本發(fā)明涉及在電子設(shè)備或電路等的電接點(diǎn)中利用的電接點(diǎn)材料及其制造方法，和使用該電接點(diǎn)材料得到的電接點(diǎn)。上述電接點(diǎn)在電路的切斷器、斷路器和開(kāi)關(guān)器等的各種開(kāi)關(guān)設(shè)備中使用。

背景技術(shù)：
作為在用于送配電或受配電網(wǎng)等的高壓大電流電路中使用的切斷器、斷路器和開(kāi)關(guān)器等的電接點(diǎn)，提出了使用W和Cu的復(fù)合材料、或W和Ag的復(fù)合材料而成的電接點(diǎn)等。在大電流開(kāi)關(guān)時(shí)，在進(jìn)行開(kāi)關(guān)的兩個(gè)電接點(diǎn)之間產(chǎn)生電?。╝rch）。由接點(diǎn)的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電弧到消弧為止需要時(shí)間。因此，位于電弧的兩端的接點(diǎn)部分，在消弧為止的期間連續(xù)暴露于高熱中。該現(xiàn)象，即使將裝置內(nèi)用電弧易于消失的氣氛（例如SF6氣體中）充滿，也不容易解決。接點(diǎn)材料優(yōu)選為良導(dǎo)體。而且，電接點(diǎn)優(yōu)選使用不易因電弧而熔融、蒸發(fā)的材料。但是，使用單一材料難以解決上述問(wèn)題。因此，在其用途中主要使用組合有良導(dǎo)體和高熔點(diǎn)、高沸點(diǎn)的材料的Cu-W材料或Ag-W材料。例如，上述Cu-W材料不是在Cu基質(zhì)中分散有W的結(jié)構(gòu)，而具有在具有連續(xù)開(kāi)氣孔的W的骨架中填充有Cu的結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，無(wú)論是W還是Cu都連續(xù)。只要W、Mo具有骨架結(jié)構(gòu)即可，即使是熔點(diǎn)低的Cu、Ag，由于W、Mo不會(huì)脫落（以由相鄰W、Mo顆粒保持的狀態(tài)殘留），所以不易發(fā)生接點(diǎn)材料的消耗。相對(duì)于此，如果是W、Mo在Cu、Ag中分散的結(jié)構(gòu)，在熔點(diǎn)低的Cu、Ag熔融時(shí)，顆粒狀態(tài)的W、Mo脫落，容易發(fā)生接點(diǎn)材料的消耗。這樣，因電接點(diǎn)的開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的電弧，有時(shí)會(huì)使電接點(diǎn)大量蒸發(fā)、消耗，所以存在壽命不足的問(wèn)題。因此，在許多現(xiàn)有文獻(xiàn)中，公開(kāi)了以Cu-W材料為基本材料的電接點(diǎn)材料。該材料通過(guò)在Cu-W材料中添加各種物質(zhì)而得到。在專利文獻(xiàn)1中，公開(kāi)了含有W基或WC基合金、稀土元素或稀土氧化物等的耐電弧性導(dǎo)電材料。特別記載了在含有稀土氧化物的電接點(diǎn)材料中，接點(diǎn)消耗量大幅降低。另外，稀土氧化物的添加，使W基材料中與Ag的潤(rùn)濕性惡化，容易產(chǎn)生氣孔。因此，記載了進(jìn)一步添加Fe、Co、Ni、Cu來(lái)減少氣孔的方法。在專利文獻(xiàn)2中，公開(kāi)了包括含有W、Mo的第一成分、含有銀（Ag）或銅（Cu）的第二成分、含有硼化鍶或硼化鑭等硼化物的第三成分的電接點(diǎn)材料。另外，記載了通過(guò)在上述電接點(diǎn)材料的第二成分中，添加Cr、Fe、Rh、Ru、I中的任一種，能夠提高電接點(diǎn)材料的特性。當(dāng)由具有上述組成的材料制作電接點(diǎn)時(shí)，能夠改善電接點(diǎn)的消耗量、耐熔接性和接觸電阻?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)昭63-083242號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2002-294384號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明的課題在于提供維持良好的電傳導(dǎo)且耐電弧特性高的電接點(diǎn)。另外，提供對(duì)于因開(kāi)關(guān)電接點(diǎn)發(fā)生的電弧的消耗少的電接點(diǎn)材料。用于解決課題的方法本發(fā)明的實(shí)施方式的電接點(diǎn)材料含有以下（一）、（二）、（三）的質(zhì)量之和占總質(zhì)量的95質(zhì)量%以上、100質(zhì)量%以下的材料。