用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，包括：在正面結(jié)構(gòu)中，包括襯底、場限環(huán)、覆蓋場限環(huán)的氧化層或者鈍化層、絕緣柵雙極晶體管IGBT元包的基區(qū)、IGBT元包的發(fā)射極及發(fā)射極金屬電極，所述場限環(huán)的摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的基區(qū)摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的發(fā)射極摻雜類型與襯底相同；在背面結(jié)構(gòu)中，采用一層掩膜版對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極，而終端區(qū)發(fā)射極的位置保持N型摻雜。本發(fā)明還公開了另外兩種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)。本發(fā)明將終端背面的集電區(qū)P型層用絕緣物質(zhì)代替，避免了器件關(guān)斷過程中元包發(fā)生閂鎖并最終失效。
【專利說明】用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及功率器件的終端結(jié)構(gòu)，特別涉及用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，更進(jìn)一步本發(fā)明更適用于逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]絕緣柵雙極晶體管IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是新型的大功率器件，集MOSFET柵極電壓控制特性和雙極型晶體管低導(dǎo)通電阻特性于一身，改善了器件耐壓和導(dǎo)通電阻相互牽制的情況，具有高電壓、大電流、高頻率、功率集成密度高、輸入阻抗大、導(dǎo)通電阻小、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn)。在變頻家電、工業(yè)控制、電動及混合動力汽車、新能源、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用空間。近年來不斷發(fā)展的逆導(dǎo)IGBT (RC-1GBT,Reverse Conducting IGBT)以其可以降低損耗、提高系統(tǒng)效率，減小大功率系統(tǒng)中器件并聯(lián)的數(shù)目，減小熱沉大小等優(yōu)點(diǎn)逐漸占有一定市場，并不斷發(fā)展壯大，其集電極不是連續(xù)的P+區(qū)，而是部分地弓I入一些N+短路區(qū)。
[0003]IGBT終端區(qū)是圍繞器件有源區(qū)外圍的保護(hù)結(jié)構(gòu)，主要形成于功率器件正表面，是保證耐壓的區(qū)域。根據(jù)工作的原理可以分為電場延伸型和電場截?cái)嘈?電場延伸型，在主結(jié)邊緣處設(shè)置延伸結(jié)構(gòu)，將主結(jié)耗盡區(qū)向外展寬，降低內(nèi)部電場強(qiáng)度提高擊穿電壓，用于平面工藝，如場板(FP)、阻性場板(SIP0S)、場限環(huán)(FGR)、結(jié)終端延伸(JTE)、橫向變摻雜(VLD)等；電場截?cái)嘈?，刻蝕深槽，截?cái)嗲娼Y(jié)，影響表面電場分布，常用于臺面或刻蝕工藝。優(yōu)良的終端保護(hù)結(jié)構(gòu)是功率器件(諸如功率二極管、功率MOS管、IGBT等)實(shí)現(xiàn)預(yù)定耐壓的重要保障。
[0004]IGBT在版圖的實(shí)現(xiàn)上，是由并聯(lián)的元胞構(gòu)成的有源區(qū)101 (圖中未給出具體的并聯(lián)形式)、有源區(qū)外圍一圈的終端區(qū)102 (圖中未設(shè)定特定的終端結(jié)構(gòu))、柵PAD103 (圖中未設(shè)定PAD103特定的位置，PAD是電極的壓線盤)、源PAD104 (圖中未設(shè)定PAD特定的位置)等構(gòu)成，如圖1所示。
[0005]圖2所不的是IGBT芯片終端和最罪近IGBT終端最外延的一圈兀包的結(jié)構(gòu)不意圖。201為襯底結(jié)構(gòu)，202為背面集電極，其摻雜類型與襯底區(qū)相反，203為IGBT元包的基區(qū)，其摻雜類型與襯底區(qū)的相反，204為IGBT元包的發(fā)射極，其摻雜類型與襯底區(qū)的相同，205為IGBT芯片場限環(huán)終端的場限環(huán)，其摻雜類型與襯底相反，206為覆蓋終端區(qū)域的氧化層或稱為鈍化層，207為連接背面集電極的金屬電極，208為連接正面發(fā)射極的金屬電極。
