發(fā)光二極體的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極體，包括基板、發(fā)光單元與封裝材料，而基板上至少具有一個(gè)封裝單元，且封裝單元由二個(gè)高側(cè)壁及二個(gè)低側(cè)壁共同圍繞組成，發(fā)光單元與封裝材料設(shè)置于封裝單元中，其中高側(cè)壁分別位于發(fā)光單元的左、右二側(cè)，而低側(cè)壁則分別位于發(fā)光單元的上、下二側(cè)，如此一來，藉由低側(cè)壁的設(shè)計(jì)，在發(fā)光二極體與導(dǎo)光板配合使用時(shí)，可達(dá)到使光線更加集中的效果，以提高光利用率。
【專利說明】發(fā)光二極體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是一種發(fā)光二極體的設(shè)計(jì)，特別是有關(guān)于發(fā)光二極體的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前在背光模塊設(shè)計(jì)的架構(gòu)中，主要構(gòu)件包括發(fā)光單元及導(dǎo)光單元，請(qǐng)參閱圖1a及圖lb，圖1a是一般背光模塊示意圖，圖1b是使用于一般背光模塊中的發(fā)光二極體光源示意圖，如圖中所示，發(fā)光單元通常為發(fā)光二極體光源90，而導(dǎo)光單元?jiǎng)t為導(dǎo)光板80，目前側(cè)入式光源的設(shè)置方式，通常將發(fā)光二極體光源90設(shè)置于導(dǎo)光板80的一側(cè)，藉由導(dǎo)光板80將發(fā)光二極體光源90發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為均勻的平面光。
[0003]但在目前使用的發(fā)光二極體光源90中，由于結(jié)構(gòu)上設(shè)計(jì)不佳，故仍有光利用率不佳(光泄漏)的問題，目前的發(fā)光二極體光源90，其封裝結(jié)構(gòu)中主要是由二側(cè)壁91、92構(gòu)成，由于二側(cè)壁91、92通常設(shè)置于發(fā)光源93的左、右二側(cè)，但發(fā)光源93所發(fā)出的光線是全面性(沒有指向性)的，故部分光線就會(huì)從沒有設(shè)置側(cè)壁的上、下二側(cè)泄出(如圖1a虛線處所示)，而導(dǎo)致光線在還沒有進(jìn)入導(dǎo)光板80前就散出，不僅無法被有效利用，還可能導(dǎo)致背光模塊發(fā)生漏光的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明的目的在提出一種發(fā)光二極體，除具備防止漏光問題外，更具備提高光利用率的效果。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出一種發(fā)光二極體的實(shí)施例，在本實(shí)施例中的發(fā)光二極體中包括基板、發(fā)光單元與封裝材料，而基板上至少具有一個(gè)封裝單元，且封裝單元是由二個(gè)高側(cè)壁及二個(gè)低側(cè)壁所共同圍繞組成，在此封裝單元內(nèi)便可設(shè)置其它組件，例如發(fā)光單元、封裝材料等，而高側(cè)壁即分別位于發(fā)光單元的左、右二側(cè)，而低側(cè)壁則分別位于發(fā)光單元的上、下二側(cè)，如此一來，藉由低側(cè)壁的設(shè)計(jì)，在發(fā)光二極體與導(dǎo)光板配合使用時(shí)，就不會(huì)發(fā)生上、下漏光的情形，且還可以達(dá)到使光線更加集中的效果，藉以提高光利用率。
[0006]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，二個(gè)低側(cè)壁的高度低于該二個(gè)高側(cè)壁的高度，且二個(gè)高側(cè)壁相互平行設(shè)置，二個(gè)低側(cè)壁亦相互平行設(shè)置，此外，二個(gè)高側(cè)壁的其中之一與二個(gè)低側(cè)壁的其中之一相互垂直，如此一來，二個(gè)高側(cè)壁及二個(gè)低側(cè)壁即共同圍繞組成一個(gè)矩形結(jié)構(gòu)，此矩形結(jié)構(gòu)即為封裝單元的結(jié)構(gòu)側(cè)壁。
[0007]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，發(fā)光單元位于基板的表面上，且低側(cè)壁的高度低于高側(cè)壁的高度，但封裝材料的厚度(高度)必需要高于低側(cè)壁的高度，且封裝材料的厚度(高度)不能高于高側(cè)壁的高度。
[0008]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，發(fā)光單元位于基板的表面上，且低側(cè)壁的高度低于高側(cè)壁的高度，但封裝材料的厚度(高度)必需要高于低側(cè)壁的高度，且封裝材料的厚度(高度)不能高于高側(cè)壁的高度，此外，本實(shí)施例的高側(cè)壁的內(nèi)面為斜面的形狀，亦即高側(cè)壁的內(nèi)面為錐形的結(jié)構(gòu)，且錐形結(jié)構(gòu)較大的開口處即為出光面，而低側(cè)壁的內(nèi)面仍保持平面的形狀。