（一）：5～50質(zhì)量份的M1；（二）：必須含有M2和鐵族金屬元素，與（一）合計(jì)為100質(zhì)量份的M2、鐵族金屬和/或M2與鐵族金屬的合金；（三）：相對(duì)于（一）和（二）的合計(jì)質(zhì)量100質(zhì)量份為0.05～8外部質(zhì)量份的M3的硼氧化物和/或上述M3的硼氧化物的構(gòu)成物。其中，上述M1為Cu或Ag中的任一種或兩種和它們的合金，上述M2為W或Mo中的任一種或兩種和它們的合金，上述M3為Ca、Sr、Ba、Mg、稀土金屬中的任一種或兩種以上的金屬，上述M3的硼氧化物的構(gòu)成物包括氧化硼以及上述M3的氧化物和/或碳氧化物。在某一實(shí)施方式中，上述（三）的M3的硼氧化物的一部分或全部分解，以氧化硼（B2O3、B2O2、B4O3·2H2O、B4O5中任一種以上）以及M3氧化物（M32O3、M3O2）和/或M3的碳氧化物（M3CO3）中的任一種或兩種以上的形態(tài)存在。在某一實(shí)施方式中，鐵族金屬的質(zhì)量和M2與鐵族金屬的合金的質(zhì)量的合計(jì)，相對(duì)于上述（一）和上述（二）的合計(jì)質(zhì)量100質(zhì)量份，占0.005～1質(zhì)量份。在某一實(shí)施方式中，以M3aBbOc表示上述（三）的硼氧化物時(shí)，含有a=2、b=2、c=5所示的第一硼氧化物和a=1、b=2、c=4所示的第二硼氧化物中的任一種或兩種。本發(fā)明的實(shí)施方式的電接點(diǎn)使用上述任一項(xiàng)的電接點(diǎn)材料構(gòu)成。本發(fā)明的實(shí)施方式的電接點(diǎn)材料的制造方法，包括：準(zhǔn)備（一）：5～50質(zhì)量份的M1的工序；準(zhǔn)備（二）：與（一）的合計(jì)為100質(zhì)量份的M2和鐵族金屬的工序；和準(zhǔn)備（三）：相對(duì)于（一）和（二）的合計(jì)質(zhì)量100質(zhì)量份為0.05～8外部質(zhì)量份的M3的硼氧化物和/或上述M3的硼氧化物的構(gòu)成物的工序。其中，上述M1為Cu或Ag中的任一種或兩種和它們的合金，上述M2為W或Mo中的任一種或兩種和它們的合金，上述M3為Ca、Sr、Ba、Mg、稀土金屬中的一種或兩種以上的金屬，上述M3的硼氧化物的構(gòu)成物包括氧化硼以及上述M3的氧化物和/或碳氧化物；使用上述（二）和上述（三）形成骨架合金的工序；和使上述（一）熔浸于上述骨架合金的工序。在某一實(shí)施方式中，準(zhǔn)備上述（三）的工序包括：準(zhǔn)備上述氧化硼的粉末和上述M3的氧化物或碳氧化物的粉末作為上述M3的硼氧化物的構(gòu)成物的工序；和混合上述氧化硼的粉末和上述M3的氧化物或碳氧化物的粉末，進(jìn)行熱處理的工序。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠得到適合于主要切斷大電流的切斷器、斷路器和開(kāi)關(guān)器等的各種開(kāi)關(guān)設(shè)備的接點(diǎn)的電接點(diǎn)材料。使用本發(fā)明的實(shí)施方式的電接點(diǎn)材料的電接點(diǎn)，因切斷器等的開(kāi)關(guān)造成的消耗比現(xiàn)有的接點(diǎn)少，且壽命長(zhǎng)。附圖說(shuō)明圖1是本發(fā)明的電接點(diǎn)材料的組織的示意圖。圖2是開(kāi)關(guān)器的示意圖。圖3是電接點(diǎn)的消耗的示意圖。（a）表示使用前的圖，（b）、（c）和（d）表示使用后的圖。圖4是電接點(diǎn)消耗的機(jī)理（現(xiàn)有的電接點(diǎn)）。圖5是電接點(diǎn)消耗的機(jī)理（本發(fā)明的實(shí)施方式的電接點(diǎn)）。圖6是本發(fā)明的開(kāi)關(guān)器的一種形態(tài)。具體實(shí)施方式根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供在M1-M2的接點(diǎn)材料的基本構(gòu)成（作為一例列舉Cu-W）中還具有鐵族金屬（和M2與鐵族金屬的合金）和M3的硼氧化物的接點(diǎn)材料。其中，該M1是指Cu或Ag中的任一種或兩種和它們的合金。M2是指W或Mo中的任一種或兩種和它們的合金。M3是指Ca、Sr、Ba、Mg、稀土金屬中的任一種或兩種以上的金屬。另外，上述鐵族金屬是指Fe、Co、Ni中的任一種或兩種以上的金屬。上述M3的硼氧化物（例如，SrB2O4）也可以以其一部分或全部分解的狀態(tài)存在于接點(diǎn)材料中。另外，M3的硼氧化物也可以由將其代替的多種材料構(gòu)成。在本說(shuō)明書(shū)中，有時(shí)將它們稱為“M3的硼氧化物的構(gòu)成物”。該“M3的硼氧化物的構(gòu)成物”包括M3的氧化物（例如，SrO2）和/或碳氧化物（SrCO3）、以及氧化硼（例如，B2O3）。本實(shí)施方式的接點(diǎn)材料，也可以僅含有“M3的硼氧化物”和“M3的硼氧化物的構(gòu)成物”中的任一種，當(dāng)然，也可以含有兩者。