本發(fā)明涉及用于形成在背面粘貼有粘接膜的芯片的帶粘接膜的芯片的形成方法。

背景技術(shù)：
以往，如專利文獻1所述，已知在背面粘貼有粘接膜（粘結(jié)層）的半導(dǎo)體芯片的制造方法。粘接膜被稱為DAF（DieAttachFilm，芯片粘結(jié)薄膜），其用于晶片接合。而且，如專利文獻2所述，已知所謂的預(yù)切割法：沿著在形成有半導(dǎo)體元件的晶片上呈格子狀配置的切割線，從半導(dǎo)體元件的形成面?zhèn)刃纬杀韧瓿蓵r的芯片的厚度深的槽，然后磨削和研磨晶片的背面至完成時的芯片的厚度，將晶片分離成一個個芯片。并且，如專利文獻3所述，已知下述方法：對已經(jīng)利用預(yù)切割法分割成芯片的晶片粘貼粘接膜，然后，通過在相鄰的芯片之間向粘接膜照射激光束，從而使粘接膜斷開。另一方面，如專利文獻4所述，已知下述方法：不利用激光束使粘接膜斷開，而以分割裝置撕裂粘接膜。專利文獻1：日本特開2000-182995號公報專利文獻2：日本特開平11-040520號公報專利文獻3：日本特開2002-118081號公報專利文獻4：日本特開2005-223283號公報但是，如專利文獻3所公開的，在對利用預(yù)分割法暫時分割成芯片的晶片粘貼粘接膜的方式中，擔心在粘貼粘接膜時分割出的芯片移動，即發(fā)生所謂的芯片移位（dieshift）。而且，若發(fā)生這樣的芯片移位，則在相鄰的芯片間的間隙形成的應(yīng)照射激光束的線不直（不是直線狀）而彎曲，或者，根據(jù)情況不同芯片間的間隙會消失。并且，若應(yīng)照射激光束的線彎曲，則需要隨著所述彎曲照射激光束，從而對激光束照射的控制變得非常難。而且，若芯片間的間隙消失，則不能進行激光束的照射。另一方面，在專利文獻4所公開的以分割裝置撕裂粘接膜的方法中，例如，對于芯片尺寸在1mm見方以下的小芯片，在撕裂粘接膜的時候，存在著產(chǎn)生粘接膜未被斷開的區(qū)域的危險。而且，由于被撕裂的粘接膜形成得比芯片大，所以存在著被撕裂的粘接膜的端部附著于芯片的側(cè)面和表面，以后引起拾取不良和器件不良的危險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明正是鑒于上述問題點而完成的，其目的在于，對用于形成在背面粘貼有粘接膜的芯片的帶粘接膜的芯片的形成方法，針對粘接膜的斷開，提供用于解決上述問題的技術(shù)。根據(jù)技術(shù)方案1所述的發(fā)明，提供一種帶粘接膜的芯片的形成方法，其用于形成在背面粘貼有粘接膜的帶粘接膜的芯片，所述帶粘接膜的芯片的形成方法具備：分割起點形成步驟，在該分割起點形成步驟中，在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的晶片形成沿著分割預(yù)定線的分割起點；粘接膜粘貼步驟，在該粘接膜粘貼步驟中，在實施了分割起點形成步驟后，將粘接膜粘貼至晶片的背面；粘接膜分割槽形成步驟，在該粘接膜分割槽形成步驟中，在實施了粘接膜粘貼步驟后，利用激光束的照射或切削刀具在粘接膜形成沿著分割預(yù)定線的分割槽；擴張片粘貼步驟，在該擴張片粘貼步驟中，在實施了粘接膜分割槽形成步驟后，將擴張片粘貼到在晶片粘貼的粘接膜上；以及分割步驟，在該分割步驟中，在實施了擴張片粘貼步驟后，通過使擴張片擴張來對晶片施加外力，將晶片和粘接膜分割成一個個芯片，而形成多個在背面粘貼有粘接膜的帶粘接膜的芯片。