發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法，該發(fā)光二極管包括一基板、一聚合物層以及一磊晶層。聚合物層配置于基板上，其中聚合物層的化學式如下：其中M代表鈉、鋅、鎂或鉀。磊晶層配置于聚合物層上。磊晶層通過聚合物層固定于基板上。
【專利說明】發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制 作方法。

【背景技術】
[0002] -般來說，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法是先在磊晶基板上生長磊晶層，但由于磊 晶基板會吸光，因此必須再通過晶圓接合法將磊晶層和透光的轉(zhuǎn)移基板接合，接著將磊晶 基板移除，讓磊晶層轉(zhuǎn)移至轉(zhuǎn)移基板上，以避免影響出光。目前，晶圓接合法所采用的粘著 層的材質(zhì)包括二氧化娃或苯環(huán)丁烯（benzocyclobutene，BCB)。當采用二氧化娃層作為粘 著層時，二氧化娃必須先通過等離子體化學氣相沉積（plasma enhanced chemical vapor dep〇siti〇n，PECVD)沉積于轉(zhuǎn)移基板上。接著，對沉積后的二氧化硅層進行研磨程序及活化 程序，以形成良好的接合面。之后，對準磊晶層和轉(zhuǎn)移基板，以長時間（如1小時）的高溫 (如300°C )及高壓（如3000牛頓/平方公分）的方式來接合磊晶層與轉(zhuǎn)移基板。最后， 移除磊晶基板而完成發(fā)光二極管的制作。
[0003] 當采用苯環(huán)丁烯層作為粘著層時，則需先通過旋轉(zhuǎn)涂布的方式將苯環(huán)丁烯涂布于 磊晶層和轉(zhuǎn)移基板上。接著，對涂布后的苯環(huán)丁烯進行烘烤程序。之后，對準磊晶層和轉(zhuǎn)移 基板，以長時間（如3小時）的高溫（如220°C )及低壓（如1100牛頓/平方公分）的方 式來接合磊晶層與轉(zhuǎn)移基板。最后，移除磊晶基板而完成發(fā)光二極管的制作。然而，上述兩 種的制作方法所需的成本較高且制程步驟也較為繁雜。此外，由于上述兩種材質(zhì)皆需通過 長時間的高溫來成接合磊晶層與轉(zhuǎn)移基板，有可能使磊晶層因高溫而產(chǎn)生缺陷并被破壞品 質(zhì)，因此會影響所形成的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制作方法，其具有制程簡單及制造成本低的 優(yōu)勢。
[0005] 本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一聚合物層以及一磊晶層。聚合物層配 置于基板上，其中聚合物層的化學式如下：
[0006]

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括： 一基板； 一聚合物層，配置于該基板上，其中該聚合物層的化學式如下：
其中Μ代表鈉、鋅、鎂或鉀；以及 一磊晶層，配置于該聚合物層上，其中該磊晶層通過該聚合物層固定于該基板上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該聚合物層的分子量介于 10000公克/摩爾至120000公克/摩爾之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，化學式中的a等于250至 2500,而b等于10至300。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該a/b的值介于12至20之 間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板包括一藍寶石基板。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該磊晶層包括一第一型半導 體層、一發(fā)光層以及一第二型半導體層，該第二型半導體層鄰近于該聚合物層，該發(fā)光層配 置于該第一型半導體層與該第二型半導體層之間。
7. -種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括： 形成一嘉晶層于一嘉晶基板上； 提供一轉(zhuǎn)移基板； 提供一聚合物層于該磊晶基板的該磊晶層與該轉(zhuǎn)移基板之間，該聚合物層的化學式如 下：
其中Μ代表鈉、鋅、鎂或鉀； 對該磊晶基板與該轉(zhuǎn)移基板進行一接合制程，以使該磊晶基板通過該聚合物層而固定 于該轉(zhuǎn)移基板上；以及 移除該嘉晶基板，而暴露出該嘉晶層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該聚合物層的分 子量介于10000公克/摩爾至120000公克/摩爾之間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，化學式中的a等于 250至2500,而b等于10至300。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該接合制程的所 施加的壓力介于400牛頓/平方公分至4500牛頓/平方公分之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該接合制程的溫 度介于90°C至200°C之間。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該接合制程的時 間介于1分鐘至360分鐘之間。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成該磊晶層的 步驟包括依序形成一第一型半導體層、一發(fā)光層以及一第二型半導體層于該磊晶基板上。
【文檔編號】H01L33/44GK104103731SQ201310113952
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月3日
【發(fā)明者】黃冠杰, 莊東霖 申請人:新世紀光電股份有限公司