其中，典型地，必須含有M3的硼氧化物。下面，主要使用圖2～圖5，對(duì)具有電接點(diǎn)的開(kāi)關(guān)器，關(guān)于從關(guān)閉狀態(tài)到打開(kāi)的過(guò)程進(jìn)行說(shuō)明。圖2是包括開(kāi)關(guān)器和內(nèi)藏該開(kāi)關(guān)器的密閉容器5的切斷器10的示意圖。在圖2的上方表示在前端具有電接點(diǎn)1的第一接點(diǎn)（切斷器構(gòu)件）1A，在下方表示同樣具有電接點(diǎn)1的第二接點(diǎn)1B。第一接點(diǎn)1A和第二接點(diǎn)1B設(shè)置在密閉容器5中。SF6氣體4充滿密閉容器5。接點(diǎn)1A、1B具有：在各個(gè)前端進(jìn)行電弧的開(kāi)關(guān)的電接點(diǎn)1、保持電接點(diǎn)1的作為良導(dǎo)體的柄（Shank）2、將柄2和密閉容器外的電路電連接的引線3。當(dāng)用該開(kāi)關(guān)器切斷（使接點(diǎn)從閉合到打開(kāi)）大電流時(shí)，在第一接點(diǎn)1A和第二接點(diǎn)1B之間發(fā)生電弧。電弧的發(fā)生難以直接觀察。因此，發(fā)生時(shí)的詳細(xì)行為不明確。但是，該行為能夠通過(guò)使用后的第一接點(diǎn)1A和第二接點(diǎn)1B的觀察來(lái)推測(cè)。圖3（a）表示使用前的接點(diǎn)的示意圖，圖3（b）、（c）、（d）表示使用后的接點(diǎn)的示意圖。優(yōu)選在使用后，如圖3（b）所示接點(diǎn)均勻地被消耗，但是實(shí)際上，如圖3（c）和（d）所示，接點(diǎn)部分在整體上不一定因電弧均勻地消耗。在圖3（c）和（d）所示的例子中，與對(duì)置的接點(diǎn)的距離近的電接點(diǎn)1的一部分極端地消耗，而另一方面，與對(duì)置的接點(diǎn)的相同的距離或形狀的部分中，也有幾乎沒(méi)消耗的部分。在消耗劇烈時(shí)，如圖3（d）所示，在電接點(diǎn)中，有時(shí)消耗部分6會(huì)達(dá)到柄2，或者產(chǎn)生大量裂痕7。使用圖4（a）～（d）說(shuō)明這樣的消耗不均衡發(fā)生的原因。圖4（a）～（d）是使用CU-W復(fù)合材料作為電接點(diǎn)材料時(shí)的接點(diǎn)的表面附近的剖面圖。從接點(diǎn)打開(kāi)、產(chǎn)生間隙的瞬間電弧12就開(kāi)始發(fā)生（圖4（a））。在功函數(shù)低的部分，容易最開(kāi)始發(fā)生電弧。由于各組成的功函數(shù)以從低到高的順序?yàn)锳g、Cu（M1）＜Mo、W（M2），所以最開(kāi)始的電弧容易從Cu或Ag產(chǎn)生。接點(diǎn)一般精加工為在表面沒(méi)有凹凸的光滑的面。因此，電接點(diǎn)表面部11中最開(kāi)始的電弧的發(fā)生位置是隨機(jī)的。通過(guò)發(fā)生的電弧12，在Cu或Ag及其周圍的位置，熔點(diǎn)低的材料在高溫中蒸發(fā)，僅殘留熔點(diǎn)高的W或Mo的一部分（圖4（b））。此時(shí)，在電接點(diǎn)表面部11設(shè)置有消耗了的部分6。電接點(diǎn)的表面比電弧發(fā)生前粗糙（不平整）。這樣，在此處形成主要由W或Mo構(gòu)成的凹凸表面。接下來(lái)發(fā)生電弧的發(fā)生點(diǎn)選自功函數(shù)低的部分和表面粗糙且前端突出的部分中的任一個(gè)。在最開(kāi)始的電弧發(fā)生時(shí)，如上所述，由于接點(diǎn)表面被精加工為光滑的表面，所以發(fā)生位置是隨機(jī)的。但是，電接點(diǎn)表面，由于在一端最開(kāi)始的電弧發(fā)生后，由最開(kāi)始的電弧造成蒸發(fā)消耗，因此，在表面產(chǎn)生凹凸。在電接點(diǎn)表面的凹凸中的凸的部分中，極易發(fā)生下一次的電弧。這與向建筑物的雷擊落到突出的避雷針的現(xiàn)象相同。電弧的發(fā)生容易從因這之前的電弧發(fā)生而蒸發(fā)、消耗的位置發(fā)生（圖4（c））。因此，電接點(diǎn)中局部的消耗愈發(fā)容易發(fā)生（圖4（d））。結(jié)果導(dǎo)致接點(diǎn)的壽命（使用次數(shù)或電弧的發(fā)生次數(shù)）縮短。為了避免該現(xiàn)象，在凸部發(fā)生時(shí)，使接下來(lái)發(fā)生的電弧在該凸部以外的其他位置發(fā)生即可。為此，只要在表面設(shè)置大量功函數(shù)較低的位置（典型地，功函數(shù)極低的位置）即可。在圖5（a）～（d）中，表示在Cu-W的復(fù)合材料中分散有功函數(shù)低的顆粒13的結(jié)構(gòu)的材料。