專利名稱：一種陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制備方法
一種陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制備方法技術領域
本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、顯示裝置以及陣列基板的制備方法。
背景技術：
隨著技術的發(fā)展，平板顯示裝置已取代笨重的CRT顯示裝置成為目前的主流顯示裝置。目前，常用的平板顯示裝置包括IXD (Liquid Crystal Display:液晶顯示裝置)和OLED (Organic Light-Emitting Diode:有機電致發(fā)光二極管)顯示裝置。
液晶顯示裝置包括陣列基板和彩膜基板，二者之間填充有液晶。陣列基板上設置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor:簡稱TFT),薄膜晶體管是光線是否能夠射出顯示裝置的控制部件，其包括柵極層、柵極絕緣層、有源層、鈍化層、源漏極層等多個層結構；彩膜基板上設置有彩膜層(又稱彩色濾光片)，彩膜層是顯示裝置能夠彩色化的關鍵部件，其包括紅、綠、藍等多個 顏色子層。背光源發(fā)出的白光經過彩膜層，利用彩膜層的彩色光阻分別產生紅、綠、藍三基色；同時，通過薄膜晶體管陣列調節(jié)加載于電極上的電壓，使液晶分子發(fā)生偏轉以控制光線的通過，可以改變三基色的比例，最終實現(xiàn)圖像的彩色顯示。在液晶顯示裝置的制造過程中，一般是將彩膜基板和陣列基板分別制造出來，然后將彩膜基板與陣列基板對合封裝起來。為保證液晶面板的正常工作，陣列基板和彩膜基板的對位壓盒精度要求很高。
OLED是一種利用有機固態(tài)半導體作為發(fā)光材料的發(fā)光器件，OLED顯不裝置正是利用OLED來實現(xiàn)圖像顯示的顯示裝置。其中，尤其以白光有機發(fā)光二極管(White OLED:BPW0LED)的技術最為成熟，穩(wěn)定性好、制備工藝簡單，故在顯示裝置中獲得了廣泛應用。與液晶顯示裝置相同，在WOLED顯示裝置中采用彩膜層來實現(xiàn)彩色化。
在液晶顯示裝置或WOLED顯示裝置中，每個外界可見的最小像素點(即“可見像素”)由多個像素單元構成，每個像素單元中具有不同顏色的彩膜層，從而經過不同像素單元的的光線在經過彩膜層后變?yōu)椴煌伾?，這些不同顏色的光混合成為“可見像素”發(fā)出的光。
隨著顯示技術的進步，目前，在WOLED顯示裝置中出現(xiàn)了將彩膜層設在陣列基板上(Color Filter on Array,簡稱C0A)以實現(xiàn)彩色顯示的模式。如圖1所示，在已經形成了薄膜晶體管主體層2 (包括柵極層21、柵極絕緣層22、有源層23、源漏極層24和鈍化層25 (Passivation，簡稱PVX))后的陣列基板上，采用光刻工藝(包括涂布、曝光、顯影等多個步驟)在鈍化層25的上方形成彩膜層5，如圖1A所示；然后在彩膜層5上方形成平坦保護層4，最后形成像素電極過孔6，如圖1B所示。采用該模式，可以省去單獨的彩膜基板的制造，不需要考慮彩膜基板與陣列基板的對位壓盒精度；而且制成的陣列基板具有較好的穩(wěn)定性，所以成為目前較常采用的WOLED顯示裝置全彩實現(xiàn)方法。但是，如圖1所示，薄膜晶體管主體層的鈍化層25中還具有像素電極過孔6 (Via Hole)，先在薄膜晶體管主體層2上方形成像素電極過孔6，然后采用光刻工藝形成彩膜層5時，光刻工藝中涂布光阻材料的步驟以及顯影步驟中采用的顯影液中的金屬離子、水分子等會對薄膜晶體管的特性造成影響；又，先在薄膜晶體管主體層2上方形成彩膜層5，然后在鈍化層25中刻蝕形成像素電極過孔6時，刻蝕液中的酸性物質等會對彩膜層5的特性造成影響。