藍(lán)寶石基板的再生方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明為一種藍(lán)寶石基板的再生方法，其先提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)浸漬于一堿性水溶液，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一藍(lán)寶石基板上的一磊晶結(jié)構(gòu)，并在經(jīng)過(guò)清洗制程，將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的殘留浸漬液去除后，得到一再生的藍(lán)寶石基板，藉由上述步驟進(jìn)行再生的制程能夠大量處理藍(lán)寶石基板、處理時(shí)間短、可選擇性清除鍍層，且浸漬液不與藍(lán)寶石基板反應(yīng)，可保留藍(lán)寶石基板使用前狀態(tài)，降低成膜生產(chǎn)參數(shù)的變異性，提升產(chǎn)品良率的優(yōu)點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】藍(lán)寶石基板的再生方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明系有關(guān)于一種利用全濕式制程將具有鍍層的藍(lán)寶石基板回復(fù)至藍(lán)寶石基板新片質(zhì)量的藍(lán)寶石基板的再生方法。
【背景技術(shù)】
[0002]藍(lán)寶石的組成為氧化KAl2O3)是由三個(gè)氧原子和兩個(gè)鋁原子以共價(jià)鍵型式結(jié)合，逼垡結(jié)構(gòu)為六方晶格結(jié)構(gòu)，藍(lán)寶石的M穿透帶很寬，從近紫外光(190nm)到中紅外線都有很好的透光性，并且具備高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、熔點(diǎn)高及電絕緣等特點(diǎn)，常作為光電組件材料。隨著1993年日亞化(Nichia)開(kāi)發(fā)出以氮化鎵(GaN)為材質(zhì)的藍(lán)光LED，配合MOCVD (有機(jī)金屬氣相磊晶法)的磊晶技術(shù)，可制造出高亮度的藍(lán)光LED，藍(lán)寶石(Sapphire)成為制成氮化鎵磊晶發(fā)光層的主要基板材質(zhì)。
[0003]然，磊晶制程并無(wú)法達(dá)到良率百分的百的程度，且藍(lán)寶石基板從長(zhǎng)晶至切磨拋加工，也十分不易，尤其是面對(duì)日益需求的4”、6”大尺寸基板搭配表面圖案化的制程，如果因磊晶失敗而使得藍(lán)寶石基板無(wú)法再利用，對(duì)于耗能的制程實(shí)為可惜。習(xí)知在回收藍(lán)寶石基板再利用的最后一道制程會(huì)使用磨拋制程，將藍(lán)寶石基板的表面做I物理性破壞，造成圖案化的藍(lán)寶石基板無(wú)法再次使用。
[0004]習(xí)知在處理該些回收的藍(lán)寶石基板及玻璃，系需要進(jìn)行下列步驟:
[0005](a)先浸潰一第一酸液,去除金屬層；
[0006](b)高溫(1100?1800°C )裂解氮化物；
[0007](c)浸潰一第二酸液，去除磊晶結(jié)構(gòu)氧化物；及
[0008](d)化學(xué)機(jī)械拋光，去除表面殘余物。
[0009]例如，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)專(zhuān)利公報(bào)公告第1366894號(hào)的“藍(lán)寶石晶圓再生方法”，其包括下列步驟:(a)提供藍(lán)寶石晶圓，此藍(lán)寶石晶圓上已形成有磊晶結(jié)構(gòu)；(b)對(duì)藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行第一浸潰(Dipping)制程，以移除金屬殘留物；(c)對(duì)藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行高溫處理(HighTemperature Treatment)制程以破壞及氧化嘉晶結(jié)構(gòu)；(d)對(duì)藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行第二浸潰制程，以移除殘余的磊晶結(jié)構(gòu)氧化物；(e)對(duì)藍(lán)寶石晶圓的第一表面進(jìn)行第一拋光制程，其中藍(lán)寶石晶圓再生方法依照步驟(a)至步驟(e)的順序進(jìn)行。使再生藍(lán)寶石晶圓具有與藍(lán)寶石晶圓新片相同的質(zhì)量。
[0010]前案第1366894號(hào)為典型以習(xí)知制程處理藍(lán)寶石基板的再生方法，其系透過(guò)高溫裂解將去除氮化物，在長(zhǎng)時(shí)間的再生制程中，此步驟需要進(jìn)行數(shù)個(gè)小時(shí)，不僅相當(dāng)耗時(shí)，且會(huì)消耗大量能源，制程的效率低落，再者，習(xí)知的藍(lán)寶石基板再生制程會(huì)依序進(jìn)行兩道酸性溶液的浸潰，而酸性溶液中通常系由磷酸、硫酸、硝酸、鹽酸等強(qiáng)酸混合制成，浸潰過(guò)程中，蝕刻液破壞藍(lán)寶石基板表面狀態(tài)、侵蝕藍(lán)寶石基板，使藍(lán)寶石基板厚度減薄及表面粗糙度變異，若藍(lán)寶石基板表面已圖案化，亦會(huì)受到不同軸向的蝕刻率不同而被破壞。