通過(guò)使其為該結(jié)構(gòu)，最開(kāi)始電弧12發(fā)生后（圖5（a）和（b）），接下來(lái)的電弧12從在電接點(diǎn)的表面大量設(shè)置的功函數(shù)低的部分發(fā)生（圖5（c）和（d））。因此，電弧的發(fā)生、蒸發(fā)、消耗遍及電接點(diǎn)的表面整體，壽命變長(zhǎng)。本發(fā)明的發(fā)明人選擇Ca、Sr、Ba、Mg、稀土金屬中的任一種或兩種以上的金屬的硼氧化物作為功函數(shù)較低的物質(zhì)。另外，這些硼氧化物的部分或全部也可以分解為氧化硼和Ca、Sr、Ba、Mg、稀土金屬的氧化物或碳氧化物中的任一種或兩種以上，形成上述的硼氧化物的構(gòu)成物的形態(tài)。硼氧化物的功函數(shù)的測(cè)定困難，得不到數(shù)值本身。但是，根據(jù)后述的實(shí)施例，推測(cè)它們的功函數(shù)低于現(xiàn)有技術(shù)所公開(kāi)的硼、硼酸，氧化物等。使電接點(diǎn)材料以含有（一）5～50質(zhì)量份的M1（Ag、Cu）、（二）50～95質(zhì)量份（=與（一）合計(jì)為100質(zhì)量份）的M2、鐵族金屬和/或M2與鐵族金屬的合金的方式構(gòu)成，其理由在于，通過(guò)使熔點(diǎn)高、難以因電弧發(fā)生蒸發(fā)、消耗的（二）為50～95質(zhì)量份，能夠獲得不會(huì)因電弧而在大范圍一次性消耗的優(yōu)點(diǎn)。另外，由于（二）熔點(diǎn)高，所以開(kāi)關(guān)時(shí)不會(huì)與對(duì)置的接點(diǎn)發(fā)生熔接。當(dāng)（二）小于50質(zhì)量份時(shí)，作為熔點(diǎn)較低的金屬的（一）的量增加。因此，電接點(diǎn)因電弧造成的消耗劇烈，而且也容易發(fā)生與對(duì)置的接點(diǎn)的熔接。相反地，在（二）超過(guò)95質(zhì)量份的組成時(shí)，導(dǎo)電性降低，耐沖擊性減少，因此并不理想。其中，在M2的量例如高至75～95質(zhì)量份時(shí)，電接點(diǎn)材料的燒結(jié)性和熔浸性降低，有時(shí)制造變得困難。因此，通過(guò)在（二）中追加鐵族金屬，能夠彌補(bǔ)該降低的燒結(jié)性和熔浸性。即，通過(guò)在組成中加入鐵族金屬，M2的骨架結(jié)構(gòu)的制造變得容易。鐵族金屬的一部分或全部與M2金屬進(jìn)行合金化，顯示進(jìn)一步提高燒結(jié)性的效果。而另一方面，鐵族金屬和鐵族金屬與M2的合金導(dǎo)電性低。因此，將其添加一定量以上時(shí)，會(huì)對(duì)接點(diǎn)的電學(xué)特性產(chǎn)生不良影響。充分展現(xiàn)出上述優(yōu)點(diǎn)且電學(xué)特性不下降的范圍，在原料階段為0.005～1質(zhì)量份左右。關(guān)于（三）的添加效果、種類選定的原因在前面已說(shuō)明。作為其量，（一）（二）的質(zhì)量的合計(jì)為100質(zhì)量份時(shí)，為0.05～0.8外部質(zhì)量份即可。當(dāng)（三）的量在該范圍時(shí)，在電弧發(fā)生時(shí)大量（三）的顆粒在接點(diǎn)表面露出，該處容易成為電弧發(fā)生的基點(diǎn)。當(dāng)（三）的量小于0.05外部質(zhì)量份時(shí)，在接點(diǎn)表面沒(méi)有總露出足夠的數(shù)量，添加的效果有限。另外，硼氧化物一般具有阻礙燒結(jié)和熔浸的作用。因此，當(dāng)（三）超過(guò)8外部質(zhì)量份時(shí)，難以得到足夠致密的電接點(diǎn)材料。當(dāng)電接點(diǎn)材料不致密，在表面或內(nèi)部有氣孔時(shí)，其周邊容易成為電弧的發(fā)生點(diǎn)，阻礙均勻的消耗。防止該問(wèn)題是在上述（二）中加入鐵族金屬的目的之一。通過(guò)含有鐵族金屬，具有抑制因硼氧化物造成的阻礙燒結(jié)和熔浸的作用。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的電接點(diǎn)用材料的組織的示意圖。（一）、（二）分別具有連續(xù)的結(jié)構(gòu)。另外，具有（一）填充在（二）的骨架結(jié)構(gòu)的間隙的結(jié)構(gòu)。而且具有（三）以（一）、（二）的晶界部、（一）的顆粒內(nèi)為中心而分散的結(jié)構(gòu)?？梢詾椋ㄈ┮徊糠只蛉糠纸?，形成氧化硼（B2O3、B2O2、B4O3·2H2O、B4O5）以及M3的氧化物（M32O3、M3O2）或碳氧化物（M3CO3）的狀態(tài)。如上所述，（三）的硼氧化物，從功函數(shù)的觀點(diǎn)考慮，最優(yōu)選以硼氧化物原本的形態(tài)分散于電接點(diǎn)材料中。