在液晶顯示裝置的制造過程中，雖然可以借鑒WOLED顯示裝置實現(xiàn)彩色顯示的COA模式在陣列基板上形成彩膜層，但是，按現(xiàn)有技術中采用光刻工藝形成彩膜層的方式，同樣不可避免地將出現(xiàn)對薄膜晶體管的特性造成影響的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是針對現(xiàn)有技術中存在的上述不足，提供一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示裝置以及陣列基板的制備方法，該陣列基板中薄膜晶體管性能更穩(wěn)定，陣列基板制備工藝更簡化，成本更低，包括該陣列基板的顯示裝置性能更穩(wěn)定。解決本發(fā)明技術問題所采用的技術方案是該陣列基板，包括基板以及位于基板上的多個子像素單元，所述子像素單元包括薄膜晶體管主體層以及設于所述薄膜晶體管主體層上方的彩膜層，所述薄膜晶體管主體層包括柵極層、源極層、漏極層以及鈍化層，所述薄膜晶體管主體層上表面還設置有附加層，所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域開設有中空的光阻材料容置部，所述彩膜材料設置于所述光阻材料容置部內，所述附加層和所述鈍化層中與所述漏極層相對應的區(qū)域形成有像素電極過孔。優(yōu)選的是，所述光阻材料容置部開設于所述附加層的上表層，所述光阻材料容置部的底部與所述薄膜晶體管主體層的上表面相離；或者，所述光 阻材料容置部貫穿于所述附加層，所述光阻材料容置部的底部與所述薄膜晶體管主體層的上表面接觸。優(yōu)選的是，所述光阻材料容置部的形狀為倒置的四棱錐臺體形狀，或者為長方體形狀，所述光阻材料容置部的底面面積等于對應的所述子像素單元的面積。優(yōu)選的是，所述附加層中未開設所述光阻材料容置部的區(qū)域的厚度大于或等于所述彩膜層的厚度，所述光阻材料容置部的深度等于所述彩膜層的厚度。優(yōu)選的是，所述附加層采用正性光刻膠或負性光刻膠形成。一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。一種優(yōu)選方案是，所述顯示裝置中還包括有液晶層，所述液晶層設置于所述彩膜層的上方。一種優(yōu)選方案是，所述顯示裝置中還包括有機電致發(fā)光層，所述有機電致發(fā)光層設置于所述彩膜層的上方。一種上述陣列基板的制備方法，采用構圖工藝在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上表面形成附加層，在所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域形成中空的光阻材料容置部，在所述附加層和所述鈍化層與所述漏極層相對應的區(qū)域形成像素電極過孔。一種優(yōu)選方案是，所述方法具體包括:采用刮涂方式，或旋涂方式，或刮涂與旋涂結合的方式，在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上形成一層由光刻膠形成的附加層；采用灰色調掩模板或半色調掩模板對所述附加層進行曝光，其中，所述附加層與形成所述光阻材料容置部的區(qū)域對應的區(qū)域為半曝光區(qū)，所述附加層與形成所述像素電極過孔的區(qū)域對應的區(qū)域為全曝光區(qū)，所述附加層的其他區(qū)域為未曝光區(qū)；
對所述陣列基板進行顯影，所述附加層全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，從而暴露出部分所述鈍化層，所述附加層半曝光區(qū)的光刻膠被部分去除，從而形成所述光阻材料容置部，所述附加層未曝光區(qū)的光刻膠完全保留；
對所述陣列基板進行后烘，從而固化所述附加層；