[0009]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，發(fā)光單元位于基板的表面上，且低側(cè)壁的高度低于高側(cè)壁的高度，但封裝材料的厚度(高度)必需要高于低側(cè)壁的高度，且封裝材料的厚度(高度)不能高于高側(cè)壁的高度，此外，本實(shí)施例的高側(cè)壁的內(nèi)面為斜面的形狀，亦即高側(cè)壁的內(nèi)面為錐形的結(jié)構(gòu)，且錐形結(jié)構(gòu)較大的開口處即為出光面，而在低側(cè)壁的內(nèi)面為類似錐形的結(jié)構(gòu)，且此類似錐形的結(jié)構(gòu)其較大的開口處即為出光面。
[0010]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，發(fā)光單元內(nèi)嵌于基板中，且低側(cè)壁的高度低于高側(cè)壁的高度，但封裝材料的厚度(高度)必需要高于低側(cè)壁的高度，且封裝材料的厚度(高度)不能高于高側(cè)壁的高度，此外，在本實(shí)施例中高側(cè)壁的內(nèi)面及低側(cè)壁的內(nèi)面仍保持平面的形狀。
[0011]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，發(fā)光單元內(nèi)嵌于基板中，且低側(cè)壁的高度低于高側(cè)壁的高度，但封裝材料的厚度(高度)必需要高于低側(cè)壁的高度，且封裝材料的厚度(高度)不能聞?dòng)诼剛?cè)壁的聞度，此外，在本實(shí)施例中聞側(cè)壁的內(nèi)面為斜面的形狀，亦即聞側(cè)壁的內(nèi)面相對(duì)于發(fā)光單元而言，高側(cè)壁的內(nèi)面為錐形的結(jié)構(gòu)，且錐形結(jié)構(gòu)較大的開口處即為出光面，而低側(cè)壁的內(nèi)面則分別具有二斜面，且該二斜面間具有夾角，同樣的在低側(cè)壁的內(nèi)面為類似錐形的結(jié)構(gòu)，且此類似錐形的結(jié)構(gòu)其較大的開口處即為出光面。
[0012]在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，高側(cè)壁的內(nèi)面及低側(cè)壁的內(nèi)面，仍可有其它的變化，例如，二高側(cè)壁的內(nèi)面均為曲面，低側(cè)壁的內(nèi)面為曲面，或高側(cè)壁的內(nèi)面亦可包括二斜面的形態(tài)，且二斜面間同樣具有夾角等等。
[0013]為讓本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員更易理解，下文舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1a是一般背光模塊不意圖；
[0015]圖1b是用于一般背光模塊中的發(fā)光二極體光源示意圖；
[0016]圖2是本發(fā)明發(fā)光二極體的使用示意圖；
[0017]圖3是本發(fā)明發(fā)光二極體的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4a是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第一種實(shí)施例的俯視圖(X方向)；
[0019]圖4b是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第一種實(shí)施例的剖視圖(y方向)；
[0020]圖5a是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第二種實(shí)施例的俯視圖(X方向)；
[0021]圖5b是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第二種實(shí)施例的剖視圖(y方向)；
[0022]圖6a是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第三種實(shí)施例的俯視圖(X方向)；
[0023]圖6b是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第三種實(shí)施例的剖視圖(y方向)；
[0024]圖7a是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第四種實(shí)施例的俯視圖(X方向)；
[0025]圖7b是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第四種實(shí)施例的剖視圖(y方向)；
