半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種半導(dǎo)體裝置，該裝置包含一半導(dǎo)體元件具有一第一表面、與該第一表面相對(duì)的一第二表面，以及設(shè)置于該半導(dǎo)體元件上之一導(dǎo)電孔。該半導(dǎo)體元件包含一晶粒、設(shè)置于該第一表面上的一第一線路層、以及設(shè)置于該半導(dǎo)體元件之第二表面上的一第二線路層。該導(dǎo)電孔自該第二表面延伸且電連接該第一線路層與第二線路層，其中該導(dǎo)電孔兩端之孔徑尺寸不同且該晶?？赏高^(guò)該導(dǎo)電孔與另一半導(dǎo)體裝置電連接。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明系關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，特別是關(guān)于一種可堆迭成為一三維層迭結(jié)構(gòu)的晶圓級(jí)晶片封裝及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]三維積體電路(3D IC)包含具有兩層以上的主動(dòng)半導(dǎo)體元件(例如垂直堆迭與連結(jié))以形成一積體電路。3D IC技術(shù)的價(jià)值在于，在更小的面積下提供更多以及更快的運(yùn)算功能及處理速度(例如，較短的垂直電連接可以減緩延遲)。目前多種3D IC的型態(tài)已被開(kāi)發(fā)，包含晶粒對(duì)晶粒堆迭、晶粒對(duì)晶圓堆迭、以及晶圓對(duì)晶圓堆迭。在一般3D IC技術(shù)中，電路元件(亦即積體電路)建構(gòu)于兩個(gè)以上的基板，并經(jīng)由封裝形成一積體電路單元。一般而言，垂直的電連接藉由娃穿孔(through silicon vias, TSVs)將位于不同基板上的電路導(dǎo)通。堆迭的晶粒將再經(jīng)過(guò)封裝完成I/O的設(shè)計(jì)，以提供外界與該3D IC的訊號(hào)窗口。
[0003]本發(fā)明揭露一種改良的結(jié)構(gòu)以及一種制作該結(jié)構(gòu)的方法，以達(dá)成在晶?；蚓A的兩相對(duì)表面建構(gòu)重分配布線(RDL)以的目的。
[0004]本發(fā)明之技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本項(xiàng)技術(shù)之人士仍可能基于本發(fā)明之教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神之替換及修飾。因此，本發(fā)明之保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示者，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明之替換及修飾，并為以下之申請(qǐng)專利范圍所涵蓋。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置，該裝置包含一半導(dǎo)體元件具有一第一表面、與第一表面相對(duì)的一第二表面，以及設(shè)置于該半導(dǎo)體兀件上之一導(dǎo)電孔。該半導(dǎo)體兀件包含一晶粒、設(shè)置于該第一表面上的一第一線路層、以及設(shè)置于該半導(dǎo)體兀件之第二表面上的一第二線路層。該導(dǎo)電孔自該第二表面延伸且電連接該第一線路層與第二線路層，其中導(dǎo)電孔兩端之孔徑尺寸不同且該晶?？赏高^(guò)導(dǎo)電孔與另一半導(dǎo)體裝置電性連接。
[0006]本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種制造一半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包含提供一半導(dǎo)體元件，其中，半導(dǎo)體元件具有一第一表面、與第一表面相對(duì)的一第二表面，以及形成一導(dǎo)電孔于半導(dǎo)體元件中以供晶粒與另一半導(dǎo)體裝置電性連接。該半導(dǎo)體元件包含一晶粒、設(shè)置于第一表面上的一第一線路層、以及設(shè)置于第二表面上的一第二線路層，該導(dǎo)電孔自該第二表面延伸且電連接該第一線路層與該第二線路層，其中，該導(dǎo)電孔兩端之孔徑尺寸不同。