根據(jù)技術(shù)方案2所述的發(fā)明，提供一種帶粘接膜芯片的形成方法，所述帶粘接膜的芯片的形成方法還具備磨削步驟，在該磨削步驟中，在實施分割起點形成步驟前，磨削晶片的背面而形成圓形凹部，并且形成圍繞所述圓形凹部的環(huán)狀凸部。根據(jù)本發(fā)明，當在晶片形成分割起點后，在將晶片分割成一個個芯片之前，在晶片的背面粘貼粘接膜。之后，在粘接膜形成沿著芯片間的間隙的分割槽，將晶片分割成一個個芯片。根據(jù)該方法，在粘接膜的粘貼時，晶片未被分割，因此不會發(fā)生芯片移位，不會出現(xiàn)在芯片間的間隙形成的分割預(yù)定線彎曲和間隙消失的情況。并且，由于是形成沿著芯片間的間隙的分割槽來將晶片分割成一個個芯片，因此不會產(chǎn)生在撕裂粘接膜的方法中的不良情況。附圖說明圖1是示出作為加工對象的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖2是用于實施磨削步驟的磨削單元的立體圖。圖3是用于實施分割起點形成步驟的激光加工裝置的立體圖。圖4是激光束照射單元的框圖。圖5的（A）是示出粘貼有保護帶的晶片的剖視圖。圖5的（B）是示出構(gòu)成有圓形凹部的晶片的剖視圖。圖5的（C）是示出形成有改性層的晶片的剖視圖。圖5的（D）是示出粘貼有粘接膜的晶片的剖視圖。圖6是示出在粘接膜形成有分割槽的晶片的剖視圖。圖7的（A）是示出粘貼有擴張片的晶片的剖視圖。圖7的（B）是示出除去保護帶的晶片的剖視圖。圖7的（C）是示出在具有凸狀上表面的卡盤工作臺設(shè)置的晶片的剖視圖。圖8的（A）是示出粘貼有擴張片的晶片的剖視圖。圖8的（B）是示出對擴張片進行擴張的情況的剖視圖。圖8的（C）是示出被分割成芯片的情況的剖視圖。圖9的（A）是示出粘貼有擴張片的晶片的剖視圖。圖9的（B）是示出除去環(huán)狀的外周剩余區(qū)域的情況的剖視圖。圖9的（C）是示出被分割成芯片的情況的剖視圖。標號說明10：保護帶；30：粘接膜；31：分割槽；60：擴張片；73：改性層；74：改性層；75：分割槽；W：晶片；Wa：表面；Wb：背面；Wc：圓形凹部；Wd：環(huán)狀凸部。具體實施方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細地說明。參照圖1，示出了作為加工對象的半導(dǎo)體晶片W（以下，也簡記作“晶片W”）的表面?zhèn)攘Ⅲw圖。在晶片W的表面，相互垂直地形成有第一分割預(yù)定線（間隔道）S1和第二分割預(yù)定線S2，并且在由第一分割預(yù)定線S1和第二分割預(yù)定線S2劃分的多個區(qū)域分別形成有LSI（LargeScaleIntegration：大規(guī)模集成電路）等器件D。以下按照順序說明對這樣的晶片W進行加工的本發(fā)明的實施方式。首先，在本實施方式中，詳細來說，在實施后述的分割起點形成步驟之前，實施磨削步驟，在所述磨削步驟中，如圖2所示，磨削晶片W的背面Wb而形成圓形凹部Wc，并且形成圍繞圓形凹部Wc的環(huán)狀凸部Wd。圖2示出用于實施磨削步驟的磨削單元11，所述磨削單元11構(gòu)成為具有：主軸18，其以能夠旋轉(zhuǎn)的方式收納于外殼12中；輪架13，其固定于主軸18的末端；磨削輪21，其螺紋緊固于輪架13并具有呈環(huán)狀地配設(shè)的多個磨削磨具52；以及未圖示的伺服馬達，其用于驅(qū)動主軸18旋轉(zhuǎn)。在磨削單元11的下方配置有卡盤工作臺35，并形成將晶片W抽吸保持在卡盤工作臺35的狀態(tài)。