但是，由于燒制或熔浸的工序中、或整形加工時(shí)的加熱等，也有其一部分或全部分解而分解成為氧化硼和M3氧化物、M3碳氧化物的情況。因分解所生成的氧化硼和M3氧化物，雖然沒(méi)有達(dá)到硼氧化物的程度，但通過(guò)兩者以一定量存在，也能夠?qū)⒐瘮?shù)降低至充分獲得效果的程度。因此，僅含有規(guī)定量的M3氧化物和氧化硼（M3硼氧化物的構(gòu)成物）的情況也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。其中，M3硼氧化物的構(gòu)成物不限于由M3硼氧化物的分解而生成的物質(zhì)，也可以是作為原料添加的氧化硼和M3氧化物（或M3碳氧化物）。M3的硼氧化物通常以“M3aBbOc”的形式表示，從獲得的容易性和科學(xué)的穩(wěn)定性方面考慮，希望包括上述式中“a=2、b=2、c=5”“a=1、b=2、c=4”中的任意一種或兩種。作為前者，例如可以列舉Sr2B2O5，作為后者，例如可以列舉SrB2O4。將具有以上所示組成的電接點(diǎn)材料作為電接點(diǎn)使用非常適合。本發(fā)明的實(shí)施方式的電接點(diǎn)材料和電接點(diǎn)，能夠通過(guò)以下工序得到。（1）M2骨架制造M2骨架能夠從在作為M2的W或Mo的粉末中混合鐵族金屬粉末和硼氧化物粉末得到的混合物制作。即，Cu、Ag以外的電接點(diǎn)材料的成分，在制造M2骨架的階段添加。作為W粉末、Mo粉末，優(yōu)選選擇平均粒徑為0.1～100μm左右且純度為99%以上的粉末。其中，在本說(shuō)明書(shū)中，“平均粒徑”是指通過(guò)激光解析法求得的、d50平均粒徑（累積50%的中位徑）。對(duì)于鐵族金屬，優(yōu)選選擇粒徑盡可能小的鐵族金屬，使其不發(fā)生凝聚。適于使用的鐵族金屬平均粒徑為200μm以下，更希望為100μm以下。在該混合工序之前，準(zhǔn)備所希望的硼氧化物粉末，作為硼氧化物粉末，例如，能夠使用市售的粉末?；蛘咄ㄟ^(guò)混合Ca、Sr、Ba或稀土金屬的氧化物和/或碳氧化物以及碳化硼或碳酸硼等的含有硼的物質(zhì)，在氧化氣氛中進(jìn)行熱處理，能夠得到Ca、Sr、Ba、稀土金屬的硼氧化物。根據(jù)此時(shí)的氧濃度、熱處理溫度，可以得到形態(tài)不同（上述a、b、c的數(shù)量不同）的硼氧化物。另外，通過(guò)將所得到的硼氧化物在氧化氣氛等的非還原氣氛中用磨碎機(jī)等進(jìn)行粉碎，也能夠得到粒徑更小的硼氧化物粉末?；旌纤玫降呐鹧趸锓勰?、M2粉末和鐵族金屬粉末。在混合中能夠使用磨碎機(jī)、攪拌機(jī)、亨舍爾混合機(jī)、球磨機(jī)或擂潰機(jī)等。此時(shí)，由于W和Mo粉末容易氧化，所以希望在甲醇?xì)夥盏确茄趸瘹夥罩羞M(jìn)行處理。優(yōu)選充分混合使得鐵族金屬粉末和硼氧化物粉末均勻地混合。其中，在專門添加（一）、（二）、（三）以外的成分時(shí)，用與添加上述硼氧化物時(shí)同樣的方法進(jìn)行。即，在制造M2骨架時(shí)以粉末狀態(tài)添加。能夠添加的成分為氧化物、硼化物、Cr、Ti、Zr、Ta等金屬?？梢粤硗夂羞@些成分，但由于基本上沒(méi)有使電接點(diǎn)的性能提高的作用，所以以下在本說(shuō)明中省略專門添加（一）、（二）、（三）以外的成分的情況的說(shuō)明。將所得到的混合粉末，在根據(jù)需要加入成型用粘合劑的基礎(chǔ)上，在5～150MPa左右進(jìn)行模具壓制或冷等靜壓成型，在H2氣氛等還原性的氣氛中加熱到900～1600℃左右。接觸的M2的顆粒彼此達(dá)到開(kāi)始縮頸的狀態(tài)就是充分的。在該時(shí)刻，M2顆粒間的氣孔呈連續(xù)狀態(tài)，并具有對(duì)于操作足夠的強(qiáng)度。這樣得到M2的骨架。所添加的鐵族金屬，具有制作與W、Mo的合金、有助于M2顆粒的縮頸、促進(jìn)致密化的作用和增加骨架強(qiáng)度的作用。另一方面，硼氧化物與M2的潤(rùn)濕性（wettability）極低，妨礙M2顆粒的軟化和縮頸，因此，當(dāng)添加硼氧化物時(shí)，容易生成易于崩解、在操作性上存在問(wèn)題的M2骨架。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，如上所述添加有鐵族金屬，因此，即使添加硼氧化物，也能夠得到具有對(duì)于操作和之后的制造處理足夠的強(qiáng)度的M2骨架。（2）M1向M2的熔浸在（1）中得到的M2骨架中熔浸作為M1的Cu、Ag。對(duì)于Cu和Ag，只要M2骨架的連續(xù)氣孔的直徑小到一定程度，就能夠在M1的熔點(diǎn)以上的溫度利用毛細(xì)管現(xiàn)象進(jìn)行熔浸。熔浸是使用陶瓷或碳等的耐熱容器，將M2骨架埋設(shè)于對(duì)于熔浸足夠的量的M1中，或者M(jìn)1以熔融的狀態(tài)設(shè)置與M2骨架相接的狀態(tài)。