[0007]上文已相當(dāng)廣泛地概述本揭露內(nèi)容之技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)，俾使下文之本揭露詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本揭露內(nèi)容之申請(qǐng)專利范圍標(biāo)的之其它技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)將描述于下文。本揭露內(nèi)容所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示之概念與特定實(shí)施例可作為修改或設(shè)計(jì)其它結(jié)構(gòu)或制程而實(shí)現(xiàn)與本揭露內(nèi)容相同之目的。本揭露內(nèi)容所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無(wú)法脫離后附之申請(qǐng)專利范圍所界定之本揭露內(nèi)容的精神和范圍。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0009]圖2依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0010]圖3依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0011]圖4依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例顯示扇出型的一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0012]圖5依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例顯示扇出型的一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0013]圖6依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例顯示扇出型的一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0014]圖7依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例顯示具有干膜的一半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0015]圖8依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例顯示具有干膜的一扇出型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)；
[0016]圖9依據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體封裝堆迭結(jié)構(gòu)；以及
[0017]圖10依據(jù)本發(fā)明之實(shí)施例顯示一扇出型半導(dǎo)體封裝堆迭結(jié)構(gòu)。
[0018]【主要元件符號(hào)說(shuō)明】
[0019]10半導(dǎo)體裝置
[0020]IOA 半導(dǎo)體裝置
[0021]IOB 半導(dǎo)體裝置
[0022]11 晶粒
[0023]111 第一表面
[0024]112 第二表面
[0025]114 第一線路層
[0026]115 第二線路層
[0027]116 外接端子
[0028]131 導(dǎo)電孔
[0029]131A 錐體部
[0030]131B 圓筒部
[0031]20半導(dǎo)體裝置
[0032]20A 半導(dǎo)體裝置
[0033]20B 半導(dǎo)體裝置
[0034]21封膠體
[0035]30A 半導(dǎo)體裝置
[0036]30B 半導(dǎo)體裝置
【具體實(shí)施方式】
[0037]圖1根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體裝置10，該裝置具有一半導(dǎo)體元件以及一設(shè)置于該半導(dǎo)體元件上之導(dǎo)電孔131。其中，半導(dǎo)體元件具有一第一表面111、與第一表面111相對(duì)的一第二表面112,并且包括一晶粒11、一設(shè)置于第一表面111上的第一線路層
114、以及設(shè)置于半導(dǎo)體元件之第二表面112上的第二線路層115。其中第一、第二線路層
114、115可為重置線路層(redistribution layer, RDL)。該導(dǎo)電孔131設(shè)置于該晶粒11中，自該第二表面112向 該第一表面111延伸且電連接該第一線路層114與該第二線路層115。該導(dǎo)電孔131兩端之孔徑尺寸不同且該晶粒11可透過(guò)該導(dǎo)電孔131與另一半導(dǎo)體裝置(未顯示)電連接。