[0006]以N型溝道的IGBT元包為例，圖3為其所示的等效結(jié)構(gòu)圖。IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個(gè)寄生NPNP晶閘管，可以等效成NPN晶體管和PNP晶體管組成的正反饋電路，其等效電路如圖3所示。當(dāng)N+層與P型層接觸面上存在橫向流動的空穴電流時(shí)，NPN晶閘管就很容易導(dǎo)通。NPN晶體管導(dǎo)通時(shí)，NPN管和PNP管會形成一個(gè)互相反饋的回路，使集電極與發(fā)射極之間的電流增加，最終導(dǎo)致柵極對器件電流的控制能力下降甚至消失，通常還會引起器件擊穿問題。這種晶閘管導(dǎo)通現(xiàn)象被稱為IGBT閂鎖，這一特殊現(xiàn)象嚴(yán)重地限制了IGBT的安全工作區(qū)。[0007]圖4是一個(gè)RC-1GBT的元包結(jié)構(gòu)。401為襯底結(jié)構(gòu)，403為IGBT元包的基區(qū)，其摻雜類型與襯底區(qū)的相反，404為IGBT元包的發(fā)射極，其摻雜類型與襯底區(qū)的相同，306為覆蓋終端區(qū)域的氧化層或稱為鈍化層，這些正面結(jié)構(gòu)與常規(guī)的IGBT相同。對比圖2中的元包結(jié)構(gòu)和圖4中的元包結(jié)構(gòu)的背面可以發(fā)現(xiàn)，對于RC-1GBT的背面集電極，其由與襯底401摻雜濃度相同(圖中402B)和相反(圖中402A)的兩種結(jié)構(gòu)組成的，407為連接背面集電極的金屬電極。
[0008]專利JP2005136092-A提供的技術(shù)方案，其終端區(qū)域所對應(yīng)的P型基區(qū)的摻雜濃度小于有源區(qū)所對應(yīng)的P型基區(qū)的摻雜濃度。該方案在背面采用多一層掩膜版形成終端區(qū)域的低摻雜的P型集電極，但是該層仍為P型區(qū)，仍然會在關(guān)斷時(shí)向終端區(qū)域的耗盡區(qū)注入大量的空穴，對器件抗閂鎖能力的改進(jìn)有限。
[0009]專利JP2005142288-A提供的技術(shù)方案，其終端所對應(yīng)的P型基區(qū)被絕緣層代替，有源區(qū)對應(yīng)的仍為P型基區(qū)。該方案在背面首先采用一層掩膜版刻蝕掉終端區(qū)所對應(yīng)芯片背面的半導(dǎo)體材料，然后淀積絕緣物質(zhì)，進(jìn)一步再采用一層掩膜版對絕緣物質(zhì)進(jìn)行刻蝕，形成P型集電極的注入窗口，隨后通過注入窗口進(jìn)行P型注入，形成P型集電極。該方案雖然能夠達(dá)到提高器件抗閂鎖能力，但是在背面需要兩個(gè)掩膜版，增加了工藝制作難度的同時(shí)提高了器件的制作成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，用于降低功率器件IGBT的動態(tài)閂鎖。
[0011]本發(fā)明提供了一種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，包括:
[0012]在正面結(jié)構(gòu)中，包括襯底、場限環(huán)、覆蓋場限環(huán)的氧化層或者鈍化層、IGBT元包的基區(qū)、IGBT元包的發(fā)射極及發(fā)射極金屬電極，所述場限環(huán)的摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的基區(qū)摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的發(fā)射極摻雜類型與襯底相同；
[0013]在背面結(jié)構(gòu)中，采用一層掩膜版對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極，而終端區(qū)發(fā)射極的位置保持N型摻雜。
[0014]該方法將終端背面的集電區(qū)P型層用N型層代替，避免了器件關(guān)斷過程中大量空穴由終端背面的集電區(qū)注入到終端區(qū)的耗盡層，并進(jìn)一步被掃出耗盡層，電流流向與終端區(qū)緊鄰的第一圈有源區(qū)元包，并最終導(dǎo)致該區(qū)域元包發(fā)生閂鎖并最終失效。該終端設(shè)計(jì)方案在開啟過程中，終端區(qū)域不存在PN結(jié)，能夠迅速導(dǎo)走器件處于截止區(qū)時(shí)，耗盡區(qū)大量的載流子，提高器件的開啟速度。
[0015]本發(fā)明還提供了一種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，包括:
[0016]在正面結(jié)構(gòu)中，包括襯底、場限環(huán)、覆蓋場限環(huán)的氧化層或者鈍化層、IGBT元包的基區(qū)、IGBT元包的發(fā)射極及發(fā)射極金屬電極，所述場限環(huán)的摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的基區(qū)摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的發(fā)射極摻雜類型與襯底相同；
