發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管晶粒以及覆蓋發(fā)光二極管晶粒的封裝體，所述基板上還形成有電極，所述基板包括相對(duì)設(shè)置的上表面和下表面，所述發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于基板的上表面并與電極電連接，所述電極自基板的上表面貫穿延伸至基板的下表面，所述基板的下表面上對(duì)應(yīng)電極進(jìn)一步形成有絕緣層，所述絕緣層沿基板的下表面延伸至電極的底部并至少覆蓋電極與基板的接合處的一部分。該絕緣層對(duì)應(yīng)電極設(shè)置于基板的下表面，該絕緣層延伸至電極的底部并覆蓋于電極與基板的接合處，這能防止水汽或空氣沿電極與基板的接合處進(jìn)入到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部而導(dǎo)致內(nèi)部電極氧化。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管憑借其高光效、低能耗、無污染等優(yōu)點(diǎn)，已被應(yīng)用于越來越多的場(chǎng)合之 中，大有取代傳統(tǒng)光源的趨勢(shì)。
[0003] 在應(yīng)用到具體領(lǐng)域中之前，發(fā)光二極管晶粒還需要進(jìn)行封裝，以保護(hù)發(fā)光二極管 晶粒不受擠壓或者氧化，從而使發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)獲得較高的發(fā)光效率及較長(zhǎng)的使用壽 命。
[0004] 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管晶粒以及覆蓋發(fā) 光二極管晶粒的封裝體，該基板表面上設(shè)置有供發(fā)光二極管晶粒電連接的電極，但由于電 極與基板之間結(jié)合不緊密，空氣或水汽容易沿電極與基板的接合界面滲入到發(fā)光二極管封 裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部，導(dǎo)致發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的內(nèi)部電極被氧化，進(jìn)而影響整個(gè)發(fā)光二極管封裝 結(jié)構(gòu)的電性接觸性能。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，有必要提供一種電極不易發(fā)生氧化的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0006] -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管晶粒以及覆蓋 發(fā)光二極管晶粒的封裝體，所述基板上還形成有電極，所述基板包括相對(duì)設(shè)置的上表面和 下表面，所述發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于基板的上表面并與電極電連接，所述電極自基板的上 表面貫穿延伸至基板的下表面，所述基板的下表面上對(duì)應(yīng)電極進(jìn)一步形成有絕緣層，所述 絕緣層沿基板的下表面延伸至電極的底部并至少覆蓋電極與基板的接合處的一部分。
[0007] 該絕緣層對(duì)應(yīng)電極設(shè)置于基板的下表面，該絕緣層延伸至電極的底部并覆蓋于電 極與基板的接合處，這能防止水汽或空氣沿電極與基板的接合處進(jìn)入到發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)的內(nèi)部而導(dǎo)致內(nèi)部電極氧化。
[0008] 下面參照附圖，結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0010] 圖2為圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖(其中發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu) 的發(fā)光二極管晶粒與封裝體被隱藏)。
[0011] 圖3為圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0012] 圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0013] 圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0014] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的發(fā)光二極管晶粒以及覆蓋發(fā) 光二極管晶粒的封裝體，所述基板上還形成有電極，所述基板包括相對(duì)設(shè)置的上表面和下 表面，所述發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于基板的上表面并與電極電連接，其特征在于：所述電極自 基板的上表面貫穿延伸至基板的下表面，所述基板的下表面上對(duì)應(yīng)電極進(jìn)一步形成有絕緣 層，所述絕緣層沿基板的下表面延伸至電極的底部并至少覆蓋電極與基板的接合處的一部 分。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電極包括電性隔絕的 第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部的底部均與基板的下表面平齊。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo) 電部的截面均呈倒"凸"字型。
4. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣層包括沿第一導(dǎo) 電部與基板的接合處延伸的第一絕緣部以及沿第二導(dǎo)電部與基板的接合處延伸的第二絕 緣部。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一絕緣部為多個(gè)且 彼此間隔分布于基板的下表面，每一個(gè)第一絕緣部延伸至第一導(dǎo)電部的底部并對(duì)應(yīng)覆蓋第 一導(dǎo)電部與基板的接合處的一部分，所述第二絕緣部為多個(gè)且彼此間隔分布于基板的下表 面，每一個(gè)第二絕緣部延伸至第二導(dǎo)電部的底部并對(duì)應(yīng)覆蓋第二導(dǎo)電部與基板的接合處的 一部分。
6. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一絕緣部環(huán)繞第一 導(dǎo)電部的底部設(shè)置，所述第一絕緣部延伸至第一導(dǎo)電部的底部并對(duì)應(yīng)覆蓋第一導(dǎo)電部與基 板的接合處。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二絕緣部環(huán)繞第二 導(dǎo)電部的底部設(shè)置，所述第二絕緣部延伸至第二導(dǎo)電部的底部并對(duì)應(yīng)覆蓋第二導(dǎo)電部與基 板的接合處。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一絕緣部與第二絕 緣部位于第一導(dǎo)電部的底部和第二導(dǎo)電部的底部之間的部分鄰接。
9. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一絕緣部的厚度與 第二絕緣部的厚度相同。
10. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括形成于基板上表面 的的反射杯，該反射杯具有敞口的容置槽，所述第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部的頂部均與基板 的上表面平齊，所述發(fā)光二極管晶粒位于反射杯的底部，發(fā)光二極管晶粒以倒裝的方式安 裝于基板的上表面并分別與第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部電連接，所述封裝體位于反射杯的容 置槽內(nèi)并覆蓋發(fā)光二極管晶粒。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK104103734SQ201310111308
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月2日
【發(fā)明者】林厚德, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司