[0026]圖8a是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第五種實(shí)施例的俯視圖(X方向)；
[0027]圖Sb是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第五種實(shí)施例的剖視圖(y方向)。
[0028]主要組件符號(hào)說明:
[0029]基板10
[0030]封裝單元11
[0031]高側(cè)壁111、113
[0032]低側(cè)壁112、114
[0033]高側(cè)壁的高度hi
[0034]低側(cè)壁的高度h2
[0035]發(fā)光單元20
[0036]封裝材料30
[0037]封裝材料的高度h3
[0038]夾角a
[0039]導(dǎo)光板40
[0040]導(dǎo)光板80
[0041]發(fā)光二極體光源90
[0042]二側(cè)壁 91、92
[0043]發(fā)光源93

【具體實(shí)施方式】
[0044]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2及圖3所示，其中圖2為使用本發(fā)明發(fā)光二極體的使用示意圖，其為與導(dǎo)光板配合使用的狀態(tài)，而圖3為本發(fā)明發(fā)光二極體的封裝結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示:在本發(fā)明發(fā)光二極體的實(shí)施例中至少包括基板10、發(fā)光單元20與封裝材料30，而基板10上至少具有一個(gè)封裝單元11，且封裝單元11由二個(gè)高側(cè)壁111、113及二個(gè)低側(cè)壁112、114所共同圍繞組成，其中二個(gè)低側(cè)壁112、114的高度低于該二個(gè)高側(cè)壁111、113的高度，且二個(gè)高側(cè)壁111、113相互平行設(shè)置，二個(gè)低側(cè)壁112、114亦相互平行設(shè)置，此外，二個(gè)高側(cè)壁的其中之一與二個(gè)低側(cè)壁的其中之一相互垂直，更進(jìn)一步說，例如高側(cè)壁111的一端與低側(cè)壁112的一端相互連接且相互垂直，高側(cè)壁111的另一端與低側(cè)壁114的一端亦相互連接且相互垂直，而高側(cè)壁113的一端與低側(cè)壁112的另一端相互連接且相互垂直，高側(cè)壁113的另一端與低側(cè)壁114的另一端亦相互連接且相互垂直，如此一來，二個(gè)高側(cè)壁111、113及二個(gè)低側(cè)壁112、114即共同圍繞組成一個(gè)矩形結(jié)構(gòu)，此矩形結(jié)構(gòu)即為封裝單元11的結(jié)構(gòu)側(cè)壁，在此結(jié)構(gòu)側(cè)壁內(nèi)便可設(shè)置其它組件，例如發(fā)光單元20、封裝材料30等，此時(shí)二個(gè)高側(cè)壁
111、113例如分別位于發(fā)光單元20的左、右二側(cè)，而二低側(cè)壁112、114例如分別位于發(fā)光單元20的上、下二側(cè)。
[0045]如上所述，在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)光單元20即設(shè)置于封裝單元11內(nèi)，而封裝材料30則蓋覆于發(fā)光單元20上，且填充于封裝單元11中，也就是說，封裝材料30充填在二個(gè)高側(cè)壁111、113及二個(gè)低側(cè)壁112、114所共同圍繞組成的矩形結(jié)構(gòu)內(nèi)，作為保護(hù)發(fā)光單元20及調(diào)整光線之用，且由于本實(shí)施例中的封裝單元11于發(fā)光單元20的上、下二側(cè)具有二個(gè)低側(cè)壁112、114的設(shè)計(jì)，可使發(fā)光二極體與導(dǎo)光板配合使用時(shí)，不會(huì)發(fā)生上、下漏光的情形，且還可以達(dá)到使光線更加集中的效果，如圖2所示，在本實(shí)施例發(fā)光二極體與導(dǎo)光板40配合使用的狀態(tài)中，在基板10上可以設(shè)置多個(gè)封裝單元11，其封裝單元11內(nèi)可設(shè)置發(fā)光單元20，使其成為發(fā)光二極體燈條(LED LightBar)的形態(tài)，并配置于導(dǎo)光板40的入光側(cè)，便可達(dá)到提供均勻一個(gè)光源的目的，且發(fā)光單元20所發(fā)出的光線，藉由二個(gè)低側(cè)壁112、114的設(shè)計(jì)亦不會(huì)由上、下二側(cè)泄出，可進(jìn)一步提高光利用率。
