專利名稱：一種低衰減發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種低衰減發(fā)光二極管(LED)。
背景技術(shù)：
LED照明作為一種全新的照明方式，正在滲入傳統(tǒng)照明領(lǐng)域且大有取而代之的趨勢，它因具有低功耗、長壽命、反應速度快等優(yōu)點而越來越受大眾的認可。目前LED封裝工藝中，光轉(zhuǎn)換方式多采用熒光粉與有機樹脂材料混合后點膠的方式，涂布在芯片上面，然后再采用環(huán)氧、硅橡膠等進行產(chǎn)品封裝以完成對器件的機械、濕熱等保護措施。在熒光粉與環(huán)氧、硅橡膠等有機材料進行混合時，熒光粉會在膠內(nèi)沉降造成生產(chǎn)良率降低和光斑不均勻；同時膠體直接覆蓋在芯片上，受芯片的發(fā)熱量影響，環(huán)氧、硅橡膠等有機材料容易劣化，造成LED產(chǎn)品光衰減、顏色漂移、壽命變短等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低衰減發(fā)光二極管。本發(fā)明的低衰減發(fā)光二極管包括頂部具有凹槽的支架，在支架的凹槽中固定有芯片，芯片上覆蓋包覆層，包覆層上覆蓋熒光轉(zhuǎn)化層，在熒光轉(zhuǎn)化層外連同支架的上部包裹一層配光體，或者在突光轉(zhuǎn)化層上覆蓋一層配光體。上述芯片的發(fā)光 波長為350 470nm。本發(fā)明中，所說的包覆層可以是納米Ti02、Zr02、Al203、Si0dP CaCO3中的一種或幾種與環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧-有機硅復合樹脂、無機改性環(huán)氧樹脂或無機改性硅樹脂的混合物，其折射率為1.5 2.5。本發(fā)明中，所說的熒光轉(zhuǎn)化層可以是熒光粉和環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧-有機硅復合樹脂、無機改性環(huán)氧樹脂或無機改性硅樹脂的混合物，其折射率為1.5 2.5。上述熒光粉種類可為釔鋁石榴石、鋱鋁石榴石、镥鋁石榴石、硅酸鹽、氮化物和氮氧化物中的一種或幾種。本發(fā)明中，所說的配光體是半球狀或長方體狀或橢球體狀的環(huán)氧樹脂或聚碳酸酯或玻璃，其折射率為1.4 1.5。本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明的發(fā)光二極管采用包覆層覆蓋芯片，可減小芯片對熒光轉(zhuǎn)化層的光熱影響，延緩光衰減并降低顏色漂移的幅度；熒光轉(zhuǎn)化層縮短了熒光粉的運動路徑，可以有效防止熒光粉沉降不均。本發(fā)明解決了目前LED封裝中光衰大，光斑不均勻、入Bin率低等問題。本發(fā)明結(jié)構(gòu)可用于各種發(fā)光二極管(直插式LED、貼片式LED及大功率LED、COB產(chǎn)品)的生產(chǎn)。


圖1為本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明的另一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1.芯片，2.支架，3.包覆層，4.熒光轉(zhuǎn)化層，5.配光體。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖進一步對本發(fā)明進行描述。圖1所示為直插式發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)包括頂部具有凹槽的支架2，在支架的凹槽中固定有芯片I，芯片I上覆蓋包覆層3，包覆層3上覆蓋熒光轉(zhuǎn)化層4，在熒光轉(zhuǎn)化層4外連同支架的上部包裹一層配光體5。圖2所示為直插式發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)包括頂部具有凹槽的支架2，在支架的凹槽中固定有芯片I，芯片I上覆蓋包覆層3，包覆層3上覆蓋熒光轉(zhuǎn)化層4，在突光轉(zhuǎn)化層4上覆蓋一層配光體5。包覆層可以是納米Ti02、Zr02、Al203、Si02和CaCO3中的一種或幾種與環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧-有機硅復合樹脂、無機改性環(huán)氧樹脂或無機改性硅樹脂的混合物，其折射率為
1.5 2.5。所說的熒光轉(zhuǎn)化層可以是熒光粉和環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧-有機硅復合樹脂、無機改性環(huán)氧樹脂或無機改性硅樹脂的混合物，其折射率為1.5 2.5。配光體5可采用灌膠的方式形成的半球狀或長方體狀或橢球體狀的環(huán)氧樹脂或聚碳酸酯或玻璃，其折 射率為1.4 1.5。以上列舉的僅是本發(fā)明的具體實施例子。顯然，本發(fā)明不限于以上實施例子，在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)，對本發(fā)明作出的任何修改和改變，均應認為是本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種低衰減發(fā)光二極管，其特征在于包括頂部具有凹槽的支架(2)，在支架的凹槽中固定有芯片(1)，芯片(I)上覆蓋包覆層(3)，包覆層(3)上覆蓋熒光轉(zhuǎn)化層(4)，在熒光轉(zhuǎn)化層(4)外連同支架的上部包裹一層配光體(5)，或者在熒光轉(zhuǎn)化層(4)上覆蓋一層配光體(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低衰減發(fā)光二極管，其特征在于所說的芯片(I)的發(fā)光波長為350 470nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低衰減發(fā)光二極管，其特征在于所說的包覆層(3)是納米Ti02、ZrO2, A1203、SiO2和CaCO3中的一種或幾種與環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧-有機硅復合樹脂、無機改性環(huán)氧樹脂或無機改性硅樹脂的混合物，其折射率為1.5 2.5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低衰減發(fā)光二極管，其特征在于所說的熒光轉(zhuǎn)化層(4)是熒光粉和環(huán)氧樹脂、硅樹脂、環(huán)氧-有機硅復合樹脂、無機改性環(huán)氧樹脂或無機改性硅樹脂的混合物，其折射率為1.5 2.5。
5.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種低衰減發(fā)光二極管，其特征在于所說的熒光粉種類為釔鋁石榴石、鋱鋁石榴石、镥鋁石榴石、硅酸鹽、氮化物和氮氧化物中的一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低衰減發(fā)光二極管，其特征在于所說的配光體是半球狀或長方體狀或橢球體狀的環(huán)氧樹脂或聚碳酸酯或玻璃， 其折射率為1.4 1.5。
全文摘要
本發(fā)明的低衰減發(fā)光二極管包括頂部具有凹槽的支架，在支架的凹槽中固定有芯片，芯片上覆蓋包覆層，包覆層上覆蓋熒光轉(zhuǎn)化層，在熒光轉(zhuǎn)化層上覆蓋一層配光體。該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)采用包覆層覆蓋芯片，可減小芯片對熒光轉(zhuǎn)化層的光熱影響，延緩光衰減并降低顏色漂移的幅度；熒光轉(zhuǎn)化層縮短了熒光粉的運動路徑，可以有效防止熒光粉沉降不均。本發(fā)明解決了目前LED封裝中光衰大，光斑不均勻、入Bin率低等問題。
文檔編號H01L33/50GK103219453SQ20131011469
公開日2013年7月24日 申請日期2013年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月3日
發(fā)明者嚴錢軍, 高康 申請人:杭州杭科光電股份有限公司