一種半導(dǎo)體器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。所述方法包括：步驟S101.在待刻蝕膜層上形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層；步驟S102.在所述第一部分掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜圖案的圖形化的第二硬掩膜層。該方法通過(guò)先形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層，再在第一掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜的圖形化的第二硬掩膜層的方式，形成了包括圖形化的第一硬掩膜層和圖形化的第二硬掩膜層的用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜；相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的其他雙重圖形技術(shù)，可以形成更好的掩膜圖案形貌，提高半導(dǎo)體器件的良率。
【專利說(shuō)明】一種半導(dǎo)體器件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體技術(shù)在摩爾定律的驅(qū)動(dòng)下持續(xù)地朝更小的工藝節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，器件的功能不斷強(qiáng)大，但是半導(dǎo)體制造難度也與日俱增。而光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造工藝中最為關(guān)鍵的生產(chǎn)技術(shù)，隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到65nm、45nm,甚至更低的32nm,現(xiàn)有的193nm的ArF光源光刻技術(shù)已經(jīng)無(wú)法滿足半導(dǎo)體制造的需要。
[0003]為了跟上半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展到32nm及以下的工藝節(jié)點(diǎn)的步伐，雙重圖形化技術(shù)無(wú)疑成為了業(yè)界的短期內(nèi)最可能的解決方案。雙重圖形化技術(shù)的原理是將一套高密度的電路圖形分解成兩套分立的、密度低一些的圖形，然后將它們制備到晶圓上。雙重圖形技術(shù)是用來(lái)突破傳統(tǒng)光刻工藝的限制的分辨率增強(qiáng)技術(shù)(RTE)之一，可以通過(guò)不同的制造工藝流程來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如:光刻-刻蝕-光刻-刻蝕(LETE)，光刻-光刻-刻蝕(LLE)，間隙壁雙重圖形技術(shù)(SDP)以及自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形技術(shù)(SADP)等。
[0004]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，各種雙重圖形技術(shù)都存在其各自的不足。例如，在傳統(tǒng)的自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形技術(shù)(SADP)中，很多圖案無(wú)法通過(guò)SADP來(lái)形成。
[0005]因此，為解決上述問(wèn)題，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法包括:
[0007]步驟SlOl:在待刻蝕膜層上形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層；
[0008]步驟S102:在所述第一部分掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜圖案的圖形化的第二硬掩膜層；
[0009]其中，所述圖形化的第一硬掩膜層和所述圖形化的第二硬掩膜層共同構(gòu)成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜，所述第一部分掩膜圖案和所述第二部分掩膜圖案共同構(gòu)成所述用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的掩膜圖案。
[0010]進(jìn)一步的，所述步驟SlOl包括:
[0011]步驟SlOll:在待刻蝕膜層上形成第一硬掩膜層；
[0012]步驟S1012:在所述第一硬掩膜層上依次形成第一底部抗反射層和第一圖形化的光刻膠；
[0013]步驟S1013:以所述第一圖形化的光刻膠為掩膜，對(duì)所述底部抗反射層和所述第一硬掩膜層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的第一硬掩膜層。
[0014]其中，所述步驟SlOll還包括:在形成所述第一硬掩膜層之前，在所述待刻蝕膜層上形成輔助硬掩膜層。
[0015]其中，在步驟S1013中對(duì)所述底部抗反射層和所述第一硬掩膜層進(jìn)行刻蝕的方法為干法刻蝕；并且，所述步驟S1013還包括:在干法刻蝕后，對(duì)所述圖形化的第一硬掩膜層進(jìn)行清洗的步驟。
[0016]進(jìn)一步的，所述步驟S102包括:
[0017]步驟S1021:在所述第一部分掩膜圖案之間填充第二硬掩膜材料，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光去除多余的第二硬掩膜材料以形成第二硬掩膜層；
[0018]步驟S1022:在所述第二硬掩膜層上依次形成第二底部抗反射層和第二圖形化的光刻膠；
[0019]步驟S1023:以所述第二圖形化的光刻膠為掩膜對(duì)所述第二底部抗反射層和所述第二硬掩膜層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的第二硬掩膜層。