[0046]由于發(fā)光二極體為配合各式的產(chǎn)品規(guī)格，對(duì)于封裝結(jié)構(gòu)可以具有多種不同的設(shè)計(jì)，以下便分別配合不同圖示來說明各種不同的實(shí)施例，請(qǐng)先參閱圖4a及圖4b，圖4a為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第一種實(shí)施例的俯視圖(X方向，請(qǐng)參閱圖2，以下各圖示均相同)，圖4b為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第一種實(shí)施例的剖視圖(y方向，請(qǐng)參閱圖2，以下各圖示均相同)，如圖所示:在本實(shí)施例中發(fā)光單元20位于基板10的表面上，且低側(cè)壁112、114的高度h2低于高側(cè)壁111、113的高度hl，也就是說hl>h2，但要特別說明的是，封裝材料30的厚度(高度)h3必需要高于低側(cè)壁112、114的高度h2，且封裝材料30的厚度(高度)h3不能高于高側(cè)壁111、113的高度hl，也就是說h3>h2且h1≥h3。
[0047]請(qǐng)參閱圖5a為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第二種實(shí)施例的俯視圖(X方向)，圖5b為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第二種實(shí)施例的剖視圖(y方向)，如圖所示:在本實(shí)施例中發(fā)光單元20位于基板10的表面上，且低側(cè)壁112、114的高度h2低于高側(cè)壁111、113的高度hl，也就是說hl>h2，但要特別說明的是，封裝材料30的厚度(高度)h3必需要高于低側(cè)壁112、114的高度h2，且封裝材料30的厚度(高度)h3不能高于高側(cè)壁111、113的高度hi,也就是說h3>h2且hi > h3，除此之外，在本實(shí)施例中高側(cè)壁111、113的內(nèi)面為斜面的形狀，亦即高側(cè)壁111、113的內(nèi)面相對(duì)于發(fā)光單元20而言，高側(cè)壁111、113的內(nèi)面為錐形的結(jié)構(gòu)，且錐形結(jié)構(gòu)較大的開口處即為出光面，而低側(cè)壁112、114的內(nèi)面仍保持平面的形狀。
[0048]請(qǐng)參閱圖6a為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第三種實(shí)施例的俯視圖(X方向)，圖6b為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第三種實(shí)施例的剖視圖(y方向)，如圖所示:在本實(shí)施例中發(fā)光單元20位于基板10的表面上，且低側(cè)壁112、114的高度h2低于高側(cè)壁111、113的高度hi，也就是說hl>h2，但要特別說明的是，封裝材料30的厚度(高度)h3必需要高于低側(cè)壁112、114的高度h2，且封裝材料30的厚度(高度)h3不能高于高側(cè)壁111、113的高度hi,也就是說h3>h2且hi > h3，除此之外，在本實(shí)施例中高側(cè)壁111、113的內(nèi)面為斜面的形狀，亦即高側(cè)壁111、113的內(nèi)面相對(duì)于發(fā)光單元20而言，高側(cè)壁111、113的內(nèi)面為錐形的結(jié)構(gòu)，且錐形結(jié)構(gòu)較大的開口處即為出光面，而低側(cè)壁112、114的內(nèi)面則分別具有二斜面，且該二斜面間具有夾角a，同樣的在低側(cè)壁112、114的內(nèi)面為類似錐形的結(jié)構(gòu)，且此類似錐形的結(jié)構(gòu)其較大的開口處即為出光面。
[0049]請(qǐng)參閱圖7a為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第四種實(shí)施例的俯視圖(X方向)，圖7b為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第四種實(shí)施例的剖視圖(y方向)，如圖所示:在本實(shí)施例中發(fā)光單元20內(nèi)嵌于基板10中，且低側(cè)壁112、114的高度h2低于高側(cè)壁111、113的高度hl，也就是說hl>h2，但要特別說明的是，封裝材料30的厚度(高度)h3必需要高于低側(cè)壁112、114的高度h2，且封裝材料30的厚度(高度)h3不能高于高側(cè)壁111、113的高度hi，也就是說h3>h2且hi >h3，除此之外，在本實(shí)施例中高側(cè)壁111、113的內(nèi)面及低側(cè)壁112、114的內(nèi)面仍保持平面的形狀。