[0011]由于現(xiàn)有技術(shù)尚無(wú)法完善處理此類(lèi)問(wèn)題，所以有加以突破、解決的必要。因此，如何提升方便性、實(shí)用性與經(jīng)濟(jì)效益，此為業(yè)界應(yīng)努力解決、克服的重點(diǎn)項(xiàng)目。[0012]緣此，本發(fā)明人有鑒于習(xí)知藍(lán)寶石基板再生方法的問(wèn)題缺失未臻理想的事實(shí)，本發(fā)明發(fā)明人即著手研發(fā)其解決方案，希望能開(kāi)發(fā)出一種更具便利性、實(shí)用性與高經(jīng)濟(jì)效益的藍(lán)寶石基板的再生方法，以促進(jìn)社會(huì)的發(fā)展，遂經(jīng)多時(shí)的構(gòu)思而有本發(fā)明的產(chǎn)生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明的目的在于提供一種藍(lán)寶石基板的再生方法，其系將一具有鍍層的藍(lán)寶石基板浸潰于一堿性水溶液，以去除該藍(lán)寶石基板上的金屬氮化物層，并經(jīng)一清洗制程后得到一再生的藍(lán)寶石基板，再生過(guò)程采用全濕式制程，處理量大、處理時(shí)間短、可選擇性清除鍍層，且浸潰液不與藍(lán)寶石基板反應(yīng)，可保留藍(lán)寶石基板使用前狀態(tài)，降低成膜生產(chǎn)參數(shù)的變異性，提升產(chǎn)品良率。
[0014]本發(fā)明系提供一種藍(lán)寶石基板的再生方法，其包含下列步驟:首先，提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一藍(lán)寶石基板及一磊晶結(jié)構(gòu)，該磊晶結(jié)構(gòu)設(shè)于該藍(lán)寶石基板一側(cè)；浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一堿性水溶液，以去除該磊晶結(jié)構(gòu)的多個(gè)金屬氮化物層；取出該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行一清洗制程，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的殘留浸潰液；最后，得到該藍(lán)寶石基板。
[0015]實(shí)施本發(fā)明產(chǎn)生的有益效果是:本發(fā)明透過(guò)將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)依序浸潰于第一酸性水溶液及堿性水溶液后，能夠去除該藍(lán)寶石基板上的磊晶結(jié)構(gòu)，得到一再生的藍(lán)寶石基板，而經(jīng)由浸潰第二酸性溶液及電漿干式蝕刻，更能確實(shí)去除殘留物，且再生過(guò)程中不藉由高溫裂解的步驟，得以縮短制程的時(shí)間，而浸潰的酸、堿水溶液系選用不易與藍(lán)寶石基板反應(yīng)的配方，故可保留基板使用前狀態(tài)，降低成膜生產(chǎn)參數(shù)的變異性，提升產(chǎn)品良率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1A為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖1B為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的實(shí)施步驟示意圖；
[0018]圖2A為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2B為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的實(shí)施步驟示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的實(shí)施步驟示意圖；及
[0021]圖4為本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的實(shí)施步驟示意圖。
[0022]【圖號(hào)對(duì)照說(shuō)明】
[0023]I 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
[0024]10 藍(lán)寶石基板
[0025]20 磊晶結(jié)構(gòu)
[0026]21 金屬氮化物層
[0027]22 P型金屬層
[0028]23 N型金屬層
【具體實(shí)施方式】
[0029]為了使本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，特用較佳的實(shí)施例及配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如下:
[0030]由于習(xí)知的藍(lán)寶石基板再生制程需要進(jìn)行高溫裂解及化學(xué)拋光的步驟，過(guò)程中會(huì)耗費(fèi)大量的能源及時(shí)間，高溫?cái)?shù)小時(shí)耗能會(huì)破壞基板表面狀態(tài)、蝕刻液會(huì)侵蝕基板，造成基板厚度減薄及表面粗糙度變異，會(huì)提升成膜生產(chǎn)參數(shù)的變異性，故本發(fā)明系提出能夠改善上述缺失的藍(lán)寶石基板再生方法。
[0031]首先，請(qǐng)一并參閱圖1A及圖1B，其為本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖及實(shí)施步驟示意圖；如圖所示，本實(shí)施例的藍(lán)寶石基板再生方法，其步驟如下:
[0032]步驟SlO:提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一藍(lán)寶石基板及一磊晶結(jié)構(gòu)，該磊晶結(jié)構(gòu)設(shè)于該藍(lán)寶石基板一側(cè)；
[0033]步驟S20:浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一堿性水溶液，以去除該磊晶結(jié)構(gòu)的多個(gè)金屬氮化物層；
[0034]步驟S30:取出該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行一清洗制程，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的殘留浸潰液；及
[0035]步驟S40:得到該藍(lán)寶石基板。
[0036]如圖1A所示，該藍(lán)寶石基板10 —側(cè)設(shè)置該些金屬氮化物層21，浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)I于該堿性水溶液，使該金屬氮化物層21浸潰于該堿性水溶液，該些金屬氮化物層為一氮化鋁層、一氮化銦層、一氮化鎵層或其組合擇一者，該金屬氮化物層更包含至少一微量金屬、硅、硅氧化物或其組合擇一者，該微量金屬選自鎂、鋅或其組合擇一者，該堿性水溶液包括一溶質(zhì)及一溶劑，該溶質(zhì)系選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氰酸鉀或其組合擇一者，該溶劑選自乙二醇、甘油、醇醚類(lèi)或其組合擇一者，該溶質(zhì)較佳系為氫氧化鉀及氫氰酸鉀與該溶劑較佳系為乙二醇的混合，該溶質(zhì)與該溶劑的濃度配比為10?50wt%，該溶質(zhì)與該溶劑混合的溶液中更包含一去離子水，該去離子水的比例為O?IOwt%，并于浸潰溫度90?180°C及浸潰時(shí)間介于5?30分鐘的間進(jìn)行浸潰制程，在透過(guò)浸潰該堿性水溶液及條件環(huán)境下，該些金屬氮化物層21會(huì)由該藍(lán)寶石基板10 —側(cè)去除。
[0037]經(jīng)過(guò)浸潰該堿性水溶液，并去除該些金屬氮化物層21后，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)I表面會(huì)殘留部份浸潰液，接著進(jìn)行清洗制程以洗去殘留的浸潰液，該清洗制程系使用一超音波裝置，并利用一去離子水洗凈該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1，該超音波裝置為浸入搖擺式、浸入靜止式、流水沖洗式的任一者，并將該超音波裝置的震蕩頻率設(shè)定為40KHz以上，進(jìn)行10?30分鐘的洗凈，以去除殘留的浸潰液，最后得到不具該金屬氮化物層21的該藍(lán)寶石基板10。
[0038]由于上述的步驟不經(jīng)高溫裂解的步驟，故能減少藍(lán)寶石基板10再生制程的時(shí)間及能源消耗，且浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)I于上述配方組成的該些溶液不易與該藍(lán)寶石基板10反應(yīng)，亦即該溶液具有選擇性清除鍍層的優(yōu)點(diǎn)，不侵蝕該藍(lán)寶石基板10，故可保留藍(lán)寶石基板10使用前的狀態(tài)，降低成膜生產(chǎn)參數(shù)的變異性，以提升成品良率，且若該藍(lán)寶石基板10已圖案化，該圖案不會(huì)受到化學(xué)或物理性破壞，而得以保留。
[0039]請(qǐng)一并參閱圖2A及圖2B，其為本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖及實(shí)施步驟示意圖；如圖所示，本實(shí)施例的藍(lán)寶石基板再生方法于提供該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的步驟后，更包含以下步驟:
[0040]步驟S15:浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一第一酸性水溶液，以去除該磊晶結(jié)構(gòu)的至少一
金屬層。