[0038]圖2根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體裝置10A。該半導(dǎo)體裝置IOA的結(jié)構(gòu)與圖1的半導(dǎo)體裝置10相近，僅多了置放于第一線路層114與第二線路層115的外部連接端子116。本實(shí)施例中，該外部連接端子116可為，但不限定于，一錫球。該外部連接端子116可以置放在第一線路層114上、第二線路層115上、或上述兩者之上。該半導(dǎo)體裝置IOA上的導(dǎo)電孔131具有一錐體部131A，具體地說(shuō)，靠近該第二線路層115 —端導(dǎo)電孔131的尺寸大于靠近該第一線路層114 一端導(dǎo)電孔131A的尺寸。本實(shí)施例中該外部連接端子116的數(shù)目并不固定，該數(shù)目可以依照三維堆迭結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)而調(diào)整。于另一實(shí)施例中，該導(dǎo)電孔131包含導(dǎo)電材料，例如但不限于銅、錫、鉛錫合金、或上述之組合。該導(dǎo)電材料可以填滿該導(dǎo)電孔131、涂覆于該導(dǎo)電孔131的側(cè)壁上，或以金屬球體型態(tài)置設(shè)于導(dǎo)電孔131內(nèi)，只要能夠在第一線路層114與第二線路層115間形成一導(dǎo)電通路的導(dǎo)電材料填充型態(tài)都涵蓋在本發(fā)明的范圍中。
[0039]圖3根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體裝置10B。圖3的導(dǎo)電孔131包含一錐體部13IA以及一圓筒部131B。該導(dǎo)電孔131的不同部分可由相同方法或不同方法形成。在本實(shí)施例中，一紫外光激光穿孔模式用于形成該錐體部131A，而一紫外光激光掃瞄模式用于形成該圓筒部131B。其它蝕刻制程，例如濕蝕刻、干蝕刻、或反應(yīng)式離子蝕刻亦包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0040]圖4根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體裝置20，該裝置20具有一半導(dǎo)體元件以及一設(shè)置于該半導(dǎo)體兀件上之導(dǎo)電孔131。該半導(dǎo)體兀件具有一第一表面111、與該第一表面111相對(duì)的一第二表面112,并且包括一晶粒11、一設(shè)置于該第一表面111上的第一線路層114、設(shè)置于該半導(dǎo)體元件之第二表面112上的第二線路層115、以及鄰近該晶粒11部分表面的封膠體21。其中該第一、第二線路層114、115可為重置線路層(redistributionlayer，RDL)。圖4的剖面圖中，該晶粒11有三個(gè)表面皆與該封膠體21鄰接。該導(dǎo)電孔131設(shè)置于該封膠體21中，自該第二表面112向該第一表面111延伸且電連接該第一線路層114與該第二線路層115。該導(dǎo)電孔131兩端之孔徑尺寸不同且該晶粒11可透過(guò)該導(dǎo)電孔131與另一半導(dǎo)體裝置(未顯示)電連接。于其它實(shí)施例中，該晶粒11亦可同時(shí)配合外部端子116與另一半導(dǎo)體裝置電性連接。
[0041]圖5根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體裝置20A。該半導(dǎo)體裝置20A的結(jié)構(gòu)與圖4的半導(dǎo)體裝置20相近，僅多了置放于第一線路層114與第二線路層115的外部連接端子116。本實(shí)施例中，該外部連接端子116可為，但不限定于，一錫球。該外部連接端子116可以置放在第一線路層114上、第二線路層115上、或上述兩者之上。該半導(dǎo)體裝置20A上的導(dǎo)電孔131具有一錐體部131A，具體地說(shuō)，靠近該第二線路層115 —端導(dǎo)電孔131的尺寸大于靠近該第一線路層114 一端導(dǎo)電孔131的尺寸。本實(shí)施例中該外部連接端子116的數(shù)目并不固定，該數(shù)目可以依照三維堆迭結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)而調(diào)整。于另一實(shí)施例中，該導(dǎo)電孔131包含導(dǎo)電材料，例如但不限于銅、錫、鉛錫合金、或上述之組合。該導(dǎo)電材料可以填滿該導(dǎo)電孔131或涂覆于該導(dǎo)電孔131的側(cè)壁上，只要能夠在第一線路層114與第二線路層115間形成一導(dǎo)電通路的導(dǎo)電材料填充型態(tài)都涵蓋在本發(fā)明的范圍中。
[0042]圖6根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例顯示一半導(dǎo)體裝置20B。圖6的導(dǎo)電孔131包含一錐體部131A以及一圓筒部131B。該導(dǎo)電孔131的不同部分可由不同方法形成。在本實(shí)施例中，一紫外光激光鑿孔制程用于形成該錐體部131A，而一紫外光激光掃瞄制程用于形成該圓筒部131B。其它蝕刻制程，例如濕蝕刻、干蝕刻、或反應(yīng)式離子蝕刻亦包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0043]本發(fā)明亦提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。該方法包含提供如圖1及圖4所示的一半導(dǎo)體元件，以及形成一導(dǎo)電孔131于該半導(dǎo)體元件中。上述步驟的細(xì)節(jié)將于之后的段落中敘述。圖1及圖4中的半導(dǎo)體元件皆具有一第一表面111、與該第一表面相對(duì)的一第二表面112,且該兀件包含一晶粒11、設(shè)置于該第一表面上的一第一線路層114、以及設(shè)置于該第二表面上的一第二線路115層。其中圖1的半導(dǎo)體元件上之線路層設(shè)計(jì)為一扇入(fan-1n)結(jié)構(gòu),而圖4的半導(dǎo)體元件上之線路層設(shè)計(jì)為一扇出(fan-out)結(jié)構(gòu)。