在該抽吸保持的上一階段，為保護器件D而實施了在晶片W的表面Wa粘貼保護帶10（圖1、圖5的（A））的保護帶粘貼步驟。然后，以保護帶10處于下側(cè)的方式將晶片W保持于卡盤工作臺35。然后，一邊使卡盤工作臺35沿箭頭37所示的方向以例如300rpm旋轉(zhuǎn)，一邊使磨削輪21沿箭頭53所示的方向以例如6000rpm旋轉(zhuǎn)，并且使磨削輪21的磨削磨具52與晶片W的背面接觸。然后，以預(yù)定的磨削進給速度使磨削輪21向下方磨削進給預(yù)定量。其結(jié)果為，如圖2所示，在晶片W的背面磨削除去與形成有器件D的區(qū)域?qū)?yīng)的器件區(qū)域17（參照圖1）的背面而形成預(yù)定厚度（例如30μm）的圓形凹部Wc，并且留下與未形成有器件D的外周剩余區(qū)域19（參照圖1）對應(yīng)的區(qū)域而形成環(huán)狀凸部（環(huán)狀加強部）Wd。接著，如圖3所示，實施分割起點形成步驟，在該分割起點形成步驟中，在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的晶片W形成沿著分割預(yù)定線的分割起點。在本實施方式中，采用激光加工裝置20的激光束照射單元24，通過從聚光器28對晶片W的背面Wb照射激光束，從而形成分割起點。如圖4的框圖所示，在激光束照射單元24的外殼26內(nèi)配設(shè)有激光振蕩構(gòu)件34和激光束調(diào)制構(gòu)件36。作為激光振蕩構(gòu)件34可以使用YAG激光振蕩器或YVO4激光振蕩器。激光束調(diào)制構(gòu)件36構(gòu)成為包括重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件38、激光束脈沖寬度設(shè)定構(gòu)件40和激光束波長設(shè)定構(gòu)件42。構(gòu)成激光束調(diào)制構(gòu)件36的重復(fù)頻率設(shè)定構(gòu)件38、激光束脈沖寬度設(shè)定構(gòu)件40及激光束波長設(shè)定構(gòu)件42為公知形式的結(jié)構(gòu)，在本說明書中省略其詳細的說明。如圖3所示，在以上的結(jié)構(gòu)中，形成將晶片W隔著保護帶10保持于激光加工裝置20的卡盤工作臺22的保持面的狀態(tài)，并且通過使卡盤工作臺22向X軸方向加工進給，從而沿分割預(yù)定線S1（圖1）形成改性層。使卡盤工作臺22沿Y軸方向分度進給，在全部的分割預(yù)定線S1形成改性層。然后，將卡盤工作臺22旋轉(zhuǎn)90度，同樣地沿分割預(yù)定線S2（圖1）形成改性層。另外，在本實施方式中預(yù)先形成了圓形凹部Wc，因此通過在該圓形凹部Wc的范圍內(nèi)的分割預(yù)定線S1、S2（圖1）形成改性層，能夠防止環(huán)狀凸部的強度降低。但是，也可以從晶片的外周緣的一端至另一端地沿分割預(yù)定線形成改性層。而且，為了檢測在處于背面?zhèn)鹊奈恢门渲玫姆指铑A(yù)定線并進行校準，可以考慮在激光束照射單元24具備具有紅外線照相機的攝像單元29的結(jié)構(gòu)、利用在由透明材料構(gòu)成的卡盤工作臺的保持面的下方配設(shè)的照相機隔著保持面拍攝晶片的背面的結(jié)構(gòu)。例如，如下所述地設(shè)定使用激光束的分割起點形成步驟中的加工條件。