[0041]由于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)I的該磊晶結(jié)構(gòu)20為一不良或不再利用的鍍層，該磊晶結(jié)構(gòu)20不一定會(huì)具有該金屬層，而本實(shí)施例與第一實(shí)施例的差異在于該磊晶結(jié)構(gòu)20包含一 P型金屬層22及一 N型金屬層23分別為一電極，本實(shí)施例新增的步驟則在于去除該P(yáng)型金屬層22及該N型金屬層23。
[0042]如圖2A所示，本實(shí)施例系具有該P(yáng)型金屬層及設(shè)置于最頂層的金屬氮化物層21一側(cè)，該N型金屬層設(shè)置于最底層的金屬氮化物層21 —側(cè)，該金屬層系選自鈦、金、鈮、鋁或其組合擇一者，該第一酸性水溶液系選自氫氟酸、硝酸、過(guò)氧化氫或其組合擇一者，該第一酸性水溶液較佳為該氫氟酸、硝酸的混合，該氫氟酸、硝酸混合液的濃度配比為O?100wt%，該氫氟酸、硝酸混合液更包含該過(guò)氧化氫及一去離子水，該過(guò)氧化氫及該去離子水的比例為O?200wt%，并于浸潰溫度60°C以下及浸潰時(shí)間介于2?30分鐘之間進(jìn)行浸潰制程，在透過(guò)浸潰該第一酸性水溶液，并于該條件環(huán)境下，該P(yáng)型金屬層22及該N型金屬層23會(huì)分別由最頂層及最底層的該金屬氮化物層21 —側(cè)去除，的后，再依序進(jìn)行浸潰該堿性水溶液、清洗該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)I等步驟。
[0043]請(qǐng)參閱圖3，其為本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例的實(shí)施步驟示意圖；如圖所示，本實(shí)施例的藍(lán)寶石基板再生方法于浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于該堿性水溶液的步驟后，更包含以下步驟:
[0044]步驟S25:取出該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一第二酸性水溶液，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一殘留硅或其氧化物。
[0045]由于在經(jīng)過(guò)浸潰該堿性水溶液后，該些金屬氮化物層21應(yīng)已由該藍(lán)寶石基板10一側(cè)去除，然，該些金屬氮化物層21包含的硅或其氧化物可能會(huì)殘留于該藍(lán)寶石基板10一側(cè)，本實(shí)施例的步驟即在于去除該些可能殘留于該藍(lán)寶石基板10 —側(cè)的硅或其氧化物，最后進(jìn)行該清洗制程，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)I的殘留浸潰液，而得到該藍(lán)寶石基板10。該第二酸性水溶液包括一鹽類(lèi)及一溶劑，該鹽類(lèi)系選自酸式氟化銨，該溶劑系選自去離子水、乙二醇、甘油、醇醚類(lèi)或其組合擇一者，該溶劑較佳系選自去離子水與該乙二醇醚的混合溶液，再與該酸式氟化銨混合而成該第二酸性水溶液，該鹽類(lèi)及該溶劑的濃度配比為5?20wt%，并于浸潰溫度150°C以下及浸潰時(shí)間介于10?30分鐘之間進(jìn)行浸潰制程，在透過(guò)浸潰該第二酸性水溶液及條件環(huán)境下，該殘留的硅或其氧化物會(huì)由該藍(lán)寶石基板10 —側(cè)去除。
[0046]請(qǐng)參閱圖4，其為本發(fā)明的第四較佳實(shí)施例的實(shí)施步驟示意圖；如圖所示，本實(shí)施例的藍(lán)寶石基板再生方法于進(jìn)行該清洗制程的步驟后，更包含以下步驟:
[0047]步驟S35，進(jìn)行電漿干式蝕刻于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一殘留金屬氮化物層。
[0048]在經(jīng)過(guò)該清洗制程后，若該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)I殘留部份該金屬氮化物層于該藍(lán)寶石基板10 —側(cè)，則進(jìn)行電漿干式蝕刻于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1，以去除該藍(lán)寶石基板10上的該殘留金屬氮化物層，利用電漿干式蝕刻將該藍(lán)寶石基板10上的該殘留金屬氮化物層去除后，即能得到一再生的該藍(lán)寶石基板10。而步驟S15、S25或S35亦能視欲去除的鍍層類(lèi)型，選擇性組合于同一制程中進(jìn)行，以將該藍(lán)寶石基板10的該金屬層或殘留物確實(shí)去除。
[0049]綜上所述，本發(fā)明透過(guò)將該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)依序浸潰于第一酸性水溶液及堿性水溶液后，能夠去除該藍(lán)寶石基板上的磊晶結(jié)構(gòu)，得到一再生的藍(lán)寶石基板，而經(jīng)由浸潰第二酸性溶液及電漿干式蝕刻，更能確實(shí)去除殘留物，且再生過(guò)程中不藉由高溫裂解的步驟，得以縮短制程的時(shí)間，而浸潰的酸、堿水溶液系選用不易與藍(lán)寶石基板反應(yīng)的配方，故，可保留基板使用前狀態(tài)，降低成膜生產(chǎn)參數(shù)的變異性，提升產(chǎn)品良率。