[0044]如圖2所示，在第一線路層114形成于該晶粒11的第一表面111之后，至少一外部連接端子116 (本實(shí)施例中為一錫球)藉由一植球制程置放于該第一線路層114上。在進(jìn)行此步驟時(shí)，該導(dǎo)電孔131尚未形成于該晶粒11中，該第二線路層115也尚未形成于該第二表面112上。在后續(xù)步驟中，如圖7所示，一層干膜(dry film)118粘接于該第一表面
111、第一表面111上的該外部連接端子116、以及該第一線路層114上以形成一支持結(jié)構(gòu)。該干膜118與第一線路層114以及第一表面111上的外部連接端子116的表面形貌密合，故可保護(hù)第一表面111以及置放于其上的元件且亦可當(dāng)作位于第一表面111上的支持結(jié)構(gòu)。
[0045]如圖7所示，呈上段敘述，一第二線路層115形成(例如濺鍍)于該晶粒21的第二表面112，而該導(dǎo)電孔131藉由一激光鑿孔制程形成于該晶粒11上。該激光鑿孔制程移除該第二線路層115以及該晶片11的材料，直到該第一線路層114顯現(xiàn)。在形成該導(dǎo)電孔131之后，導(dǎo)電材料將會(huì)被置放于該導(dǎo)電孔131中并形成電連接第一線路層114與第二線路層115的通路。本實(shí)施例中，該導(dǎo)電材料可為一金屬球體,利用落球制程(ball-dropping)或噴球制程(ball-spraying)配合小間隔(fine-pitched)圖案化鋼板(stencil plate)填充于導(dǎo)電孔內(nèi)，導(dǎo)電材料可為，但不限于銅、錫、鉛錫合金、或上述之組合。于另一實(shí)施例中，一回焊制程接續(xù)于填充導(dǎo)電材料的步驟后。此回焊制程的其中一目的是為了避免在導(dǎo)電孔131內(nèi)壁以及導(dǎo)電材料之間形成任何的孔洞。本發(fā)明另一實(shí)施例中，在一晶圓或一重置晶圓(重新分布經(jīng)挑選過(guò)之晶片并具有重置線路層的晶圓)粘附上該干膜118、該第二線路層
115、以及該外部連接端子116后，可進(jìn)一步進(jìn)行一切割手續(xù)將各晶粒分離。另一實(shí)施例中，至少一外部連接端子116于填充導(dǎo)電材料的步驟后被置放于該第二線路層115上，而該干膜118將由一蝕刻或撕除步驟所移除。本實(shí)施例中所使用的鑿孔制程可包含一紫外線激光鉆孔模式、一紫外線激光掃瞄模式，或上述模式之組合。如圖7所示，該導(dǎo)電孔131包含一錐體部131A以及一圓筒部131B。導(dǎo)電孔131不同部分可由不同方法形成，在本實(shí)施例中，該一紫外光激光穿孔模式用于形成該錐體部131A，而一紫外光激光掃瞄模式用于形成該圓筒部131B。利用紫外光激光穿孔模式所形成的導(dǎo)電孔131具有錐體部131A的特征，亦即，該導(dǎo)電孔131的兩端尺寸不同。
[0046]如圖5所不,一晶粒11先被一封膠體21覆蓋。在第一線路層114形成于該半導(dǎo)體元件20A的第一表面111之后，至少一外部連接端子116 (本實(shí)施例中為一錫球)置放于該第一線路層114上。在進(jìn)行此步驟時(shí)，該導(dǎo)電孔131尚未形成于該晶粒11中，該第二線路層115也尚未形成于該第二表面112上。在后續(xù)步驟中，如圖8所示，一層干膜(dry film)118粘接于該第一表面111、第一表面111上的該外部連接端子116、以及該第一線路層114上以形成一支持結(jié)構(gòu)。該干膜118與第一線路層114以及第一表面111上的外部連接端子116的表面形貌密合，故可保護(hù)該第一表面111以及置放于其上的元件并可當(dāng)作位于第一表面111上的支持結(jié)構(gòu)。
