括: 第一部分，位于所述第一聚合物層上方；和 第二部分，位于所述開口中，所述PPI的所述第二部分通過所述第一鈍化層的部分與所述第一金屬焊盤間隔開，并且所述PPI的第二部分、所述第一鈍化層的所述部分和所述金屬焊盤分別形成所述 電容器的頂部電容器電極、電容器絕緣體和底部電容器電極。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103904052SQ201310067452
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】蔡豪益, 陳憲偉, 郭鴻毅, 邵棟梁, 陳英儒, 于宗源, 陳潔 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司