對所述陣列基板進行刻蝕，在暴露出的部分所述鈍化層中形成像素電極過孔；
采用噴墨法在所述光阻材料容置部中填充彩膜材料，以形成彩膜層；
在所述像素電極過孔中形成像素電極。
—種優(yōu)選方案是，所述方法具體包括:
采用刮涂方式，或旋涂方式，或刮涂與旋涂結合的方式，在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上形成一層由光刻膠形成的附加層；
采用普通掩模板對所述附加層進行曝光，其中，所述附加層與形成所述光阻材料容置部的區(qū)域以及與形成所述像素電極過孔的區(qū)域對應的區(qū)域為全曝光區(qū)，所述附加層的其他區(qū)域為未曝光區(qū)；
對所述陣列基板進行顯影，所述附加層全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，從而暴露出部分所述鈍化層以及形成所述光阻材料容置部，所述附加層未曝光區(qū)的光刻膠完全保留;
對所述陣列基板進行后烘，從而固化所述附加層；
采用噴墨法在所述光阻材料容置部中填充彩膜材料，以形成彩膜層；
對所述陣列基板進行刻蝕，在暴露出的部分所述鈍化層中形成像素電極過孔；
在所述像素電極過孔中形成像素電極。
本發(fā)明的有益效果是:該陣列基板中薄膜晶體管性能更穩(wěn)定，陣列基板制備工藝更簡化，成本更低，包括該陣列基板的顯示裝置性能更穩(wěn)定。


圖1為現(xiàn)有技術中陣 列基板的結構示意其中:
圖1A為采用光刻工藝在陣列基板上形成彩膜層的結構示意圖1B為在圖1A中的陣列基板上形成像素電極過孔的結構示意圖2為本發(fā)明實施例1中陣列基板的結構示意圖。
圖3為圖2中陣列基板形成的流程不意其中:
圖3A為薄膜晶體管主體層的結構示意圖3B為在薄膜晶體管主體層上形成附加層的結構示意圖3C為對附加層采用掩模板進行曝光的示意圖3D在圖3C基礎上經顯影、后烘后在附加層形成光阻材料容置部和像素電極過孔區(qū)域的示意圖3E為在圖3D基礎上經刻蝕形成像素電極過孔的示意圖3F為采用噴墨法在圖3E的光阻材料容置部形成彩膜層的示意圖4為本發(fā)明實施例2中陣列基板的結構示意圖；圖5為圖4中陣列基板形成的部分流程示意圖；其中:圖5A為經顯影、后烘、刻蝕后在附加層形成光阻材料容置部和像素電極過孔區(qū)域的不意圖；圖5B為采用噴墨法在圖5A的光阻材料容置部形成彩膜層的示意圖。圖中:1 —基板；2 —薄膜晶體管主體層；21 —柵極層；22 —柵極絕緣層；23 —有源層；24 —源漏極層；25 —鈍化層；4 一平坦保護層；5 —彩膜層；50 —光阻材料容置部；6 一像素電極過孔；60 —過孔區(qū)域；7 —附加層；8 —掩模板；9 一打印頭。
具體實施例方式為使本領域技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明陣列基板、包括該陣列基板的 顯示裝置以及陣列基板的制備方法作進一步詳細描述。一種陣列基板，包括基板以及位于基板上的多個子像素單元，所述子像素單元包括薄膜晶體管主體層以及設于所述薄膜晶體管主體層上方的彩膜層，所述薄膜晶體管主體層包括柵極層、源極層、漏極層以及鈍化層，所述薄膜晶體管主體層上表面還設置有附加層，所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域開設有中空的光阻材料容置部，所述彩膜材料設置于所述光阻材料容置部內，所述附加層和所述鈍化層中與所述漏極層相對應的區(qū)域形成有像素電極過孔。一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。