[0047]如圖8所示，呈上段敘述，一第二線路層115形成(例如濺鍍)于該半導(dǎo)體元件30B的第二表面112,而該導(dǎo)電孔131藉由一激光鑿孔制程形成于該封膠體21上。該激光鑿孔制程移除該第二線路層115以及該封膠體21的材料，直到該第一線路層114顯現(xiàn)。在形成該導(dǎo)電孔131之后，導(dǎo)電材料將會(huì)被置放于該導(dǎo)電孔131中并形成電連接第一線路層114與第二線路層115的通路。本實(shí)施例中，該導(dǎo)電材料可預(yù)先形成球體，利用落球制程(ball-dropping)或噴球制程(ball-spraying)配合小間隔(fine-pitched)圖案化鋼板(stencil plate)填充于導(dǎo)電孔內(nèi)，導(dǎo)電材料可為，但不限于銅、錫、鉛錫合金、或上述之組合。于另一實(shí)施例中，一回焊制程接續(xù)于填充導(dǎo)電材料的步驟后。此回焊制程的其中一目的是為了避免在導(dǎo)電孔131內(nèi)壁以及導(dǎo)電材料之間形成任何的孔洞。本發(fā)明另一實(shí)施例中，在一晶圓或一重置晶圓(重新分布經(jīng)挑選過(guò)之晶片并具有重置線路層的晶圓)粘附上該干膜118、該第二線路層115、以及該外部連接端子116后，可進(jìn)一步進(jìn)行一切割手續(xù)將各晶粒分離。于另一實(shí)施例中，至少一外部連接端子116于填充導(dǎo)電材料的步驟后被置放于該第二線路層115上，而該干膜118將由一蝕刻或撕除步驟所移除。本實(shí)施例中所使用的鑿孔制程可包含一紫外線激光鉆孔模式、一紫外線激光掃瞄模式，或上述模式之組合。如圖8所不，該導(dǎo)電孔131包含一錐體部13IA以及一圓筒部131B。導(dǎo)電孔131不同部分可由不同方法形成，在本實(shí)施例中，該一紫外光激光穿孔模式用于形成該錐體部131A，而一紫外光激光掃瞄模式用于形成該圓筒部131B。利用紫外光激光穿孔模式所形成的導(dǎo)電孔131具有錐體部131A的特征，亦即，該導(dǎo)電孔131的兩端尺寸不同。本實(shí)施例中，該導(dǎo)電孔131靠近第二線路層115 —端的尺寸大于該導(dǎo)電孔131靠近第一線路層114 一端的尺寸。
[0048]垂直堆迭三個(gè)半導(dǎo)體裝置10、20 (見(jiàn)圖1及圖4)形成一三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分別如圖9及圖10所示，使彼此垂直堆迭之半導(dǎo)體裝置10、20可利用導(dǎo)電孔131、第一線路層114及第二線路層115做為彼此間之電傳導(dǎo)。然而，該三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并不限于圖10的實(shí)施例，具有不同電路布局的半導(dǎo)體裝置也可以相互堆迭而形成不同的三維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。外部連接端子116所置放的位置可因?yàn)槊恳粚硬煌碾娐凡季侄煌?。另一?shí)施例中，不同尺寸的半導(dǎo)體裝置也可利用本發(fā)明所揭露的方法互相堆迭，例如晶粒對(duì)晶粒堆迭、晶粒對(duì)晶圓堆迭、以及晶圓對(duì)晶圓堆迭。另外，第一 /第二線路層114/115以及導(dǎo)電孔131中的導(dǎo)電材料若為高散熱系數(shù)的銅或其合金，可增加銅的表面積，幫助三維半導(dǎo)體堆迭結(jié)構(gòu)面臨的散熱問(wèn)題。
[0049]本揭露之技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而本揭露所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，在不背離后附申請(qǐng)專利范圍所界定之本揭露精神和范圍內(nèi)，本揭露之教示及揭示可作種種之替換及修飾。例如，上文揭示之許多制程可以不同之方法實(shí)施或以其它制程予以取代，或者采用上述二種方式之組合。
[0050]此外，本案之權(quán)利范圍并不局限于上文揭示之特定實(shí)施例的制程、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)之成份、裝置、方法或步驟。本揭露所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者應(yīng)了解，基于本揭露教示及揭示制程、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)之成份、裝置、方法或步驟，無(wú)論現(xiàn)在已存在或日后開(kāi)發(fā)者，其與本案實(shí)施例揭示者系以實(shí)質(zhì)相同的方式執(zhí)行實(shí)質(zhì)相同的功能，而達(dá)到實(shí)質(zhì)相同的結(jié)果，亦可使用于本揭露。因此，以下之申請(qǐng)專利范圍系用以涵蓋用以此類制程、機(jī)臺(tái)、制造、物質(zhì)之成份、裝置、方法或步驟。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，該裝置包含: 一半導(dǎo)體元件，具有一第一表面以及與該第一表面相對(duì)的一第二表面，該半導(dǎo)體元件包含: 一晶粒; 一第一線路層，設(shè)置于該半導(dǎo)體兀件之第一表面上；以及 一第二線路層設(shè)置于該半導(dǎo)體元件之第二表面上；以及 一設(shè)置于該半導(dǎo)體元件上之導(dǎo)電孔，該導(dǎo)電孔自該第二表面延伸且電連接該第一線路層與第二線路層，其中該晶?？