技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種方法，包括：形成柵極堆疊件以覆蓋半導(dǎo)體鰭的中間部分，以及用n型雜質(zhì)摻雜半導(dǎo)體鰭的暴露部分以形成n型摻雜區(qū)。通過(guò)柵極堆疊件防止中間部分的至少一部分接收n型雜質(zhì)。該方法進(jìn)一步包括使用氯自由基蝕刻n型摻雜區(qū)以形成凹槽，以及實(shí)施外延以在凹槽中再生長(zhǎng)半導(dǎo)體區(qū)。本發(fā)明還公開(kāi)了用于形成具有自對(duì)準(zhǔn)源極/漏極的FinFET方法。

技術(shù)研發(fā)人員：許俊豪;方子韋;張郢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201310094844
技術(shù)研發(fā)日：2013.03.22
技術(shù)公布日：2017.06.06