光源：LD激發(fā)Q開關(guān)Nd：YVO4脈沖激光器波長：1064nm重復(fù)頻率：100kHz平均輸出：1W聚光點直徑：加工進給速度：100mm/秒而且，在分割起點形成步驟中，除了利用改性層形成分割起點之外，也可以利用激光加工槽或由切削刀具形成的切削槽來形成分割起點。另外，在如上所述地形成改性層作為分割起點的情況下，能夠減小分割預(yù)定線的寬度，能夠提高芯片的獲得個數(shù)，因此從這一觀點出發(fā)，優(yōu)選形成改性層作為分割起點。在以上說明的階段中，實施下述步驟：如圖5的（A）所示，將保護帶10粘貼到晶片W的表面Wa的保護帶粘貼步驟；如圖5的（B）所示，磨削晶片W的背面Wb形成圓形凹部Wc并且形成圍繞圓形凹部Wc的環(huán)狀凸部Wd的磨削步驟；如圖5的（C）所示，在設(shè)定有交叉的多條分割預(yù)定線的晶片W形成沿分割預(yù)定線的分割起點（改性層73）的分割起點形成步驟。接著，在實施了圖5的（C）所示的分割起點形成步驟后，如圖5的（D）所示，實施將粘接膜30粘貼至晶片W的背面Wb的粘接膜粘貼步驟。該粘接膜30被稱為DAF（DieAttachFilm，芯片粘結(jié)薄膜），用于晶片接合。在本實施方式中，粘接膜30構(gòu)成為用于收納到在晶片W的背面Wb形成的圓形凹部Wc內(nèi)（由環(huán)狀凸部Wd包圍的范圍）的圓盤形狀。而且，也可以構(gòu)成為通過使粘接膜30的外周緣與環(huán)狀凸部Wd的豎起部分（內(nèi)周壁）接觸而能夠進行粘接膜30相對于晶片W的定位。而且，例如，可以利用真空層壓裝置等公知的裝置將該粘接膜30粘貼至晶片W的背面Wb（圓形凹部Wc的底面）。這里，在實施了圖5的（C）中的分割起點形成步驟的狀態(tài)下，分割預(yù)定線處于未被完全切斷的狀態(tài)。即，處于未分割成一個個芯片的狀態(tài)。因此，即使如圖5的（D）所示地將粘接膜30粘貼到晶片W的背面Wb，也不會發(fā)生所謂的芯片移位即芯片移動。接著，在實施圖5的（D）所示的粘接膜粘貼步驟后，如圖6所示，實施粘接膜分割槽形成步驟，在該粘接膜分割槽形成步驟中，利用激光束LB的照射在粘接膜30形成沿著分割預(yù)定線S1的分割槽31。在圖6所示的本實施方式中，利用由激光束LB實現(xiàn)的燒蝕加工，在晶片W保持于卡盤工作臺44的狀態(tài)下進行加工。從而成為下述狀態(tài)：在卡盤工作臺44的保持面44a隔著保護帶10抽吸保持晶片W，并且在該晶片W的圓形凹部Wc粘貼有粘接膜30。然后，對該粘接膜30照射激光束LB來形成沿著分割預(yù)定線S1的分割槽31。分割槽31除了是將粘接膜30完全切斷的槽之外，也可以是不完全切斷粘接膜30的半切槽。另外，例如，如下所述地設(shè)定在粘接膜30形成分割槽31時的燒蝕加工的條件。光源：LD激發(fā)Q開關(guān)Nd：YAG脈沖激光器波長：355nm（YAG激光器的第三高頻波）輸出：3～3.75W重復(fù)頻率：10kHz加工進給速度：100～200mm/秒而且，除了如本實施方式這樣通過使用激光加工裝置的燒蝕加工來實施粘接膜分割槽形成步驟之外，也可以利用切削裝置形成分割槽31，所述切削裝置利用旋轉(zhuǎn)的切削刀具形成切削槽。在該情況下，根據(jù)切削刀具的刃厚度和種類，乃至粘接膜30的種類的不同，擔心因切斷粘接膜30而產(chǎn)生切削刀具的堵塞。在這樣的情況下，優(yōu)選使用激光加工裝置。