[0017]在背面結(jié)構(gòu)中，對背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極后，采用一層掩膜版對終端區(qū)的發(fā)射極進(jìn)行刻蝕，將注入的P型集電極層刻蝕掉，并進(jìn)行背面的金屬化，形成背面集電極金屬電極，在終端背面P型集電極位置形成金屬。
[0018]該方法將終端背面的集電區(qū)P型層用金屬層代替，避免了器件關(guān)斷過程中大量空穴由終端背面的集電區(qū)注入到終端區(qū)的耗盡層，并進(jìn)一步被掃出耗盡層，電流流向與終端區(qū)緊鄰的第一圈有源區(qū)元包，并最終導(dǎo)致該區(qū)域元包發(fā)生閂鎖并最終失效。該終端設(shè)計(jì)方案在開啟過程中，終端區(qū)域不存在PN結(jié)，能夠迅速導(dǎo)走器件處于截止區(qū)時(shí)，耗盡區(qū)大量的載流子，提高器件的開啟速度。
[0019]本發(fā)明還提供了一種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，包括:
[0020]在正面結(jié)構(gòu)中，包括襯底、場限環(huán)、覆蓋場限環(huán)的氧化層或者鈍化層、IGBT元包的基區(qū)、IGBT元包的發(fā)射極及發(fā)射極金屬電極，所述場限環(huán)的摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的基區(qū)摻雜類型與襯底相反，IGBT元包的發(fā)射極摻雜類型與襯底相同；
[0021]在背面結(jié)構(gòu)中，在背面淀積一層絕緣物質(zhì)，并采用掩膜版刻蝕掉有源區(qū)的絕緣物質(zhì)，并對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極，終端區(qū)背面的P集電極層對應(yīng)的是絕緣物質(zhì)，然后進(jìn)行背面的金屬化，形成背面集電極金屬電極。
[0022]該方法將終端背面的集電區(qū)P型層用絕緣物質(zhì)代替，避免了器件關(guān)斷過程中大量空穴由終端背面的集電區(qū)注入到終端區(qū)的耗盡層，并進(jìn)一步被掃出耗盡層，電流流向與終端區(qū)緊鄰的第一圈有源區(qū)元包，并最終導(dǎo)致該區(qū)域元包發(fā)生閂鎖并最終失效。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中IGBT的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中IGBT芯片終端和最靠近IGBT終端最外延的一圈元包的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中N型溝道的IGBT元包的等效結(jié)構(gòu)圖；
[0026]圖4為現(xiàn)有技術(shù)中RC-1GBT的元包結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種防閂鎖終端區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種防閂鎖終端區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種防閂鎖終端區(qū)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了采用N型注入，或刻蝕后淀積金屬層，或刻蝕后淀積絕緣層的方式形成IGBT芯片終端區(qū)域的背面的區(qū)域。該方案與RC-1GBT的工藝過程相兼容，同時(shí)適用于具有正向阻斷能力的功率器件IGBT，能夠有效降低功率器件IGBT在開啟過程中由于P型發(fā)射極注入的大量空穴造成的動態(tài)閂鎖；同時(shí)也可以快速導(dǎo)走器件處于阻斷狀態(tài)下耗盡區(qū)內(nèi)大量的電子和空穴，也可以增加器件的開啟速度。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的終端區(qū)結(jié)構(gòu)，只對芯片的背面做更改，對正面結(jié)構(gòu)無特殊要求，即正面的終端結(jié)構(gòu)可以為場限環(huán)終端、場板終端、JTE終端，也可為場限環(huán)與場板結(jié)合的終端結(jié)構(gòu)，以下實(shí)施例以場限環(huán)終端為例。
[0033]實(shí)施例一