[0050]請(qǐng)參閱圖8a為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第五種實(shí)施例的俯視圖(X方向)，圖Sb為本發(fā)明發(fā)光二極體封裝結(jié)構(gòu)第五種實(shí)施例的剖視圖(y方向)，如圖所示:在本實(shí)施例中發(fā)光單元20內(nèi)嵌于基板10中，且低側(cè)壁112、114的高度h2低于高側(cè)壁111、113的高度hl，也就是說hl>h2，但要特別說明的是，封裝材料30的厚度(高度)h3必需要高于低側(cè)壁112、114的高度h2，且封裝材料30的厚度(高度)h3不能高于高側(cè)壁111、113的高度hl，也就是說h3>h2且hi >h3，除此之外，在本實(shí)施例中高側(cè)壁111、113的內(nèi)面為斜面的形狀，亦即高側(cè)壁111、113的內(nèi)面相對(duì)于發(fā)光單元20而言，高側(cè)壁111、113的內(nèi)面為錐形的結(jié)構(gòu)，且錐形結(jié)構(gòu)較大的開口處即為出光面，而低側(cè)壁112、114的內(nèi)面則分別具有二斜面，且該二斜面間具有夾角a，同樣的在低側(cè)壁112、114的內(nèi)面為類似錐形的結(jié)構(gòu)，且此類似錐形的結(jié)構(gòu)其較大的開口處即為出光面。
[0051]藉此，利用上述各種實(shí)施例設(shè)計(jì)的發(fā)光二極體與導(dǎo)光板配合實(shí)施時(shí)，可減少發(fā)光二極體上、下側(cè)漏光的問題，并可防止亮度不均勻的問題，更進(jìn)一步還可以用于調(diào)整光源，讓光源的光利用率達(dá)到最佳。
[0052]雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但其并非用于限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，例如:除上述的各種實(shí)施例外，其中高側(cè)壁111、113的內(nèi)面及低側(cè)壁112、114的內(nèi)面，仍可有其它的變化，舉例而言，二高側(cè)壁111、113的內(nèi)面均為曲面，低側(cè)壁112、114的內(nèi)面為曲面，或高側(cè)壁的內(nèi)面亦可包括二斜面的形態(tài)，且二斜面間同樣具有夾角等等。因此本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施例，而只受所附權(quán)利要求的限定，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠容易地對(duì)其進(jìn)行修改和變化，但并不離開本發(fā)明的實(shí)質(zhì)構(gòu)思和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極體，其特征在于，包括: 一基板，其上至少具有一封裝單元，該封裝單元由二高側(cè)壁及二低側(cè)壁共同圍繞組成，其中該二高側(cè)壁相互平行設(shè)置，該二低側(cè)壁相互平行設(shè)置，且該二高側(cè)壁的其中之一與該二低側(cè)壁的其中之一是相互垂直； 一發(fā)光單元，設(shè)置于該封裝單元內(nèi)；以及 一封裝材料，其蓋覆于該發(fā)光單元上，且填充于該封裝單元中。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該二高側(cè)壁分別位于該發(fā)光單元的左、右二側(cè)，而該二低側(cè)壁分別位于該發(fā)光單元的上、下二側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該發(fā)光單元位于該基板的表面上。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該發(fā)光單元內(nèi)嵌于該基板中。
5.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該二低側(cè)壁的高度低于該二高側(cè)壁的高度。
6.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極體，其特征在于，封裝材料的高度高于低側(cè)壁的高度，且封裝材料的厚高度不能高于高側(cè)壁的高度。
7.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該二高側(cè)壁的內(nèi)面均具有一曲面。
8.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該二高側(cè)壁的內(nèi)面均各具有二斜面,且該二斜面間具有一夾角。
9.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該二高側(cè)壁的內(nèi)面均具有一斜面。
10.如權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光二極體，其特征在于，該二低側(cè)壁的內(nèi)面均各具有二斜面,且該二斜面間具有一夾角。
【文檔編號(hào)】H01L33/58GK104078549SQ201310109034
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】張譯文 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司