[0020]其中，所述第二硬掩膜材料(S卩，第二硬掩膜層的材料)為氮化硼或氮化鈦。
[0021]其中，在所述步驟S1021中，填充所述第二硬掩膜材料的方法為化學(xué)氣相沉積法。
[0022]進(jìn)一步的，所述步驟S1023包括:采用氯等離子體對(duì)所述第二底部抗反射層和所述第二硬掩膜層進(jìn)行干法刻蝕形成圖形化的第二硬掩膜層，其中，所述第二圖形化的光刻膠和所述底部抗反射層同時(shí)被刻蝕去除。
[0023]其中，所述待刻蝕膜層為金屬間介電層。
[0024]其中，所述步驟S102之后還包括:
[0025]步驟S103:以所述圖形化的第一硬掩膜層和所述圖形化的第二硬掩膜層為掩膜，對(duì)所述待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的待刻蝕膜層。
[0026]其中，所述第一硬掩膜層的材料與第二硬掩膜層的材料之間具有高的蝕刻選擇比。
[0027]其中，所述第一硬掩膜層的材料為氧化物。
[0028]其中，所述第一硬掩膜層的材料為四乙基正硅酸鹽。
[0029]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，通過(guò)先形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層，再在第一掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜的圖形化的第二硬掩膜層的方式，形成了包括圖形化的第一硬掩膜層和圖形化的第二硬掩膜層的用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜；相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的其他雙重圖形技術(shù)，該方案可以形成更好的掩膜圖案形貌，有利于提聞半導(dǎo)體器件的良率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0031]附圖中:
[0032]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法經(jīng)過(guò)步驟101和步驟102形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0033]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的步驟103形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0034]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的步驟201的中間步驟形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0035]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的步驟201形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0036]圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的步驟202形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0037]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的步驟203形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0038]圖7本發(fā)明實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0040]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0041]在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0042]除非另外定義，在此使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同的含義。還將理解，諸如普通使用的字典中所定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)理解為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和/或本規(guī)格書的環(huán)境中的含義一致的含義，而不能在理想的或過(guò)度正式的意義上解釋，除非這里明示地這樣定義。
[0043]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0044]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，設(shè)計(jì)點(diǎn)主要在于通過(guò)一種新的雙重圖形技術(shù)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的制造。該方法在利用雙重圖形技術(shù)對(duì)待刻蝕膜層(例如金屬間介電層MD)進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，先形成圖形化的第一硬掩膜層，再在圖形化的第一硬掩膜層的圖案之間形成圖形化的第二硬掩膜層，圖形化的第一硬掩膜層和圖形化的第二硬掩膜層共同構(gòu)成了刻蝕待刻蝕膜層(例如IMD)的掩膜，后續(xù)可以利用該掩膜完成對(duì)待刻蝕膜層的刻蝕。該半導(dǎo)體器件的制造方法由于將用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜分成兩部分分別形成，并且兩部分的掩膜圖案利用不同的硬掩膜層實(shí)現(xiàn)，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的雙重圖形技術(shù)，可以形成更好的掩膜圖案形貌，有利于提高制造的半導(dǎo)體器件的良率。