上述陣列基板的制備方法，采用構圖工藝在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上表面形成附加層，在所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域形成中空的光阻材料容置部，在所述附加層和所述鈍化層與所述漏極層相對應的區(qū)域形成像素電極過孔。實施例1:本實施例的顯示裝置為液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括陣列基板和形成在所述陣列基板上的彩膜層，即將彩膜層設在已經形成了薄膜晶體管的陣列基板的上方。在本實施例中，如圖2所示，陣列基板包括基板I以及位于基板上的多個子像素單元，所述子像素單元包括薄膜晶體管主體層2以及設于所述薄膜晶體管主體層2上方的彩膜層5。所述薄膜晶體管主體層2的上表面還設置有附加層7，所述附加層7對應著每一子像素單元的區(qū)域開設有中空的光阻材料容置部50，所述彩膜材料設置于所述光阻材料容置部內，所述附加層7和所述鈍化層25中與所述漏極層相對應的區(qū)域形成有像素電極過孔6。其中，所述薄膜晶體管主體層2包括依次層疊設置的柵極層21、柵極絕緣層22、有源層23、源漏極層24和純化層25。在本實施例中，所述薄膜晶體管主體層上表面的附加層7為采用正性光刻膠或負性光刻膠形成。所述附加層7開設有中空的光阻材料容置部50，所述光阻材料容置部50的底部與所述薄膜晶體管主體層2的上表面相離，所述光阻材料容置部內填充有彩色光阻材料以形成彩膜層5。彩色光阻材料具有濾光的功能，一般需要其具有耐熱性佳、色飽和度高、透光率好等特點。
其中，對應每一子像素單元的所述附加層7開設有一個光阻材料容置部50，每一所述光阻材料容置部50內填充有一個顏色的光阻材料。通常，每一所述像素單元包括三個子像素單元，彩膜層由紅、綠、藍三個顏色的彩色光阻材料形成，每一顏色的彩色光阻材料對應一個子像素單元。
在本實施例中，所述彩色光阻材料通過噴墨方式填充于所述光阻材料容置部中，固化后形成所述彩膜層5。所述附加層7中未開設所述光阻材料容置部50的區(qū)域的厚度大于所述彩膜層5的厚度，所述光阻材料容置部50的深度等于所述彩膜層5的厚度。其中，所述光阻材料容置部50的深度范圍為1.5-2.5 μ m，所述光阻材料容置部50的底面與所述薄膜晶體管主體層2的上表面的距離范圍為300-3000 Aa
如圖2所示，本實施例中，所述光阻材料容置部50的形狀為倒置的四棱錐臺體形狀，所述光阻材料容置部50的底面面積等于對應的所述子像素單元的面積。當然，本實施例并不限定所述光阻材料容置部50為倒置的四棱錐臺體的形狀，例如，所述光阻材料容置部的形狀也可以為長方體形或其他形狀，只要方便采用噴墨法對其填充彩色光阻材料，并使得最終形成的彩膜層厚度在工藝誤差允許范圍內的形狀都可以，這里不做限定。
其中，所述光阻材料容置部50在對應每一子像素單元的所述附加層的排布方式可以為條型、品字型或者馬賽克型。
上述陣列基板的制備方法是，采用構圖工藝在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上表面形成附加層，在所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域形成中空的光阻材料容置部，在所述附加層和所述鈍化層與所述漏極層相對應的區(qū)域形成像素電極過孔。
如圖3所示,所述方法具體包括如下步驟:
步驟SI):在所述基板上形成所述薄膜晶體管主體層。
本步驟中，在所述基板排列有多個子像素區(qū)域，每一子像素區(qū)域對應一個子像素單元，所述子像素單元包括設于基板上的薄膜晶體管主體層。如圖3A所示，在基板I上，所述薄膜晶體管主體層2包括依次層疊的柵極層21、柵極絕緣層22、有源層23、源漏極層24以及位于它們上方的鈍化層25。由于所述薄膜晶體管主體層的具體結構根據(jù)需要可進行靈活設計，而其各層的形成工藝與現(xiàn)有技術相同，因此這里不再贅述。