[0034]本實(shí)施例提供的防閂鎖終端區(qū)結(jié)構(gòu)如圖5所示，終端區(qū)背面的集電極層用N型層代替。在正面結(jié)構(gòu)中，501為襯底；505為場限環(huán)，其摻雜類型與襯底501相反；506為覆蓋場限環(huán)的氧化層或者鈍化層；503為IGBT元包的基區(qū)，其摻雜類型與襯底501相反；504為IGBT兀包的發(fā)射極,其摻雜類型與襯底501相同；508為發(fā)射極金屬電極。在背面結(jié)構(gòu)，與常規(guī)IGBT終端結(jié)構(gòu)不同，本實(shí)施例所提出的終端結(jié)構(gòu)，采用一層掩膜版對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極，如圖中502A，而終端區(qū)發(fā)射極的位置保持N型摻雜，圖示502B。
[0035]圖5所對應(yīng)的終端區(qū)結(jié)構(gòu)的另外一種實(shí)施方式:在背面進(jìn)行N型注入后，采用一層掩膜版對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極，圖示502A，而終端區(qū)發(fā)射極的位置保持N型高摻雜，圖示502B。
[0036]本實(shí)施例將終端背面的集電區(qū)P型層用N型層代替，避免了器件關(guān)斷過程中大量空穴由終端背面的集電區(qū)注入到終端區(qū)的耗盡層，并進(jìn)一步被掃除耗盡層，最終如圖5所示從箭頭所示的路徑，電流流向與終端區(qū)緊鄰的第一圈有源區(qū)元包，并最終導(dǎo)致該區(qū)域元包發(fā)生閂鎖并最終失效。該終端設(shè)計(jì)方案在開啟過程中，終端區(qū)域不存在PN結(jié)，能夠迅速導(dǎo)走器件處于截止區(qū)時(shí)，耗盡區(qū)大量的載流子，提高器件的開啟速度。
[0037]實(shí)施例二
[0038]本實(shí)施例提供的防閂鎖終端區(qū)結(jié)構(gòu)如圖6所示，終端區(qū)背面的集電極層用金屬層代替。在正面結(jié)構(gòu)中，601為襯底；605為場限環(huán)，其摻雜類型與襯底601相反；606為覆蓋場限環(huán)的氧化層或者鈍化層；603為IGBT元包的基區(qū)，其摻雜類型與襯底601相反；604為IGBT兀包的發(fā)射極,其摻雜類型與襯底601相同；608為發(fā)射極金屬電極。在背面結(jié)構(gòu)，與常規(guī)IGBT終端結(jié)構(gòu)不同，本實(shí)施例所提出的終端結(jié)構(gòu)，對背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極(圖示602A)后，采用一層掩膜版對終端區(qū)的發(fā)射極進(jìn)行刻蝕，將注入的P型集電極層刻蝕掉，然后進(jìn)一步進(jìn)行背面的金屬化，形成背面集電極金屬電極，在終端背面P型集電極位置形成金屬602B。需進(jìn)一步說明刻蝕掉P型集電極層的深度，可小于、等于或大于P型集電極層的厚度，所得到的抗動態(tài)閂鎖的能力依次遞減。
[0039]本實(shí)施例將終端背面的集電區(qū)P型層用金屬層代替，避免了器件關(guān)斷過程中大量空穴由終端背面的集電區(qū)注入到終端區(qū)的耗盡層，并進(jìn)一步被掃除耗盡層，最終如圖6所示從箭頭所示的路徑，電流流向與終端區(qū)緊鄰的第一圈有源區(qū)元包，并最終導(dǎo)致該區(qū)域元包發(fā)生閂鎖并最終失效。該終端設(shè)計(jì)方案在開啟過程中，終端區(qū)域不存在PN結(jié)，能夠迅速導(dǎo)走器件處于截止區(qū)時(shí)，耗盡區(qū)大量的載流子，提高器件的開啟速度。
[0040]實(shí)施例三
[0041]本實(shí)施例提供的防閂鎖終端區(qū)結(jié)構(gòu)如圖7所示，終端區(qū)背面的集電極層用絕緣物質(zhì)(如SiO2等)代替。在正面結(jié)構(gòu)中，701為襯底；705為場限環(huán)，其摻雜類型與襯底701相反；706為覆蓋場限環(huán)的氧化層或者鈍化層；703為IGBT元包的基區(qū)，其摻雜類型與襯底701相反；704為IGBT元包的發(fā)射極，其摻雜類型與襯底701相同；708為發(fā)射極金屬電極。在背面結(jié)構(gòu)，與常規(guī)IGBT終端結(jié)構(gòu)不同，本實(shí)施例所提出的終端結(jié)構(gòu)，首先在背面淀積一層絕緣物質(zhì)(如SiO2等)，并進(jìn)一步采用掩膜版刻蝕掉有源區(qū)的絕緣物質(zhì)，并對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極(圖示702A)，終端背面的P集電極層對應(yīng)的是絕緣物質(zhì)702B，然后進(jìn)一步進(jìn)行背面的金屬化，形成背面集電極金屬電極。