[0045]下面，參照?qǐng)D1至圖6以及圖7來(lái)描述本發(fā)明實(shí)施例提出的一種半導(dǎo)體器件的制造方法。其中，圖1至圖6為本發(fā)明的實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的各步驟形成的結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖7本發(fā)明的實(shí)施例的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法包括如下步驟:
[0047]步驟1:在待刻蝕膜層上形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層。
[0048]實(shí)現(xiàn)步驟I的具體方法可以為，在待刻蝕膜層上形成第一硬掩膜層，利用掩膜板形成圖形化的光刻膠，再利用圖形化的光刻膠作為掩膜對(duì)第一硬掩膜層進(jìn)行刻蝕形成第一部分掩膜圖案。形成圖形化的光刻膠的方法，可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)的涂膠、曝光、顯影的方法，此處不再贅述。
[0049]示例性的，步驟I可以包括如下步驟:
[0050]步驟101:在待刻蝕膜層101上形成第一硬掩膜層103。形成的圖形，如圖1所示。
[0051]其中，第一硬掩膜層103的材料為氧化物，比如可以為TEOS (四乙基正硅酸鹽)或者其他合適的材料。并且，第一硬掩膜層103可以為單層膜，也可以為由兩層以上的膜層組成，在此并不進(jìn)行限定。
[0052]在本實(shí)施例中，還可以在形成第一硬掩膜103之前，在待刻蝕膜層101上形成輔助硬掩膜層102，如圖1所示。其中，輔助硬掩膜層102的材料可以選擇現(xiàn)有技術(shù)中的各種適合作為硬掩膜層的材料，在此不做限定。
[0053]在本實(shí)施例中，不例性的,待刻蝕膜層101為金屬間介電層,其材料一般為低k介電材料。并且，在金屬間介電層101的下方，一般具有阻擋層100，用于防止金屬間介電層101下方的金屬(例如銅)擴(kuò)散入金屬間介電層101。
[0054]步驟102:在第一硬掩膜層103上依次形成底部抗反射層104和圖形化的光刻膠105。如圖1所示。
[0055]其中，圖形化的光刻膠105的圖案對(duì)應(yīng)于用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的第一部分掩膜圖案?！皩?duì)應(yīng)于”是指以圖形化的光刻膠105為掩膜刻蝕第一硬掩膜層時(shí)恰好可以形成第一部分掩膜圖案。
[0056]其中，形成圖形化的光刻膠105的方法，可以通過(guò)涂布光刻膠層，然后對(duì)其進(jìn)行曝光、顯影的方法實(shí)現(xiàn)。并且，可以省略底部抗反射層104。當(dāng)然，形成底部抗反射層104的優(yōu)點(diǎn)在于，可以保證形成的圖形化的光刻膠105具有更理想的形貌。
[0057]在本實(shí)施例中，底部抗反射層104和圖形化的光刻膠105可以分別稱為第一底部抗反射層104和第一圖形化的光刻膠105。
[0058]步驟103:以圖形化的光刻膠105為掩膜，對(duì)底部抗反射層104和第一硬掩膜層103進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的第一硬掩膜層103’(即形成了第一部分掩膜圖案)。經(jīng)過(guò)該步驟形成的圖形，如圖2所示。
[0059]其中，對(duì)底部抗反射層104和第一硬掩膜層103進(jìn)行刻蝕的方法，可以為干法刻蝕或濕法刻蝕。在本實(shí)施例中，所采用的刻蝕方法為進(jìn)行干法刻蝕，并且，在干法刻蝕形成圖形化的第一硬掩膜層之后，還可以包括對(duì)圖形化的第一硬掩膜層進(jìn)行清洗的步驟。其中，進(jìn)行清洗的目的主要在于去除殘留物。
[0060]如果在步驟103中，圖形化的光刻膠105和底部抗反射層104沒(méi)有被去除，還可以包括步驟104:去除所述圖形化的光刻膠105和所述底部抗反射層104。其中，去除的方法可以為濕法剝離或現(xiàn)有技術(shù)中其他常用的方法。
[0061]也就是說(shuō)，經(jīng)過(guò)步驟101至103，形成了包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層103’，如圖2所示。
[0062]在本實(shí)施例中，如果在形成第一硬掩膜103之前在待刻蝕膜層101上形成輔助硬掩膜層102 ;那么，在步驟103中，輔助硬掩膜層102 —般不會(huì)被刻蝕，以保護(hù)下方的待刻蝕膜層101。并且，輔助硬掩膜層102可以在后續(xù)形成圖形化第二硬掩膜層時(shí)保護(hù)待刻蝕膜層101。如果設(shè)置輔助硬掩膜層102，則輔助硬掩膜層102將在后續(xù)對(duì)待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中一并被刻蝕(具體地，先刻蝕輔助硬掩膜層102，然后刻蝕待刻蝕膜層)，此處不再贅述。
[0063]步驟2:在圖形化的第一硬掩膜層103’的圖案(即，第一部分掩膜圖案)之間形成包括第二部分掩膜圖案的圖形化的第二硬掩膜層。其中，圖形化的第一硬掩膜層和圖形化的第二硬掩膜層共同構(gòu)成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜，也即，第一部分掩膜圖案和第二部分掩膜圖案共同構(gòu)成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的掩膜圖案。
[0064]示例性的，步驟2可以包括如下步驟:
[0065]步驟201:在圖形化的第一硬掩膜層103’的圖案(即，第一部分掩膜圖案)之間填充第二硬掩膜材料，并通過(guò)CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)去除多余的第二硬掩膜材料，以形成第二硬掩膜層106。形成的圖形，如圖4所示。