步驟S2):在所述薄膜晶體管主體層上表面形成一層附加層。
在該步驟 中，附加層為采用正性光刻膠(Positive Photo Resist)形成。其中，附加層的厚度大于設定的彩膜層的厚度，以保證所述光阻材料容置部的底面與所述薄膜晶體管主體層的上表面相離。
如圖3B所示，采用刮涂方式，或旋涂方式，或刮涂與旋涂結合的方式，在所述薄膜晶體管主體層2的上方涂覆一層正性光刻膠，以形成附加層7，所述附加層7的厚度范圍為2-4 μ m。正性光刻膠的被曝光區(qū)域更易溶解于顯影液。
步驟S3):對所述陣列基板進行曝光。
在該步驟中，采用光刻工藝在所述附加層7的上表層形成光阻材料容置部50。所述光刻工藝包括曝光步驟，如圖3C所示，所述曝光步驟中采用的掩模板8對應著形成光阻材料容置部50的區(qū)域的透光量小于對應著形成所述薄膜晶體管的像素電極過孔6的過孔區(qū)域60的透光量，而大于其他區(qū)域的透光量。具體的，所述掩模板8對應著形成所述薄膜晶體管的過孔區(qū)域60的透光量為使得對應區(qū)域的所述附加層7被完全曝光，所述掩模板8對應著形成光阻材料容置部50的區(qū)域的透光量為使得對應區(qū)域的所述附加層7被不完全曝光，其中，可以采用灰色調掩模板或半色調掩模板來實現(xiàn)不完全曝光。此時，所述附加層7與形成光阻材料容置部50的區(qū)域對應的區(qū)域為半曝光區(qū)，所述附加層7與形成像素電極過孔6的過孔區(qū)域60對應的區(qū)域為全曝光區(qū)，所述附加層7除上述兩部分區(qū)域外的其他區(qū)域為未曝光區(qū)。在所述涂覆步驟與所述曝光步驟之間，還進一步包括真空干燥步驟與前烘步驟，所述前烘溫度范圍為80-120°C。步驟S4)對所述陣列基板進行顯影。在該步驟中，所述附加層7全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，從而暴露出部分所述鈍化層25，即對應著形成像素電極過孔6的過孔區(qū)域60的鈍化層25完全裸露出來；所述附加層7半曝光區(qū)的光刻膠被部分去除，從而形成所述光阻材料容置部50，所述附加層7未曝光區(qū)的光刻膠完全保留。由于附加層7為采用正性光刻膠形成，因此，在曝光過程中被光照射到的部分正性光刻膠通過感光化學反應，在顯影液易于被溶解，從而被去除。步驟S5)對所述陣列基板進行后烘，從而固化所述附加層。在該步驟中，所述后烘溫度范圍為220-240°C，時間范圍為40-50min。如圖3D所示，經過后烘步驟后，在對應著形成光阻材料容置部50的區(qū)域即形成倒置的四棱錐臺體的形狀的凹坑，該凹坑的底部與薄膜晶體管主體層2的上表面具有一定的距離(即相離)，附加層7圍繞在光阻材料容置部50的四個側壁即形成擋墻(barricade)。該凹坑的底部與薄膜晶體管主體層2的上表面之間保留的部分光刻膠層對薄膜晶體管主體層2起到了很好的保護作用。步驟S7)對所述陣列基板進行刻蝕。在該步驟中，在附加 層全曝光區(qū)以及暴露出的部分所述鈍化層中形成像素電極過孔。如圖3E所示，對上述的陣列基板進行刻蝕步驟，將對應著過孔區(qū)域60的鈍化層25中的金屬材料去除，最終形成像素電極過孔6。其中，所述刻蝕步驟采用干法刻蝕，所述干法刻蝕通過六氟化硫(SF6)和氧氣(O2)的化學作用，在所述鈍化層25形成所述像素電極過孔6，所述像素電極過孔6使所述像素電極層與所述漏極層連接。步驟S6)然后，進一步采用噴墨法(ink-jet)在所述光阻材料容置部中填充彩膜材料，以形成彩膜層。在該步驟中，將噴頭9對準光阻材料容置部50，分別滴入紅、綠、藍(RGB)三個顏色的彩色光阻材料(也即墨滴)，經過固化步驟后，即可形成紅、綠、藍三個彩膜層，如圖3F所示。其中，彩色光阻材料包括低聚物、顏料、有機溶劑、添加劑等，根據(jù)采用的噴頭(包括熱氣泡式和壓電式噴頭)不同，光阻材料中的低聚物又不盡相同。