[0050]上文僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其包含: 提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一藍(lán)寶石基板及一磊晶結(jié)構(gòu)，該磊晶結(jié)構(gòu)設(shè)于該藍(lán)寶石基板一側(cè)； 浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一堿性水溶液，以去除該磊晶結(jié)構(gòu)的多個(gè)金屬氮化物層； 取出該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行一清洗制程，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的殘留浸潰液； 及 得到該藍(lán)寶石基板。
2.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中于提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的步驟后，更包含下列步驟: 浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一第一酸性水溶液，以去除該磊晶結(jié)構(gòu)的至少一金屬層。
3.如權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中該第一酸性水溶液系選自氫氟酸、硝酸、過(guò)氧化氫或其組合擇一者。
4.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中該些金屬氮化物層為一氮化鋁層、一氮化銦層、一氮化鎵層或其組合擇一者。
5.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中該金屬氮化物層更包含至少一微量金屬、硅、硅氧化物或其組合擇一者。
6.如權(quán)利要求5所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中該微量金屬選自鎂、鋅或其組合擇一者。
7.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中該堿性水溶液包括一溶質(zhì)及一溶劑，該溶質(zhì)系選自氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氰酸鉀或其組合擇一者，該溶劑選自乙二醇、甘油、醇醚類(lèi)或其組合擇一者。
8.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中該清洗制程系使用一超音波裝置，利用一去離子水洗凈該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中于浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一堿性水溶液的步驟后，更包含下列步驟: 取出該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，浸潰該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于一第二酸性水溶液，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一殘留硅或其氧化物。
10.如權(quán)利要求9所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中該第二酸性水溶液包括一鹽類(lèi)及一溶劑，該鹽類(lèi)系選自酸式氟化銨，該溶劑系選自去離子水、乙二醇、甘油、醇醚類(lèi)或其組合擇一者。
11.如權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基板的再生方法，其特征在于，其中于取出該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，進(jìn)行一清洗制程，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)表面的殘留浸潰液的步驟后，更包含下列步驟: 進(jìn)行電漿干式蝕刻于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以去除該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一殘留金屬氮化物層。
【文檔編號(hào)】H01L33/02GK103633202SQ201310090201
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月27日
【發(fā)明者】鐘潤(rùn)文, 周志豪, 陳飛宏 申請(qǐng)人:鑫晶鉆科技股份有限公司