[0066]其中，在圖形化的第一硬掩膜層103’的圖案之間填充第二硬掩膜材料時(shí)，應(yīng)保證填充的第二硬掩膜材料高于圖形化的第一硬掩膜層103’，形成第二硬掩膜材料薄膜1060，如圖3所示。通過(guò)CMP去除多余的第二硬掩膜材料形成的第二硬掩膜層106，位于圖形化的第一硬掩膜層103的圖案之間且與圖形化的第一硬掩膜層103高度一致，如圖4所示。
[0067]其中，第二硬掩膜層106的材料(即第二硬掩膜材料河以為BN (氮化硼)、TiN (氮化鈦)或者其他合適的材料，填充第二硬掩膜材料的方法可以為化學(xué)氣相沉積法。采用BN(氮化硼)或TiN作為第二硬掩膜層106的材料，由于二者具有良好的填充性，可以保證形成的第二硬掩膜層106完全填充于圖形化的第一硬掩膜層103’的圖案之間，進(jìn)而保證后續(xù)形成良好的圖形化的第二硬掩膜層。
[0068]步驟202:在第二硬掩膜層106上依次形成底部抗反射層107和圖形化的光刻膠108。如圖5所示。
[0069]其中，圖形化的光刻膠108的圖案對(duì)應(yīng)于用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的第二部分掩膜圖案?！皩?duì)應(yīng)于”是指以圖形化的光刻膠108為掩膜刻蝕第二硬掩膜層時(shí)恰好可以形成第二部分掩膜圖案。其中，第一部分掩膜圖案和第二部分掩膜圖案，共同構(gòu)成了用于刻蝕待刻蝕膜層101的掩膜的圖案。
[0070]其中，形成圖形化的光刻膠108的方法，可以通過(guò)涂布光刻膠層，然后對(duì)其進(jìn)行曝光、顯影的方法實(shí)現(xiàn)。并且，可以省略底部抗反射層107。當(dāng)然，形成底部抗反射層107的優(yōu)點(diǎn)在于，可以保證形成的圖形化的光刻膠108具有更理想的形貌。
[0071]在本實(shí)施例中，底部抗反射層107和圖形化的光刻膠108可以分別稱為第二底部抗反射層107和第二圖形化的光刻膠108。
[0072]步驟203:以圖形化的光刻膠108為掩膜對(duì)底部抗反射層107和第二硬掩膜層106進(jìn)行刻蝕形成圖形化的第二硬掩膜層106’(即形成了第二部分掩膜圖案)。形成的圖形，如圖6所示。
[0073]在本實(shí)施例中，第一硬掩膜層的材料與第二硬掩膜層的材料之間具有高的蝕刻選擇比，以保證在形成圖形化的第二硬掩膜層106’的過(guò)程中，圖形化的第一硬掩膜層103’不會(huì)因刻蝕而受到破壞。
[0074]其中，對(duì)底部抗反射層107和第二硬掩膜層106進(jìn)行刻蝕的方法，可以為干法刻蝕或濕法刻蝕。在本實(shí)施例中，采用干法刻蝕，優(yōu)選的，所采用的刻蝕氣體為Cl2 (氯氣)，即采用氯等離子體進(jìn)行干法刻蝕。由于Cl2相對(duì)于BN (或TiN)等第二硬掩膜材料與氧化物等第一硬掩膜的材料，具有較高的刻蝕選擇比，因而可以保證在形成圖形化的第二硬掩膜層106’時(shí)不會(huì)損害到圖形化的第一硬掩膜層。優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，在利用氯等離子體對(duì)第二硬掩膜層106進(jìn)行干法刻蝕的過(guò)程中，圖形化的光刻膠108和底部抗反射層107恰好在對(duì)第二硬掩膜層進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中同時(shí)一并被刻蝕去除。當(dāng)然，如果圖形化的光刻膠108和底部抗反射層107有殘留，還可以包括步驟204:去除圖形化的光刻膠108和底部抗反射層107。其中，去除的方法可以為剝離或其他現(xiàn)有技術(shù)中常用的方法。
[0075]也就是說(shuō)，經(jīng)過(guò)步驟201至203，形成了包括第二部分掩膜圖案的圖形化的第二硬掩膜層106’，如圖6所示。
[0076]在本實(shí)施例中，圖形化的第一硬掩膜層和圖形化的第二硬掩膜層共同構(gòu)成了刻蝕待刻蝕膜層用的掩膜。也即，第一部分掩膜圖案和第二部分掩膜圖案共同構(gòu)成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的掩膜圖案。
[0077]在本發(fā)明實(shí)施例中，形成第一圖形化的光刻膠105所使用的掩膜板與形成第二圖形化的光刻膠108所使用的掩膜板，可以為同一掩膜板；保證在形成第二圖形化的光刻膠108掩膜板的位置與形成第一圖形化的光刻膠105時(shí)掩膜板的位置不同即可，實(shí)現(xiàn)方式可以為:相對(duì)于形成第一圖形化的光刻膠105，向某一方向移動(dòng)適當(dāng)距離的掩膜板的位置，然后進(jìn)行曝光、顯影處理，形成第二圖形化的光刻膠108。這一方法適于第一圖形化的光刻膠和第二圖形化的光刻膠的形狀相同但位置不同的情況。
[0078]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法實(shí)施的利用一種全新的雙重圖形技術(shù)形成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的步驟。顯然，在本發(fā)明實(shí)施例中，使用關(guān)鍵尺寸(CD ) t匕較大的掩膜板(指對(duì)第一硬掩膜層和第二硬掩膜層進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中所使用的掩膜板)形成了關(guān)鍵尺寸較小的掩膜圖案。
[0079]在本發(fā)明實(shí)施例中，在步驟2之后，還可以包括如下步驟:
[0080]步驟3:利用圖形化的第一硬掩膜層和圖形化的第二硬掩膜層作為掩膜，對(duì)所述待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的待刻蝕膜層。
[0081]具體地，利用圖形化的第一硬掩膜層103’和圖形化的第二硬掩膜層106’作為掩膜，利用干法刻蝕或濕法刻蝕工藝，對(duì)待刻蝕膜層101進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的待刻蝕膜層。