在該狀態(tài)，在H2氣氛等的還原性氣氛中加熱到Cu的熔點(diǎn)的1084℃或Ag的熔點(diǎn)的962℃以上。利用毛細(xì)管現(xiàn)象在M2骨架中充分熔浸M1，完成材料。通過(guò)將所得到的材料加工成所期望的電接點(diǎn)形狀，能夠得到本發(fā)明的電接點(diǎn)材料。另外，從該材料中去除熔浸剩余的M1，根據(jù)需要加成所期望的形狀，再根據(jù)需要與基體金屬接合，由此能夠得到本發(fā)明的電接點(diǎn)。以下，說(shuō)明本發(fā)明的電接點(diǎn)材料的實(shí)施例。實(shí)施例（實(shí)施例1）以W骨架作為制作原料，準(zhǔn)備平均粒徑約4μm的W和平均粒徑約1μm的Co及Sr的硼氧化物。作為Sr硼氧化物，使用平均粒徑約5μm的市售的SrB2O4（硼酸鍶）粉末。利用亨舍爾混合機(jī)將這些粉末混合30分鐘，得到混合粉末。接著，以50MPa的壓力對(duì)混合粉末進(jìn)行模具壓制，得到長(zhǎng)方體的成型體。在氧化物耐熱容器中設(shè)置充分收納成型體的凹狀部的部位，在其中設(shè)置成型體，以H2氣氛在1150℃進(jìn)行60分鐘燒制，得到理論密度比約為65%的骨架（氣孔約35%）。在該骨架上，設(shè)置對(duì)于熔浸足夠量的板狀的Cu，以該狀態(tài)在H2氣氛、1100℃進(jìn)行20分鐘熔浸，得到本發(fā)明的實(shí)施例的電接點(diǎn)材料。在所得到的電接點(diǎn)材料中，（一）的Cu占20.0質(zhì)量分，（二）的W占79.9質(zhì)量分，Co占0.1質(zhì)量分，（一）和（二）的合計(jì)為100質(zhì)量份。此外，作為（三），含有1.0外部質(zhì)量份的SrB2O4。關(guān)于（二），Co和W一部分合金化。從所得到的材料中除去沒(méi)有熔浸完的剩余部分的Cu，制成長(zhǎng)方體狀，進(jìn)一步通過(guò)切削盤進(jìn)行切削加工，得到被倒角加工為如圖3（a）所示的長(zhǎng)方體的一個(gè)面的4個(gè)角部的周圍呈圓滑的弧的形狀的電接點(diǎn)。接著，將電接點(diǎn)1，包心固定（internalchillcasting，內(nèi)冷鑄造）于銅的柄2，接合于柄2的前端。然后通過(guò)鍛造對(duì)柄2進(jìn)行硬化處理。利用以上的方法，作為試樣1，得到具有本發(fā)明的實(shí)施例的電接點(diǎn)的切斷器構(gòu)件。如圖2所示，將2個(gè)該切斷器構(gòu)件與電接點(diǎn)部對(duì)置，經(jīng)由引線3將電氣的正極和負(fù)極與各自的端點(diǎn)連接。將兩切斷器構(gòu)件固定于封入有高壓的SF6氣體4的密閉容器中5，使切斷器為連接的狀態(tài)（電流流通的狀態(tài)）。施加的電流為2500安培，電壓為230伏。在相對(duì)于對(duì)置的面的垂直方向所規(guī)定的電接點(diǎn)的厚度為5mm，將該試樣作為試樣1。在該狀態(tài)，通過(guò)使密閉容器中的切斷器構(gòu)件的操作機(jī)構(gòu)運(yùn)轉(zhuǎn)，進(jìn)行重復(fù)10次電流的切斷和開(kāi)關(guān)的試驗(yàn)。在試驗(yàn)后停止通電，將SF6氣體排出后，取出切斷器構(gòu)件，進(jìn)行接點(diǎn)部分的研究。觀察外觀，如圖3（b）所示，在開(kāi)關(guān)的電接點(diǎn)1彼此相對(duì)的面的整個(gè)面，發(fā)生了平緩的消耗。測(cè)定的結(jié)果，電接點(diǎn)1的消耗量為2.63mm3。另外，作為試樣2表示的實(shí)施例，與試樣1的其他條件相同，為（三）含有SrB2O4、B2O3和SrO2的構(gòu)成的實(shí)施例。SrB2O4有市售，但純度高的較為昂貴。因此，購(gòu)入廉價(jià)的B2O3和SrO2粉末，在將兩者混合的狀態(tài)下在氧化氣氛中進(jìn)行熱處理，可以認(rèn)為也能夠獲得同等的SrB2O4。熱處理后所得到的粉末，沒(méi)有完全成為SrB2O4，分析的結(jié)果是B2O3和SrO2分別各殘留10質(zhì)量%的混合物。試樣2為使用該混合物作為市售的SrB2O4的替代物的試樣。對(duì)于該試樣2也進(jìn)行與試樣1同樣的試驗(yàn)，在接點(diǎn)的表面整個(gè)面發(fā)生了平緩的消耗，消耗量為2.66mm3。（實(shí)施例2）接著，如表1～3所示，僅變更電接點(diǎn)材料，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的試驗(yàn)。試樣3～49為本發(fā)明的實(shí)施例的試樣，比較試樣101～132為本發(fā)明的范圍外的比較試驗(yàn)。