[0042]本實(shí)施例將終端背面的集電區(qū)P型層用絕緣物質(zhì)代替，避免了器件關(guān)斷過程中大量空穴由終端背面的集電區(qū)注入到終端區(qū)的耗盡層，并進(jìn)一步被掃除耗盡層，最終如圖7所示從箭頭所示的路徑，電流流向與終端區(qū)緊鄰的第一圈有源區(qū)元包，并最終導(dǎo)致該區(qū)域元包發(fā)生閂鎖并最終失效。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例所提出的IGBT終端區(qū)解決方案，與RC-1GBT的制作方案相兼容，但也適用于其他常規(guī)結(jié)構(gòu)的IGBT，以及其他功率器件(如VDM0S，功率二極管diode、MCT等)。
[0044]總之，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，其特征在于，包括: 在正面結(jié)構(gòu)中，包括襯底(501)、場限環(huán)(505)、覆蓋場限環(huán)(505)的氧化層或者鈍化層(506)、絕緣柵雙極晶體管IGBT元包的基區(qū)(503)、IGBT元包的發(fā)射極(504)及發(fā)射極金屬電極(508)，所述場限環(huán)(505)的摻雜類型與襯底(501)相反，IGBT元包的基區(qū)(503)摻雜類型與襯底(501)相反，IGBT元包的發(fā)射極(504)摻雜類型與襯底(501)相同； 在背面結(jié)構(gòu)中，采用一層掩膜版對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極(502A)，而終端區(qū)發(fā)射極的位置保持N型摻雜(502B)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，其特征在于，在所述采用一層掩膜版對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入前，進(jìn)一步包括:在背面進(jìn)行N型注入。
3.一種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，其特征在于，包括: 在正面結(jié)構(gòu)中，包括襯底(601)、場限環(huán)(605)、覆蓋場限環(huán)(605)的氧化層或者鈍化層(606)、IGBT元包的基區(qū)(603)、IGBT元包的發(fā)射極(604)及發(fā)射極金屬電極(608)，所述場限環(huán)(605)的摻雜類型與襯底(601)相反，IGBT元包的基區(qū)(603)摻雜類型與襯底(601)相反，IGBT元包的發(fā)射極(604)摻雜類型與襯底(601)相同； 在背面結(jié)構(gòu)中，對背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極(602A)后，采用一層掩膜版對終端區(qū)的發(fā)射極進(jìn)行刻蝕，將注入的P型集電極層刻蝕掉，并進(jìn)行背面的金屬化，形成背面集電極金屬電極，在終端背面P型集電極位置形成金屬(602B)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，其特征在于，所述刻蝕掉的P型集電極層的深度小于、等于或大于P型集電極層的厚度，得到的抗動態(tài)閂鎖的能力依次遞減。
5.一種用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，其特征在于，包括: 在正面結(jié)構(gòu)中，包括襯底(701)、場限環(huán)(705)、覆蓋場限環(huán)(705)的氧化層或者鈍化層(706)、IGBT元包的基區(qū)(703)、IGBT元包的發(fā)射極(704)及發(fā)射極金屬電極(708)，所述場限環(huán)(705)的摻雜類型與襯底(701)相反，IGBT元包的基區(qū)(703)摻雜類型與襯底(701)相反，IGBT元包的發(fā)射極(704)摻雜類型與襯底(701)相同； 在背面結(jié)構(gòu)中，在背面淀積一層絕緣物質(zhì)，并采用掩膜版刻蝕掉有源區(qū)的絕緣物質(zhì)，并對有源區(qū)的背面進(jìn)行P型注入，形成P型發(fā)射極(702A)，終端區(qū)背面的P集電極層對應(yīng)的是絕緣物質(zhì)(702B)，然后進(jìn)行背面的金屬化，形成背面集電極金屬電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于絕緣柵雙極晶體管的防閂鎖終端區(qū)，其特征在于，所述絕緣物質(zhì)為SiO2。
【文檔編號】H01L29/739GK103839993SQ201310086355
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2013年3月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月23日
【發(fā)明者】褚為利, 朱陽軍, 田曉麗, 張文亮, 陸江 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所, 上海聯(lián)星電子有限公司, 江蘇中科君芯科技有限公司