[0082]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，在利用雙重圖形技術(shù)對(duì)待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，先形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層，再在第一掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜的圖形化的第二硬掩膜層，使得圖形化的第一硬掩膜層和圖形化的第二硬掩膜層共同構(gòu)成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中的雙重圖形技術(shù)，該技術(shù)方案可以形成更好的掩膜圖案形貌，有利于提高半導(dǎo)體器件的良率。
[0083]圖7示出了本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造工藝的流程。
[0084]步驟SlOl:在待刻蝕膜層上形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層；
[0085]步驟S102:在所述圖形化的第一硬掩膜層的所述第一部分掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜圖案的圖形化的第二硬掩膜層。
[0086]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟SlOl:在待刻蝕膜層上形成包括第一部分掩膜圖案的圖形化的第一硬掩膜層； 步驟S102:在所述第一部分掩膜圖案之間形成包括第二部分掩膜圖案的圖形化的第二硬掩膜層； 其中，所述圖形化的第一硬掩膜層和所述圖形化的第二硬掩膜層共同構(gòu)成用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜，所述第一部分掩膜圖案和所述第二部分掩膜圖案共同構(gòu)成所述用于刻蝕待刻蝕膜層的掩膜的掩膜圖案。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟SlOl包括: 步驟SlOll:在待刻蝕膜層上形成第一硬掩膜層； 步驟S1012:在所述第一硬掩膜層上依次形成第一底部抗反射層和第一圖形化的光刻膠； 步驟S1013:以所述第一圖形化的光刻膠為掩膜，對(duì)所述底部抗反射層和所述第一硬掩膜層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的第一硬掩膜層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟SlOll還包括:在形成所述第一硬掩膜層之前，在所述待刻蝕膜層上形成輔助硬掩膜層。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1013中對(duì)所述底部抗反射層和所述第一硬掩膜層進(jìn)行刻蝕的方法為干法刻蝕，并且，所述步驟S1013還包括對(duì)所述圖形化的第一硬掩膜層進(jìn)行清洗的步驟。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102包括: 步驟S1021:在所述第一部分掩膜圖案之間填充第二硬掩膜材料，通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光去除多余的第二硬掩膜材料以形成第二硬掩膜層； 步驟S1022:在所述第二硬掩膜層上依次形成第二底部抗反射層和第二圖形化的光刻膠； 步驟S1023:以所述第二圖形化的光刻膠為掩膜對(duì)所述第二底部抗反射層和所述第二硬掩膜層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的第二硬掩膜層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二硬掩膜材料為氮化硼或氮化鈦。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S1021中，填充所述第二硬掩膜材料的方法為化學(xué)氣相沉積法。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1023包括:采用氯等離子體對(duì)所述第二底部抗反射層和所述第二硬掩膜層進(jìn)行干法刻蝕形成圖形化的第二硬掩膜層，其中，所述第二圖形化的光刻膠和所述底部抗反射層同時(shí)被刻蝕去除。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述待刻蝕膜層為金屬間介電層。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S102之后還包括: 步驟S103:以所述圖形化的第一硬掩膜層和所述圖形化的第二硬掩膜層為掩膜，對(duì)所述待刻蝕膜層進(jìn)行刻蝕，形成圖形化的待刻蝕膜層。
11.如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料與第二硬掩膜層的材料之間具有高的蝕刻選擇比。
12.如權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料為氧化物。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜層的材料為 四乙基正硅酸鹽。
【文檔編號(hào)】H01L21/033GK104051241SQ201310077551
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2013年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月11日
【發(fā)明者】周鳴 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司