專利名稱：一種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝。
背景技術(shù)：
電勢誘導(dǎo)衰減最早是Sunpower在2005年發(fā)現(xiàn)的。太陽能電池組件長期在高電壓作用下使得玻璃，封裝材料之間存在漏電流，大量電荷聚集在電池片表面，使得電池表面的鈍化效果惡化，導(dǎo)致開路電壓，短路電流和填充因子降低，使組件性能低于設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種能夠保證光伏組件在高壓工作環(huán)境中性能穩(wěn)定的一種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:一種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，包括如下步驟:(a)將硅片清洗，去損傷層，制絨；(b)將娃片放入管式擴(kuò)散爐中,進(jìn)行擴(kuò)散；(C)將擴(kuò)散后的娃片去除磷娃玻璃和背結(jié)；(d)在發(fā)射極表面生長一層二氧化硅，再沉積一層氮化硅，或者直接在發(fā)射極表面沉積氮化硅鈍化減反射層；(e)絲網(wǎng)印刷背電極和正面電極；(f)燒結(jié)并測試分選。
優(yōu)選的，所述步驟(b)中擴(kuò)散后的方阻值為50 80Ω/ 口，結(jié)深為0.25 0.35 μ mD
優(yōu)選的，所述步驟(d)生長二氧化硅的方法為熱氧化、等離子體氣相沉積法、化學(xué)氧化法或UV氧化法。
優(yōu)選的，所述步驟(d)生長二氧化硅的厚度為5_40nm。
優(yōu)選的，所述步驟(d)的具體工藝步驟如下: (1)將擴(kuò)散后的硅片放入石墨舟上； (2)充入氨氣進(jìn)行表面轟擊； (3)充入硅烷和氨氣進(jìn)行氮化硅薄膜的沉積，溫度為375°C 500°C，硅烷和氨氣的流量比為0.4 0.06，厚度為40 85nm，折射率為2.0 2.2。
優(yōu)選的，所述步驟(d)在氧化硅表面生長的氮化硅層中氧化硅膜和氮化硅膜總厚度控制在75_85nm。
優(yōu)選的，所述步驟(d)中在發(fā)射極表面直接沉積的氮化硅鈍化減反射層可以是單層膜也可以是多層膜或者是梯度膜；所述單層膜的折射率大于2.1，厚度為40 75nm ;雙層膜第一層膜的折射率大于2.4，厚度為20 30nm，第二層膜的折射率為2.1 2.4，厚度為50 60nm ;三層膜的第一層折射率大于2.5，厚度為10 20nm，第二層膜的折射率為2.2 2.5，厚度為20 30nm，第三層膜的折射率為2.0 2.2，厚度為30 40nm ;梯度膜的折射率由下往上為2.5 2.1，厚度由薄到厚。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益之處在于:這種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝可以提高太陽能電池及其制成的組件的抗電勢誘導(dǎo)衰減的能力，從而保證組件在高電壓工作環(huán)境中性能的穩(wěn)定。
具體實施方式
: 下面通過具體實施方式
對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
實例一: 將硅片清洗，去損傷層，制絨；將硅片放入管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散后方阻為50Ω/ 口，結(jié)深為0.35 μ m;將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃并去除背結(jié)；發(fā)射極表面沉積氮化硅鈍化減反射層；減反射層為單層膜，厚度為70nm，折射率為2.2 ;絲網(wǎng)印刷正面電極和背電極；燒結(jié)并測試分選。
實例二: 將硅片清洗，去損傷層，制絨；將硅片放入管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散后方阻為55 Ω/ 口，結(jié)深為0.30 μ m;將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃并去除背結(jié)；發(fā)射極表面沉積氮化硅鈍化減反射層；減反射層為雙層膜，第一層膜的厚度為20nm，折射率為2.5，第二層膜的厚度為50nm，折射率為2.1 ;絲網(wǎng)印刷正面電極和背電極；燒結(jié)并測試分選。
實例三: 將硅片清洗，去損傷層，制絨；將硅片放入管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散后方阻為50Ω/ 口，結(jié)深為0.35 μ m;將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃并去除背結(jié)；發(fā)射極表面沉積氮化硅鈍化減反射層；減反射層為三層膜，第一層膜的厚度為10nm，折射率為2.5，第二層膜的厚度為20nm，折射率為2.2 ;第三層膜的厚度為40η，折射率為2.1 ;絲網(wǎng)印刷正面電極和背電極；燒結(jié)并測試分選。
實例四: 將硅片清洗，去損傷層，制絨；將硅片放入管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散后方阻為60 Ω / 口，結(jié)深為0.35 μ m ;將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃并去除背結(jié)；發(fā)射極表面沉積氮化硅鈍化減反射層；減反射層為三層膜，第一層膜的厚度為30nm，折射率為2.4，第二層膜的厚度為30nm，折射率為2.2 ;第三層膜的厚度為10η，折射率為2.0 ;絲網(wǎng)印刷正面電極和背電極；燒結(jié)并測試分選。