關(guān)于（二），M2和鐵族金屬的一部分或全部合金化，但難以觀察到最終以何種形態(tài)存在，因此，記載了在原料投加時(shí)刻的質(zhì)量分率。作為最終產(chǎn)物，以M2（單體）、鐵族金屬、M2與鐵族金屬的合金中的任一種形態(tài)形成了作為（二）的相。另外，可知在M1和鐵族金屬之間發(fā)生一些反應(yīng)，例如，成為Cu-Co的合金，但可以認(rèn)為僅限于以（一）（二）的界面為中心的區(qū)域進(jìn)行合金化，因此不考慮最終產(chǎn)物的它們的合金的形態(tài)。關(guān)于各個(gè)試樣，首先從比較試樣開(kāi)始說(shuō)明。比較試樣101是一直以來(lái)使用的僅由Cu-W構(gòu)成的電接點(diǎn)材料。比較試樣101具有在W骨架中填充有Cu的結(jié)構(gòu)。比較試樣111～114是現(xiàn)有技術(shù)中使用的在Cu-W中加入有硼化物（例如，硼化鍶）、稀土金屬氧化物的電接點(diǎn)材料。另外，比較試樣115、116是在Cu-W中加入有鐵族金屬和Y、La的氧化物，或者再加入有鐵族金屬的電接點(diǎn)材料。接著，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。試樣3～7是分別變更試樣1的（一）的Cu和（二）的W（或Mo）的配合比得到的試樣。另外，試樣8是使用Ag代替試樣5的Cu的例子。此外，比較試樣102中，（一）（二）的質(zhì)量比在本發(fā)明的范圍之外。試樣6是作為M2使用Mo的例子。試樣21～試樣26是在關(guān)于（一）（二）顯示優(yōu)異性能的試樣5中，對(duì)（三）的分量（外部質(zhì)量份）進(jìn)行各種變更得到的試樣。此外，設(shè)為本發(fā)明的范圍外的（三）的分量的比較試樣為比較試樣131、132。試樣31～試樣34中，以作為（三）顯示最優(yōu)的性能的試樣23為基礎(chǔ)，改變（三）的種類進(jìn)行試驗(yàn)。試樣41～試樣44是將在試樣23中使用的SrB2O4的一部分或全部置換為SrO2和B2O3或SrCO3得到的試樣。此外，在試樣41中，（三）中分別以10質(zhì)量%的SrO2和B2O3來(lái)置換，在試樣42中分別以25質(zhì)量%的SrO2和B2O3來(lái)置換，在試樣43中將全部的SrB2O4分別以50質(zhì)量%的SrO2和B2O3來(lái)置換。在試樣44中將全部的SrB2O4分別以50質(zhì)量%的SrO2和SrCO3來(lái)置換。此外，硼氧化物以外的成分，記載與表2～3中的“其他”欄中。試樣45～49是變更試樣31的組成中的（二）所含的鐵族金屬的量、種類得到的試樣。試樣31的（二）為W69.9質(zhì)量份＋Co0.1質(zhì)量份，而使該組成在W為69.0～69.995質(zhì)量份的范圍、在Fe為0.005～1.0質(zhì)量份的范圍變化。此外，試樣48是作為鐵族金屬使用Ni的例子，試樣48是作為鐵族金屬使用Co和Ni兩者的例子。另外，試樣50是W68.0質(zhì)量份＋Co2.0質(zhì)量份的例子。表1表2表3關(guān)于評(píng)價(jià)，用3維形狀測(cè)定器測(cè)定電接點(diǎn)部分。從使用前的體積減去使用后的體積的值，求出消耗量（mm3）。另外，一并進(jìn)行整體上是否均勻消耗的評(píng)價(jià)。該評(píng)價(jià)，通過(guò)目測(cè)判斷是否發(fā)生如圖3（c）、（d）所示那樣的局部消耗來(lái)進(jìn)行。對(duì)發(fā)生局部消耗的試樣標(biāo)記為X，對(duì)如圖3（d）那樣在前表面發(fā)生均勻消耗的試樣標(biāo)記為A。在表4～表6中表示結(jié)果。表4試樣編號(hào)/組成消耗量（mm3）局部的消耗試樣33.60A試樣43.25A試樣52.50A試樣62.75A試樣73.45A比較試樣1024.77A試樣82.10A試樣213.35A試樣222.60A試樣232.50A試樣243.11A試樣253.71A試樣263.82A比較試樣1315.20X比較試樣132得不到致密的材料-表5試樣編號(hào)/組成消耗量（mm3）局部的消耗試樣312.50A試樣322.70A試樣332.65A試樣342.55A試樣412.50A試樣422.95A試樣432.70A試樣442.52A試樣452.77A試樣462.72A試樣472.59A試樣482.66A試樣492.66A試樣503.39A表6試樣編號(hào)/組成消耗量（mm3）局部的消耗比較試樣1015.60X比較試樣1114.80A比較試樣1124.20X比較試樣1134.90X比較試樣1144.94X比較試樣1154.41X比較試樣1164.67X首先，試樣3～試樣7和比較試樣102的結(jié)果，在切斷大電流時(shí)，作為（一）（二）之比，（一）Cu為5～50質(zhì)量份、（二）W為50～90質(zhì)量份顯示良好。