專利名稱：防靜電tft基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT基板領(lǐng)域，特別是涉及一種防靜電TFT基板的制作方法。
背景技術(shù)：
目前,防靜電TFT (Thin Film Transistor,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)基板的制作方法為:采用真空磁控濺射鍍膜法在TFT基板上鍍一層防靜電的ITO (Indium Tin Oxides，納米銦錫金屬氧化物)膜層，從而將生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的靜電迅速的從基板表面流出，以防止靜電的聚集，防止ESD (靜電釋放)對(duì)TFT基板的損壞。但是，真空磁控濺射鍍膜法存在以下缺點(diǎn):1、鍍膜時(shí)的真空度要求較難控制，TFT基板破裂的風(fēng)險(xiǎn)較大；2、真空磁控濺射設(shè)備較復(fù)雜，投入的成本較大；3、濺射時(shí)產(chǎn)生的電子輻射對(duì)人體影響較大。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，有必要提供一種對(duì)人體影響較小、TFT基板破裂風(fēng)險(xiǎn)較小的防靜電TFT基板的制作方法。一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥；采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層，其中，所述ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5 1%的In203、4.5 6%的Sn02、35 45%的H20、15 20%的復(fù)合表面活性劑及35 40%的交聯(lián)劑；及將所述ITO涂層進(jìn)行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。在其中一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥的步驟包括:對(duì)TFT基板依次用純水、堿液、二流體噴淋、超純水噴淋、高壓噴淋進(jìn)行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述ITO溶合劑的粘度為20 25CP。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述復(fù)合表面活性劑為聚乙二醇。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述交聯(lián)劑為過(guò)氧化二異丙苯。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述ITO膜層的厚度為40 50 μ m。在其中一個(gè)實(shí)施例中，采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層的步驟中，旋刮速度為1000 1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時(shí)間為10 15s，環(huán)境溫度為19 25°C，環(huán)境濕度為40 60%。在其中一個(gè)實(shí)施例中，烘烤溫度為57 63°C，烘烤時(shí)間為25 35min。上述防靜電TFT基板的制作方法，由于旋刮涂膠法的設(shè)備較真空磁控濺射設(shè)備成本較低，降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，旋刮涂膠法不會(huì)產(chǎn)生電子輻射，對(duì)人體影響較??；另外，旋刮涂膠法在常壓下進(jìn)行，減少了真空度對(duì)TFT基板破裂風(fēng)險(xiǎn)的影響。


圖1為一實(shí)施方式的防靜電TFT基板的制作方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。一實(shí)施方式的防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:步驟S100、對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥。具體的，使用清洗機(jī)對(duì)TFT基板依次用純水、堿液、BJ (二流體)噴淋、DI (超純水)噴淋、高壓噴淋進(jìn)行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥，最后檢驗(yàn)TFT基板表面的清潔質(zhì)量，準(zhǔn)備進(jìn)行旋刮涂膠。步驟S200、采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂層，其中，ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5 1%的In203、4.5 6%的SnO2,35 45%的H20、15 20%的復(fù)合表面活性劑及35 40%的交聯(lián)劑。具體的，通過(guò)機(jī)械手將TFT基板放置在自動(dòng)刀刮旋涂膠機(jī)工作臺(tái)面上，并進(jìn)行自動(dòng)定位，然后將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，形成一層ITO涂層，旋刮速度為1000 1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時(shí)間為10 15s，均勻性控制在±5%以內(nèi)。作業(yè)環(huán)境為無(wú)塵空間(百級(jí))，溫度為19 25°C，濕度為40 60%。其中，ITO溶合劑的粘度為20 25CP。復(fù)合表面活性劑為邢臺(tái)盛達(dá)助劑有限責(zé)任公司生產(chǎn)的聚乙二醇(PEG) 400。交聯(lián)劑具體為過(guò)氧化二異丙苯。步驟S300、將ITO涂層進(jìn)行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。將ITO涂層在作業(yè)環(huán)境下自然風(fēng)干3 5min后送進(jìn)無(wú)塵烤箱中進(jìn)行烘烤，烘烤溫度為57 63°C，烘烤時(shí)間為25 35min。烘烤溫度較低，防止溫度因素影響ITO膜層的附著力及膜硬度。將具有ITO涂層的TFT基板進(jìn)行烘烤，可以使ITO涂層與TFT基板的附著力增強(qiáng)，并形成透明、均勻的ITO膜層。其中，ITO膜層的厚度為40 50 μ m。上述防靜電TFT基板的制作方法，由于旋刮涂膠法的設(shè)備較真空磁控濺射設(shè)備成本較低，降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，旋刮涂膠法不會(huì)產(chǎn)生電子輻射，對(duì)人體影響較小；另外，旋刮涂膠法在常壓下進(jìn)行，減少了真空度對(duì)TFT基板破裂風(fēng)險(xiǎn)的影響。下面結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述。實(shí)施例1一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:1、對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥。使用清洗機(jī)對(duì)TFT基板依次用純水、堿液、BJ噴淋、DI噴淋、高壓噴淋進(jìn)行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。2、采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂層，其中，ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5%的In203、4.5%的Sn02、40%的H20、15%的PEG400及40%的過(guò)氧化二異丙苯。通過(guò)機(jī)械手將TFT基板放置在自動(dòng)刀刮旋涂膠機(jī)工作臺(tái)面上，并進(jìn)行自動(dòng)定位，然后將粘度為20CP的ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，形成一層ITO涂層，旋刮速度為1000轉(zhuǎn)/min，旋刮時(shí)間為10s。作業(yè)環(huán)境為無(wú)塵空間(百級(jí))，溫度為19°C，濕度為40%。3、將ITO涂層進(jìn)行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。將ITO涂層送進(jìn)無(wú)塵烤箱中進(jìn)行烘烤，烘烤溫度為60°C，烘烤時(shí)間為25min。ITO膜層的厚度為40 μ m。將上述制作方法制得的防靜電TFT基板進(jìn)行性能測(cè)試，測(cè)試結(jié)果為:防靜電TFT基板的表面電阻為5 10Ω/ □，透過(guò)率比彡90%, ITO膜層的附著力為5B、膜硬度>6H，說(shuō)明該防靜電TFT基板達(dá)到生產(chǎn)要求，透過(guò)率較高，能夠較好地應(yīng)用于市場(chǎng)。實(shí)施例2一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟:1、對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥。使用清洗機(jī)對(duì)TFT基板依次用純水、堿液、BJ噴淋、DI噴淋、高壓噴淋進(jìn)行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。

2、采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，在TFT基板表面形成ITO涂層，其中，ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:1%的In203、6%的Sn02、40%的H20、18%的PEG400及35%的過(guò)氧化二異丙苯。通過(guò)機(jī)械手將TFT基板放置在自動(dòng)刀刮旋涂膠機(jī)工作臺(tái)面上，并進(jìn)行自動(dòng)定位，然后將粘度為25CP的ITO溶合劑旋刮在TFT基板上，形成一層ITO涂層，旋刮速度為1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時(shí)間為15s。作業(yè)環(huán)境為無(wú)塵空間(百級(jí))，溫度為25°C，濕度為60%。3、將ITO涂層進(jìn)行烘烤，后自然晾干，在TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。將ITO涂層送進(jìn)無(wú)塵烤箱中進(jìn)行烘烤，烘烤溫度為63°C，烘烤時(shí)間為35min。ITO膜層的厚度為50 μ m。將上述制作方法制得的防靜電TFT基板進(jìn)行性能測(cè)試，測(cè)試結(jié)果為:防靜電TFT基板的表面電阻為5 10Ω/ □，透過(guò)率比彡90%, ITO膜層的附著力為5B、膜硬度>6H，說(shuō)明該防靜電TFT基板達(dá)到生產(chǎn)要求，透過(guò)率較高，能夠較好地應(yīng)用于市場(chǎng)。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥； 采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層，其中，所述ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成:0.5 1%的In203、4.5 6%的SnO2,35 45%的H20、15 20%的復(fù)合表面活性劑及35 40%的交聯(lián)劑；及 將所述ITO涂層進(jìn)行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥的步驟包括:對(duì)TFT基板依次用純水、堿液、二流體噴淋、超純水噴淋、高壓噴淋進(jìn)行清洗，后依次用冷風(fēng)、熱風(fēng)干燥。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述ITO溶合劑的粘度為20 25CP。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述復(fù)合表面活性劑為聚乙二醇。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述交聯(lián)劑為過(guò)氧化二異丙苯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，所述ITO膜層的厚度為40 50 μ m。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層的步驟中，旋刮速度為1000 1500轉(zhuǎn)/min，旋刮時(shí)間為10 15s，環(huán)境溫度為19 25°C，環(huán)境濕度為40 60%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防靜電TFT基板的制作方法，其特征在于，烘烤溫度為57 63 °C，烘烤時(shí)間為25 35min。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種防靜電TFT基板的制作方法，包括以下步驟對(duì)TFT基板進(jìn)行清洗并干燥；采用旋刮涂膠法將ITO溶合劑旋刮在所述TFT基板上，在所述TFT基板表面形成ITO涂層，其中，所述ITO溶合劑由以下質(zhì)量百分比的組份組成0.5～1%的In2O3、4.5～6%的SnO2、35～45%的H2O、15～20%的復(fù)合表面活性劑及35～40%的交聯(lián)劑；及將所述ITO涂層進(jìn)行烘烤，后自然晾干，在所述TFT基板表面形成ITO膜層，得到防靜電TFT基板。上述防靜電TFT基板的制作方法，由于旋刮涂膠法的設(shè)備較真空磁控濺射設(shè)備成本較低，降低了生產(chǎn)成本；同時(shí)，旋刮涂膠法不會(huì)產(chǎn)生電子輻射，對(duì)人體影響較??；另外，旋刮涂膠法在常壓下進(jìn)行，減少了真空度對(duì)TFT基板破裂風(fēng)險(xiǎn)的影響。
文檔編號(hào)H01L21/77GK103199061SQ20131011799
公開(kāi)日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2013年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月7日
發(fā)明者張迅, 張伯倫, 易偉華 申請(qǐng)人:江西沃格光電科技有限公司