在實施了圖6所示的粘接膜分割槽形成步驟后，如圖7的（A）所示，實施將擴張片60粘貼到在晶片W粘貼的粘接膜30上的擴張膜粘貼步驟。在本實施方式中，使形成有分割槽31的粘接膜30處于上側(cè)，使擴張片60從粘接膜30的上側(cè)覆蓋，使擴張片60粘貼到粘接膜30。另外，例如，可以利用真空層壓裝置等公知的裝置將擴張片60粘貼到粘接膜30。而且，擴張片60以堵塞圓環(huán)狀的環(huán)狀框架F的開口部的方式設(shè)置，形成將粘接膜30和晶片W隔著擴張片60固定于環(huán)狀框架F的狀態(tài)。接著，如圖7的（B）所示，實施從晶片W的表面Wa除去保護帶10的保護帶除去步驟。由此露出形成有器件的晶片W的表面Wa。接著，如圖7的（C）所示，實施保持步驟，在該保持步驟中，將固定于環(huán)狀框架F的晶片W從圖7的（B）所示的狀態(tài)翻轉(zhuǎn)，然后將固定于環(huán)狀框架F的晶片W放置在卡盤工作臺70，所述卡盤工作臺70具有與晶片W的圓形凹部Wc的凹形狀對應(yīng)的凸狀上表面72。在本實施方式中，使用具有用于從下側(cè)插入晶片W的圓形凹部Wc中的凸狀上表面72的卡盤工作臺70，使晶片W的背面Wb覆蓋凸狀上表面72，從而將晶片W保持在卡盤工作臺70上。如上所述地實施了擴張片粘貼步驟后，實施分割步驟，在該分割步驟中，如圖8的（A）～（C）所示，使擴張片60擴張以對晶片W施加外力，從而將晶片W和粘接膜30分割成一個個芯片，形成多個在背面粘貼有粘接膜30的帶粘接膜的芯片30A。首先，如圖8的（A）所示，對晶片W的外周剩余區(qū)域19照射激光束，并且使卡盤工作臺70旋轉(zhuǎn)，由此在外周剩余區(qū)域19形成圓形的改性層74。另外，改性層74優(yōu)選設(shè)在環(huán)形凸部Wd的內(nèi)周壁的延長線上。接著，如圖8的（B）所示，利用未圖示的擴張裝置，使擴張片60擴張。此時，對于晶片W，除了外周剩余區(qū)域19的改性層74，亦已通過圖5的（C）所示的分割起點形成步驟形成了改性層73，而且，對于粘接膜30，通過圖6所示的粘接膜分割槽形成步驟形成了分割槽31，因此，在改性層73、74發(fā)生斷裂，如圖8的（C）所示地分割出一個個芯片80、80。而且，除了以圖8的（A）～（C）所示的方式實施分割步驟，也可以以圖9的（A）～（C）所示的方式實施分割步驟。首先，如圖9的（A）所示，通過對晶片W的外周剩余區(qū)域19進行由激光束實現(xiàn)的燒蝕加工（或，由切削刀具實現(xiàn)的切削加工），從而在外周剩余區(qū)域19形成圓形的分割槽75。另外，優(yōu)選將分割槽75設(shè)于環(huán)狀凸部Wd的內(nèi)周壁的延長線上。接著，如圖9的（B）所示，將由分割槽75呈環(huán)狀地分割開的晶片W的外周剩余區(qū)域19除去。接著，如圖9的（C）所示，利用未圖示的擴張裝置，使擴張片60擴張。此時，對于晶片W，已經(jīng)通過圖5的（C）所示的分割起點形成步驟形成了改性層73，而且，對于粘接膜30，通過圖6所示的粘接膜分割槽形成步驟形成分割槽31，所以在改性層73的部位發(fā)生斷裂，如圖9的（C）所示地分割出一個個芯片80、80。根據(jù)以上說明的實施方式，當在晶片W形成分割起點后，且在將晶片W分割成一個個芯片之前，在晶片W的背面粘貼粘接膜30。之后，在粘接膜30形成沿著芯片間的間隙的分割槽31并將晶片Ｗ分割成一個個芯片。根據(jù)這樣的方法，在粘接膜30的粘貼時，晶片Ｗ未被分割，因此不會發(fā)生芯片移位，不會出現(xiàn)在芯片間的間隙形成的分割預(yù)定線彎曲和間隙消失的情況。