采用噴墨法形成彩膜層具有成本低、工藝簡單、顏料利用率高等優(yōu)點。步驟S8)最后，在所述像素電極過孔中形成像素電極。在該步驟中，在已經形成彩膜層5的陣列基板上方采用氧化銦錫(IndiumTinOxide,簡稱IT0)制備像素電極層，并形成取向層,然后滴注液晶，并利用無圖案的玻璃基板對盒，從而封裝形成液晶顯示裝置。在本實施例中，先在薄膜晶體管主體層上方形成像素電極過孔，此時薄膜晶體管主體層由于具有附加層的保護，因此能有效避免顯影步驟對薄膜晶體管的特性造成影響；同時，先形成薄膜晶體管所必須的像素電極過孔后，再在薄膜晶體管主體層上方通過噴墨法形成彩膜層，能有效避免形成像素電極過孔時采用的刻蝕液中的酸性物質等會對彩膜層的特性造成影響。在液晶顯示裝置組裝完成后，附加層還能有效防止薄膜晶體管被液晶污染。
相比現(xiàn)有技術，雖然也是利用噴墨法制作彩膜層，但本實施例中不需要像現(xiàn)有技術中采用專門的工藝步驟預先專門形成擋墻，而僅需在形成所述鈍化層的像素電極過孔的過程中，通過采用半色調掩模板或灰階掩模板形成可設置彩膜層的光阻材料容置部，從而很方便地采用噴墨法在對應像素單元滴入例如紅色、綠色、藍色等預定顏色的光阻材料而形成相應顏色的彩膜層。
同時，本實施例與現(xiàn)有技術相比，本實施例中采用COA模式完成彩膜層后，因為直接利用了鈍化層上方的光刻膠層作為擋墻，段差很小，因此在彩膜層的上方不需要單獨設置平坦保護層，與現(xiàn)有技術必須采用平坦保護層來增加彩膜層上表面的平整度，可以減少一道工藝步驟。
綜上，相比現(xiàn)有技術采用噴墨法形成彩膜基板的工藝，本實施例形成彩膜層的工藝更簡化，成本也更低。
實施例2:
本實施例與實施例1 的區(qū)別在于，本實施例的陣列基板中，如圖4所示，所述光阻材料容置部貫穿于所述附加層7，所述光阻材料容置部50的底部與所述薄膜晶體管主體層2的上表面接觸。
相應的，所述附加層7中未開設所述光阻材料容置部50的區(qū)域的厚度等于所述彩膜層5的厚度，所述光阻材料容置部50的深度等于所述彩膜層的厚度。
本實施例的陣列基板的制備方法具體為，先在基板I上形成薄膜晶體管主體層2，然后進行如下步驟:
步驟SI)采用刮涂方式，或旋涂方式，或刮涂與旋涂結合的方式，在所述陣列基板薄膜晶體管主體層2上形成一層由光刻膠形成的附加層7 ；
步驟S2)采用普通掩模板對所述附加層7進行曝光，其中，所述附加層7與形成所述光阻材料容置部50的區(qū)域對應的區(qū)域以及所述附加層7與形成所述像素電極過孔6的區(qū)域對應的區(qū)域為全曝光區(qū)，所述附加層7的其他區(qū)域為未曝光區(qū)；
步驟S3)對所述陣列基板進行顯影，所述附加層7全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，從而暴露出部分所述鈍化層25以及形成所述光阻材料容置部50，所述附加層7未曝光區(qū)的光刻I父被完全保留；
步驟S4)對所述陣列基板進行后烘，從而固化所述附加層；
步驟S5)采用噴墨法在所述光阻材料容置部50中填充彩膜材料，以形成彩膜層5，如圖5A所示；
步驟S6)對所述陣列基板進行刻蝕，在暴露出的部分所述鈍化層25中形成像素電極過孔6,如圖5B所示；
步驟S7)在所述像素電極過孔6中形成像素電極。
上述每一步驟中的具體制備過程可參考實施例1中陣列基板的制備過程，這里不再贅述。