比較試樣102，沒(méi)有出現(xiàn)熔接、直到銅制的柄部分的消耗或裂痕，但是與試樣1、2相比消耗增大?？芍獙ⅲㄒ唬┰黾拥奖容^試樣102以上時(shí)，消耗量增加，使用困難。在消耗或裂痕發(fā)生中，最優(yōu)異的為（一）為30質(zhì)量份、（二）為70質(zhì)量份的試樣。試樣3是作為（二）的W的質(zhì)量比例最多的試樣，但在試驗(yàn)后的表面觀察到大量裂痕。W是熔點(diǎn)高但是脆的金屬，延展性低。為脆的W的比例高的組成時(shí)，含有W的骨架的結(jié)構(gòu)形成緊密而難以變形的結(jié)構(gòu)。即使在該骨架中熔浸Cu延展性也無(wú)法提高。因此，容易由電弧的沖擊在骨架中發(fā)生裂痕，而且發(fā)生的裂痕也容易傳播。作為結(jié)果，能夠判斷將W的質(zhì)量比例提高到比其更高的組成中，容易因電弧而發(fā)生裂痕，電接點(diǎn)容易從該裂痕缺損，不耐使用。試樣8是使用Ag代替試樣5的Cu的例子。作為M1使用Ag的試樣的例子，與同樣使用Cu的試樣相比，消耗進(jìn)一步減少。比較試樣101是僅由Cu和W構(gòu)成的現(xiàn)有的電接點(diǎn)材料。試樣21～試樣26和比較試樣131、132，是采用關(guān)于（一）（二）顯示優(yōu)異特性的試樣5的比率，并且將（三）的分量（外部質(zhì)量份）進(jìn)行各種變更得到的試樣。關(guān)于改變（三）的配合比例進(jìn)行試驗(yàn)的試樣21～試樣26和比較試樣131、132，消耗最小的試樣為作為（三）的SrB2O4為1.0外部質(zhì)量份的試樣23。在（三）的量最少的比較試樣131中，幾乎看不到添加效果，為與比較試樣101幾乎相同的消耗。從使（三）的添加量為0.05外部質(zhì)量份的試樣21中明顯地看到添加的效果，因電弧造成的消耗幾乎遍及電接點(diǎn)相對(duì)的面平緩地發(fā)生。該效果，在隨著添加量增加，直至1.0外部質(zhì)量份，顯示該特性，但對(duì)于超過(guò)8質(zhì)量份的比較試樣132，燒結(jié)性顯著惡化，難以制造。試樣31～試樣34是以作為（三）顯示最優(yōu)性能的試樣23為基礎(chǔ)，改變（三）的種類，進(jìn)行試驗(yàn)。作為（三）使用的硼氧化物分別為L(zhǎng)aBO3、BaB2O4、Mg3(BO3)2、CaB2O4。通過(guò)添加它們中的任一種，能夠?qū)@著的電接點(diǎn)的消耗抑制得低于Cu-W材料或現(xiàn)有技術(shù)，裂痕的發(fā)生也同樣得到改善。試樣41～44是將（三）的硼氧化物的一部分或全部置換為氧化硼與M3氧化物（M32O3、M3O2）或M3的碳氧化物（M3CO3）中的任一種得到的試樣。任何一個(gè)試樣都為與（三）為硼氧化物時(shí)大致同樣的消耗，顯示優(yōu)異的特性。試樣45～49和試樣50是不改變（二）的總量，變更（二）中含有的鐵族金屬的量或種類得到的試樣。從試驗(yàn)結(jié)果可以確認(rèn)，相對(duì)于（一）（二）的合計(jì)100質(zhì)量份，鐵族金屬的量為0.005～1.0質(zhì)量份的范圍時(shí)特別良好。當(dāng)在該范圍內(nèi)時(shí)，燒結(jié)和熔浸特別良好。另外，由于因電弧而易于蒸發(fā)的鐵族金屬的量適當(dāng)，與鐵族金屬的量多的情況（試樣50）相比，能夠?qū)㈦娊狱c(diǎn)對(duì)于電弧的消耗更充分地減少。此外，在形成M2與鐵族金屬的合金時(shí)，和鐵族金屬的量、M2與鐵族金屬的合金的量的合計(jì)，在（一）（二）的合計(jì)100質(zhì)量份時(shí)，優(yōu)選設(shè)定在0.005～1.0質(zhì)量份的范圍內(nèi)。（實(shí)施例3）使用實(shí)施例2所示的試樣41的電接點(diǎn)材料，用于由圖6所示的棒材和杯材的形狀的組合構(gòu)成的電弧從多點(diǎn)發(fā)生的結(jié)構(gòu)的電接點(diǎn)1。實(shí)施例3的切斷器10中，配置于密閉容器5內(nèi)的電接點(diǎn)1和柄2的形狀等不同，但與圖2所示的切斷器10同樣，能夠適當(dāng)?shù)乜刂齐娊狱c(diǎn)材料的消耗。此外，在圖6所示的切斷器10中，剖面U字型（所謂的郁金香型）的切斷器部件（圖的右側(cè)）連接有推拉電極的機(jī)構(gòu)8。在具有這樣的形態(tài)的切斷器中，也適合利用本發(fā)明實(shí)施方式的電接點(diǎn)1。符號(hào)說(shuō)明1電接點(diǎn)2柄3引線4SF6氣體5密閉容器6電接點(diǎn)的消耗部分7裂痕8推拉機(jī)構(gòu)10切斷器11電接點(diǎn)表面部12電弧13功函數(shù)低的顆粒