并且，由于是形成沿著芯片間的間隙的分割槽31并將晶片Ｗ分割成一個個芯片，因此不會發(fā)生在撕裂粘接膜30的方法中發(fā)生的不良情況。并且，根據(jù)本實施例，能夠?qū)嵤┻m合于分割預(yù)定線狹窄的被加工物的操作的、使用激光束的改性層的形成。而且，能夠使在形成圓形凹部Wc時同時形成的環(huán)狀凸部Wd作為外周加強部發(fā)揮作用，從而能夠安全地進行對形成有分割起點的狀態(tài)下的薄晶片W的處理。而且，通過在晶片W形成環(huán)狀凸部Wd（外周加強部），即使在萬一處理中產(chǎn)生了以分割起點為起點而使一部分芯片分割的情況，也不會產(chǎn)生在晶片W的表面粘貼的保護帶10彎曲而對其他芯片的配置造成影響的情況，因此不會發(fā)生芯片移位。而且，由于形成了分割槽31，所以不僅粘接膜30的分割變得容易，而且在整個區(qū)域都能夠可靠地分割粘接膜30。特別對于薄且小的帶粘接膜的芯片的形成和12英寸等大口徑的晶片，都能夠適當?shù)貙嵤┍景l(fā)明。另一方面，作為用于降低薄晶片的處理風險（在處理時產(chǎn)生的破損等不良情況）的裝置結(jié)構(gòu)，可以考慮將分割起點形成用的激光加工裝置或切削裝置與磨削裝置和帶粘貼器內(nèi)聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)（將多個裝置整合形成為一個裝置的結(jié)構(gòu)）。在該情況下，對于用于形成分割起點的工藝（分割起點形成步驟），與其他工藝相比，需要較長時間。特別對于形成小芯片（極小芯片）的晶片，分割起點的數(shù)量和距離增加，因此用于形成所述分割起點的工藝需要較長時間，從而單位時間的UPH（UnitPerHour：加工處理張數(shù)）變差。在晶片為大口徑的情況下，分割起點的數(shù)量和距離進一步增加，因此UPH仍然進一步惡化。因此，在采用內(nèi)聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)的情況下，用于形成分割起點的激光加工裝置或切削裝置的UPH與磨削裝置和帶粘貼器的UPH之間不能調(diào)和，增加了磨削裝置和帶粘貼器的不工作的時間，從而CoO（CostOfOperation，操作成本）變差。對于這一點，在本實施例中，不是簡單地將晶片W薄化，而是通過在外周留有環(huán)狀凸部Wd來提高晶片W的強度，降低處理風險，因此，在這里降低了CoO惡化的風險，而作為工藝整體，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的CoO。并且，在并非如上所述的內(nèi)聯(lián)的情況下，通過使分割起點形成用的激光加工裝置或切削裝置與磨削裝置和帶粘貼器分別單獨地工作，能夠使分割起點形成用的激光加工裝置或切削裝置的UPH不對磨削裝置和帶粘貼器的UPH造成影響，能夠加工更多的晶片。另外，在以上說明的實施例中，實施了用于形成圓形凹部和環(huán)狀凸部的磨削步驟，但也可以實施不形成圓形凹部和環(huán)狀凸部而將晶片整體地薄化的薄化步驟，然后，實施分割起點形成步驟、粘接膜粘貼步驟、粘接膜分割槽形成步驟、擴張片粘貼步驟、分割步驟。而且，也可以在實施分割起點形成步驟后實施用于薄化晶片的薄化步驟，接著實施粘接膜粘貼步驟、粘接膜分割槽形成步驟、擴張片粘貼步驟、分割步驟。