在本實施例中，采用干法刻蝕對陣列基板進行刻蝕。此時，彩膜層5對對應著形成光阻材料容置部50的區(qū)域的薄膜晶體管主體層2起到了一定的保護作用，避免了鈍化層25對應著形成光阻材料容置部50的區(qū)域被刻蝕；而干法刻蝕對彩膜層5的影響最多為數(shù)百納米，因此可忽略不計，從而減少了在現(xiàn)有技術上要先形成擋墻，再進行噴墨時制作擋墻的工藝，使得工藝流程更簡單易操作。而且，由于彩膜層5不是采用光刻工藝形成，因此也避免了涂布、顯影步驟對薄膜晶體管的特性造成影響。實施例3:本實施例與實施例1、2的區(qū)別在于，本實施例的陣列基板應用于WOLED顯示裝置中。本實施例中，所述顯示裝置中還包括0LED，所述OLED設置于所述彩膜層的上方，且每一所述OLED對應著一個所述子像素單元。本實施例與實施例1、2的區(qū)別在于，在采用COA模式在陣列基板上完成彩膜層的制備后，先在彩膜層的上方形成與像素電極層相連的金屬陽極層，然后進一步制備像素限定層(Pixel Define Layer,簡稱F1DL)以及涂覆發(fā)光層(Emitting Layer:簡稱EL),最后派射形成金屬陰極層，并封裝形成OLED顯示裝置。本實施例中陣列基板的結構以及陣列基板的制備方法與實施例1或2相同，這里不再贅述。實施例1-3提供了一種陣列基板以及采用COA模式與噴墨法結合制備陣列基板的方法，利用附加層經曝光、顯影和后烘步驟即可形成擋墻，減少了現(xiàn)有技術中采用噴墨法形成彩膜層所必須形成擋墻和為平坦化而形成平坦保護層的兩個光刻工藝步驟，簡化了工藝，降低了成本，也避免 了制作擋墻過程中對薄膜晶體管的影響，使得薄膜晶體管性能更穩(wěn)定，同時使得陣列基板的性能更穩(wěn)定。本發(fā)明采用噴墨法在陣列基板上形成彩膜層，特別適用于大面積的陣列基板的生產，為顯示面板的大型化提供了條件。可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種陣列基板，包括基板以及位于所述基板上的多個子像素單元，所述子像素單元包括薄膜晶體管主體層以及設于所述薄膜晶體管主體層上方的彩膜層，所述薄膜晶體管主體層包括柵極層、源極層、漏極層以及鈍化層，其特征在于，所述薄膜晶體管主體層上表面還設置有附加層，所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域開設有中空的光阻材料容置部，所述彩膜材料設置于所述光阻材料容置部內，所述附加層和所述鈍化層中與所述漏極層相對應的區(qū)域形成有像素電極過孔。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光阻材料容置部開設于所述附加層的上表層，所述光阻材料容置部的底部與所述薄膜晶體管主體層的上表面相離； 或者，所述光阻材料容置部貫穿于所述附加層，所述光阻材料容置部的底部與所述薄膜晶體管主體層的上表面接觸。
3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述光阻材料容置部的形狀為倒置的四棱錐臺體形狀，或者為長方體形狀，所述光阻材料容置部的底面面積等于對應的所述子像素單元的面積。
4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述附加層中未開設所述光阻材料容置部的區(qū)域的厚度大于或等于所述彩膜層的厚度，所述光阻材料容置部的深度等于所述彩膜層的厚度。
5.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述附加層采用正性光刻膠或負性光刻膠形成。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.根據(jù)權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置中還包括有液晶層，所述液晶層設置于所述彩膜層的上方。
8.根據(jù)權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置中還包括有機電致發(fā)光層，所述有機電致發(fā)光層設置于所述彩膜層的上方。