赏高^(guò)該導(dǎo)電孔與另一半導(dǎo)體裝置電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電孔穿過(guò)該晶粒。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括一外接端子，設(shè)置于該第一及/或該第二線路層上。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電孔內(nèi)進(jìn)一步設(shè)置一導(dǎo)電材料。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，該半導(dǎo)體元件進(jìn)一步包含一封膠體鄰接于該晶粒的部份表面。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電孔穿過(guò)該封膠體。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，進(jìn)一步包括一外接端子，設(shè)置于該第一及/或該第二線路層上。`
8.—種制造一半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包含: 提供一半導(dǎo)體兀件，該兀件具有一第一表面、與該第一表面相對(duì)的一第二表面，且該兀件包含一晶粒、設(shè)置于該第一表面上的一第一線路層、以及設(shè)置于該第二表面上的一第二線路層；以及 形成一導(dǎo)電孔于該半導(dǎo)體元件中以電連接該晶粒與另一半導(dǎo)體裝置，其中該導(dǎo)電孔自該第二表面延伸且電連接該第一線路層與該第二線路層，且該導(dǎo)電孔兩端之孔徑尺寸不同。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中提供一半導(dǎo)體元件的步驟進(jìn)一步包含: 形成至少一外接端子于該第一表面上；以及 粘附一干膜于該第一表面、該外接端子、以及該第一線路層上，以形成該半導(dǎo)體元件的一支持結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成該導(dǎo)電孔的步驟包含: 利用激光鉆孔形成該導(dǎo)電孔于該晶粒上； 置放一導(dǎo)電材料于該導(dǎo)電孔中； 置放至少一外接端子于該第二線路層上；以及 移除該干膜。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中移除該干膜的步驟包含一蝕刻步驟或一撕除步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該激光鉆孔的步驟包含使用一紫外線激光鉆孔模式、一紫外線激光掃瞄模式，或上述模式之組合。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步透過(guò)該半導(dǎo)體裝置與另一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)電連接以形成一三維堆迭結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其中提供一半導(dǎo)體元件的步驟進(jìn)一步包含: 形成至少一外接端子于該第一表面上； 形成一封膠體鄰接于該晶粒的部份表面；以及 粘附一干膜于該第一表面、該外接端子、以及該第一線路層上，以形成該半導(dǎo)體元件的一支持結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成該導(dǎo)電孔的步驟包含: 利用激光鉆孔形成該導(dǎo)電孔于該封膠體上； 置放一導(dǎo)電材料于該導(dǎo)電孔中； 置放至少一外接端子于該第二線路層上；以及 移除該干膜。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中移除該干膜的步驟包含一蝕刻步驟或一撕除步驟。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該激光鉆孔的步驟包含使用一紫外線激光鉆孔模式、一紫外線激光掃瞄模式，或上述模式之組合。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步透過(guò)該半導(dǎo)體裝置與另一半導(dǎo)體裝置電連接形成一三維堆迭結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求8所述的方法，其中該置放一導(dǎo)電材料于該導(dǎo)電孔中的步驟更包含一回焊作業(yè)。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK103681553SQ201310113967
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】廖宗仁 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司