實例五: 將硅片清洗，去損傷層，制絨；將硅片放入管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散后方阻為65 Ω / 口，結(jié)深為0.35 μ m ;將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃并去除背結(jié)；發(fā)射極表面熱生長一層二氧化硅層，厚度為15nm ;在二氧化硅薄膜上沉積氮化硅鈍化減反射層；減反射層為梯度膜，折射率從下往上從2.5遞減至2.0，總厚度為60nm ;從絲網(wǎng)印刷正面電極和背電極；燒結(jié)并測試分選。
實例六: 將硅片清洗，去損傷層，制絨；將硅片放入管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，擴(kuò)散后方阻為85 Ω / 口，結(jié)深為0.35 μ m ;將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃并去除背結(jié)；發(fā)射極表面沉積一層二氧化硅層，厚度為15nm ;在二氧化硅薄膜上沉積氮化硅鈍化減反射層；減反射層為單層膜，折射率2.10，總厚度為60nm ;從絲網(wǎng)印刷正面電極和背電極；燒結(jié)并測試分選。
抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝可以提高太陽能電池及其制成的組件的抗電勢誘導(dǎo)衰減的能力，從而保證組件在高電壓工作環(huán)境中性能的穩(wěn)定。
需要強(qiáng)調(diào)的是:以上僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，包括如下步驟: (a)將硅片清洗，去損傷層，制絨； (b)將硅片放入管式擴(kuò)散爐中，進(jìn)行擴(kuò)散； (C)將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃和背結(jié)； Cd)在發(fā)射極表面生長一層二氧化硅，再沉積一層氮化硅，或者直接在發(fā)射極表面沉積氮化硅鈍化減反射層； Ce)絲網(wǎng)印刷背電極和正面電極； (f)燒結(jié)并測試分選。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，所述步驟(b)中擴(kuò)散后的方阻值為50 80 Ω / 口，結(jié)深為0.25 0.35 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，所述步驟(d)生長二氧化硅的方法為熱氧化、等離子體氣相沉積法、化學(xué)氧化法或UV氧化法。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，所述步驟(d)中生長二氧化硅的厚度為5-40nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，所述步驟(d)的具體工藝步驟如下: (1)將擴(kuò)散后的硅片放入石墨舟上； (2)充入氨氣進(jìn)行表面轟擊； (3)充入硅烷和氨氣進(jìn)行氮化硅薄膜的沉積，溫度為375°C 500°C，硅烷和氨氣的流量比為0.4 0.06，厚度為40 85nm，折射率為2.0 2.2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，所述步驟(d)在氧化硅表面生長的氮化硅層中氧化硅膜和氮化硅膜總厚度控制在75-85nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，其特征是，所述步驟(d)中在發(fā)射極表面直接沉積的氮化硅鈍化減反射層可以是單層膜也可以是多層膜或者是梯度膜；所述單層膜的折射率大于2.1，厚度為40 75nm ;雙層膜第一層膜的折射率大于2.4，厚度為20 30nm，第二層膜的折射率為2.1 2.4，厚度為50 60nm ;三層膜的第一層折射率大于2.5，厚度為10 20nm，第二層膜的折射率為2.2 2.5，厚度為20 30nm，第三層膜的折射率為2.0 2.2，厚度為30 40nm ;梯度膜的折射率由下往上為2.5 2.1，厚度由薄到厚。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝，包括如下步驟(a)將硅片清洗，去損傷層，制絨；(b)將硅片放入管式擴(kuò)散爐中，進(jìn)行擴(kuò)散；(c)將擴(kuò)散后的硅片去除磷硅玻璃和背結(jié)；(d)在發(fā)射極表面生長一層二氧化硅，再沉積一層氮化硅，或者直接在發(fā)射極表面沉積氮化硅鈍化減反射層；(e)絲網(wǎng)印刷背電極和正面電極；(f)燒結(jié)并測試分選。這種抗電勢誘導(dǎo)衰減的太陽能電池的制備工藝可以提高太陽能電池及其制成的組件的抗電勢誘導(dǎo)衰減的能力，從而保證組件在高電壓工作環(huán)境中性能的穩(wěn)定。
文檔編號H01L31/18GK103165754SQ20131009608
公開日2013年6月19日 申請日期2013年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月25日
發(fā)明者魯偉明, 錢曉峰, 初仁龍, 符欣, 莊飛, 閆路, 王啟戰(zhàn), 王志剛, 費存勇, 鄭直 申請人:泰通(泰州)工業(yè)有限公司