9.一種權利要求1-5任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，采用構圖工藝在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上表面形成附加層，在所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域形成中空的光阻材料容置部，在所述附加層和所述鈍化層與所述漏極層相對應的區(qū)域形成像素電極過孔。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法具體包括: 采用刮涂方式，或旋涂方式 ，或刮涂與旋涂結合的方式，在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上形成一層由光刻膠形成的附加層； 采用灰色調掩模板或半色調掩模板對所述附加層進行曝光，其中，所述附加層與形成所述光阻材料容置部的區(qū)域對應的區(qū)域為半曝光區(qū)，所述附加層與形成所述像素電極過孔的區(qū)域對應的區(qū)域為全曝光區(qū)，所述附加層的其他區(qū)域為未曝光區(qū)； 對所述陣列基板進行顯影，所述附加層全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，從而暴露出部分所述鈍化層，所述附加層半曝光區(qū)的光刻膠被部分去除，從而形成所述光阻材料容置部，所述附加層未曝光區(qū)的光刻膠完全保留； 對所述陣列基板進行后烘，從而固化所述附加層； 對所述陣列基板進行刻蝕，在暴露出的部分所述鈍化層中形成像素電極過孔；采用噴墨法在所述光阻材料容置部中填充彩膜材料，以形成彩膜層； 在所述像素電極過孔中形成像素電極。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法具體包括: 采用刮涂方式，或旋涂方式，或刮涂與旋涂結合的方式，在所述陣列基板薄膜晶體管主體層上形成一層由光刻膠形成的附加層； 采用普通掩模板對所述附加層進行曝光，其中，所述附加層與形成所述光阻材料容置部的區(qū)域以及與形成所述像素電極過孔的區(qū)域對應的區(qū)域為全曝光區(qū)，所述附加層的其他區(qū)域為未曝光區(qū)； 對所述陣列基板進行顯影，所述附加層全曝光區(qū)的光刻膠被完全去除，從而暴露出部分所述鈍化層以及形成所述光阻材料容置部，所述附加層未曝光區(qū)的光刻膠完全保留；對所述陣列基板進行后烘，從而固化所述附加層； 采用噴墨法在所述光阻材料容置部中填充彩膜材料，以形成彩膜層； 對所述陣列基板進行刻蝕，在暴露出的部分所述鈍化層中形成像素電極過孔； 在所述像素電極過孔中形成像素電極。
全文摘要
本發(fā)明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示裝置以及陣列基板的制備方法。該陣列基板包括基板以及位于基板上的多個子像素單元，所述子像素單元包括薄膜晶體管主體層以及設于所述薄膜晶體管主體層上方的彩膜層，所述薄膜晶體管主體層包括柵極層、源極層、漏極層以及鈍化層，所述薄膜晶體管主體層上表面還設置有附加層，所述附加層對應著每一子像素單元的區(qū)域開設有中空的光阻材料容置部，所述彩膜材料設置于所述光阻材料容置部內，所述附加層和所述鈍化層中與所述漏極層相對應的區(qū)域形成有像素電極過孔。該陣列基板中薄膜晶體管性能更穩(wěn)定，陣列基板制備工藝更簡化，成本更低，包括該陣列基板的顯示裝置性能更穩(wěn)定。
文檔編號H01L29/786GK103219336SQ20131010899
公開日2013年7月24日 申請日期2013年3月29日 優(yōu)先權日2013年3月29日
發(fā)明者齊永蓮, 舒適, 惠官寶 申請人:京東方科技集團股份有限公司